JPH11330288A - マイクロ波用パッケージ - Google Patents
マイクロ波用パッケージInfo
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- JPH11330288A JPH11330288A JP10126280A JP12628098A JPH11330288A JP H11330288 A JPH11330288 A JP H11330288A JP 10126280 A JP10126280 A JP 10126280A JP 12628098 A JP12628098 A JP 12628098A JP H11330288 A JPH11330288 A JP H11330288A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1616—Cavity shape
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、このような問題の解決を目的とし
たもので、高利得のアクティブ回路を収納させた場合で
も、不要な発振が起きにくいマイクロ波用パッケージの
提供を目的とする。 【解決手段】 金属製ベースと、金属製ベース上に設け
られたセラミック製入出力基板及び枠状の金属製フレー
ムと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバーと
を備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、パッケ
ージカバーの一部誘電体或いは又は吸収体で構成した。
を特徴とする。
たもので、高利得のアクティブ回路を収納させた場合で
も、不要な発振が起きにくいマイクロ波用パッケージの
提供を目的とする。 【解決手段】 金属製ベースと、金属製ベース上に設け
られたセラミック製入出力基板及び枠状の金属製フレー
ムと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバーと
を備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、パッケ
ージカバーの一部誘電体或いは又は吸収体で構成した。
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーダ、移動体通
信等に用いられるマイクロ波用パッケージに関するもの
である。
信等に用いられるマイクロ波用パッケージに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波用パッケージとして、
例えば、実開平７−１８４７７号公報に掲載のものを図
７、図８に示す。図７は外観図であり、図８は内部を示
した図である。
例えば、実開平７−１８４７７号公報に掲載のものを図
７、図８に示す。図７は外観図であり、図８は内部を示
した図である。
【０００３】図において、符号１は金属製ベース、２は
金属製フレーム、３は金属製カバー、４は例えばセラミ
ック製の入出力基板で、４ａは入力側基板、４ｂは出力
側基板である。尚、図中の符号ａ、ｂ、ｃはそれぞれ当
該パッケージキャビティ内部の空間の幅方向、高さ方
向、長手方向の寸法を示す。
金属製フレーム、３は金属製カバー、４は例えばセラミ
ック製の入出力基板で、４ａは入力側基板、４ｂは出力
側基板である。尚、図中の符号ａ、ｂ、ｃはそれぞれ当
該パッケージキャビティ内部の空間の幅方向、高さ方
向、長手方向の寸法を示す。
【０００４】次に、動作について説明する。従来のマイ
クロ波用パッケージは、上述のように構成されているの
で、パッケージキャビティ内部は、概略、図９に示すよ
うな方形導波管と同様な構造となるため、不要なＴＥ，
ＴＭモードが伝搬して特性劣化を招き、内部にアンプ等
がある場合には不要な発振（共振）を引き起こす等の不
都合があった。このように、パッケージが方形導波管と
同様な構造となると、不要な発振を生じさせてしまうの
で、これを抑制するため、パッケージを設計する際に
は、通常、次のような計算式を満足するように設計する
必要がある。 ｆ＜ｆｏ＝Ｃ／λｏ 式１ λｏ＝２／√（（１／ａ）2＋（１／ｃ）2） 式２ ここで、ｆは動作周波数、ｆｏは共振周波数、Ｃは光
速、λｏは共振周波数における波長である。
クロ波用パッケージは、上述のように構成されているの
で、パッケージキャビティ内部は、概略、図９に示すよ
うな方形導波管と同様な構造となるため、不要なＴＥ，
ＴＭモードが伝搬して特性劣化を招き、内部にアンプ等
がある場合には不要な発振（共振）を引き起こす等の不
都合があった。このように、パッケージが方形導波管と
同様な構造となると、不要な発振を生じさせてしまうの
で、これを抑制するため、パッケージを設計する際に
は、通常、次のような計算式を満足するように設計する
必要がある。 ｆ＜ｆｏ＝Ｃ／λｏ 式１ λｏ＝２／√（（１／ａ）2＋（１／ｃ）2） 式２ ここで、ｆは動作周波数、ｆｏは共振周波数、Ｃは光
速、λｏは共振周波数における波長である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のパッケージは、
以上のように構成されているので、内部にパッシブ回路
を収納する場合には、上記の式１、２を満足させておく
だけでそれほど問題にはならないが、内部にアンプ等の
アクティブ回路を収納するような場合には、上記の式
１、２だけでなく、導波管モードの帰還による発振を考
慮に入れる必要がある。
以上のように構成されているので、内部にパッシブ回路
を収納する場合には、上記の式１、２を満足させておく
だけでそれほど問題にはならないが、内部にアンプ等の
アクティブ回路を収納するような場合には、上記の式
１、２だけでなく、導波管モードの帰還による発振を考
慮に入れる必要がある。
【０００６】図８のパッケージ内部における導波管モー
ドによる出力基板４ｂから入力基板４ａへの帰還量は次
の式で表される。 帰還量（ｄＢ）＝−αｇ・ｃ 式３ αｇ＝５４．６／λｃ・√（１−（λｃ／λ）2） 式４ λｃ＝２ａ 式５ ここで、αｇは減衰定数、λｃはカットオフ周波数にお
ける波長、λは動作周波数における波長である。従っ
て、上記の式３〜５より計算される帰還量がパッケージ
内に収納されるアクティブ回路の利得より大きい場合は
発振を引き起こす可能性がある。
ドによる出力基板４ｂから入力基板４ａへの帰還量は次
の式で表される。 帰還量（ｄＢ）＝−αｇ・ｃ 式３ αｇ＝５４．６／λｃ・√（１−（λｃ／λ）2） 式４ λｃ＝２ａ 式５ ここで、αｇは減衰定数、λｃはカットオフ周波数にお
ける波長、λは動作周波数における波長である。従っ
て、上記の式３〜５より計算される帰還量がパッケージ
内に収納されるアクティブ回路の利得より大きい場合は
発振を引き起こす可能性がある。
【０００７】しかも、近年、マイクロ波半導体技術の向
上により小形で高利得のＭＭＩＣ（Ｍonolithic Ｍicr
owave Ｉntegrated Ｃircuit ）等が開発されてお
り、従来のようなパッケージ構造では不要な発振を十分
に抑制することができなくなってきている。本発明は、
このような問題の解決を目的としたもので、高利得のア
クティブ回路を収納させた場合でも、不要な発振が起き
にくいマイクロ波用パッケージの提供を目的とする。
上により小形で高利得のＭＭＩＣ（Ｍonolithic Ｍicr
owave Ｉntegrated Ｃircuit ）等が開発されてお
り、従来のようなパッケージ構造では不要な発振を十分
に抑制することができなくなってきている。本発明は、
このような問題の解決を目的としたもので、高利得のア
クティブ回路を収納させた場合でも、不要な発振が起き
にくいマイクロ波用パッケージの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、金属
製ベースと、金属製ベース上に設けられた入出力基板及
び枠状の金属製フレームと、金属製フレームを気密に覆
うパッケージカバーとを備えて成るマイクロ波用パッケ
ージにおいて、上記パッケージカバーは誘電体又は吸収
体で形成されたことを特徴とする。
製ベースと、金属製ベース上に設けられた入出力基板及
び枠状の金属製フレームと、金属製フレームを気密に覆
うパッケージカバーとを備えて成るマイクロ波用パッケ
ージにおいて、上記パッケージカバーは誘電体又は吸収
体で形成されたことを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、金属製ベースと、金属
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、上
記パッケージカバーは誘電体で形成され、パッケージカ
バーの外部表面の全部又は一部には吸収体が設けられた
ことを特徴とする。
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、上
記パッケージカバーは誘電体で形成され、パッケージカ
バーの外部表面の全部又は一部には吸収体が設けられた
ことを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、金属製ベースと、金属
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、上
記パッケージカバーは、上記金属製フレームに密着する
金属製枠縁と当該金属製枠縁に収められた誘電体又は吸
収体とで構成されたことを特徴とする。
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、上
記パッケージカバーは、上記金属製フレームに密着する
金属製枠縁と当該金属製枠縁に収められた誘電体又は吸
収体とで構成されたことを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明は、金属製ベースと、金属
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、上
記パッケージカバーは、上記金属製フレームに密着する
金属製枠縁と当該金属製枠縁に収められた誘電体とで構
成され、更に、パッケージカバーの外部表面の全部又は
一部には吸収体が設けられたことを特徴とする。
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、上
記パッケージカバーは、上記金属製フレームに密着する
金属製枠縁と当該金属製枠縁に収められた誘電体とで構
成され、更に、パッケージカバーの外部表面の全部又は
一部には吸収体が設けられたことを特徴とする。
【００１２】請求項５の発明は、金属製ベースと、金属
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、パ
ッケージの内部に金属製突起を設けたことを特徴とす
る。
製ベース上に設けられた入出力基板及び枠状の金属製フ
レームと、金属製フレームを気密に覆うパッケージカバ
ーとを備えて成るマイクロ波用パッケージにおいて、パ
ッケージの内部に金属製突起を設けたことを特徴とす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づき、実
施の形態毎に説明する。尚、従来技術として説明した図
７乃至図９に示すパッケージと共通の部材には同一符号
を付し、その説明を省略する。
施の形態毎に説明する。尚、従来技術として説明した図
７乃至図９に示すパッケージと共通の部材には同一符号
を付し、その説明を省略する。
【００１４】実施の形態１．図１は請求項１の発明の実
施の形態を示す外観図である。図中の符号５はパッケー
ジカバー（以下、単にカバーという。）で、このカバー
５が、セラミック等の誘電体又は硬質プラスチックＦＲ
Ｐ等の電波を吸収する吸収体（電波吸収体）で形成され
ている。カバー５を金属以外の材質、例えば、誘電体又
は吸収体で形成すると、従来例のようにパッケージキャ
ビティ内部は方形導波管構造とはならず、方形導波管と
して機能し難くなるので、不要な発振が抑制される。即
ち、カバー５が誘電体で形成されている場合には、この
カバー５の部分からマイクロ波が外部に漏れ出すために
帰還量が減少し、カバー５が吸収体で形成されている場
合には、マイクロ波がこのカバー５に吸収されるために
帰還量が減少する。いずれの場合でも、従来のような金
属製カバーに較べると、帰還量が減少するから、パッケ
ージ内部の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高
利得のアクティブ回路を収納した場合でも周波数特性に
不要な共振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化
を阻止することができる。
施の形態を示す外観図である。図中の符号５はパッケー
ジカバー（以下、単にカバーという。）で、このカバー
５が、セラミック等の誘電体又は硬質プラスチックＦＲ
Ｐ等の電波を吸収する吸収体（電波吸収体）で形成され
ている。カバー５を金属以外の材質、例えば、誘電体又
は吸収体で形成すると、従来例のようにパッケージキャ
ビティ内部は方形導波管構造とはならず、方形導波管と
して機能し難くなるので、不要な発振が抑制される。即
ち、カバー５が誘電体で形成されている場合には、この
カバー５の部分からマイクロ波が外部に漏れ出すために
帰還量が減少し、カバー５が吸収体で形成されている場
合には、マイクロ波がこのカバー５に吸収されるために
帰還量が減少する。いずれの場合でも、従来のような金
属製カバーに較べると、帰還量が減少するから、パッケ
ージ内部の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高
利得のアクティブ回路を収納した場合でも周波数特性に
不要な共振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化
を阻止することができる。
【００１５】実施の形態２．図２は請求項２の発明の実
施の形態を示す外観図である。図中の符号５はパッケー
ジカバーで、このカバー５は誘電体で形成されており、
カバー５の外部表面即ち誘電体の外部表面側には吸収体
６が設けられている。図ではカバー５の外部表面のほぼ
全域に吸収体６が貼られているが、カバー外部表面の全
域に貼ってもよいし、所要の一部領域に貼ってもよい。
誘電体で形成されたカバー５の外部表面に吸収体６を貼
着することによって、このカバー５の誘電体部分から外
へ漏れ出したマイクロ波はこの吸収体６に吸収されるた
め帰還量を減少させることができ、この帰還量の減少に
より、実施の形態１と同様な作用効果を生じさせる。
施の形態を示す外観図である。図中の符号５はパッケー
ジカバーで、このカバー５は誘電体で形成されており、
カバー５の外部表面即ち誘電体の外部表面側には吸収体
６が設けられている。図ではカバー５の外部表面のほぼ
全域に吸収体６が貼られているが、カバー外部表面の全
域に貼ってもよいし、所要の一部領域に貼ってもよい。
誘電体で形成されたカバー５の外部表面に吸収体６を貼
着することによって、このカバー５の誘電体部分から外
へ漏れ出したマイクロ波はこの吸収体６に吸収されるた
め帰還量を減少させることができ、この帰還量の減少に
より、実施の形態１と同様な作用効果を生じさせる。
【００１６】実施の形態３．図３は請求項３の発明の実
施の形態を示すカバー５の斜視図であり、図４は図３の
断面図である。このカバー５は、金属製フレーム２の開
口縁２ａ（図１、図２に指示）に密着するよう四角枠状
に形成された金属製枠縁７と、この金属製枠縁７の枠内
に、カバー５を一体的に構成する部材として、収められ
た吸収体８ａとで構成されている。このように構成する
と、パッケージキャビティ内部は方形導波管構造とはな
らず、カバー５の吸収体８ａの部分でマイクロ波が吸収
されるため帰還量を減少させることができ、この帰還量
の減少により、実施の形態１と同様な作用効果を生じさ
せる。
施の形態を示すカバー５の斜視図であり、図４は図３の
断面図である。このカバー５は、金属製フレーム２の開
口縁２ａ（図１、図２に指示）に密着するよう四角枠状
に形成された金属製枠縁７と、この金属製枠縁７の枠内
に、カバー５を一体的に構成する部材として、収められ
た吸収体８ａとで構成されている。このように構成する
と、パッケージキャビティ内部は方形導波管構造とはな
らず、カバー５の吸収体８ａの部分でマイクロ波が吸収
されるため帰還量を減少させることができ、この帰還量
の減少により、実施の形態１と同様な作用効果を生じさ
せる。
【００１７】又、金属製枠縁７の枠内に一体的に収めら
れる部材として、先には吸収体８ａを用いたが、この吸
収体８ａに代えて誘電体８ｂを用いてもよい。誘電体８
ｂを用いた構成とすると、吸収体８ａを用いた場合と同
様に、パッケージキャビティ内部は方形導波管構造とは
ならず、従って、方形導波管として機能し難くなって、
不要な発振が抑制される。即ち、この誘導体８ｂ部分か
らマイクロ波がパッケージの外に漏れ出すことで帰還量
が減少するのである。
れる部材として、先には吸収体８ａを用いたが、この吸
収体８ａに代えて誘電体８ｂを用いてもよい。誘電体８
ｂを用いた構成とすると、吸収体８ａを用いた場合と同
様に、パッケージキャビティ内部は方形導波管構造とは
ならず、従って、方形導波管として機能し難くなって、
不要な発振が抑制される。即ち、この誘導体８ｂ部分か
らマイクロ波がパッケージの外に漏れ出すことで帰還量
が減少するのである。
【００１８】このように、カバー５を構成する部材とし
て、カバー５が覆う面の全部又は一部に吸収体或いは又
誘電体を用いることによって、実施の形態１で説明した
のと同様の作用効果を発揮させることができる。更に、
この実施の形態３では、カバー５の中央領域８に吸収体
８ａ或いは又誘電体８ｂを配設できるよう、カバー５の
縁を四角枠状に形成した金属製枠縁７としてあるため、
この金属製枠縁７と金属製フレーム２の開口縁２ａとの
シーム溶接が可能となり、パッケージ内部の機密度を高
めることができ、上記の不要な発振の抑制と相俟って信
頼性の高いマイクロ波用パッケージを提供することがで
きる。
て、カバー５が覆う面の全部又は一部に吸収体或いは又
誘電体を用いることによって、実施の形態１で説明した
のと同様の作用効果を発揮させることができる。更に、
この実施の形態３では、カバー５の中央領域８に吸収体
８ａ或いは又誘電体８ｂを配設できるよう、カバー５の
縁を四角枠状に形成した金属製枠縁７としてあるため、
この金属製枠縁７と金属製フレーム２の開口縁２ａとの
シーム溶接が可能となり、パッケージ内部の機密度を高
めることができ、上記の不要な発振の抑制と相俟って信
頼性の高いマイクロ波用パッケージを提供することがで
きる。
【００１９】実施の形態４ 図５は請求項４発明の実施の形態を示すカバー５の断面
図である。この実施の形態４で示すカバー５は、金属製
フレーム２の開口縁２ａに密着する金属製枠縁７と、こ
の金属製枠縁７にカバー５を一体的に構成する部材とし
て収められた誘電体８ｂと、カバー５の外表面側即ち誘
導体８ｂの外表面側に誘導体８ｂを覆うように設けられ
た吸収体とで構成されたものである。このように構成す
ると、カバー５の誘電体８ｂの部分からマイクロ波が漏
れ出して帰還量が減少し、しかも、外に漏れ出したマイ
クロ波は吸収体６に吸収されるため、更に一段と帰還量
を減少させることができ、この帰還量の減少により、実
施の形態１と同様な作用効果を生じさせる。尚、図では
カバー５の外部表面のほぼ全域に吸収体６が貼られてい
るが、カバー５の外部表面の一部の領域に貼ってもよ
い。要は外に漏れ出す電波を吸収できる領域に配設すれ
ばよい。
図である。この実施の形態４で示すカバー５は、金属製
フレーム２の開口縁２ａに密着する金属製枠縁７と、こ
の金属製枠縁７にカバー５を一体的に構成する部材とし
て収められた誘電体８ｂと、カバー５の外表面側即ち誘
導体８ｂの外表面側に誘導体８ｂを覆うように設けられ
た吸収体とで構成されたものである。このように構成す
ると、カバー５の誘電体８ｂの部分からマイクロ波が漏
れ出して帰還量が減少し、しかも、外に漏れ出したマイ
クロ波は吸収体６に吸収されるため、更に一段と帰還量
を減少させることができ、この帰還量の減少により、実
施の形態１と同様な作用効果を生じさせる。尚、図では
カバー５の外部表面のほぼ全域に吸収体６が貼られてい
るが、カバー５の外部表面の一部の領域に貼ってもよ
い。要は外に漏れ出す電波を吸収できる領域に配設すれ
ばよい。
【００２０】更に、この実施の形態４では、カバー５の
中央領域８に誘電体８ｂを配設できるよう、カバー５の
縁を四角枠状に形成した金属製枠縁７としてあるため、
この金属製枠縁７と金属製フレーム２の開口縁２ａとの
シーム溶接が可能となり、パッケージ内部の機密度を高
めることができ、上記の不要な発振の抑制と相俟って信
頼性の高いマイクロ波用パッケージを提供することがで
きる。
中央領域８に誘電体８ｂを配設できるよう、カバー５の
縁を四角枠状に形成した金属製枠縁７としてあるため、
この金属製枠縁７と金属製フレーム２の開口縁２ａとの
シーム溶接が可能となり、パッケージ内部の機密度を高
めることができ、上記の不要な発振の抑制と相俟って信
頼性の高いマイクロ波用パッケージを提供することがで
きる。
【００２１】実施の形態５ 図６は請求項５発明の実施の形態を示すもので、カバー
５を取り除いたパッケージの平面図である。この実施の
形態５は、パッケージの内部に金属製突起９を設けるこ
とで、パッケージキャビティ内部の幅方向ａ、高さ方向
ｂ、長手方向ｃの少なくとも一つの方向の一部分の寸法
をより小さくすることで、突起９を設けた部分の減衰定
数を大きくして、総合の帰還量を減少させたものであ
る。即ち、パッケージキャビティ（導波管）内部に突起
を設けることによってパッケージが方形導波管構造とな
らないようにすることで、不要な発振が抑制される。
５を取り除いたパッケージの平面図である。この実施の
形態５は、パッケージの内部に金属製突起９を設けるこ
とで、パッケージキャビティ内部の幅方向ａ、高さ方向
ｂ、長手方向ｃの少なくとも一つの方向の一部分の寸法
をより小さくすることで、突起９を設けた部分の減衰定
数を大きくして、総合の帰還量を減少させたものであ
る。即ち、パッケージキャビティ（導波管）内部に突起
を設けることによってパッケージが方形導波管構造とな
らないようにすることで、不要な発振が抑制される。
【００２２】図６に示す金属製突起９は幅方向ａの寸法
が小さくなる位置に設けられているので、これを例に説
明する。先ず、式５を式４に代入すると以下のようにな
る。 αｇ＝５４．６／λｃ・√（１／（２ａ））2−（λｃ／λ）2） 式６ この式６より、幅寸法ａが小さくなると減衰定数αｇが
大きくなることが分かる。つまり、突起がある部分につ
いては減衰量が大きくなり、総合の帰還量を減衰させる
ことができ、この帰還量の減少により、パッケージ内部
の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高利得のア
クティブ回路を収納した場合でも周波数特性に不要な共
振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化を阻止す
ることができる。
が小さくなる位置に設けられているので、これを例に説
明する。先ず、式５を式４に代入すると以下のようにな
る。 αｇ＝５４．６／λｃ・√（１／（２ａ））2−（λｃ／λ）2） 式６ この式６より、幅寸法ａが小さくなると減衰定数αｇが
大きくなることが分かる。つまり、突起がある部分につ
いては減衰量が大きくなり、総合の帰還量を減衰させる
ことができ、この帰還量の減少により、パッケージ内部
の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高利得のア
クティブ回路を収納した場合でも周波数特性に不要な共
振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化を阻止す
ることができる。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、カバーが誘電
体で形成されている場合には、この部分からマイクロ波
が外部に漏れ出し、又、カバーが吸収体で形成されてい
る場合には、この部分にマイクロ波が吸収されるために
帰還量が減少し、いずれの場合も、従来のような金属製
カバーに較べて、帰還量が大幅に減少するから、パッケ
ージ内部の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高
利得のアクティブ回路を収納した場合でも周波数特性に
不要な共振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化
を阻止することができる。
体で形成されている場合には、この部分からマイクロ波
が外部に漏れ出し、又、カバーが吸収体で形成されてい
る場合には、この部分にマイクロ波が吸収されるために
帰還量が減少し、いずれの場合も、従来のような金属製
カバーに較べて、帰還量が大幅に減少するから、パッケ
ージ内部の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高
利得のアクティブ回路を収納した場合でも周波数特性に
不要な共振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化
を阻止することができる。
【００２４】請求項２の発明によれば、カバーが誘電体
で形成されているため、この部分からマイクロ波が外部
に漏れ出して帰還量が減少する上、漏れ出したマイクロ
波はカバーの外部表面の吸収体に吸収されるため更に帰
還量を減少させることができ、これによって、パッケー
ジ内部の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高利
得のアクティブ回路を収納した場合でも周波数特性に不
要な共振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化を
阻止することができる。
で形成されているため、この部分からマイクロ波が外部
に漏れ出して帰還量が減少する上、漏れ出したマイクロ
波はカバーの外部表面の吸収体に吸収されるため更に帰
還量を減少させることができ、これによって、パッケー
ジ内部の帰還による不要な発振が抑制され、内部に高利
得のアクティブ回路を収納した場合でも周波数特性に不
要な共振モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化を
阻止することができる。
【００２５】請求項３の発明によれば、カバーの所要の
領域に外部に電波を漏れ出させる誘電体、或いは又、電
波を吸収する吸収体を設けているので、帰還量を減少さ
せることができ、上記した請求項１の発明と同様の作用
効果を発揮させる。更にこの請求項３の発明によれば、
カバーの縁を金属製枠縁としてあるため金属製フレーム
の開口縁とのシーム溶接が可能となり、パッケージ内部
の機密度を高めることができ、不要な発振の抑制と相俟
って信頼性の高いマイクロ波用パッケージを提供するこ
とができる。
領域に外部に電波を漏れ出させる誘電体、或いは又、電
波を吸収する吸収体を設けているので、帰還量を減少さ
せることができ、上記した請求項１の発明と同様の作用
効果を発揮させる。更にこの請求項３の発明によれば、
カバーの縁を金属製枠縁としてあるため金属製フレーム
の開口縁とのシーム溶接が可能となり、パッケージ内部
の機密度を高めることができ、不要な発振の抑制と相俟
って信頼性の高いマイクロ波用パッケージを提供するこ
とができる。
【００２６】請求項４の発明によれば、カバーの所要の
領域に外部に電波を漏れ出させる誘電体を設けているの
で、この部分からマイクロ波が外部に漏れ出して帰還量
が減少する上、漏れ出したマイクロ波はカバーの外部表
面の吸収体に吸収されるため更に帰還量を減少させるこ
とができ、これによって、パッケージ内部の帰還による
不要な発振が抑制され、内部に高利得のアクティブ回路
を収納した場合でも周波数特性に不要な共振モードの発
生による亀裂が入る等の特性悪化を阻止することができ
る。更にこの請求項４の発明によれば、カバーの縁を金
属製枠縁としてあるため金属製フレームの開口縁とのシ
ーム溶接が可能となり、パッケージ内部の機密度を高め
ることができ、不要な発振の抑制と相俟って信頼性の高
いマイクロ波用パッケージを提供することができる。
領域に外部に電波を漏れ出させる誘電体を設けているの
で、この部分からマイクロ波が外部に漏れ出して帰還量
が減少する上、漏れ出したマイクロ波はカバーの外部表
面の吸収体に吸収されるため更に帰還量を減少させるこ
とができ、これによって、パッケージ内部の帰還による
不要な発振が抑制され、内部に高利得のアクティブ回路
を収納した場合でも周波数特性に不要な共振モードの発
生による亀裂が入る等の特性悪化を阻止することができ
る。更にこの請求項４の発明によれば、カバーの縁を金
属製枠縁としてあるため金属製フレームの開口縁とのシ
ーム溶接が可能となり、パッケージ内部の機密度を高め
ることができ、不要な発振の抑制と相俟って信頼性の高
いマイクロ波用パッケージを提供することができる。
【００２７】請求項５の発明によれば、パッケージキャ
ビティ内部の幅方向、高さ方向、長手方向の少なくとも
一つの方向の一部分の寸法をより小さくすることによっ
て、突起を設けた部分の減衰定数を大きくし、総合の帰
還量を減少させることができるから、パッケージ内部の
帰還による不要な発振が抑制され、内部に高利得のアク
ティブ回路を収納した場合でも周波数特性に不要な共振
モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化を阻止する
ことができる。
ビティ内部の幅方向、高さ方向、長手方向の少なくとも
一つの方向の一部分の寸法をより小さくすることによっ
て、突起を設けた部分の減衰定数を大きくし、総合の帰
還量を減少させることができるから、パッケージ内部の
帰還による不要な発振が抑制され、内部に高利得のアク
ティブ回路を収納した場合でも周波数特性に不要な共振
モードの発生による亀裂が入る等の特性悪化を阻止する
ことができる。
【図１】 実施の形態１を示す外観図である。
【図２】 実施の形態２を示す外観図である。
【図３】 実施の形態３のカバーを示す斜視図である。
【図４】 図３の断面図である。
【図５】 実施の形態４のカバーを示す断面図である。
【図６】 実施の形態５のカバーを除いた状態の平面図
である。
である。
【図７】 従来例を示す外観図である。
【図８】 カバーを除いた状態での従来例の平面図であ
る。
る。
【図９】 方形導波管構造を示す概念図である。
１ 金属製ベース、２ 金属製フレーム、２ａ 開口
縁、３ 金属製カバー、４ 入出力基板、４ａ 入力側
基板、４ｂ 出力側基板、５ カバー（パッケイジカバ
ー）、６ 吸収体、７ 金属製枠縁、８ 中央領域、８
ａ 吸収体、８ｂ誘導体、９ 突起。
縁、３ 金属製カバー、４ 入出力基板、４ａ 入力側
基板、４ｂ 出力側基板、５ カバー（パッケイジカバ
ー）、６ 吸収体、７ 金属製枠縁、８ 中央領域、８
ａ 吸収体、８ｂ誘導体、９ 突起。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】 金属製ベースと、金属製ベース上に設け
られた入出力基板及び枠状の金属製フレームと、金属製
フレームを気密に覆うパッケージカバーとを備えて成る
マイクロ波用パッケージにおいて、 上記パッケージカバーは誘電体又は吸収体で形成された
ことを特徴とするマイクロ波用パッケージ。 - 【請求項２】 金属製ベースと、金属製ベース上に設け
られた入出力基板及び枠状の金属製フレームと、金属製
フレームを気密に覆うパッケージカバーとを備えて成る
マイクロ波用パッケージにおいて、 上記パッケージカバーは誘電体で形成され、パッケージ
カバーの外部表面の全部又は一部には吸収体が設けられ
たことを特徴とするマイクロ波用パッケージ。 - 【請求項３】 金属製ベースと、金属製ベース上に設け
られた入出力基板及び枠状の金属製フレームと、金属製
フレームを気密に覆うパッケージカバーとを備えて成る
マイクロ波用パッケージにおいて、 上記パッケージカバーは、上記金属製フレームに密着す
る金属製枠縁と当該金属製枠縁に収められた誘電体又は
吸収体とで構成されたことを特徴とするマイクロ波用パ
ッケージ。 - 【請求項４】 金属製ベースと、金属製ベース上に設け
られた入出力基板及び枠状の金属製フレームと、金属製
フレームを気密に覆うパッケージカバーとを備えて成る
マイクロ波用パッケージにおいて、 上記パッケージカバーは、上記金属製フレームに密着す
る金属製枠縁と当該金属製枠縁に収められた誘電体とで
構成され、更に、パッケージカバーの外部表面の全部又
は一部には吸収体が設けられたことを特徴とするマイク
ロ波用パッケージ。 - 【請求項５】 金属製ベースと、金属製ベース上に設け
られた入出力基板及び枠状の金属製フレームと、金属製
フレームを気密に覆うパッケージカバーとを備えて成る
マイクロ波用パッケージにおいて、 パッケージの内部に金属製突起を設けたことを特徴とす
るマイクロ波用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10126280A JPH11330288A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | マイクロ波用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10126280A JPH11330288A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | マイクロ波用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330288A true JPH11330288A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=14931314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10126280A Pending JPH11330288A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | マイクロ波用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330288A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1137094A2 (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Agere Systems Guardian Corporation | Resonance elimination in high speed packages |
| JP2018518876A (ja) * | 2015-04-28 | 2018-07-12 | エイ・ティ・アンド・ティ インテレクチュアル プロパティ アイ，エル．ピー． | 磁気結合デバイス及びそれを用いた方法 |
| US10476551B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-11-12 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Magnetic coupling device with reflective plate and methods for use therewith |
| US10812123B1 (en) | 2019-12-05 | 2020-10-20 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Magnetic coupler for launching and receiving electromagnetic waves and methods thereof |
| JP2021025954A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 日本電波工業株式会社 | Ｆｍｃｗセンサモジュール |
| JP2021025955A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 日本電波工業株式会社 | Ｆｍｃｗセンサモジュール |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP10126280A patent/JPH11330288A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1137094A2 (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Agere Systems Guardian Corporation | Resonance elimination in high speed packages |
| EP1137094A3 (en) * | 2000-03-21 | 2003-01-15 | Agere Systems Guardian Corporation | Resonance elimination in high speed packages |
| JP2018518876A (ja) * | 2015-04-28 | 2018-07-12 | エイ・ティ・アンド・ティ インテレクチュアル プロパティ アイ，エル．ピー． | 磁気結合デバイス及びそれを用いた方法 |
| US10432259B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-10-01 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Magnetic coupling device and methods for use therewith |
| US10476551B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-11-12 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Magnetic coupling device with reflective plate and methods for use therewith |
| US10630343B2 (en) | 2015-04-28 | 2020-04-21 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Magnetic coupling device and methods for use therewith |
| JP2021025954A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 日本電波工業株式会社 | Ｆｍｃｗセンサモジュール |
| JP2021025955A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 日本電波工業株式会社 | Ｆｍｃｗセンサモジュール |
| US10812123B1 (en) | 2019-12-05 | 2020-10-20 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Magnetic coupler for launching and receiving electromagnetic waves and methods thereof |
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