JP2004207544A - 半導体チップ搭載用フィルムキャリア - Google Patents
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Abstract
【課題】フィルムキャリアへの半導体チップ接合時及びガラスパネル接合時における位置合せ不良を解消し、必要部分を打ち抜いた後の不要テープの処理を容易にすることを可能にする。
【解決手段】樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材１３上にＣＯＦ接続のためのリード１０ａを含む配線パターン１０を形成し、その配線パターン上をソルダーレジスト膜１９で保護し、且つ露出しているインナーリード１０ｂにフリップチップ接続のためのめっき１１を施した半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、フィルムキャリアのスプロケットホール１６が形成された両側縁領域に、テープの長手方向に沿って、連続する補強フィルム１５を接合する。
【選択図】 図１
【解決手段】樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材１３上にＣＯＦ接続のためのリード１０ａを含む配線パターン１０を形成し、その配線パターン上をソルダーレジスト膜１９で保護し、且つ露出しているインナーリード１０ｂにフリップチップ接続のためのめっき１１を施した半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、フィルムキャリアのスプロケットホール１６が形成された両側縁領域に、テープの長手方向に沿って、連続する補強フィルム１５を接合する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを搭載して半導体パッケージを構成するためのフィルムキャリアに関する。特に、液晶駆動用のドライバーチップを、直接銅ポリイミド基板上に実装して、液晶パネルに接続する場合のように、小型、軽量で、折り曲げて使用するため極力薄いことが要求されるＣＯＦ用ＴＡＢテープとして適した半導体チップ搭載用フィルムキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、薄型化、高精細化の要求に伴い、ＩＣ等の半導体チップを搭載する基板の配線は微細化が進行している。
【０００３】
微細配線を有する基板として、図６にデバイスホールを有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを用いた従来の半導体装置の構造を示す。この半導体チップ搭載用フィルムキャリアは、図６に示すように、ポリイミド樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材３１に、接着剤３２を介して銅箔層３３を接合した三層基材（三層構造のＴＡＢテープ材料）３を用い、その銅箔層３３をパターニングして銅リード３３ａを含む配線パターンを形成し、銅リード３３ａの表面の一部をソルダーレジスト３４により被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリード３３ｂに錫めっき３５を施した構造となっている。
【０００４】
この半導体チップ搭載用フィルムキャリアの特徴は、ＴＡＢテープ材料３が半導体チップ搭載のためのデバイスホール３６を具備し、銅リード３３ａのインナーリード３３ｂがデバイスホール３６内に突出してフライングリードを形成しており、錫めっき３５が施されたこのインナーリード３３ｂに、半導体チップＡが金バンプ２０によって接合される構造にある。
【０００５】
しかし、インナーリード３３ｂの配線ピッチが４０μｍを下回るとインナーリード３３ｂないしフライングリードの形成が困難になり、さらにリードピンが曲がり易く、半導体チップたるＩＣとの接合が困難になる。
【０００６】
この解決策の一つとして、最近ＣＯＦ（Chip-on-FilmまたはChip-on-Flex）と称される半導体パッケージ技術が利用されている。このＣＯＦ技術では、図７に示すように、テープ基材４１たるポリイミドテープに銅箔４２をメタライジング法（めっき法）及びキャスティング法によって接合した二層基材（二層構造のＴＡＢテープ材料）４を用いており、デバイスホールやフライングリードがなく、銅箔４２による微細配線はテープ基材４１に接合された状態で形成される。従って、リードの変形が無く、また銅箔４２は薄いので４０μｍピッチ以下の超微細配線が可能になる。
【０００７】
図７に示すＣＯＦフィルムキャリアの場合、ポリイミドテープに銅箔をメタライジング法（銅めっき法）で接合したテープ材料が使用されている。このＣＯＦテープは、薄く、透明なポリイミドフィルムにスパッタリングで金属膜を３０〜１００Åの厚さに製膜し、これを銅めっき液に浸漬し、上記金属膜を陰極として電気めっき法で、銅箔４２を厚さ８〜１２μｍ形成したものである。この銅箔４２をパターニングして銅リード１０ａを含む配線パターン１０を形成し、銅リード３３ａの表面の一部をソルダーレジスト４３により被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリード１０ｂに錫めっき１１を施した構造となっている。なお、錫めっき１１はＩＣチップ及び液晶ガラスとの接続の為に施され、またソルダーレジスト４３は絶縁と機械的強度向上の為に設けられる。
【０００８】
さらに、ＣＯＦフィルムキャリアは小型、軽量、薄型であることが要求され、そのテープも折り曲げて使用するため極力薄いことが要求されるので、テープ基材４１の厚さは１２．５μｍ、２０μｍ、２５μｍ又は３８μｍのものが使用されている。
【０００９】
しかし、フィルムが薄くなるとフィルム自体に変形が生じたり、また、強度も弱くなるので搬送中に切断したりして量産への対応が困難になる。更に、搬送及び位置決め用に設けられるスプロケットホール部分の強度が弱いため当該部分が変形し易く、半導体チップのパット及びガラスパネルの配線との位置合せが不正確になるという不具合が発生する。
【００１０】
この対策として、フィルムキャリアのテープ裏面に補強フィルムを設け、さらにスプロケットホールの周囲に銅箔のダミー配線を備える方法がある（例えば、特許文献１、２参照）。
【００１１】
しかし、この特許文献１に記載の方法は、微細配線の形成後に補強フィルムを剥離、除去してしまうので、半導体チップ接合の際及びガラスパネルの配線とＡＣＦ（異方性導電フィルム：Anisotropic Conductive Film）接合の際には、スプロケットホールの周囲には薄い（６〜８μｍ）銅箔のダミー配線が存在するだけになる。そのため、強度的に不十分となり、しばしば変形して半導体チップのパットとリードの位置合せ不良が発生する。さらに、ガラスパネルの配線とリードの位置合せ不良も発生する。
【００１２】
また、特許文献２は、配線テープへの半田ボール穴の打抜き加工時に、配線テープの下にダミーシートを敷き重ねて打抜きを行う方法を開示したものであるが、穴明け加工終了後には、ダミーシートを配線テープから取り除いてしまうので、明けられた穴の部分が補強されることはない。
【００１３】
【特許文献１】
特開２０００−２２３７９５号公報
【００１４】
【特許文献２】
特開平１１−２９７７６９号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来例によるＣＯＦフィルムキャリアのテープは、薄く透明銅箔付きテープのため、裏面に補強フィルムを設けて微細配線を形成する。
【００１６】
しかしながら、ＩＣチップ接合時及びガラスパネルとの接合時にはこの補強フィルムは剥離してしまい存在しないため、位置合わせのためのスプロケットホールの強度が不十分で、変形して、ＩＣチップ接合時にパッドとリードの位置合わせができない不良が発生する。さらにガラスパネルの配線とリードの位置合わせができない不良が発生する。
【００１７】
またガラスパネル接合時には、テープから必要部分のみを打ち抜いて接合するので、不要となったスプロケットホール部を含む周辺部分は巻き取って処理するようにしているが、フィルムが薄く、更に残留応力の残った銅箔が存在するため、打ち抜き後のテープが円筒状に大きく湾曲、変形して処理が困難になるという不具合がしばしば発生する。
【００１８】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、フィルムキャリアへの半導体チップの接合時及びガラスパネル接合時の位置合せ不良を解消し得ると共に、生産性を阻害する不要テープの処理を容易化した半導体チップ搭載用フィルムキャリアを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００２０】
請求項１の発明に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアは、樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードにフリップチップ接続のためのめっきを施した半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、フィルムキャリアのスプロケットホールが形成された両側縁領域に、テープの長手方向に沿って連続する補強フィルムを接合したことを特徴とする。
【００２１】
請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記テープ基材の厚さが１２．５〜５０．０μｍであることを特徴とする。
【００２２】
請求項３の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記補強フィルムが、耐熱性（例えば１８０℃で変形することのない耐熱性）を有する樹脂フィルムであり、その厚さが２５〜５０μｍであることを特徴とする。
【００２３】
請求項４の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記補強フィルムが、上記テープ基材の裏面及び表面の少なくとも一方の面に接合されていることを特徴とする。
【００２４】
請求項５の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記補強フィルムが、１８０℃で熱処理したポリエチレンテレフタレート製フィルムもしくはポリイミド製フィルムのいずれか又は両者をラミネートしたものから成ることを特徴とする。
【００２５】
＜発明の要点＞
前述したように、従来のＣＯＦフィルムキャリアのテープにおいては、微細配線形成時は裏面に補強フィルムを設けているが、ＩＣチップ接合時及びガラスパネルとの接合時にはこの補強フィルムは存在しない。従って、ＩＣチップとリード及びガラスパネル配線とリードの位置合わせ不良が発生する。さらに、不要周辺部のテープが上手く処理できない不具合が発生している。
【００２６】
本発明は、ＣＯＦフィルムキャリアにおけるボンディング及びガラスパネル接合時の位置合せ不良をなくし、生産性を阻害する不良テープの処置を用意にした半導体チップ搭載用フィルムキャリアを提供することにある。
【００２７】
ＣＯＦのボンディング及びガラスパネルとの接合は、スプロケットホールを基準にして位置合せする。また、テープの搬送もこのスプロケットホールを利用する。このため、スプロケットホールは変形が無く、所定の強度を有することも要求される。
【００２８】
そこで、本発明においては、テープ状絶縁フィルム上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードにフリップチップ接続のためのめっきを施したＣＯＦフィルムキャリアテープ、好ましくは、配線パターン上をソルダーレジスト膜等の絶縁膜（ソルダーレジスト膜等）で保護し、且つ露出しているリードにめっきを施したＣＯＦフィルムキャリアテープにおいて、そのフィルムキャリアの搬送及び位置決め用スプロケットホールが形成された両側縁部分に、テープの長手方向に沿って連続するテープ状補強フィルム（補強用テープ）を接合した構造とする（請求項１）。
【００２９】
かかる構造は、例えば、微細配線形成のために使用する補強フィルムを剥離する際に、スプロケットホール部分にはこの補強フィルムを細幅のテープ状に残す、という操作をすることによって得られる。そして、この補強用テープをスプロケットホール部に付加的に存在させておくことによって、フィルムの変形等をなくし、ＣＯＦフィルムキャリアの半導体チップとのボンディング及びガラスパネルとの接合時の位置合せ不良を防止することが可能となると共に、不要テープの処置を容易化にすることも可能になる。
【００３０】
また、上記テープ基材には、厚さが１２．５〜５０．０μｍの範囲内のものを用いることができる（請求項２）。すなわち、通常用いられているものより薄い、１２．５、２０、２５及び３８μｍといった厚さのものが使用できる。要するに、本発明は、厚さがそれ自体ではスプロケットホールの部分の強度を所期の通りとすることができない程度に薄いテープ基材に、補強用テープを沿わせた構造としたときに特に、その効果を発揮する。
【００３１】
本発明において、上記テープ基材の両側縁領域に沿って接合される補強フィルム、例えば細幅のテープ状補強フィルムは、テープ基材の裏面及び表面の少なくとも一方の面に接合すれば、それなりの剛性が得られるが、必要によりテープ基材の裏面及び表面の両面に設けることもできる（請求項４）。
【００３２】
また、上記細幅のテープ状補強フィルムは、１８０℃で変形することのない耐熱性を有する合成樹脂フィルムで、その厚さが２５〜５０μｍの範囲内のものが望ましく、特に、１８０℃で熱処理したポリエチレンテレフタレート製フィルムもしくはポリイミド製フィルムのいずれか又は両者をラミネートしたものが好適に用いられる（請求項５）。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面の実施形態に基づいて説明する。
【００３４】
図１は、本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリアの第一の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを示す表面図、図２は、そのＣＯＦフィルムキャリアテープの製造工程の概略を示した断面図、図３は、得られたフィルムキャリアに半導体チップを接合しＣＯＦ構造の半導体パッケージとする工程を示した断面図である。
【００３５】
図１中、１は本発明に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリア、１３は透明なポリイミド樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材、１５はテープ基材１３の裏面の両側縁領域に沿って接合された細幅のテープ状補強フィルム、１６はスプロケットホール、１０はテープ基材１３の表面に形成された配線パターン、１９は配線パターン１０の表面の一部を被覆するソルダーレジスト膜（絶縁膜）である。
【００３６】
この半導体チップ搭載用フィルムキャリアも、その基本的構造は従来の図７の場合と同様であり、ポリイミド樹脂製の透明な絶縁フィルムから成るテープ基材１３に、銅箔層６をメタライジング法（めっき法）によって接合した二層基材（二層構造基板のテープ材料）１２を用い、その銅箔層６をパターニングして銅リード１０ａを含む配線パターンを形成し、銅リード１０ａの表面の一部を絶縁膜であるソルダーレジスト１９により被覆して保護し、これから露出した銅リード１０ａにフリップチップ接続のための錫めっき層１１を施した構造のＣＯＦフィルムキャリアテープとなっている。従って、デバイスホールが存在せず、インナーリード１０ｂ（図３）はフライングリードとはなっていない。
【００３７】
しかし、図７のＣＯＦフィルムキャリアテープと大きく異なり、このＣＯＦフィルムキャリアテープでは、透明なテープ基材１３の裏面（配線パターン１０の存在しない側の面）における両側縁部に、テープの長手方向に沿って連続する補強フィルム１５が、アクリル系粘着剤１４により接合され、このアクリル系粘着剤１４及び補強フィルム１５をも貫通してスプロケットホール１６が設けられている。
【００３８】
ここで、上記テープ基材１３の厚さは、１２．５〜５０．０μｍの範囲内のものを用いることができる。１２．５μｍ未満であると、フィルムキャリア自体の強度が不足し、他方、５０．０μｍを超えると、折り曲げて使用する見地から不適切となるためである。
【００３９】
また、補強フィルム１５の厚さは、２５〜５０μｍの範囲内のものを用いることが推奨される。２５μｍ未満であると、補強効果が乏しく、他方、５０μｍを超えると、折り曲げて使用する見地から不適切となるためである。
【００４０】
図４に、本発明の第二の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを、半導体チップと接合する状態で示す。この実施形態では、フィルムキャリアテープの配線パターン１０の存する側に、補強フィルム１５がアクリル系粘着剤１４により設けられている。
【００４１】
図５に、本発明の第三の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを、半導体チップと接合する状態で示す。この実施形態では、フィルムキャリアテープの両面に、それぞれ補強フィルム１５がアクリル系粘着剤１４により設けられている。
【００４２】
［実施例１］
上記第一の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープの具体例を、図２の製造工程に従って説明する。
【００４３】
まず、図２（Ａ）に示す如く、テープ基材１３である絶縁フィルムに、厚さ３８μｍの透明性ポリイミド樹脂フィルム（ここでは東レデュポン株式会社製の商品名「カプトンＥＮ」）５、を用い、このテープ基材１３の表面をプラズマ処理した後、スパッタリング法でクロム／ニッケル合金のシード層を形成する。このフィルムを銅めっき液に浸漬し、金属膜（Ｃｒ／Ｎｉシード層）を陰極として電解めっきで厚さ８μｍの銅箔層６を形成し、銅箔層／絶縁フィルム構成から成る二層基材（二層構造基板のテープ材料）１２を得た。
【００４４】
次いで、図２（Ｂ）に示す如く、このフィルムキャリアの裏面全体に、補強フィルムとしての１８０℃で３０分間熱処理したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート；以下単に「ＰＥＴ」という。）フィルム（商品名「ルミラー」；東レ、デュポン株式会社製）７にアクリル系粘着剤８を設けて成るフィルム（粘着剤付きの補強フィルム９）をラミネートする。
【００４５】
次に図２（Ｃ）に示す如く、この補強フィルム付きフィルムキャリアの両側縁部分に沿って、パンチングマシンを用いて一定間隔で多数のスプロケットホール１６を孔明け加工する。
【００４６】
次いで図２（Ｄ）に示す如く、この補強フィルム付きフィルムキャリアの表面の銅箔層６を、パターニング処理（レジスト塗布、露光・現像、エッチング、レジスト剥離）して、インナーリード１０ａを含む所望の形状の回路配線パターン１０を形成する。そして、電気的接続部分を残して、この回路配線パターン１０上にソルダーレジストを印刷してソルダーレジスト膜（絶縁膜）１９（図１参照）を形成し、被覆保護する。更に、図２（Ｅ）に示す如く、回路配線パターン１０の露出した銅リードの表面に無電解めっきによって錫めっき層１１を形成する。
【００４７】
最後に、半導体チップのボンディング前に、図２（Ｆ）に示す如く、フィルムキャリアの裏面全体に補強フィルムとしてラミネートされているＰＥＴフィルム５のうち、その中央領域部分を剥離し、これにより多数のスプロケットホール１６が形成されている両側縁部分については、細幅のテープ状にアクリル系粘着剤１４及び補強フィルム１５を連続して残す。
【００４８】
かくして、搬送及び位置決め用スプロケットホール１６が一定間隔で多数形成された両側縁領域に沿って、連続する細幅のテープ状補強フィルム１５を接合した本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリア１（ＣＯＦフィルムキャリアテープ）が完成した。このフィルムキャリアにおいては、図２（Ｆ）に示したように、半導体チップＡ（図３）が接合される回路パターン１０が存在する表面側とは反対側の裏面側にテープ状補強フィルム１５が接合されている。
【００４９】
このようにして作製された本発明に係るフィルムキャリアをＬＣＤ（Liquid Crystal Display：液晶表示装置）用のＴＡＢテープ（ＣＯＦ用テープ）として用いて半導体装置を組み立てた。すなわち、図３に示すように、半導体チップＡの金バンプ２０と、上記テープキャリアのＣＯＦ接続のためのインナーリード１０ａを、加熱ステージＢ、加熱ツールＣ及びＣＣＤカメラ装置Ｄを備えた加熱ボンディングステージにて熱圧着させ、フリップチップ・インナーリードボンディングのＳｎ／Ａｕ接合（フリップチップ接合）を得た。接合条件は、加熱ツール温度；３５０℃、加熱ステージ温度；４２５℃、接合時間；1 秒で実施した。
【００５０】
また、ＬＣＤガラスパネルとのＡＣＦ（異方性導電フィルム）接合は、日立化成社製ＡＣＦ（ＡＣ−４２５ＦＹ）を用い、温度１８０℃、圧力３Ｍｐａ、接合時間１５秒で実施した。
【００５１】
下記の表１に、本発明及び従来のフィルムキャリアを用いた場合の不良品の発生率を示す。
【００５２】
なお、表中、「ｐｃｓ」とは１ピース以上のことを指し、「ｋｐｃｓ」とは１０００ピースのことを指す。例えば、「１０ｐｃｓ／１０ｋｐｃｓ」の場合は、１００００ピースを検査したうちの１０ピースが不良品であったこと、即ち、不良率が０．１％であったことを示している。
【００５３】
【表１】
【００５４】
この表１に示される本発明第一実施例の数値から分かるように、本発明においては、位置決め用スプロケットホール部がテープ状補強フィルム１５によって補強されているため、位置合せ不良に基づく半導体チップとの接合不良や、ガラスパネルとの位置合せ不良は発生しない。これに対して、従来例のフィルムキャリアにおいては、リード「ズレ」による位置決め不良によって不良率が高く、更に廃棄テープ材料の巻取りにも不具合が発生するため、歩留り及び生産性が低下することが理解できる。
【００５５】
［実施例２］
厚さ９μｍの銅箔（日本電解社製銅箔Ｕ−ＳＬＰ及び三井金属鉱業社製銅箔ＳＱ−ＶＬＰ）に、二層基材のエスパネックス［商品名：フィルム４０μｍ厚、銅層厚１２μｍ（三井金属鉱業社製銅箔ＳＱ−ＶＬＰ）、新日鉄化学社製］及びユーピレックスＶＴ（宇部興産社製のポリイミド樹脂製フィルムの商品名）を厚さ４０μｍキャスティングして、ＣＯＦフィルムキャリアを製造した。
【００５６】
このフィルムキャリアに、補強フィルムたる１８０℃で３０分熱処理したＰＥＴフィルム（東レ社製；商品名「ルミラー」）７にアクリル系粘着剤８を設けて成る粘着剤付き補強フィルム９を接着し、更に粘着剤付きユーピレックスＳ（宇部興産社製のポリイミド樹脂製フィルムの商品名）をラミネートした。
【００５７】
この補強フィルム付きＣＯＦフィルムキャリアに導体パターン（配線パターン１０）をエッチングで形成し、その配線パターン１０上に更に無電解錫めっき１１を施した。
【００５８】
半導体チップのボンディング前に、ラミネートされている粘着剤付き補強フィルム９（ＰＥＴフィルム７及びアクリル系粘着剤１４）のうち、その中央領域部分を剥離し、スプロケットホール１６が形成されている両側縁部分にだけ、補強フィルムが細幅のテープ状に連続して残るようにした。
【００５９】
これによって、スプロケットホール１６が形成された両側縁領域に沿って、連続する細幅のテープ状補強フィルム１５を接合した本発明の第二実施例に係るフィルムキャリアが作製された。
【００６０】
上記の如くして作製された本発明第二実施例に係るフィルムキャリアに半導体チップＡをフリップチップ接合した。接合条件は、加熱ツール温度；３５０℃、加熱ステージ温度；４２５℃、接合時間；１秒で実施した。またＬＣＤのガラスパネルとのＡＣＦ（異方性導電フィルム）接合は、日立化成社製ＡＣＦ（ＡＣ−４２５１ＦＹ）を用い、接合温度；１８０℃、接合時間；１５秒で実施した。
【００６１】
本発明の第二実施例の不良率を、上記の表１中に示す。この数値から、第二実施例の場合、わずかに不良品が発生しているが、従来例に比べて、その不良率が低いことが理解できる。
【００６２】
従来例のフィルムキャリアにおいては、リード「ズレ」による位置決め不良によって不良率が合計１５％と極めて高く、更に廃棄テープ材料の巻取りにも不具合が発生するため、歩留り及び生産性が低下することが理解される。
【００６３】
上記実施例においては、半導体チップＡが接合されるフィルムキャリアの表面側とは反対側の裏面側に、上記テープ状補強フィルム１５を接合状態で残すように構成した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、図４に示すように、フィルムキャリアの表面側（半導体チップＡを接合する側）にテープ状補強フィルム１５を設けたり、或いはまた、図５に示すように、フィルムキャリアの両方の面にテープ状補強フィルム１５を設けたりすることもできる。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリアによれば、スプロケットホール部分にテープ状補強フィルムを接合してフィルムキャリアの強度を高めているので、ボンディング時においてスプロケットホールによる搬送に高精度に追従し、位置決めが正確になされる。このため、フィルムキャリアへの半導体チップの接合時及びガラスパネル接合時の位置合せ不良が０％にまで解消され、高品質のＣＯＦパッケージが提供される。
【００６５】
また、必要部分を打ち抜いた後のフィルムキャリアについては、補強フィルムが両側縁部に残存しているため、また、その部分には残留応力を有する銅箔が存在しないため、円筒状に変形しあるいはカールすることが少なくなることから、不要部分テープの処理が容易となる。
【００６６】
よって、本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリアによれば、ＬＣＤ用ＣＯＦ用テープ等の製造に関し、従来に比べ、ＣＯＦパッケージの生産性を大きく高めることができ、産業の発展に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアを示す表面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアの製造工程を示す断面図である。
【図３】図２に示す製造工程により作製された本発明の第一の実施形態に係るフィルムキャリアに半導体チップを接合する状態を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【図５】本発明の第三の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【図６】従来のＴＡＢテープを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【図７】従来のＣＯＦフィルムキャリアテープを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【符号の説明】
５ 透明性ポリイミド樹脂フィルム
６ 銅箔層
７ ３０分間熱処理したＰＥＴフィルム
８ アクリル系粘着剤
９ 粘着剤付きの補強フィルム
１０ 配線パターン
１０ａ 銅リード
１０ｂ インナーリード
１１ 錫めっき層
１２ 二層基材
１３ テープ基材
１４ アクリル系粘着剤
１５ 補強フィルム
１６ スプロケットホール
１９ ソルダーレジスト膜（絶縁膜）
２０ 金バンプ
３１ テープ基材
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを搭載して半導体パッケージを構成するためのフィルムキャリアに関する。特に、液晶駆動用のドライバーチップを、直接銅ポリイミド基板上に実装して、液晶パネルに接続する場合のように、小型、軽量で、折り曲げて使用するため極力薄いことが要求されるＣＯＦ用ＴＡＢテープとして適した半導体チップ搭載用フィルムキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、薄型化、高精細化の要求に伴い、ＩＣ等の半導体チップを搭載する基板の配線は微細化が進行している。
【０００３】
微細配線を有する基板として、図６にデバイスホールを有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを用いた従来の半導体装置の構造を示す。この半導体チップ搭載用フィルムキャリアは、図６に示すように、ポリイミド樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材３１に、接着剤３２を介して銅箔層３３を接合した三層基材（三層構造のＴＡＢテープ材料）３を用い、その銅箔層３３をパターニングして銅リード３３ａを含む配線パターンを形成し、銅リード３３ａの表面の一部をソルダーレジスト３４により被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリード３３ｂに錫めっき３５を施した構造となっている。
【０００４】
この半導体チップ搭載用フィルムキャリアの特徴は、ＴＡＢテープ材料３が半導体チップ搭載のためのデバイスホール３６を具備し、銅リード３３ａのインナーリード３３ｂがデバイスホール３６内に突出してフライングリードを形成しており、錫めっき３５が施されたこのインナーリード３３ｂに、半導体チップＡが金バンプ２０によって接合される構造にある。
【０００５】
しかし、インナーリード３３ｂの配線ピッチが４０μｍを下回るとインナーリード３３ｂないしフライングリードの形成が困難になり、さらにリードピンが曲がり易く、半導体チップたるＩＣとの接合が困難になる。
【０００６】
この解決策の一つとして、最近ＣＯＦ（Chip-on-FilmまたはChip-on-Flex）と称される半導体パッケージ技術が利用されている。このＣＯＦ技術では、図７に示すように、テープ基材４１たるポリイミドテープに銅箔４２をメタライジング法（めっき法）及びキャスティング法によって接合した二層基材（二層構造のＴＡＢテープ材料）４を用いており、デバイスホールやフライングリードがなく、銅箔４２による微細配線はテープ基材４１に接合された状態で形成される。従って、リードの変形が無く、また銅箔４２は薄いので４０μｍピッチ以下の超微細配線が可能になる。
【０００７】
図７に示すＣＯＦフィルムキャリアの場合、ポリイミドテープに銅箔をメタライジング法（銅めっき法）で接合したテープ材料が使用されている。このＣＯＦテープは、薄く、透明なポリイミドフィルムにスパッタリングで金属膜を３０〜１００Åの厚さに製膜し、これを銅めっき液に浸漬し、上記金属膜を陰極として電気めっき法で、銅箔４２を厚さ８〜１２μｍ形成したものである。この銅箔４２をパターニングして銅リード１０ａを含む配線パターン１０を形成し、銅リード３３ａの表面の一部をソルダーレジスト４３により被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリード１０ｂに錫めっき１１を施した構造となっている。なお、錫めっき１１はＩＣチップ及び液晶ガラスとの接続の為に施され、またソルダーレジスト４３は絶縁と機械的強度向上の為に設けられる。
【０００８】
さらに、ＣＯＦフィルムキャリアは小型、軽量、薄型であることが要求され、そのテープも折り曲げて使用するため極力薄いことが要求されるので、テープ基材４１の厚さは１２．５μｍ、２０μｍ、２５μｍ又は３８μｍのものが使用されている。
【０００９】
しかし、フィルムが薄くなるとフィルム自体に変形が生じたり、また、強度も弱くなるので搬送中に切断したりして量産への対応が困難になる。更に、搬送及び位置決め用に設けられるスプロケットホール部分の強度が弱いため当該部分が変形し易く、半導体チップのパット及びガラスパネルの配線との位置合せが不正確になるという不具合が発生する。
【００１０】
この対策として、フィルムキャリアのテープ裏面に補強フィルムを設け、さらにスプロケットホールの周囲に銅箔のダミー配線を備える方法がある（例えば、特許文献１、２参照）。
【００１１】
しかし、この特許文献１に記載の方法は、微細配線の形成後に補強フィルムを剥離、除去してしまうので、半導体チップ接合の際及びガラスパネルの配線とＡＣＦ（異方性導電フィルム：Anisotropic Conductive Film）接合の際には、スプロケットホールの周囲には薄い（６〜８μｍ）銅箔のダミー配線が存在するだけになる。そのため、強度的に不十分となり、しばしば変形して半導体チップのパットとリードの位置合せ不良が発生する。さらに、ガラスパネルの配線とリードの位置合せ不良も発生する。
【００１２】
また、特許文献２は、配線テープへの半田ボール穴の打抜き加工時に、配線テープの下にダミーシートを敷き重ねて打抜きを行う方法を開示したものであるが、穴明け加工終了後には、ダミーシートを配線テープから取り除いてしまうので、明けられた穴の部分が補強されることはない。
【００１３】
【特許文献１】
特開２０００−２２３７９５号公報
【００１４】
【特許文献２】
特開平１１−２９７７６９号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来例によるＣＯＦフィルムキャリアのテープは、薄く透明銅箔付きテープのため、裏面に補強フィルムを設けて微細配線を形成する。
【００１６】
しかしながら、ＩＣチップ接合時及びガラスパネルとの接合時にはこの補強フィルムは剥離してしまい存在しないため、位置合わせのためのスプロケットホールの強度が不十分で、変形して、ＩＣチップ接合時にパッドとリードの位置合わせができない不良が発生する。さらにガラスパネルの配線とリードの位置合わせができない不良が発生する。
【００１７】
またガラスパネル接合時には、テープから必要部分のみを打ち抜いて接合するので、不要となったスプロケットホール部を含む周辺部分は巻き取って処理するようにしているが、フィルムが薄く、更に残留応力の残った銅箔が存在するため、打ち抜き後のテープが円筒状に大きく湾曲、変形して処理が困難になるという不具合がしばしば発生する。
【００１８】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、フィルムキャリアへの半導体チップの接合時及びガラスパネル接合時の位置合せ不良を解消し得ると共に、生産性を阻害する不要テープの処理を容易化した半導体チップ搭載用フィルムキャリアを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００２０】
請求項１の発明に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアは、樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードにフリップチップ接続のためのめっきを施した半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、フィルムキャリアのスプロケットホールが形成された両側縁領域に、テープの長手方向に沿って連続する補強フィルムを接合したことを特徴とする。
【００２１】
請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記テープ基材の厚さが１２．５〜５０．０μｍであることを特徴とする。
【００２２】
請求項３の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記補強フィルムが、耐熱性（例えば１８０℃で変形することのない耐熱性）を有する樹脂フィルムであり、その厚さが２５〜５０μｍであることを特徴とする。
【００２３】
請求項４の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記補強フィルムが、上記テープ基材の裏面及び表面の少なくとも一方の面に接合されていることを特徴とする。
【００２４】
請求項５の発明は、請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、上記補強フィルムが、１８０℃で熱処理したポリエチレンテレフタレート製フィルムもしくはポリイミド製フィルムのいずれか又は両者をラミネートしたものから成ることを特徴とする。
【００２５】
＜発明の要点＞
前述したように、従来のＣＯＦフィルムキャリアのテープにおいては、微細配線形成時は裏面に補強フィルムを設けているが、ＩＣチップ接合時及びガラスパネルとの接合時にはこの補強フィルムは存在しない。従って、ＩＣチップとリード及びガラスパネル配線とリードの位置合わせ不良が発生する。さらに、不要周辺部のテープが上手く処理できない不具合が発生している。
【００２６】
本発明は、ＣＯＦフィルムキャリアにおけるボンディング及びガラスパネル接合時の位置合せ不良をなくし、生産性を阻害する不良テープの処置を用意にした半導体チップ搭載用フィルムキャリアを提供することにある。
【００２７】
ＣＯＦのボンディング及びガラスパネルとの接合は、スプロケットホールを基準にして位置合せする。また、テープの搬送もこのスプロケットホールを利用する。このため、スプロケットホールは変形が無く、所定の強度を有することも要求される。
【００２８】
そこで、本発明においては、テープ状絶縁フィルム上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードにフリップチップ接続のためのめっきを施したＣＯＦフィルムキャリアテープ、好ましくは、配線パターン上をソルダーレジスト膜等の絶縁膜（ソルダーレジスト膜等）で保護し、且つ露出しているリードにめっきを施したＣＯＦフィルムキャリアテープにおいて、そのフィルムキャリアの搬送及び位置決め用スプロケットホールが形成された両側縁部分に、テープの長手方向に沿って連続するテープ状補強フィルム（補強用テープ）を接合した構造とする（請求項１）。
【００２９】
かかる構造は、例えば、微細配線形成のために使用する補強フィルムを剥離する際に、スプロケットホール部分にはこの補強フィルムを細幅のテープ状に残す、という操作をすることによって得られる。そして、この補強用テープをスプロケットホール部に付加的に存在させておくことによって、フィルムの変形等をなくし、ＣＯＦフィルムキャリアの半導体チップとのボンディング及びガラスパネルとの接合時の位置合せ不良を防止することが可能となると共に、不要テープの処置を容易化にすることも可能になる。
【００３０】
また、上記テープ基材には、厚さが１２．５〜５０．０μｍの範囲内のものを用いることができる（請求項２）。すなわち、通常用いられているものより薄い、１２．５、２０、２５及び３８μｍといった厚さのものが使用できる。要するに、本発明は、厚さがそれ自体ではスプロケットホールの部分の強度を所期の通りとすることができない程度に薄いテープ基材に、補強用テープを沿わせた構造としたときに特に、その効果を発揮する。
【００３１】
本発明において、上記テープ基材の両側縁領域に沿って接合される補強フィルム、例えば細幅のテープ状補強フィルムは、テープ基材の裏面及び表面の少なくとも一方の面に接合すれば、それなりの剛性が得られるが、必要によりテープ基材の裏面及び表面の両面に設けることもできる（請求項４）。
【００３２】
また、上記細幅のテープ状補強フィルムは、１８０℃で変形することのない耐熱性を有する合成樹脂フィルムで、その厚さが２５〜５０μｍの範囲内のものが望ましく、特に、１８０℃で熱処理したポリエチレンテレフタレート製フィルムもしくはポリイミド製フィルムのいずれか又は両者をラミネートしたものが好適に用いられる（請求項５）。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面の実施形態に基づいて説明する。
【００３４】
図１は、本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリアの第一の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを示す表面図、図２は、そのＣＯＦフィルムキャリアテープの製造工程の概略を示した断面図、図３は、得られたフィルムキャリアに半導体チップを接合しＣＯＦ構造の半導体パッケージとする工程を示した断面図である。
【００３５】
図１中、１は本発明に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリア、１３は透明なポリイミド樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材、１５はテープ基材１３の裏面の両側縁領域に沿って接合された細幅のテープ状補強フィルム、１６はスプロケットホール、１０はテープ基材１３の表面に形成された配線パターン、１９は配線パターン１０の表面の一部を被覆するソルダーレジスト膜（絶縁膜）である。
【００３６】
この半導体チップ搭載用フィルムキャリアも、その基本的構造は従来の図７の場合と同様であり、ポリイミド樹脂製の透明な絶縁フィルムから成るテープ基材１３に、銅箔層６をメタライジング法（めっき法）によって接合した二層基材（二層構造基板のテープ材料）１２を用い、その銅箔層６をパターニングして銅リード１０ａを含む配線パターンを形成し、銅リード１０ａの表面の一部を絶縁膜であるソルダーレジスト１９により被覆して保護し、これから露出した銅リード１０ａにフリップチップ接続のための錫めっき層１１を施した構造のＣＯＦフィルムキャリアテープとなっている。従って、デバイスホールが存在せず、インナーリード１０ｂ（図３）はフライングリードとはなっていない。
【００３７】
しかし、図７のＣＯＦフィルムキャリアテープと大きく異なり、このＣＯＦフィルムキャリアテープでは、透明なテープ基材１３の裏面（配線パターン１０の存在しない側の面）における両側縁部に、テープの長手方向に沿って連続する補強フィルム１５が、アクリル系粘着剤１４により接合され、このアクリル系粘着剤１４及び補強フィルム１５をも貫通してスプロケットホール１６が設けられている。
【００３８】
ここで、上記テープ基材１３の厚さは、１２．５〜５０．０μｍの範囲内のものを用いることができる。１２．５μｍ未満であると、フィルムキャリア自体の強度が不足し、他方、５０．０μｍを超えると、折り曲げて使用する見地から不適切となるためである。
【００３９】
また、補強フィルム１５の厚さは、２５〜５０μｍの範囲内のものを用いることが推奨される。２５μｍ未満であると、補強効果が乏しく、他方、５０μｍを超えると、折り曲げて使用する見地から不適切となるためである。
【００４０】
図４に、本発明の第二の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを、半導体チップと接合する状態で示す。この実施形態では、フィルムキャリアテープの配線パターン１０の存する側に、補強フィルム１５がアクリル系粘着剤１４により設けられている。
【００４１】
図５に、本発明の第三の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを、半導体チップと接合する状態で示す。この実施形態では、フィルムキャリアテープの両面に、それぞれ補強フィルム１５がアクリル系粘着剤１４により設けられている。
【００４２】
［実施例１］
上記第一の実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープの具体例を、図２の製造工程に従って説明する。
【００４３】
まず、図２（Ａ）に示す如く、テープ基材１３である絶縁フィルムに、厚さ３８μｍの透明性ポリイミド樹脂フィルム（ここでは東レデュポン株式会社製の商品名「カプトンＥＮ」）５、を用い、このテープ基材１３の表面をプラズマ処理した後、スパッタリング法でクロム／ニッケル合金のシード層を形成する。このフィルムを銅めっき液に浸漬し、金属膜（Ｃｒ／Ｎｉシード層）を陰極として電解めっきで厚さ８μｍの銅箔層６を形成し、銅箔層／絶縁フィルム構成から成る二層基材（二層構造基板のテープ材料）１２を得た。
【００４４】
次いで、図２（Ｂ）に示す如く、このフィルムキャリアの裏面全体に、補強フィルムとしての１８０℃で３０分間熱処理したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート；以下単に「ＰＥＴ」という。）フィルム（商品名「ルミラー」；東レ、デュポン株式会社製）７にアクリル系粘着剤８を設けて成るフィルム（粘着剤付きの補強フィルム９）をラミネートする。
【００４５】
次に図２（Ｃ）に示す如く、この補強フィルム付きフィルムキャリアの両側縁部分に沿って、パンチングマシンを用いて一定間隔で多数のスプロケットホール１６を孔明け加工する。
【００４６】
次いで図２（Ｄ）に示す如く、この補強フィルム付きフィルムキャリアの表面の銅箔層６を、パターニング処理（レジスト塗布、露光・現像、エッチング、レジスト剥離）して、インナーリード１０ａを含む所望の形状の回路配線パターン１０を形成する。そして、電気的接続部分を残して、この回路配線パターン１０上にソルダーレジストを印刷してソルダーレジスト膜（絶縁膜）１９（図１参照）を形成し、被覆保護する。更に、図２（Ｅ）に示す如く、回路配線パターン１０の露出した銅リードの表面に無電解めっきによって錫めっき層１１を形成する。
【００４７】
最後に、半導体チップのボンディング前に、図２（Ｆ）に示す如く、フィルムキャリアの裏面全体に補強フィルムとしてラミネートされているＰＥＴフィルム５のうち、その中央領域部分を剥離し、これにより多数のスプロケットホール１６が形成されている両側縁部分については、細幅のテープ状にアクリル系粘着剤１４及び補強フィルム１５を連続して残す。
【００４８】
かくして、搬送及び位置決め用スプロケットホール１６が一定間隔で多数形成された両側縁領域に沿って、連続する細幅のテープ状補強フィルム１５を接合した本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリア１（ＣＯＦフィルムキャリアテープ）が完成した。このフィルムキャリアにおいては、図２（Ｆ）に示したように、半導体チップＡ（図３）が接合される回路パターン１０が存在する表面側とは反対側の裏面側にテープ状補強フィルム１５が接合されている。
【００４９】
このようにして作製された本発明に係るフィルムキャリアをＬＣＤ（Liquid Crystal Display：液晶表示装置）用のＴＡＢテープ（ＣＯＦ用テープ）として用いて半導体装置を組み立てた。すなわち、図３に示すように、半導体チップＡの金バンプ２０と、上記テープキャリアのＣＯＦ接続のためのインナーリード１０ａを、加熱ステージＢ、加熱ツールＣ及びＣＣＤカメラ装置Ｄを備えた加熱ボンディングステージにて熱圧着させ、フリップチップ・インナーリードボンディングのＳｎ／Ａｕ接合（フリップチップ接合）を得た。接合条件は、加熱ツール温度；３５０℃、加熱ステージ温度；４２５℃、接合時間；1 秒で実施した。
【００５０】
また、ＬＣＤガラスパネルとのＡＣＦ（異方性導電フィルム）接合は、日立化成社製ＡＣＦ（ＡＣ−４２５ＦＹ）を用い、温度１８０℃、圧力３Ｍｐａ、接合時間１５秒で実施した。
【００５１】
下記の表１に、本発明及び従来のフィルムキャリアを用いた場合の不良品の発生率を示す。
【００５２】
なお、表中、「ｐｃｓ」とは１ピース以上のことを指し、「ｋｐｃｓ」とは１０００ピースのことを指す。例えば、「１０ｐｃｓ／１０ｋｐｃｓ」の場合は、１００００ピースを検査したうちの１０ピースが不良品であったこと、即ち、不良率が０．１％であったことを示している。
【００５３】
【表１】
この表１に示される本発明第一実施例の数値から分かるように、本発明においては、位置決め用スプロケットホール部がテープ状補強フィルム１５によって補強されているため、位置合せ不良に基づく半導体チップとの接合不良や、ガラスパネルとの位置合せ不良は発生しない。これに対して、従来例のフィルムキャリアにおいては、リード「ズレ」による位置決め不良によって不良率が高く、更に廃棄テープ材料の巻取りにも不具合が発生するため、歩留り及び生産性が低下することが理解できる。
【００５５】
［実施例２］
厚さ９μｍの銅箔（日本電解社製銅箔Ｕ−ＳＬＰ及び三井金属鉱業社製銅箔ＳＱ−ＶＬＰ）に、二層基材のエスパネックス［商品名：フィルム４０μｍ厚、銅層厚１２μｍ（三井金属鉱業社製銅箔ＳＱ−ＶＬＰ）、新日鉄化学社製］及びユーピレックスＶＴ（宇部興産社製のポリイミド樹脂製フィルムの商品名）を厚さ４０μｍキャスティングして、ＣＯＦフィルムキャリアを製造した。
【００５６】
このフィルムキャリアに、補強フィルムたる１８０℃で３０分熱処理したＰＥＴフィルム（東レ社製；商品名「ルミラー」）７にアクリル系粘着剤８を設けて成る粘着剤付き補強フィルム９を接着し、更に粘着剤付きユーピレックスＳ（宇部興産社製のポリイミド樹脂製フィルムの商品名）をラミネートした。
【００５７】
この補強フィルム付きＣＯＦフィルムキャリアに導体パターン（配線パターン１０）をエッチングで形成し、その配線パターン１０上に更に無電解錫めっき１１を施した。
【００５８】
半導体チップのボンディング前に、ラミネートされている粘着剤付き補強フィルム９（ＰＥＴフィルム７及びアクリル系粘着剤１４）のうち、その中央領域部分を剥離し、スプロケットホール１６が形成されている両側縁部分にだけ、補強フィルムが細幅のテープ状に連続して残るようにした。
【００５９】
これによって、スプロケットホール１６が形成された両側縁領域に沿って、連続する細幅のテープ状補強フィルム１５を接合した本発明の第二実施例に係るフィルムキャリアが作製された。
【００６０】
上記の如くして作製された本発明第二実施例に係るフィルムキャリアに半導体チップＡをフリップチップ接合した。接合条件は、加熱ツール温度；３５０℃、加熱ステージ温度；４２５℃、接合時間；１秒で実施した。またＬＣＤのガラスパネルとのＡＣＦ（異方性導電フィルム）接合は、日立化成社製ＡＣＦ（ＡＣ−４２５１ＦＹ）を用い、接合温度；１８０℃、接合時間；１５秒で実施した。
【００６１】
本発明の第二実施例の不良率を、上記の表１中に示す。この数値から、第二実施例の場合、わずかに不良品が発生しているが、従来例に比べて、その不良率が低いことが理解できる。
【００６２】
従来例のフィルムキャリアにおいては、リード「ズレ」による位置決め不良によって不良率が合計１５％と極めて高く、更に廃棄テープ材料の巻取りにも不具合が発生するため、歩留り及び生産性が低下することが理解される。
【００６３】
上記実施例においては、半導体チップＡが接合されるフィルムキャリアの表面側とは反対側の裏面側に、上記テープ状補強フィルム１５を接合状態で残すように構成した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、図４に示すように、フィルムキャリアの表面側（半導体チップＡを接合する側）にテープ状補強フィルム１５を設けたり、或いはまた、図５に示すように、フィルムキャリアの両方の面にテープ状補強フィルム１５を設けたりすることもできる。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリアによれば、スプロケットホール部分にテープ状補強フィルムを接合してフィルムキャリアの強度を高めているので、ボンディング時においてスプロケットホールによる搬送に高精度に追従し、位置決めが正確になされる。このため、フィルムキャリアへの半導体チップの接合時及びガラスパネル接合時の位置合せ不良が０％にまで解消され、高品質のＣＯＦパッケージが提供される。
【００６５】
また、必要部分を打ち抜いた後のフィルムキャリアについては、補強フィルムが両側縁部に残存しているため、また、その部分には残留応力を有する銅箔が存在しないため、円筒状に変形しあるいはカールすることが少なくなることから、不要部分テープの処理が容易となる。
【００６６】
よって、本発明の半導体チップ搭載用フィルムキャリアによれば、ＬＣＤ用ＣＯＦ用テープ等の製造に関し、従来に比べ、ＣＯＦパッケージの生産性を大きく高めることができ、産業の発展に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアを示す表面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアの製造工程を示す断面図である。
【図３】図２に示す製造工程により作製された本発明の第一の実施形態に係るフィルムキャリアに半導体チップを接合する状態を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【図５】本発明の第三の実施形態に係る半導体チップ搭載用フィルムキャリアを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【図６】従来のＴＡＢテープを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【図７】従来のＣＯＦフィルムキャリアテープを、これに半導体チップを接合する状態で示した断面図である。
【符号の説明】
５ 透明性ポリイミド樹脂フィルム
６ 銅箔層
７ ３０分間熱処理したＰＥＴフィルム
８ アクリル系粘着剤
９ 粘着剤付きの補強フィルム
１０ 配線パターン
１０ａ 銅リード
１０ｂ インナーリード
１１ 錫めっき層
１２ 二層基材
１３ テープ基材
１４ アクリル系粘着剤
１５ 補強フィルム
１６ スプロケットホール
１９ ソルダーレジスト膜（絶縁膜）
２０ 金バンプ
３１ テープ基材
Claims (5)
- 樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードにフリップチップ接続のためのめっきを施した半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、
フィルムキャリアのスプロケットホールが形成された両側縁領域に、テープの長手方向に沿って連続する補強フィルムを接合したことを特徴とする半導体チップ搭載用フィルムキャリア。 - 請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、
上記テープ基材の厚さが１２．５〜５０．０μｍであることを特徴とする半導体チップ搭載用フィルムキャリア。 - 請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、
上記補強フィルムが、耐熱性を有する樹脂フィルムであり、その厚さが２５〜５０μｍであることを特徴とする半導体チップ搭載用フィルムキャリア。 - 請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、
上記補強フィルムが、上記テープ基材の裏面及び表面の少なくとも一方の面に接合されていることを特徴とする半導体チップ搭載用フィルムキャリア。 - 請求項１に記載の半導体チップ搭載用フィルムキャリアにおいて、
上記補強フィルムが、１８０℃で熱処理したポリエチレンテレフタレート製フィルムもしくはポリイミド製フィルムのいずれか又は両者をラミネートしたものから成ることを特徴とする半導体チップ搭載用フィルムキャリア。
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