JPH11298265A - 高利得増幅器 - Google Patents
高利得増幅器Info
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- JPH11298265A JPH11298265A JP11058883A JP5888399A JPH11298265A JP H11298265 A JPH11298265 A JP H11298265A JP 11058883 A JP11058883 A JP 11058883A JP 5888399 A JP5888399 A JP 5888399A JP H11298265 A JPH11298265 A JP H11298265A
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- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波帯域内で使用可能な高利得増幅器を提
供すること。 【解決手段】 複数の増幅回路を相互接続し、それらの
増幅回路を含むハウジングをフタ（３１）で覆い、ハウ
ジング内の、フタと増幅回路との間にあるスペース（３
３）内に、使用周波数帯の周波数において存在しうるモ
ードのいずれのモードも伝搬させないようなカットオフ
周波数をもつ導波路（４１〜４３）を設ける。前記スペ
ース内に吸収材を充填する代わりに、このスペース内に
これらの導波路を形成することによって、妨害再注入を
回避するために出力部と入力部とのはるかに良い電波絶
縁が得られる。従って、これまで一ハウジング当たり４
５ｄＢという限界を超えることができなかったが、同じ
ハウジング内で最高９０ｄＢの増幅を達成することがで
きる。
供すること。 【解決手段】 複数の増幅回路を相互接続し、それらの
増幅回路を含むハウジングをフタ（３１）で覆い、ハウ
ジング内の、フタと増幅回路との間にあるスペース（３
３）内に、使用周波数帯の周波数において存在しうるモ
ードのいずれのモードも伝搬させないようなカットオフ
周波数をもつ導波路（４１〜４３）を設ける。前記スペ
ース内に吸収材を充填する代わりに、このスペース内に
これらの導波路を形成することによって、妨害再注入を
回避するために出力部と入力部とのはるかに良い電波絶
縁が得られる。従って、これまで一ハウジング当たり４
５ｄＢという限界を超えることができなかったが、同じ
ハウジング内で最高９０ｄＢの増幅を達成することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波の範囲
内で使用可能な高利得増幅器に関する。本発明は特に、
レーダの分野、電波ビームの分野、衛星による送信、テ
レビジョンの多方面分配システム（ＬＭＤＳ）で利用可
能である。本発明が関係する周波数範囲は、より具体的
には１ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの周波数範囲である。ただ
し、これらの分野以外およびこの範囲以外での利用も考
えられる。本発明は、電波の伝搬を考える場合にはいつ
でも適用可能である。
内で使用可能な高利得増幅器に関する。本発明は特に、
レーダの分野、電波ビームの分野、衛星による送信、テ
レビジョンの多方面分配システム（ＬＭＤＳ）で利用可
能である。本発明が関係する周波数範囲は、より具体的
には１ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの周波数範囲である。ただ
し、これらの分野以外およびこの範囲以外での利用も考
えられる。本発明は、電波の伝搬を考える場合にはいつ
でも適用可能である。
【０００２】本発明の目的は、高利得かつ低コストの増
幅器を提案することである。「高利得」とは４０ｄＢ以
上、最高１００ｄＢの増幅をいう。
幅器を提案することである。「高利得」とは４０ｄＢ以
上、最高１００ｄＢの増幅をいう。
【０００３】
【従来の技術】これらの増幅機能を実行するのに用いら
れる回路は、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩ
Ｃ）と呼ばれる回路に基づいた構成要素を含んでいる。
このようなＭＭＩＣ構成要素は、伝送線によって互いに
接続された集積回路を含んでいる。このようなＭＭＩＣ
構成要素内の伝送線のアーキテクチャ、長さおよび配置
は、本質的に非振動性のマイクロ波増幅回路を構成する
ようなものである。実際には、マイクロ波増幅アセンブ
リは、ＭＭＩＣ構成要素を受容するための凹所が形成さ
れた（たとえばセラミック製、ポリテトラフルオロエチ
レンガラス製、またはエポキシ樹脂製の）絶縁プレート
を含んでいる。この絶縁プレートは、構成要素を相互接
続するための導電トラックを備えている。各ＭＭＩＣ構
成要素は、増幅すべき信号が注入される入力部と、増幅
された信号が取り出される出力部とを備えている。ま
た、ＭＭＩＣ構成要素は、平行六面体の形をしている場
合が多く、入力部はＭＭＩＣ構成要素の片側に位置して
おり、出力部は入力側と反対側に位置している。
れる回路は、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩ
Ｃ）と呼ばれる回路に基づいた構成要素を含んでいる。
このようなＭＭＩＣ構成要素は、伝送線によって互いに
接続された集積回路を含んでいる。このようなＭＭＩＣ
構成要素内の伝送線のアーキテクチャ、長さおよび配置
は、本質的に非振動性のマイクロ波増幅回路を構成する
ようなものである。実際には、マイクロ波増幅アセンブ
リは、ＭＭＩＣ構成要素を受容するための凹所が形成さ
れた（たとえばセラミック製、ポリテトラフルオロエチ
レンガラス製、またはエポキシ樹脂製の）絶縁プレート
を含んでいる。この絶縁プレートは、構成要素を相互接
続するための導電トラックを備えている。各ＭＭＩＣ構
成要素は、増幅すべき信号が注入される入力部と、増幅
された信号が取り出される出力部とを備えている。ま
た、ＭＭＩＣ構成要素は、平行六面体の形をしている場
合が多く、入力部はＭＭＩＣ構成要素の片側に位置して
おり、出力部は入力側と反対側に位置している。
【０００４】当然ながら、増幅された信号は構成要素の
出力部の近傍にあるスペースへ放射される。残念なが
ら、この放射はそのとき入力部まで伝搬する。その結
果、出力部で発生した信号が入力部に再注入されるとい
う現象が生じる。この現象は無線伝送現象である。
出力部の近傍にあるスペースへ放射される。残念なが
ら、この放射はそのとき入力部まで伝搬する。その結
果、出力部で発生した信号が入力部に再注入されるとい
う現象が生じる。この現象は無線伝送現象である。
【０００５】このような現象の妨害効果を制限するため
に、ＭＭＩＣ構成要素は金属カバーと周囲吸収材とを備
える。従って、ＭＭＩＣ構成要素の集積回路とカバーと
の間に吸収材が配置される。さらに、カバーを備えたＭ
ＭＩＣ構成要素自体は、ＭＭＩＣ構成要素の入力部に対
向する入力部と、ＭＭＩＣ構成要素の出力部に対向する
出力部とを有するハウジング内に配置される。また、こ
のハウジングのフタとカバーとの間のスペースも、増幅
された波の再帰伝搬を防ぐために吸収材が充填される。
ハウジングは、遮蔽接続ケーブルによって他の回路に接
続される。
に、ＭＭＩＣ構成要素は金属カバーと周囲吸収材とを備
える。従って、ＭＭＩＣ構成要素の集積回路とカバーと
の間に吸収材が配置される。さらに、カバーを備えたＭ
ＭＩＣ構成要素自体は、ＭＭＩＣ構成要素の入力部に対
向する入力部と、ＭＭＩＣ構成要素の出力部に対向する
出力部とを有するハウジング内に配置される。また、こ
のハウジングのフタとカバーとの間のスペースも、増幅
された波の再帰伝搬を防ぐために吸収材が充填される。
ハウジングは、遮蔽接続ケーブルによって他の回路に接
続される。
【０００６】吸収材によってもたらされる欠点は、これ
らの吸収材がそれらの機能を十分に発揮しないことであ
る。従って、吸収材の選択およびそれらの配置に注意し
ても、ハウジング内に配置されたこのような増幅回路で
達成可能な増幅限界は約４０ｄＢである。このような限
界を超えると、周波数帯のいくつかのスペクトル成分に
対して、ＭＭＩＣ構成要素は振動を始め（利得は非常に
大きくなる）、再注入により著しい減衰が起こる。つま
り、使用周波数帯内で、実際に達成される利得は予測不
可能に変動し、増幅器に割り当てられた増幅値をはるか
に上回ったり、下回ったりする。従って、このような増
幅器は使用不可能である。つまり、このような増幅器で
は増幅された信号のひずみが非常に大きくなる。
らの吸収材がそれらの機能を十分に発揮しないことであ
る。従って、吸収材の選択およびそれらの配置に注意し
ても、ハウジング内に配置されたこのような増幅回路で
達成可能な増幅限界は約４０ｄＢである。このような限
界を超えると、周波数帯のいくつかのスペクトル成分に
対して、ＭＭＩＣ構成要素は振動を始め（利得は非常に
大きくなる）、再注入により著しい減衰が起こる。つま
り、使用周波数帯内で、実際に達成される利得は予測不
可能に変動し、増幅器に割り当てられた増幅値をはるか
に上回ったり、下回ったりする。従って、このような増
幅器は使用不可能である。つまり、このような増幅器で
は増幅された信号のひずみが非常に大きくなる。
【０００７】この問題を解消するために、たとえば９０
ｄＢの増幅を達成するために、それぞれ増幅回路を含む
複数のハウジング、たとえば三つのハウジングを縦続接
続するようになされる。当然ながら、このようにすると
コストがほぼ三倍になる。
ｄＢの増幅を達成するために、それぞれ増幅回路を含む
複数のハウジング、たとえば三つのハウジングを縦続接
続するようになされる。当然ながら、このようにすると
コストがほぼ三倍になる。
【０００８】さらに、吸収材にはガスを放出するという
欠点がある。吸収材は、昇華により粒子を放出する。こ
れらの粒子は、特に集積回路内で使用されるガリウムヒ
素（ＧａＡｓ）トランジスタの導電チャネル中に入り込
む。このガス放出はこれらのトランジスタの劣化をもた
らす。さらに、カバーとフタとの間で、吸収材の減衰能
は実際にはせいぜい５０ｄＢに制限される。
欠点がある。吸収材は、昇華により粒子を放出する。こ
れらの粒子は、特に集積回路内で使用されるガリウムヒ
素（ＧａＡｓ）トランジスタの導電チャネル中に入り込
む。このガス放出はこれらのトランジスタの劣化をもた
らす。さらに、カバーとフタとの間で、吸収材の減衰能
は実際にはせいぜい５０ｄＢに制限される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、妨害再注入
現象を生じることなしに、高い利得、たとえば一般に６
０ｄＢ、さらには８０ｄＢまたは９０ｄＢの高い利得を
もつ増幅器の設計を可能にする解決法を提案することに
よって上記の問題を解消することを目的とする。このよ
うな条件の下では、同じハウジング内で高利得増幅器を
構成することが可能になる。つまり、アセンブリのコス
トはほぼ三分の一になると考えられる。
現象を生じることなしに、高い利得、たとえば一般に６
０ｄＢ、さらには８０ｄＢまたは９０ｄＢの高い利得を
もつ増幅器の設計を可能にする解決法を提案することに
よって上記の問題を解消することを目的とする。このよ
うな条件の下では、同じハウジング内で高利得増幅器を
構成することが可能になる。つまり、アセンブリのコス
トはほぼ三分の一になると考えられる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の原理は、ＭＭＩ
Ｃ回路のカバーのところで、それぞれこのカバーの上方
および下方にあるスペース内に、それぞれ補助導波路お
よび追加導波路と呼ばれる導波路を設けることからな
る。これらの補助導波路および追加導波路のカットオフ
周波数は、増幅すべき使用通過帯域の上限より大きくな
るように選択される。その結果、使用周波数帯内で発生
したすべての信号は、構成された導波路のカットオフ周
波数より小さい周波数をもつことになる。つまり、それ
らの信号はこれらの導波路内を伝搬することができなく
なる。従って、増幅回路の出力部から入力部への帰還
は、それらの信号を妨害しない程度まで低減される。し
たがって、非常に高い利得をもつ増幅回路を設計するこ
とができる。実際に本発明をテストしたところ、８０ｄ
Ｂ〜９０ｄＢの利得が得られた。
Ｃ回路のカバーのところで、それぞれこのカバーの上方
および下方にあるスペース内に、それぞれ補助導波路お
よび追加導波路と呼ばれる導波路を設けることからな
る。これらの補助導波路および追加導波路のカットオフ
周波数は、増幅すべき使用通過帯域の上限より大きくな
るように選択される。その結果、使用周波数帯内で発生
したすべての信号は、構成された導波路のカットオフ周
波数より小さい周波数をもつことになる。つまり、それ
らの信号はこれらの導波路内を伝搬することができなく
なる。従って、増幅回路の出力部から入力部への帰還
は、それらの信号を妨害しない程度まで低減される。し
たがって、非常に高い利得をもつ増幅回路を設計するこ
とができる。実際に本発明をテストしたところ、８０ｄ
Ｂ〜９０ｄＢの利得が得られた。
【００１１】当然ながら、本発明の利点は、必ずしも非
常に良好な吸収特性をもたないが、ガスを放出せず、従
ってＭＭＩＣ構成要素のトランジスタを汚染しないとい
う利点をもつ材料で充填された導波路の構成が可能にな
ることである。
常に良好な吸収特性をもたないが、ガスを放出せず、従
ってＭＭＩＣ構成要素のトランジスタを汚染しないとい
う利点をもつ材料で充填された導波路の構成が可能にな
ることである。
【００１２】従って、本発明は、高周波帯域内に分布し
た電気信号を増幅するための高利得増幅器であって、サ
ポート上、たとえばＭＭＩＣ構成要素内の金属ベースプ
レート上に取り付けられ、カバーで覆われ、第一の側に
信号入力部を有し、この第一の側と反対側の第二の側に
信号出力部を有する増幅回路と、カバーとサポートとの
間にあるスペースをいくつかの補助導波路に分割する分
割手段とを含んでおり、このようにして得られた導波路
の特性が、増幅器の高周波帯域内にある周波数をもつ信
号を出力部と入力部との間で伝搬させるのに不適当であ
ることを特徴とする増幅器を目的とする。カバーの上方
にあるスペースは、追加導波路が補助導波路と同じ特性
を有するように、同じ方法で分割されることが好まし
い。
た電気信号を増幅するための高利得増幅器であって、サ
ポート上、たとえばＭＭＩＣ構成要素内の金属ベースプ
レート上に取り付けられ、カバーで覆われ、第一の側に
信号入力部を有し、この第一の側と反対側の第二の側に
信号出力部を有する増幅回路と、カバーとサポートとの
間にあるスペースをいくつかの補助導波路に分割する分
割手段とを含んでおり、このようにして得られた導波路
の特性が、増幅器の高周波帯域内にある周波数をもつ信
号を出力部と入力部との間で伝搬させるのに不適当であ
ることを特徴とする増幅器を目的とする。カバーの上方
にあるスペースは、追加導波路が補助導波路と同じ特性
を有するように、同じ方法で分割されることが好まし
い。
【００１３】本発明は、添付の図面を参照しながら以下
の説明を読むことによってより良く理解されるであろ
う。なお、これらの図面は参考として示されているにす
ぎず、本発明を限定するものではない。
の説明を読むことによってより良く理解されるであろ
う。なお、これらの図面は参考として示されているにす
ぎず、本発明を限定するものではない。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１および図２に本発明による高
利得増幅器を示す。図２において、増幅器は少なくとも
一つの増幅回路１を含んでいる。この回路は集積回路の
形の電子構成要素２および３を含んでいる。これらの構
成要素２および３は、幾何形状および配置が特に増幅回
路のマイクロ波性質に適している接続４および５によっ
て互いに接続されている。接続は、当然ながら回路のア
ースと接触することなしに空中線の形でなされている。
回路１は、第一の側に信号入力部６を有し、第一の側の
反対側の第二の側に信号出力部７を有している。信号は
入力部６から入り、集積回路２および３によって処理さ
れ、出力部７から増幅された状態で出力される。
利得増幅器を示す。図２において、増幅器は少なくとも
一つの増幅回路１を含んでいる。この回路は集積回路の
形の電子構成要素２および３を含んでいる。これらの構
成要素２および３は、幾何形状および配置が特に増幅回
路のマイクロ波性質に適している接続４および５によっ
て互いに接続されている。接続は、当然ながら回路のア
ースと接触することなしに空中線の形でなされている。
回路１は、第一の側に信号入力部６を有し、第一の側の
反対側の第二の側に信号出力部７を有している。信号は
入力部６から入り、集積回路２および３によって処理さ
れ、出力部７から増幅された状態で出力される。
【００１５】図１はこれらの要素を概略的に示す断面図
である。この図に示すように、回路２および３はサポー
ト上に配置されている。このサポートは絶縁プレート８
から構成される。このプレート８は中央の凹所に金属ベ
ースプレート９を備えている。プレート８上に備えられ
た金属被覆１０は、接続部６から供給された信号を増幅
するために、制御信号、特に電力信号と利得制御信号と
を集積回路２および３に伝送することを可能にしてい
る。いずれにしても、制御信号は、増幅すべき高周波信
号の周波数よりかなり低い周波数をもつ。実際に、これ
らの信号は、直流信号であるか（この場合、これらの信
号は集積回路用の電力によって構成される）、あるいは
１００ＭＨｚ以下の低周波信号である。
である。この図に示すように、回路２および３はサポー
ト上に配置されている。このサポートは絶縁プレート８
から構成される。このプレート８は中央の凹所に金属ベ
ースプレート９を備えている。プレート８上に備えられ
た金属被覆１０は、接続部６から供給された信号を増幅
するために、制御信号、特に電力信号と利得制御信号と
を集積回路２および３に伝送することを可能にしてい
る。いずれにしても、制御信号は、増幅すべき高周波信
号の周波数よりかなり低い周波数をもつ。実際に、これ
らの信号は、直流信号であるか（この場合、これらの信
号は集積回路用の電力によって構成される）、あるいは
１００ＭＨｚ以下の低周波信号である。
【００１６】回路１は金属カバー１１で覆われている。
カバー１１は図示されていないピラーまたは金属壁によ
ってベースプレート９上に保持されている。現在の技術
では、ベースプレート９とカバー１１との間にあるスペ
ース１２には上述の付随する欠点をもつ吸収材が詰め込
まれる。
カバー１１は図示されていないピラーまたは金属壁によ
ってベースプレート９上に保持されている。現在の技術
では、ベースプレート９とカバー１１との間にあるスペ
ース１２には上述の付随する欠点をもつ吸収材が詰め込
まれる。
【００１７】カバーの幅１３は、増幅され、出力部７で
得られた信号の様々な電波伝搬モードをプレート８とカ
バー１１との間のスペース内を伝搬させるのに十分な幅
である。
得られた信号の様々な電波伝搬モードをプレート８とカ
バー１１との間のスペース内を伝搬させるのに十分な幅
である。
【００１８】本発明では、この伝搬を回避するために、
幅１３を複数の導波路に、ここでは三つの導波路１４、
１５および１６に分割する。以下で説明するように、こ
れらの導波路の厚さおよび幅の特性は、出力部７で得ら
れた増幅された信号の任意のモードを伝搬させるのに不
適当であるような特性である。ＴＥ０１モードと呼ばれ
るモードが導波路内を伝搬するのを防ぐには、導波路の
幅をλ／４より小さくするだけで十分であることが分か
っている。ここで、λは導波路の誘電体内を伝搬する波
の波長である。マイクロストリップ線路を備えたプレー
トがある場合、最も許容されるモードは、特性寸法がλ
／４でないＬＳＭ１１モード（長さ方向が磁気）であ
る。つまり、特性寸法はλ／４よりも小さく、計算が複
雑である。ただし、このモードの場合でも、それ以下で
は伝搬が不可能になる計算可能なカットオフ周波数が存
在する。また、ＬＳＭ１１モードが伝搬できない場合、
それより高い他のいかなるモードも伝搬できない。
幅１３を複数の導波路に、ここでは三つの導波路１４、
１５および１６に分割する。以下で説明するように、こ
れらの導波路の厚さおよび幅の特性は、出力部７で得ら
れた増幅された信号の任意のモードを伝搬させるのに不
適当であるような特性である。ＴＥ０１モードと呼ばれ
るモードが導波路内を伝搬するのを防ぐには、導波路の
幅をλ／４より小さくするだけで十分であることが分か
っている。ここで、λは導波路の誘電体内を伝搬する波
の波長である。マイクロストリップ線路を備えたプレー
トがある場合、最も許容されるモードは、特性寸法がλ
／４でないＬＳＭ１１モード（長さ方向が磁気）であ
る。つまり、特性寸法はλ／４よりも小さく、計算が複
雑である。ただし、このモードの場合でも、それ以下で
は伝搬が不可能になる計算可能なカットオフ周波数が存
在する。また、ＬＳＭ１１モードが伝搬できない場合、
それより高い他のいかなるモードも伝搬できない。
【００１９】従って、本発明のアイデアは、導波路１４
〜１６の各々の特性を知ることである。このことは、幅
１３が既知であり、また分割の数および形成すべき断面
のサイズが既知であるので容易である。このようにして
構成された導波路の特性を知るために、ＬＳＭ１１モー
ドのカットオフ周波数を計算する。このような計算は複
雑であるが、知られているタイプの計算である。このよ
うな計算は、たとえば、米国ノーウッド（Norwood）の
アーテックハウス社（Artech House）から出版されたRe
inmut K. HOFFMANN著「Handbook of Microwave Integra
ted Circuit」から知れる。次いで、この計算を用いて
カットオフ周波数を決定する。次いで、このようにして
得られたカットオフ周波数が、増幅回路の使用すべき高
周波帯域の上限を超えているかどうかを決定する。この
カットオフ周波数が高周波帯域の上限を超えている場
合、導波路の企図した分割は容認できる。上限を超えて
いない場合は、スペース１３をさらに分割して、導波路
の断面をより小さくしなければならない。
〜１６の各々の特性を知ることである。このことは、幅
１３が既知であり、また分割の数および形成すべき断面
のサイズが既知であるので容易である。このようにして
構成された導波路の特性を知るために、ＬＳＭ１１モー
ドのカットオフ周波数を計算する。このような計算は複
雑であるが、知られているタイプの計算である。このよ
うな計算は、たとえば、米国ノーウッド（Norwood）の
アーテックハウス社（Artech House）から出版されたRe
inmut K. HOFFMANN著「Handbook of Microwave Integra
ted Circuit」から知れる。次いで、この計算を用いて
カットオフ周波数を決定する。次いで、このようにして
得られたカットオフ周波数が、増幅回路の使用すべき高
周波帯域の上限を超えているかどうかを決定する。この
カットオフ周波数が高周波帯域の上限を超えている場
合、導波路の企図した分割は容認できる。上限を超えて
いない場合は、スペース１３をさらに分割して、導波路
の断面をより小さくしなければならない。
【００２０】従って、実際的な一例である図１に示す例
では、それぞれ完全に金属製の二つのバー１７および１
８が形成されている。また、バー１７および１８内の材
料は安定している、つまりガスを放出しないという利点
を有している。一例では、その材料は機械加工された金
属である。また、セラミックを使用することもできる
が、その場合には、金属メッキを施された穴が設けられ
る。バー１７および１８は、導波路間に分離を構成する
ようにベースプレート９とカバー１１との間にそれらと
接触して配置される。第一の補助導波路１４は、左側
（図１）でＭＭＩＣ構成要素に沿って続く金属壁と、下
方のベースプレート９と、上方のカバー１１と、右側の
バー１７とによって形成される。第二の補助導波路１６
は、右側でバー１８と協働して対称的に形成される。
では、それぞれ完全に金属製の二つのバー１７および１
８が形成されている。また、バー１７および１８内の材
料は安定している、つまりガスを放出しないという利点
を有している。一例では、その材料は機械加工された金
属である。また、セラミックを使用することもできる
が、その場合には、金属メッキを施された穴が設けられ
る。バー１７および１８は、導波路間に分離を構成する
ようにベースプレート９とカバー１１との間にそれらと
接触して配置される。第一の補助導波路１４は、左側
（図１）でＭＭＩＣ構成要素に沿って続く金属壁と、下
方のベースプレート９と、上方のカバー１１と、右側の
バー１７とによって形成される。第二の補助導波路１６
は、右側でバー１８と協働して対称的に形成される。
【００２１】第三のスペース１５は空気を含む補助導波
路であり、その金属壁は一方ではカバー１１によって、
他方ではバー１７および１８の壁によって構成される。
いずれにしても、このようにしてスペース１３を三つに
分割することは所望の結果を得るのに十二分である。
路であり、その金属壁は一方ではカバー１１によって、
他方ではバー１７および１８の壁によって構成される。
いずれにしても、このようにしてスペース１３を三つに
分割することは所望の結果を得るのに十二分である。
【００２２】また、図２には回路１と同じ条件の下で縦
続接続された第二の増幅回路１９が示されている。この
ようにして構成された全体的な増幅回路は、入力部６か
ら回路１９の出力部２０まで延びる共通のカバー１１を
備えている。中央の導波路１５は集積回路２および３の
縁部に配置されたバー１７および１８によって形成され
ることがわかる。
続接続された第二の増幅回路１９が示されている。この
ようにして構成された全体的な増幅回路は、入力部６か
ら回路１９の出力部２０まで延びる共通のカバー１１を
備えている。中央の導波路１５は集積回路２および３の
縁部に配置されたバー１７および１８によって形成され
ることがわかる。
【００２３】ある特定の使用では、とりわけ増幅上の理
由で、回路１の出力部７と回路１９の入力部２１との間
で信号の周波数を二倍にしなければならなかった。従っ
て、カットオフ周波数の制約はより厳しくなる。従っ
て、（二倍の周波数をもつ波に対して大きすぎ、この波
を通過させるような断面をもつ）導波路１５を介してで
も、二倍の周波数をもつ信号が出力部２０から入力部６
まで伝搬するのを防ぐために、回路１の出力部７と回路
１９の入力部２１との間の遷移スペース２２内に、それ
ぞれ別のバー２３および２４が取り付けられている。要
するに、遷移スペース２２は、金属部分１７、２３、２
４および１８を含み、また構造２３、２４とカバー１１
との間に空のエアースペースを含む。スペース２２の幅
を小さくすることにより、周波数を二倍にする結果を克
服することが可能である。従って、スペース２２におい
て、補助導波路の特性は変更される。つまり、この場所
で導波路１５はそれ自体幅が狭められる。
由で、回路１の出力部７と回路１９の入力部２１との間
で信号の周波数を二倍にしなければならなかった。従っ
て、カットオフ周波数の制約はより厳しくなる。従っ
て、（二倍の周波数をもつ波に対して大きすぎ、この波
を通過させるような断面をもつ）導波路１５を介してで
も、二倍の周波数をもつ信号が出力部２０から入力部６
まで伝搬するのを防ぐために、回路１の出力部７と回路
１９の入力部２１との間の遷移スペース２２内に、それ
ぞれ別のバー２３および２４が取り付けられている。要
するに、遷移スペース２２は、金属部分１７、２３、２
４および１８を含み、また構造２３、２４とカバー１１
との間に空のエアースペースを含む。スペース２２の幅
を小さくすることにより、周波数を二倍にする結果を克
服することが可能である。従って、スペース２２におい
て、補助導波路の特性は変更される。つまり、この場所
で導波路１５はそれ自体幅が狭められる。
【００２４】プレート８は、入力部６および出力部２０
において、対応する金属メッキを施されたトングおよび
プレート８の下の金属被覆２５と協働して導波路を形成
する。これらの導波路の特性インピーダンスは、これら
のトングの幅２６とプレート８の厚さ２７とに依存す
る。これらの導波路の特性インピーダンスは、一例では
５０オームである。
において、対応する金属メッキを施されたトングおよび
プレート８の下の金属被覆２５と協働して導波路を形成
する。これらの導波路の特性インピーダンスは、これら
のトングの幅２６とプレート８の厚さ２７とに依存す
る。これらの導波路の特性インピーダンスは、一例では
５０オームである。
【００２５】図４に、図１および図２で説明した構成要
素などのＭＭＩＣ増幅構成要素を含むハウジング３０と
そのフタ３１を示す。この構成要素内には、本質的にカ
バー１１と、サイドバー１７と、ＭＭＩＣ構成要素内の
制御接続タブ１０とが見える。これらのタブ１０は接続
３２によって増幅回路に接続されている。接続３２は、
構造１７の端部を通過してもよく（従って構造１７と接
触しない）、あるいは構造１７を二つの部分に分割した
二つの長手方向のセグメント１７１と１７２との間を通
過してもよい。一例では、二つのセグメント１７１およ
び１７２は等しい長さである。また、プレート８の下の
金属被覆層２５も見える。この層はまたベースプレート
９の下でそれと接触して延びている。
素などのＭＭＩＣ増幅構成要素を含むハウジング３０と
そのフタ３１を示す。この構成要素内には、本質的にカ
バー１１と、サイドバー１７と、ＭＭＩＣ構成要素内の
制御接続タブ１０とが見える。これらのタブ１０は接続
３２によって増幅回路に接続されている。接続３２は、
構造１７の端部を通過してもよく（従って構造１７と接
触しない）、あるいは構造１７を二つの部分に分割した
二つの長手方向のセグメント１７１と１７２との間を通
過してもよい。一例では、二つのセグメント１７１およ
び１７２は等しい長さである。また、プレート８の下の
金属被覆層２５も見える。この層はまたベースプレート
９の下でそれと接触して延びている。
【００２６】図５にフタ３１だけを逆さにした状態を示
す。フタ３１はチャネル３４中に設けられた深い空洞３
３を備えている。従って、フタ３１はチャネル３４の両
側にある二つの側壁３５および３６を有している。図示
されている例では、フタは堅い金属でできている。たと
えば、フタは銀メッキされたアルミニウムまたは黄銅の
ブロックからフライス削りによって切り出されるか、あ
るいは鋳造によって直接製造される。
す。フタ３１はチャネル３４中に設けられた深い空洞３
３を備えている。従って、フタ３１はチャネル３４の両
側にある二つの側壁３５および３６を有している。図示
されている例では、フタは堅い金属でできている。たと
えば、フタは銀メッキされたアルミニウムまたは黄銅の
ブロックからフライス削りによって切り出されるか、あ
るいは鋳造によって直接製造される。
【００２７】図４に示すように、深いキャビティ３３
は、プレート８の上の、ＭＭＩＣ構成要素１１によって
占有されるスペースを受容するのに役立つ。チャネル３
４は、ハウジング３０の前面３７１からＭＭＩＣ構成要
素１１の入力部６まで、またＭＭＩＣ構成要素１１の出
力部７または２０からハウジング３０の後面３７２まで
通じているトラック３５を受容するのに役立つ。トラッ
ク３５はトラック６、７、２１および２０と連続して形
成できる。同じハウジング内に二つのＭＭＩＣ構成要素
がある場合、ハウジングは二つの深いキャビティを有す
る。ＭＭＩＣ構成要素が図１および図２に示すように二
重構成要素である場合、深いキャビティは一つしか設け
られない。トラック３５は特に、面３６および３７上に
取り付けられた同軸タイプの３８などのピンにはんだ付
け線３９によって動作可能に接続される。
は、プレート８の上の、ＭＭＩＣ構成要素１１によって
占有されるスペースを受容するのに役立つ。チャネル３
４は、ハウジング３０の前面３７１からＭＭＩＣ構成要
素１１の入力部６まで、またＭＭＩＣ構成要素１１の出
力部７または２０からハウジング３０の後面３７２まで
通じているトラック３５を受容するのに役立つ。トラッ
ク３５はトラック６、７、２１および２０と連続して形
成できる。同じハウジング内に二つのＭＭＩＣ構成要素
がある場合、ハウジングは二つの深いキャビティを有す
る。ＭＭＩＣ構成要素が図１および図２に示すように二
重構成要素である場合、深いキャビティは一つしか設け
られない。トラック３５は特に、面３６および３７上に
取り付けられた同軸タイプの３８などのピンにはんだ付
け線３９によって動作可能に接続される。
【００２８】チャネル３４内のＭＭＩＣ構成要素の出力
部において、プレート８上のトラック３５をできるだけ
完全に一致させているにもかかわらず、増幅された波
は、放射され、経路４０に沿って入力部に向かって逆方
向に伝搬する。換言すれば、波はチャネル３４をたど
り、深いキャビティ３３を通り、チャネルに沿って伝搬
して、ＭＭＩＣ増幅構成要素１１の入力部に至る傾向が
ある。
部において、プレート８上のトラック３５をできるだけ
完全に一致させているにもかかわらず、増幅された波
は、放射され、経路４０に沿って入力部に向かって逆方
向に伝搬する。換言すれば、波はチャネル３４をたど
り、深いキャビティ３３を通り、チャネルに沿って伝搬
して、ＭＭＩＣ増幅構成要素１１の入力部に至る傾向が
ある。
【００２９】図５には、フタ３１とカバー１１（図５に
は図示せず）との間で深いキャビティ３３内にあるスペ
ースを分割している導波路４１〜４３がこの深いキャビ
ティ３３の底部に存在するために伝搬４０が阻止される
ことが示されている。導波路４１〜４３は、フタ３１を
ハウジング３０上に配置したときに、導波路４１および
４３の導電面が一方では深いキャビティ３３の底面と、
他方ではカバー１１と接触するように弾性材料によって
製造されることが好ましい。
は図示せず）との間で深いキャビティ３３内にあるスペ
ースを分割している導波路４１〜４３がこの深いキャビ
ティ３３の底部に存在するために伝搬４０が阻止される
ことが示されている。導波路４１〜４３は、フタ３１を
ハウジング３０上に配置したときに、導波路４１および
４３の導電面が一方では深いキャビティ３３の底面と、
他方ではカバー１１と接触するように弾性材料によって
製造されることが好ましい。
【００３０】導波路４１〜４３の高さ４４および幅４５
は、上述のように、この例ではＴＥ１０モードのカット
オフ周波数を達成するように決定される。ここで、この
カットオフ周波数は、当該増幅用途での使用通過帯域の
上限より高い。従って、カバーより上のスペースは、複
数の追加導波路に分割され、これらの追加導波路の各々
はカットオフより低い特性を有する。
は、上述のように、この例ではＴＥ１０モードのカット
オフ周波数を達成するように決定される。ここで、この
カットオフ周波数は、当該増幅用途での使用通過帯域の
上限より高い。従って、カバーより上のスペースは、複
数の追加導波路に分割され、これらの追加導波路の各々
はカットオフより低い特性を有する。
【００３１】実際に、追加導波路に使用される材料は、
単に、電子キャビネットドアの溝を遮蔽するのに使用で
きる電磁遮蔽用シール材料である。この材料は非常に低
コストであり、指示された用途に十分適している。これ
らのシールセグメントの外壁は各追加導波路の四つの面
を形成する。これらのシールの内面は単に絶縁フォーム
でもよく、金属充填フォームでもよい。なぜならば、こ
れらのフォームは本質的に追加導波路の誘電性内面を構
成するからである。
単に、電子キャビネットドアの溝を遮蔽するのに使用で
きる電磁遮蔽用シール材料である。この材料は非常に低
コストであり、指示された用途に十分適している。これ
らのシールセグメントの外壁は各追加導波路の四つの面
を形成する。これらのシールの内面は単に絶縁フォーム
でもよく、金属充填フォームでもよい。なぜならば、こ
れらのフォームは本質的に追加導波路の誘電性内面を構
成するからである。
【００３２】外挿によって、シールセグメントを幅方向
に一つおきに配置することが可能である。これにより必
要なシールの量が節減され、工業プロセスでの取付時間
が短縮される。この場合、両側に配置された導波路の隣
接する壁によっていくつかの追加導波路が形成され、ま
たこれらの導波路は絶縁フォームの代わりに誘電体とし
て空気を含む。この構成を図６に示す。図６では、導波
路６０および６１は誘電体として空気を含んでいる。従
って、この例では、五つのシールを使用する代わりに三
つのシール４１、４２、４３だけを使用すればよい。ま
た、シール４１、４２、４３の代わりに位置６０および
６１に二つのシールを配置することもできる。この場
合、セグメント４１〜４３は空気充填導波路を形成す
る。
に一つおきに配置することが可能である。これにより必
要なシールの量が節減され、工業プロセスでの取付時間
が短縮される。この場合、両側に配置された導波路の隣
接する壁によっていくつかの追加導波路が形成され、ま
たこれらの導波路は絶縁フォームの代わりに誘電体とし
て空気を含む。この構成を図６に示す。図６では、導波
路６０および６１は誘電体として空気を含んでいる。従
って、この例では、五つのシールを使用する代わりに三
つのシール４１、４２、４３だけを使用すればよい。ま
た、シール４１、４２、４３の代わりに位置６０および
６１に二つのシールを配置することもできる。この場
合、セグメント４１〜４３は空気充填導波路を形成す
る。
【００３３】また、壁３５および３６は切欠き４６およ
び４７を有している。図４に示されている切欠き４７
は、制御接続３２をＭＭＩＣ構成要素１１に通すのに役
立つ。さらに、壁３５および３６は、切欠きの両側で、
プレート８の上に形成されている４８などの金属被覆上
に載っている。金属被覆４８は、金属メッキを施された
穴４９によってプレート８の導電層２５に接続されるこ
とが好ましい。層２５はアースに接続されることが好ま
しい。
び４７を有している。図４に示されている切欠き４７
は、制御接続３２をＭＭＩＣ構成要素１１に通すのに役
立つ。さらに、壁３５および３６は、切欠きの両側で、
プレート８の上に形成されている４８などの金属被覆上
に載っている。金属被覆４８は、金属メッキを施された
穴４９によってプレート８の導電層２５に接続されるこ
とが好ましい。層２５はアースに接続されることが好ま
しい。
【００３４】一例では、切欠き４６の高さ５０は約１ｍ
ｍであり、チャネル３４の深さ５１は約２ｍｍである。
従って、ハウジング３０とフタ３１はプレート８と協働
して、ＭＭＩＣ構成要素１１によって発生した電磁波の
伝搬を完全に妨害するアセンブリを形成する。フタ３１
は、ねじを受容する穴５３を備えたラグ５２によってハ
ウジング３０に固定される。
ｍであり、チャネル３４の深さ５１は約２ｍｍである。
従って、ハウジング３０とフタ３１はプレート８と協働
して、ＭＭＩＣ構成要素１１によって発生した電磁波の
伝搬を完全に妨害するアセンブリを形成する。フタ３１
は、ねじを受容する穴５３を備えたラグ５２によってハ
ウジング３０に固定される。
【００３５】従って、本発明の特徴の一つは、ＭＭＩＣ
構成要素１１のカバーが、現在の技術の場合のように絶
縁セラミック材で製造されているのではなく、金属で製
造されていることである。カバー１１の導電特性は、Ｍ
ＭＩＣ増幅構成要素の内部および外部に導波路を構成し
うるものである。
構成要素１１のカバーが、現在の技術の場合のように絶
縁セラミック材で製造されているのではなく、金属で製
造されていることである。カバー１１の導電特性は、Ｍ
ＭＩＣ増幅構成要素の内部および外部に導波路を構成し
うるものである。
【００３６】導波路４１〜４３が深いキャビティ３３の
入口側面５２および出口側面５３に当接していない場合
でも、カットオフ現象はまったく同じであることが分か
っている。逆方向の波の伝搬は阻止される。従って、あ
たかも導波路４１〜４３が、逆方向の波に対して好まし
いが出口のない経路を構成しているかのようになる。当
然ながら、阻止すべき波の周波数が高い場合でも、導波
路４１〜４３の数を増やし、それに応じてこれらの導波
路のサイズを小さくするだけでよい。
入口側面５２および出口側面５３に当接していない場合
でも、カットオフ現象はまったく同じであることが分か
っている。逆方向の波の伝搬は阻止される。従って、あ
たかも導波路４１〜４３が、逆方向の波に対して好まし
いが出口のない経路を構成しているかのようになる。当
然ながら、阻止すべき波の周波数が高い場合でも、導波
路４１〜４３の数を増やし、それに応じてこれらの導波
路のサイズを小さくするだけでよい。
【００３７】図３に、６０ｄＢの平均増幅の一例とし
て、本発明の増幅器を用いて得られた増幅曲線２８と、
現在の技術を用いて同じ条件の下で得られた曲線２９と
を示す。タブ１０に加えられた制御信号によって利得が
さらに高くなれば、増幅２９の予測不可能な性質はより
一層顕著になるであろう。その場合、この増幅器は使用
できないであろう。なぜならば、いくつかのスペクトル
成分をあまりにも強く増幅し（増幅器は準振動性にな
る）、また他のスペクトル成分を完全に減衰させるから
である。これに対して、本発明では、スペクトル成分の
値にかかわらず、利得は同じである。
て、本発明の増幅器を用いて得られた増幅曲線２８と、
現在の技術を用いて同じ条件の下で得られた曲線２９と
を示す。タブ１０に加えられた制御信号によって利得が
さらに高くなれば、増幅２９の予測不可能な性質はより
一層顕著になるであろう。その場合、この増幅器は使用
できないであろう。なぜならば、いくつかのスペクトル
成分をあまりにも強く増幅し（増幅器は準振動性にな
る）、また他のスペクトル成分を完全に減衰させるから
である。これに対して、本発明では、スペクトル成分の
値にかかわらず、利得は同じである。
【図１】本発明による高利得増幅器を形成するＭＭＩＣ
構成要素の断面図である。
構成要素の断面図である。
【図２】本発明による高利得増幅器を形成するＭＭＩＣ
構成要素の平面図である。
構成要素の平面図である。
【図３】本発明の増幅器と従来技術の増幅器とによって
得られた増幅利得を示すグラフである。
得られた増幅利得を示すグラフである。
【図４】 本発明によるＭＭＩＣ増幅構成要素を備え
た、フタを有するハウジングの透視図である。
た、フタを有するハウジングの透視図である。
【図５】本発明による増幅器ＭＭＩＣ構成要素を備え
た、フタを有するハウジングの透視図である。
た、フタを有するハウジングの透視図である。
【図６】図５の変形形態である。
３１ フタ ３３ スペース ３４ チャネル ３５ 側壁 ３６ 側壁 ４０ 伝搬 ４１〜４３ 追加導波路 ４４ 高さ ４５ 幅 ４６〜４７ 切欠き ５２ 入口側面 ５３ 出口側面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヤン−クリストフ・ギラール フランス国、78630・モランビリエ、リ ユ・ドウ・ラ・サンドリエール、４・ビス (72)発明者 ミシエル・スラール フランス国、95370・モンテイニー・レ・ コルメイユ、リユ・デ・ベルジエール、 ６・ビス
Claims (9)
- 【請求項１】 高周波帯域（２８）内に分布した電気信
号を増幅するための高利得増幅器であって、サポート上
に取り付けられ、カバー（１１）で覆われ、第一の側に
信号入力部（６）を有し、この第一の側と反対側の第二
の側に信号出力部（７）を有する増幅回路（１）と、カ
バーとサポートとの間にあるスペースをいくつかの補助
導波路（１３〜１５）に分割する分割手段（１７、１
８）とを含んでおり、このようにして得られた導波路の
特性が、増幅器の高周波帯域内にある周波数をもつ信号
を出力部と入力部との間で伝搬させるのに不適当である
ことを特徴とする増幅器。 - 【請求項２】 分割手段がバー（１７）を含んでおり、
このバー（１７）が、導電性の外表面を有し、増幅器の
入力部から出力部に向かう方向に整列し、サポートとカ
バーとの間の、増幅回路を形成する集積回路の縁部に配
置されたことを特徴とする請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項３】 バーが整列した二つのセグメント（１
７、１７２）として形成されることを特徴とする請求項
２に記載の増幅器。 - 【請求項４】 増幅回路が、高周波帯域より高い低カッ
トオフ周波数をもつ遷移スペース（２２）を含んでお
り、この遷移スペース内で、補助導波路（２３、２４）
の特性が変更されることを特徴とする請求項１から３の
いずれか一項に記載の増幅器。 - 【請求項５】 フタ（３１）を備えたハウジング（３
０）と、このハウジング内の少なくとも一つの増幅回路
（１）とを含んでおり、さらにこのフタと増幅回路のカ
バーとの間のスペース（３３）が、増幅器の高周波帯域
内にある周波数をもつ信号を伝搬させるのに不適当な特
性をもつ追加導波路（４１〜４３）によって分割される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載
の増幅器。 - 【請求項６】 フタとカバーとの間のスペースが、導電
性の外表面をもつ弾性バーによって分割されることを特
徴とする請求項５に記載の増幅器。 - 【請求項７】 フタがチャネル（３４）中に設けられた
深いキャビティを備えており、この深いキャビティが追
加導波路を受容し、そのチャネルが増幅回路の入力部
（６）および出力部（２０）をそれぞれ、ハウジングの
入力部（３９）および出力部（３８）に接続し、かつそ
こから絶縁するのに役立つことを特徴とする請求項５お
よび６のいずれか一項に記載の増幅器。 - 【請求項８】 補助導波路または追加導波路の寸法がＬ
ＳＭ１１モードまたはＴＥ１０モードを伝搬させるのに
不十分であることを特徴とする請求項１から７のいずれ
か一項に記載の増幅器。 - 【請求項９】 カバー（１１）が金属製であることを特
徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の増幅
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9803355 | 1998-03-19 | ||
| FR9803355A FR2776435B1 (fr) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | Amplificateur a grand gain |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298265A true JPH11298265A (ja) | 1999-10-29 |
| JP4212177B2 JP4212177B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=9524219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05888399A Expired - Fee Related JP4212177B2 (ja) | 1998-03-19 | 1999-03-05 | 高利得増幅器 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6121833A (ja) |
| EP (1) | EP0944115A1 (ja) |
| JP (1) | JP4212177B2 (ja) |
| AU (1) | AU747128B2 (ja) |
| CA (1) | CA2259547A1 (ja) |
| EA (1) | EA199900214A3 (ja) |
| FR (1) | FR2776435B1 (ja) |
| ID (1) | ID22243A (ja) |
| NO (1) | NO991319L (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011205545A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 高周波増幅器 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265774B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-07-24 | Trw Inc. | Millimeter wave adjustable cavity package |
| US6545573B1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-04-08 | Mindaugas F. Dautartas | Resonance elimination in high speed packages |
| ATE376264T1 (de) * | 2001-04-17 | 2007-11-15 | Alcatel Lucent | Integriertes mikrowellenmodul und entsprechendes verfahren zu dessen herstellung |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4429286A (en) * | 1981-10-13 | 1984-01-31 | Raytheon Company | Divider/combiner amplifier |
| JPS60210853A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-10-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US4672328A (en) * | 1985-12-10 | 1987-06-09 | Nippon Hoso Kyokai | Waveguide-mounted amplifier |
| JPH04113705A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波多段増幅器 |
| US5115245A (en) * | 1990-09-04 | 1992-05-19 | Hughes Aircraft Company | Single substrate microwave radar transceiver including flip-chip integrated circuits |
| JPH04256203A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波帯ｉｃ用パッケージ |
| EP0634890B1 (en) * | 1993-07-12 | 1996-12-04 | Nec Corporation | Packaging structure for microwave circuit |
-
1998
- 1998-03-19 FR FR9803355A patent/FR2776435B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-05 CA CA002259547A patent/CA2259547A1/fr not_active Abandoned
- 1999-03-01 EP EP99400486A patent/EP0944115A1/fr not_active Withdrawn
- 1999-03-05 JP JP05888399A patent/JP4212177B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-09 AU AU19518/99A patent/AU747128B2/en not_active Ceased
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