JP2004214336A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234331A (ja) * 2001-12-05 2003-08-22 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
US20060000802A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
US8349128B2 (en) 2004-06-30 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for stable plasma processing
JP4588391B2 (ja) 2004-09-01 2010-12-01 芝浦メカトロニクス株式会社 アッシング方法及びアッシング装置
JP5058478B2 (ja) * 2005-11-07 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、プラズマ処理方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US7943005B2 (en) 2006-10-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US7909961B2 (en) * 2006-10-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
JP5047644B2 (ja) * 2007-01-31 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR100941070B1 (ko) * 2007-05-10 2010-02-09 세메스 주식회사 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치
CN101889325B (zh) 2007-12-06 2014-05-07 因特瓦克公司 用于衬底的两侧溅射蚀刻的系统和方法
JP2009177088A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
EP2138271B1 (en) * 2008-06-26 2011-08-03 Satisloh AG Method for manufacturing spectacle lenses according to a prescription
US20100018944A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 United Microelectronics Corp. Patterning method
JP5442403B2 (ja) * 2009-11-18 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びそのクリーニング方法並びにプログラムを記録した記録媒体
TWI606490B (zh) 2010-07-02 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體膜的製造方法,半導體裝置的製造方法,和光電轉換裝置的製造方法
CN102842474B (zh) 2011-06-22 2015-11-25 中国电子科技集团公司第三十八研究所 粒子源及其制造方法
KR20160029985A (ko) * 2014-09-05 2016-03-16 성균관대학교산학협력단 유전체에 균일하게 플라즈마를 발생시키는 방법
JP2016092102A (ja) 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 有機膜をエッチングする方法
CN104550133B (zh) * 2014-12-11 2017-02-22 河北同光晶体有限公司 一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法
JP6438831B2 (ja) * 2015-04-20 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 有機膜をエッチングする方法
KR102422629B1 (ko) * 2016-07-19 2022-07-20 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치용 가스 분사 장치 및 기판 처리 장치
US10854448B2 (en) * 2017-01-31 2020-12-01 Tohoku University Plasma generating device, plasma sputtering device, and plasma sputtering method
JP7030915B2 (ja) * 2020-08-28 2022-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理方法、およびプラズマ処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02298024A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Tadahiro Omi リアクティブイオンエッチング装置
JP2774367B2 (ja) 1990-08-07 1998-07-09 忠弘 大見 プラズマプロセス用装置および方法
JPH05279877A (ja) 1992-04-01 1993-10-26 Nissin Electric Co Ltd プラズマによるエッチング装置
US5744049A (en) * 1994-07-18 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same
US5985089A (en) * 1995-05-25 1999-11-16 Tegal Corporation Plasma etch system
JP2000036484A (ja) 1998-05-11 2000-02-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JP3436221B2 (ja) * 1999-03-15 2003-08-11 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP3844413B2 (ja) 1999-08-23 2006-11-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP4388645B2 (ja) 1999-10-19 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
JP3447647B2 (ja) 2000-02-25 2003-09-16 株式会社日立製作所 試料のエッチング方法
JP3792999B2 (ja) * 2000-06-28 2006-07-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置
US6893969B2 (en) * 2001-02-12 2005-05-17 Lam Research Corporation Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics
JP2002270586A (ja) 2001-03-08 2002-09-20 Tokyo Electron Ltd 有機系絶縁膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス
US7432207B2 (en) * 2001-08-31 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Method for etching object to be processed

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