JP2003008309A - マイクロ波帯干渉防止パッケージ - Google Patents
マイクロ波帯干渉防止パッケージInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】パッケージ内を伝播する電磁波を抑圧するマイ
クロ波帯干渉防止パッケージを提供する。 【解決手段】パッケージ１は高周波回路素子である増幅
器６，８を内部に実装する。カバー２は増幅器６，８を
封止するようにパッケージ１と接合する。スリット３は
カバー２に設けられ、パッケージ１上部に配置されたキ
ャビティ４を形成する。吸収体５はキャビティ４に設置
され電磁波を吸収する。増幅器６，８はパッケージ１に
実装された高周波回路素子である。入出力端子７，９は
増幅器６，８の各々に設けられ、高周波信号を入出力す
る。
クロ波帯干渉防止パッケージを提供する。 【解決手段】パッケージ１は高周波回路素子である増幅
器６，８を内部に実装する。カバー２は増幅器６，８を
封止するようにパッケージ１と接合する。スリット３は
カバー２に設けられ、パッケージ１上部に配置されたキ
ャビティ４を形成する。吸収体５はキャビティ４に設置
され電磁波を吸収する。増幅器６，８はパッケージ１に
実装された高周波回路素子である。入出力端子７，９は
増幅器６，８の各々に設けられ、高周波信号を入出力す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯干渉防
止パッケージに関し、特にパッケージ上部に配置された
キャビティとその内部に設置された吸収体により、パッ
ケージ内を伝播する電磁波を抑圧するマイクロ波帯干渉
防止パッケージに関する。
止パッケージに関し、特にパッケージ上部に配置された
キャビティとその内部に設置された吸収体により、パッ
ケージ内を伝播する電磁波を抑圧するマイクロ波帯干渉
防止パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、マイクロ波やミリ波の周波数帯
域に対して有効なパッケージ構造として、誘電体を材料
としたカバーで封止し、この誘電体カバーと電気シール
ドのためのキャップとの間に電波吸収帯を装着したパッ
ケージが用いられる。
域に対して有効なパッケージ構造として、誘電体を材料
としたカバーで封止し、この誘電体カバーと電気シール
ドのためのキャップとの間に電波吸収帯を装着したパッ
ケージが用いられる。
【０００３】しかしながら、このような構造の場合に
は、高利得をもつ増幅器のように同一周波数での電力差
が入力と出力との間で大きい場合、導体壁の幅が導波管
の伝播モードのカットオフ周波数以下であると、入出力
間で帰還がかかり発振や周波数特性が劣化する場合があ
る。特にマイクロ波帯の増幅器を収めるような金属パッ
ケージの場合、パッケージ内を伝播する導波管モードに
より、パッケージに納められた増幅器の出力端子から放
射した電磁波が増幅器の入力端子に戻り、発振や特性劣
化を起こす。これを防ぐためにパッケージの横幅Ｗを絞
り、導波管モードの発生周波数を使用周波数帯域より高
くする方法があるが、この場合、パッケージの横幅Ｗを
導波管カットオフとする周波数以上ではパッケージ内で
電磁波の空間伝播が生じて、増幅器等を実装した場合に
発振し、特性が劣化することになる。
は、高利得をもつ増幅器のように同一周波数での電力差
が入力と出力との間で大きい場合、導体壁の幅が導波管
の伝播モードのカットオフ周波数以下であると、入出力
間で帰還がかかり発振や周波数特性が劣化する場合があ
る。特にマイクロ波帯の増幅器を収めるような金属パッ
ケージの場合、パッケージ内を伝播する導波管モードに
より、パッケージに納められた増幅器の出力端子から放
射した電磁波が増幅器の入力端子に戻り、発振や特性劣
化を起こす。これを防ぐためにパッケージの横幅Ｗを絞
り、導波管モードの発生周波数を使用周波数帯域より高
くする方法があるが、この場合、パッケージの横幅Ｗを
導波管カットオフとする周波数以上ではパッケージ内で
電磁波の空間伝播が生じて、増幅器等を実装した場合に
発振し、特性が劣化することになる。
【０００４】最近のデバイスや装置の小型化により高利
得の増幅器を一つのパッケージやハウジングに収める必
要性が増加しており、特にマイクロ波の領域では、前述
の通りパッケージ内での電磁波の伝播により発振や特性
劣化（利得や位相の周波数特性劣化など）が生じる問題
がある。
得の増幅器を一つのパッケージやハウジングに収める必
要性が増加しており、特にマイクロ波の領域では、前述
の通りパッケージ内での電磁波の伝播により発振や特性
劣化（利得や位相の周波数特性劣化など）が生じる問題
がある。
【０００５】一般的な対策として前述したようにパッケ
ージの幅を狭くする方法が取られているが、実際の物作
りにおいては実装するデバイスの幅の制約を受け、充分
に狭くすることが困難な場合が多いのが実情である。
ージの幅を狭くする方法が取られているが、実際の物作
りにおいては実装するデバイスの幅の制約を受け、充分
に狭くすることが困難な場合が多いのが実情である。
【０００６】このようなパッケージ内の電磁干渉防止技
術の一例として、特開平１０−２０９７７４号公報記載
の「マイクロ波増幅器」が知られている。
術の一例として、特開平１０−２０９７７４号公報記載
の「マイクロ波増幅器」が知られている。
【０００７】この公報では、入出力整合回路と、マイク
ロ波増幅素子と、これらを内部に収容するパッケージ金
属導体及びその上蓋とから構成され、金属パッケージの
上蓋にスリットを設け、このスリットを誘電体や電波吸
収体で充填させ、スリット長を短くすることでマイクロ
波増幅素子のアイソレーション特性を改善し、不要発振
を除去する技術が記載されている。
ロ波増幅素子と、これらを内部に収容するパッケージ金
属導体及びその上蓋とから構成され、金属パッケージの
上蓋にスリットを設け、このスリットを誘電体や電波吸
収体で充填させ、スリット長を短くすることでマイクロ
波増幅素子のアイソレーション特性を改善し、不要発振
を除去する技術が記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロ波帯干渉防止パッケージは、高利得の増幅器を一つの
パッケージやハウジングに収める必要性が増加している
最近の傾向を考慮すると、高利得をもつ増幅器のように
同一周波数での電力差が入力と出力との間で大きい場合
に、導体壁の幅が導波管の伝播モードのカットオフ周波
数以下であると入出力間で帰還がかかり、特にマイクロ
波の領域ではパッケージ内での電磁波の伝播により発振
や特性劣化（利得や位相の周波数特性劣化など）が生じ
るという欠点を有している。
ロ波帯干渉防止パッケージは、高利得の増幅器を一つの
パッケージやハウジングに収める必要性が増加している
最近の傾向を考慮すると、高利得をもつ増幅器のように
同一周波数での電力差が入力と出力との間で大きい場合
に、導体壁の幅が導波管の伝播モードのカットオフ周波
数以下であると入出力間で帰還がかかり、特にマイクロ
波の領域ではパッケージ内での電磁波の伝播により発振
や特性劣化（利得や位相の周波数特性劣化など）が生じ
るという欠点を有している。
【０００９】本発明の目的は、パッケージのカバー部に
設けたスリットを介することで、パッケージの横幅を導
波管カットオフとする周波数以上においても、キャビテ
ィとその内部に設置された吸収体によりパッケージ内を
伝播する電磁波を抑圧するマイクロ波帯干渉防止パッケ
ージを提供することにある。
設けたスリットを介することで、パッケージの横幅を導
波管カットオフとする周波数以上においても、キャビテ
ィとその内部に設置された吸収体によりパッケージ内を
伝播する電磁波を抑圧するマイクロ波帯干渉防止パッケ
ージを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波帯干
渉防止パッケージは、マイクロ波帯干渉防止パッケージ
において、パッケージ上部に配置されたキャビティと、
このキャビティ内部に設置された電磁波吸収体とによ
り、パッケージ内を伝播する電磁波を抑圧することを特
徴としている。
渉防止パッケージは、マイクロ波帯干渉防止パッケージ
において、パッケージ上部に配置されたキャビティと、
このキャビティ内部に設置された電磁波吸収体とによ
り、パッケージ内を伝播する電磁波を抑圧することを特
徴としている。
【００１１】複数の増幅器と、これら増幅器が実装され
たパッケージと、このパッケージ上の前記複数の増幅器
を封止するように前記パッケージと接合するカバーと、
このカバーに設けたスリットと、このスリットを介して
前記パッケージの上部に配置されたキャビティと、この
キャビティに設置された電磁波吸収体と、前記複数の増
幅器の各々に設けた信号の入出力端子とを備えたことを
特徴としている。
たパッケージと、このパッケージ上の前記複数の増幅器
を封止するように前記パッケージと接合するカバーと、
このカバーに設けたスリットと、このスリットを介して
前記パッケージの上部に配置されたキャビティと、この
キャビティに設置された電磁波吸収体と、前記複数の増
幅器の各々に設けた信号の入出力端子とを備えたことを
特徴としている。
【００１２】前記キャビティのスロット幅が、前記パッ
ケージの横幅より大きいことを特徴としている。
ケージの横幅より大きいことを特徴としている。
【００１３】また、複数の増幅器と、これら増幅器が実
装されたパッケージと、このパッケージ上の前記複数の
増幅器を封止するように前記パッケージと接合するカバ
ーと、このカバーに設けたスリットと、このスリットを
介して前記パッケージの上部に配置されたキャビティ
と、このキャビティの上面に設置された第１の電磁波吸
収体と、前記キャビティの下面にあって前記スリットを
形成するフランジに設置された第２の電磁波吸収体と、
前記複数の増幅器の各々に設けた信号の入出力端子とを
備えたことを特徴としている。
装されたパッケージと、このパッケージ上の前記複数の
増幅器を封止するように前記パッケージと接合するカバ
ーと、このカバーに設けたスリットと、このスリットを
介して前記パッケージの上部に配置されたキャビティ
と、このキャビティの上面に設置された第１の電磁波吸
収体と、前記キャビティの下面にあって前記スリットを
形成するフランジに設置された第２の電磁波吸収体と、
前記複数の増幅器の各々に設けた信号の入出力端子とを
備えたことを特徴としている。
【００１４】前記パッケージの材質が、金属であること
を特徴としている。
を特徴としている。
【００１５】前記パッケージの材質が、セラミックスで
あることを特徴としている。
あることを特徴としている。
【００１６】前記パッケージの材質が、プラスチックで
あることを特徴としている。
あることを特徴としている。
【００１７】なお、前記スリットの形状が、十字である
ことを特徴としている。
ことを特徴としている。
【００１８】前記スリットの形状が、円形であることを
特徴としている。
特徴としている。
【００１９】前記スリットの形状が、楕円形であること
を特徴としている。
を特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２１】図１は本発明のマイクロ波帯干渉防止パッ
ケージの一つの実施の形態を示す構造図である。
ケージの一つの実施の形態を示す構造図である。
【００２２】図1（ａ）は２台の増幅器を組み込んだパ
ッケージの側面図を示し、図１（ｂ）はＡ−Ａ’断面図
を、図１（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図を、図１（ｄ）はＣ−
Ｃ’断面図を示す。
ッケージの側面図を示し、図１（ｂ）はＡ−Ａ’断面図
を、図１（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図を、図１（ｄ）はＣ−
Ｃ’断面図を示す。
【００２３】図１に示す本実施の形態は、高周波回路素
子である２台の増幅器６，８と、これら増幅器６，８が
実装されたパッケージ１と、このパッケージ１上の増幅
器６，８を封止するようにパッケージ１と接合するカバ
ー２と、このカバー２に設けたスリット３と、このスリ
ット３を介してパッケージ１の上部に配置されたキャビ
ティ４と、このキャビティ４に設置された電磁波を吸収
する吸収体５と、増幅器６，８の各々に設けた信号の入
出力端子７，９とから構成されている。
子である２台の増幅器６，８と、これら増幅器６，８が
実装されたパッケージ１と、このパッケージ１上の増幅
器６，８を封止するようにパッケージ１と接合するカバ
ー２と、このカバー２に設けたスリット３と、このスリ
ット３を介してパッケージ１の上部に配置されたキャビ
ティ４と、このキャビティ４に設置された電磁波を吸収
する吸収体５と、増幅器６，８の各々に設けた信号の入
出力端子７，９とから構成されている。
【００２４】次に、図１を参照して本実施の形態の動作
をより詳細に説明する。
をより詳細に説明する。
【００２５】カバー２には空洞としてのキャビティ４が
あり、ここで電磁波の共振によりエネルギーが蓄積され
る。キャビティ４にはスリット３がありパッケージ１の
内部と電磁気的に結合しており、パッケージ１内を伝播
する電磁波のエネルギーがキャビティ４内に一部引き込
まれる。キャビティ４内に電磁波のエネルギーが蓄積さ
れるが、電磁波吸収用の吸収体５があることにより熱エ
ネルギーへと変換されるため、パッケージ１内へ戻る電
磁波のエネルギーは減少する。従って、パッケージ１の
内部を伝播しようとする電磁波の一部がカバー２のキャ
ビティ４内で減衰することにより、パッケージ１内を伝
播する電磁波が減衰するとになる。
あり、ここで電磁波の共振によりエネルギーが蓄積され
る。キャビティ４にはスリット３がありパッケージ１の
内部と電磁気的に結合しており、パッケージ１内を伝播
する電磁波のエネルギーがキャビティ４内に一部引き込
まれる。キャビティ４内に電磁波のエネルギーが蓄積さ
れるが、電磁波吸収用の吸収体５があることにより熱エ
ネルギーへと変換されるため、パッケージ１内へ戻る電
磁波のエネルギーは減少する。従って、パッケージ１の
内部を伝播しようとする電磁波の一部がカバー２のキャ
ビティ４内で減衰することにより、パッケージ１内を伝
播する電磁波が減衰するとになる。
【００２６】図１（ｄ）を参照すると、パッケージ１の
横幅寸法はＷ（ｍ）であり、縦幅寸法はＬ（ｍ）であ
る。
横幅寸法はＷ（ｍ）であり、縦幅寸法はＬ（ｍ）であ
る。
【００２７】また、図１（ｂ）、図１（ｃ）を参照する
と、キャビティ４のスロット幅はパッケージ１の横幅寸
法Ｗと同一である。
と、キャビティ４のスロット幅はパッケージ１の横幅寸
法Ｗと同一である。
【００２８】例えば、使用周波数ｆ１（Ｈｚ）におけ
る、増幅器６の利得がＧ１、増幅器８の利得がＧ２であ
るとき、パッケージ１の横幅寸法Ｗ（ｍ）は導波管モー
ドでパッケージ１内を伝播する電磁波を抑圧するため、
（１）式で求められるカットオフ長（ｍ）の値以下の寸
法にする必要がある。
る、増幅器６の利得がＧ１、増幅器８の利得がＧ２であ
るとき、パッケージ１の横幅寸法Ｗ（ｍ）は導波管モー
ドでパッケージ１内を伝播する電磁波を抑圧するため、
（１）式で求められるカットオフ長（ｍ）の値以下の寸
法にする必要がある。
【００２９】
【数１】
【００３０】Ｗ＜ｃ／（ｆ１×２）の場合でも、Ｗの関
数で、かつパッケージ１の縦幅寸法Ｌ（ｍ）に比例し
て、パッケージ内を伝播する電磁波の減衰量が決まるの
で、その減衰量が増幅器６，８の利得であるＧ１＋Ｇ２
以下でなければならない。
数で、かつパッケージ１の縦幅寸法Ｌ（ｍ）に比例し
て、パッケージ内を伝播する電磁波の減衰量が決まるの
で、その減衰量が増幅器６，８の利得であるＧ１＋Ｇ２
以下でなければならない。
【００３１】Ｗを小さくするとこの減衰量は大きくとれ
るが、増幅器６，８の形状寸法幅が大きい場合や、使用
周波数帯域ｆ１が高い場合は、充分にＷを小さくするこ
とが困難となる。
るが、増幅器６，８の形状寸法幅が大きい場合や、使用
周波数帯域ｆ１が高い場合は、充分にＷを小さくするこ
とが困難となる。
【００３２】このため、カバー２の構造を、スリット
３、キャビティ４、吸収体５により図１（ａ）のように
構成している。
３、キャビティ４、吸収体５により図１（ａ）のように
構成している。
【００３３】図２は本発明のマイクロ波帯干渉防止パッ
ケージによる電磁界解析結果の１例を示す図である。
ケージによる電磁界解析結果の１例を示す図である。
【００３４】縦軸はパッケージの空間の通過特性を示
し、横軸は周波数を示している。
し、横軸は周波数を示している。
【００３５】図２を参照すると、点線は従来使用されて
いる何も細工のないカバーの特性であり、この場合パッ
ケージのカットオフ周波数以上の周波数ではパッケージ
内の通過損失が０ｄＢであるため、パッケージ内を電磁
波が伝播してしまうことを示している。
いる何も細工のないカバーの特性であり、この場合パッ
ケージのカットオフ周波数以上の周波数ではパッケージ
内の通過損失が０ｄＢであるため、パッケージ内を電磁
波が伝播してしまうことを示している。
【００３６】一方、実線は本発明によるカバーの特性
で、パッケージのカットオフ周波数以上でも通過損失が
あり、電磁波のパッケージ内伝播が抑圧されていること
が分かる。
で、パッケージのカットオフ周波数以上でも通過損失が
あり、電磁波のパッケージ内伝播が抑圧されていること
が分かる。
【００３７】図３は本発明のマイクロ波帯干渉防止パッ
ケージの第２の実施の形態を示す構造図である。
ケージの第２の実施の形態を示す構造図である。
【００３８】図３（ａ）は２台の増幅器を組み込んだパ
ッケージの側面図を示し、図３（ｂ）はＡ−Ａ’断面図
を、図３（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図を、図３（ｄ）はＣ−
Ｃ’断面図を示す。
ッケージの側面図を示し、図３（ｂ）はＡ−Ａ’断面図
を、図３（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図を、図３（ｄ）はＣ−
Ｃ’断面図を示す。
【００３９】なお、図３において図１に示す構成要素に
対応するものは同一の参照数字または符号を付し、その
説明を省略する。
対応するものは同一の参照数字または符号を付し、その
説明を省略する。
【００４０】図３に示す本実施の形態は、高周波回路素
子である２台の増幅器６，８と、これら増幅器６，８が
実装されたパッケージ１と、このパッケージ１上の増幅
器６，８を封止するようにパッケージ１と接合するカバ
ー２と、このカバー２に設けたスリット３と、このスリ
ット３を介してパッケージ１の上部に配置されたキャビ
ティ４と、このキャビティ４に設置された電磁波を吸収
する吸収体５と、増幅器６，８の各々に設けた信号の入
出力端子７，９とから構成されている。
子である２台の増幅器６，８と、これら増幅器６，８が
実装されたパッケージ１と、このパッケージ１上の増幅
器６，８を封止するようにパッケージ１と接合するカバ
ー２と、このカバー２に設けたスリット３と、このスリ
ット３を介してパッケージ１の上部に配置されたキャビ
ティ４と、このキャビティ４に設置された電磁波を吸収
する吸収体５と、増幅器６，８の各々に設けた信号の入
出力端子７，９とから構成されている。
【００４１】図３を参照すると、パッケージの横幅の一
部を広げて、キャビティ４のスロットの幅Ｗ’をパッケ
ージ１の幅Ｗより広くしている。
部を広げて、キャビティ４のスロットの幅Ｗ’をパッケ
ージ１の幅Ｗより広くしている。
【００４２】図４は本発明のマイクロ波帯干渉防止パッ
ケージの第３の実施の形態を示す構造図である。
ケージの第３の実施の形態を示す構造図である。
【００４３】図４（ａ）は２台の増幅器を組み込んだパ
ッケージの側面図を示し、図４（ｂ）はＡ−Ａ’断面図
を、図４（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図を、図４（ｄ）はＣ−
Ｃ’断面図を示す。
ッケージの側面図を示し、図４（ｂ）はＡ−Ａ’断面図
を、図４（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図を、図４（ｄ）はＣ−
Ｃ’断面図を示す。
【００４４】図４に示す本実施の形態は、高周波回路素
子である増幅器６，８と、これら増幅器６，８が実装さ
れたパッケージ１と、このパッケージ１上の高周波回路
素子を封止するようにパッケージ１と接合するカバー２
と、このカバー２に設けたスリット３と、このスリット
３を介してパッケージ１の上部に配置されたキャビティ
４と、このキャビティ４の上面に設置された電磁波を吸
収する吸収体５と、このキャビティ４の下面にあってス
リット３を形成するフランジに設置された吸収体１０
と、増幅器６，８の各々に設けた信号の入出力端子７，
９とから構成されている。
子である増幅器６，８と、これら増幅器６，８が実装さ
れたパッケージ１と、このパッケージ１上の高周波回路
素子を封止するようにパッケージ１と接合するカバー２
と、このカバー２に設けたスリット３と、このスリット
３を介してパッケージ１の上部に配置されたキャビティ
４と、このキャビティ４の上面に設置された電磁波を吸
収する吸収体５と、このキャビティ４の下面にあってス
リット３を形成するフランジに設置された吸収体１０
と、増幅器６，８の各々に設けた信号の入出力端子７，
９とから構成されている。
【００４５】なお、図４において図１に示す構成要素に
対応するものは同一の参照数字または符号を付し、その
説明を省略する。
対応するものは同一の参照数字または符号を付し、その
説明を省略する。
【００４６】図４を参照すると、スリット３を形成する
フランジの部分を吸収体１０にすることで、抑圧の周波
数範囲をさらに広げている。
フランジの部分を吸収体１０にすることで、抑圧の周波
数範囲をさらに広げている。
【００４７】なお、スリット３の形状を十字や円形、楕
円にすることなどにより、キャビティ４と結合させるこ
とも可能である。
円にすることなどにより、キャビティ４と結合させるこ
とも可能である。
【００４８】また、金属パッケージの代わりにセラミッ
クやプラスチックなどの材料を用いたパッケージやハウ
ジングでもよい。
クやプラスチックなどの材料を用いたパッケージやハウ
ジングでもよい。
【００４９】図５は図４のマイクロ波帯干渉防止パッケ
ージによる電磁界解析結果の１例を示す図である。
ージによる電磁界解析結果の１例を示す図である。
【００５０】縦軸はパッケージの空間の通過特性を示
し、横軸は周波数を示している。
し、横軸は周波数を示している。
【００５１】図５を参照すると、点線は従来使用されて
いる何も細工のないカバーの特性であり、この場合パッ
ケージのカットオフ周波数以上の周波数ではパッケージ
内の通過損失が０ｄＢであるため、パッケージ内を電磁
波が伝播してしまうことを示している。
いる何も細工のないカバーの特性であり、この場合パッ
ケージのカットオフ周波数以上の周波数ではパッケージ
内の通過損失が０ｄＢであるため、パッケージ内を電磁
波が伝播してしまうことを示している。
【００５２】一方、実線は本発明によるカバーの特性
で、パッケージのカットオフ周波数以上でも通過損失が
あり、電磁波のパッケージ内伝播が抑圧されていること
が分かる。
で、パッケージのカットオフ周波数以上でも通過損失が
あり、電磁波のパッケージ内伝播が抑圧されていること
が分かる。
【００５３】上述の通り、パッケージ１のカバー２に設
けられたスリット３を介して、パッケージ１の上部に配
置されたキャビティ４とキャビティ４の内部に設置され
た電磁波を吸収する吸収体５または吸収体１０により、
パッケージ１内を伝播する電磁波を抑圧することができ
る。
けられたスリット３を介して、パッケージ１の上部に配
置されたキャビティ４とキャビティ４の内部に設置され
た電磁波を吸収する吸収体５または吸収体１０により、
パッケージ１内を伝播する電磁波を抑圧することができ
る。
【００５４】また、パッケージ１の横幅Ｗを導波管カッ
トオフとする周波数以上においても、パッケージ内の電
磁波の伝播を抑えることが可能となる。
トオフとする周波数以上においても、パッケージ内の電
磁波の伝播を抑えることが可能となる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波帯干渉防止パッケージは、パッケージ内を伝播する電
磁波を効果的に減衰させることができるので、高利得の
増幅器を高密度実装してパッケージを小型化にできると
いう効果を有している。
波帯干渉防止パッケージは、パッケージ内を伝播する電
磁波を効果的に減衰させることができるので、高利得の
増幅器を高密度実装してパッケージを小型化にできると
いう効果を有している。
【００５６】また、従来パッケージの幅により制約され
ていた使用周波数範囲を広げることが可能であるという
効果を有している。
ていた使用周波数範囲を広げることが可能であるという
効果を有している。
【図１】本発明のマイクロ波帯干渉防止パッケージの一
つの実施の形態を示す構造図である。
つの実施の形態を示す構造図である。
【図２】本発明のマイクロ波帯干渉防止パッケージによ
る電磁界解析結果の１例を示す図である。
る電磁界解析結果の１例を示す図である。
【図３】本発明のマイクロ波帯干渉防止パッケージの第
２の実施の形態を示す構造図である。
２の実施の形態を示す構造図である。
【図４】本発明のマイクロ波帯干渉防止パッケージの第
３の実施の形態を示す構造図である。
３の実施の形態を示す構造図である。
【図５】図４のマイクロ波帯干渉防止パッケージによる
電磁界解析結果の１例を示す図である。
電磁界解析結果の１例を示す図である。
１ パッケージ
２ カバー
３ スリット
４ キャビティ
５ 吸収体
６ 増幅器
７ 入出力端子
８ 増幅器
９ 入出力端子
１０ 吸収体
Claims (10)
- 【請求項１】 マイクロ波帯干渉防止パッケージにおい
て、パッケージ上部に配置されたキャビティと、このキ
ャビティ内部に設置された電磁波吸収体とにより、パッ
ケージ内を伝播する電磁波を抑圧することを特徴とする
マイクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項２】 複数の増幅器と、これら増幅器が実装さ
れたパッケージと、このパッケージ上の前記複数の増幅
器を封止するように前記パッケージと接合するカバー
と、このカバーに設けたスリットと、このスリットを介
して前記パッケージの上部に配置されたキャビティと、
このキャビティに設置された電磁波吸収体と、前記複数
の増幅器の各々に設けた信号の入出力端子とを備えたこ
とを特徴とするマイクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項３】 前記キャビティのスロット幅が、前記パ
ッケージの横幅より大きいことを特徴とする請求項２記
載のマイクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項４】 複数の増幅器と、これら増幅器が実装さ
れたパッケージと、このパッケージ上の前記複数の増幅
器を封止するように前記パッケージと接合するカバー
と、このカバーに設けたスリットと、このスリットを介
して前記パッケージの上部に配置されたキャビティと、
このキャビティの上面に設置された第１の電磁波吸収体
と、前記キャビティの下面にあって前記スリットを形成
するフランジに設置された第２の電磁波吸収体と、前記
複数の増幅器の各々に設けた信号の入出力端子とを備え
たことを特徴とするマイクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項５】 前記パッケージの材質が、金属であるこ
とを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のマイクロ
波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項６】 前記パッケージの材質が、セラミックス
であることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の
マイクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項７】 前記パッケージの材質が、プラスチック
であることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の
マイクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項８】 前記スリットの形状が、十字であること
を特徴とする請求項２、３、４、５，６又は７記載のマ
イクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項９】 前記スリットの形状が、円形であること
を特徴とする請求項２、３、４、５，６又は７記載のマ
イクロ波帯干渉防止パッケージ。 - 【請求項１０】 前記スリットの形状が、楕円形である
ことを特徴とする請求項２、３、４、５，６又は７記載
のマイクロ波帯干渉防止パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191560A JP2003008309A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | マイクロ波帯干渉防止パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191560A JP2003008309A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | マイクロ波帯干渉防止パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008309A true JP2003008309A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19030165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001191560A Withdrawn JP2003008309A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | マイクロ波帯干渉防止パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008309A (ja) |
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| EP1690293A1 (en) * | 2003-12-02 | 2006-08-16 | Northrop Grumman Corporation | Single substrate hydrogen and microwave absorber for integrated microwave assembly and method of manufacturing same |
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| US8514036B2 (en) | 2007-08-14 | 2013-08-20 | Wemtec, Inc. | Apparatus and method for mode suppression in microwave and millimeterwave packages |
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| US9553371B2 (en) | 2010-11-12 | 2017-01-24 | Nxp Usa, Inc. | Radar module |
| US9871016B2 (en) | 2015-07-29 | 2018-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001191560A patent/JP2003008309A/ja not_active Withdrawn
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