JP2004202575A - チップスケールマーカ及びマーキング位置補正方法 - Google Patents

チップスケールマーカ及びマーキング位置補正方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 チップスケールマーカのマーキング位置補正方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 チップスケールマーカは、レーザーシステム130からのレーザービーム経路上に着脱自在に配置されてビームのパワー密度を減少させる手段と、ウェーハホルダの中央ホール上に配置されてシステム130からのレーザービームを受けてそのビームが照射された位置を表示するスクリーンとを具備する。これにより、ウェーハマーキング前にウェーハチップにマーキングされる位置を測定してシステム130からのビームの方向を補正でき、マーキング作業中にもレーザービームをウェーハホルダの端部に形成された半透光性膜に照射し、照射されたビームポイントの測定によりレーザービームの簡易調整も可能である。また、紙スクリーンを黒くしてマーキング位置を確認するために、可視光線だけでなく紫外線及び赤外線波長を使用するチップスケールマーカにも適用可能である。
【選択図】 図7

Description

本発明はチップスケールマーカのマーキング位置補正方法及びその装置に係り、より詳細にはレーザービームでウェーハチップ上に文字をマーキングするチップスケールマーカにおけるマーキング位置補正方法及びその装置に関する。
半導体工程で使用するウェーハには数千または数万のチップが形成されている。これらチップを生産ロット別に区別するために各チップの表面に文字及び/または数字を表示する。この時、マーキングのために使用する装備としてレーザービームを使用するチップスケールマーカ装備を使用する。
図1は一般的なチップスケールマーカ10の概略図であり、図2は図1のレーザーシステムの構成を概略的に示す図である。
図面を参照すれば、ウェーハホルダ20の上方にウェーハWが載置されており、ウェーハホルダ20の下方にはレーザーシステム30が配置されている。レーザーシステム30のレーザー発振器31から発振されたレーザービームはビームエキスパンダ32によって拡大されてガルバノスキャナ33に入射される。ガルバノスキャナ33に入射されたレーザービームはf−(レンズ34を通じてウェーハW上のチップに照射されてチップの表面に文字を記録する。かかるレーザーシステムは特許文献1に開示されている。
前記ウェーハホルダ20の上方にはウェーハホルダ20に支持されるウェーハを監視するカメラ40が配置されており、このカメラ40はX−Yステージ50に連結されて動く。
図3は、ガルバノスキャナによってマーキング形状が歪曲されることを示す図である。
ガルバノスキャナ33はxミラー33a及びyミラー33bを具備する。xミラー33aは一端のシャフト33cを回転するxドライブ(図示せず)によってレーザービームのx方向の動きを制御し、yミラー33bは一端のシャフト33dを回転するyドライブ(図示せず)によってxミラー33aから入射されたレーザービームのy方向の動きを制御する。したがって、x方向の光路がy方向の光路より長い。これによって、図4-aのような格子状をマーキングするように信号を伝送しても図4-bのようなピンクッション歪曲が発生する。また、ミラー33a、33bの回転シャフト33c、33dの中心線とミラー表面間の微細な厚さの差による位置誤差も発生する。
一方、ガルバノスキャナ33を通過したビームがf−(レンズ34を通過しながら曲線化傾向を有し、これによりバレル歪曲が発生する。
このようなマーキングの歪曲現象を改善させるためには周期的にマーキング補正をしてガルバノスキャナ33のミラーの回転を制御しなければならない。
図5は従来のマーキング誤差を測定する方法を概略的に示す図である。
従来には0.3mm直径の小孔70aを一定の間隔で配列して作ったウェーハ形状及び大きさのプレート70にレーザービームを照射した後、前記孔70aを通過したレーザービームの位置をカメラ40で観察してレーザービームの目標位置と比較する。次いで、レーザー照射位置の誤差程度を把握してレーザービームの照射経路を補正する。
特開平9−248692号公報
しかし、従来の方法によれば、小孔70aを通過するレーザービームをカメラ40の前面のガラス42を通じて観測するために、図5に示したように小孔70aに対して傾斜を有するレーザービーム(点線表示)はカメラ40のガラス42部分で屈折される。したがって、プレート70上でレーザービームが照射された正確な位置把握が難しく、かつ測定ホールの上方へのカメラ40の移動時間が長い問題点があった。また、レーザービームのパワーにより前記プレートが損傷する問題が発生する。
本発明の目的は、前記の問題点を改善するために創出されたものとして、ピンホール装置を使用してレーザービームのパワー密度を減らしてウェーハに相当するスクリーンにレーザービームを照射し、照射したレーザービームを測定してチップスケールマーカのマーキング位置を補正する方法及び装置を提供するところにある。
前記の目的を達成するために本発明のチップスケールマーカは、レーザーシステムと、加工対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でX−Yステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダの中央ホールに支持されるウェーハを監視するカメラとを具備するチップスケールマーカにおいて、前記レーザーシステムからのレーザービーム経路上に着脱自在に配置されて前記レーザービームのパワー密度を減少させる手段と、前記ウェーハホルダの前記中央ホール上に配置されて前記レーザーシステムからのレーザービームを受けてそのレーザービームが照射された位置を表示するスクリーンとを具備することを特徴とする。
前記レーザービームパワー密度減少手段は、所定口径のピンホールが中央に形成されたピンホール装置であり、前記レーザービームの光量を所定割合で減少させるND(Neutral Density)フィルタをさらに具備することが望ましい。
また、前記ピンホール装置はアンバまたはダイヤモンドで製造され、前記レーザービームが入射される方向に突設され、前記ピンホールの直径が前記レーザービームの経路に沿って大きくなることが望ましい。
前記スクリーンは、照射されたレーザービームを吸収する下部層と、前記下部層に積層されて前記下部層からの光を上方の垂直方向に透過させる上部層とを具備することが望ましい。
また、前記スクリーンは、レーザービームが照射されたポイントで光が散乱されるように表面が粗く加工されたガラスまたはアクリルの下部層と、前記下部層の上部に配置されて前記散乱された光をフィルタリングして上方に一つのポイントを提供する光減衰器とを具備する。
また、前記スクリーンは半透光性ガラスである。
さらに、前記スクリーンは紙でも可能である。
前記ウェーハホルダには、その中央にウェーハを載置させるように形成された中央ホールの外郭で、前記中央ホールの中心軸から所定距離はなれた同心円上に配置された多数のホールがさらに形成され、前記多数のホール上には半透光性防止膜がさらに設けられる。
前記の目的を達成するために本発明のチップスケールマーカは、レーザーシステムと、加工対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でX−Yステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されるウェーハを監視するカメラとを具備するチップスケールマーカにおいて、前記レーザーシステムからのレーザービーム経路上に着脱自在に配置されて前記レーザービームのパワー密度を減少させる手段と、前記カメラの前端に配置されるカメラスクリーンと、前記カメラスクリーンを前記カメラの前端に着脱する手段とを具備する。
前記カメラスクリーンの着脱手段は、前記カメラスクリーンを回転させる手段であることが望ましい。
また、前記カメラスクリーンは、二つの支持軸により支持されて第1支持軸を回転することによって第2支持軸に巻かれた紙が回転して前記第1支持軸に巻かれる紙ローラであることが望ましく、前記カメラスクリーンの着脱手段は、前記支持軸方向に前記カメラスクリーンを往復動させることが望ましい。
前記他の目的を達成するために本発明のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法は、レーザーシステムと、加工対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でX−Yステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されることを監視するカメラと、前記レーザーシステムからのレーザービーム経路上に着脱自在に配置されて前記レーザービームのパワー密度を減少させる手段と、前記ウェーハホルダの中央ホール上に配置されて前記レーザーシステムからのレーザービームを受けてそのレーザービームが照射された位置を表示するように形成されたスクリーンとを具備するチップスケールマーカにおいて、(a)前記レーザーシステムで前記スクリーンの目標位置にレーザービームを照射する段階と、(b)前記スクリーンに照射されたレーザービームの位置を測定する段階と、(c)前記測定されたレーザービームの位置と目標位置とを比較して前記レーザーシステムを補正する段階と有し、前記スクリーンは紙材質であり、前記レーザービームの位置は前記レーザーシステムからの、前記レーザービームパワー密度減少手段によりパワー密度が減少したレーザービームによって前記スクリーンがすすけた位置であることを特徴とする。
本発明によるチップスケールマーカ及びマーキング位置補正方法によれば、ウェーハマーキング前にウェーハチップにマーキングされる位置を測定して、それによりレーザービームの方向を補正でき、マーキング作業中にもレーザービームをウェーハホルダの端部に形成された半透光性膜に照射し、照射されたレーザービームポイントを測定することによってレーザービームの簡易調整も可能である。また、スクリーン上のレーザービームポイントを基準に補正を行うので補正が正確になってウェーハチップ上の正確な位置にマーキングできる。
以下、添付した図面を参照して本発明のチップスケールマーカによる第1実施例を詳細に説明する。この過程で図面に示した層や領域の厚さは明細書の明確性のために誇張して図示したものである。
図6は本発明の第1実施例によるチップスケールマーカの概略図であり、図7は図6のレーザーシステムの構成を概略的に示す図である。
図面を参照すれば、ウェーハホルダ120上にスクリーン180が載置されており、ウェーハホルダ120の下方にはレーザーシステム130が配置されている。レーザーシステム130のレーザー発振器131から発振されたレーザービームはビームエキスパンダ132によって拡大されてピンホール装置200に入射される。ピンホール装置200に入射されたレーザービームのうちピンホール210aの直径に該当するレーザービームだけピンホール210aを通過して回折されてガルバノスキャナ133及びf−(レンズ134を通じてスクリーン180に照射される。ピンホール装置200はレーザービームの通過直径を制限し、かつピンホール210aを通過したレーザービームを回折して結果的に目標のポイントに照射されるレーザービームのパワー密度を低める。
図8は図6のピンホール装置の構成を示す図であり、図9は図8のピンホール装置のピンホールブロックの断面図である。ピンホール装置200の中央には所定直径のピンホール210aが形成されたピンホールブロック210が配置され、ピンホールブロック210の周りにはピンホールブロック210から所定距離離れたピンホールフレーム220が配置されている。ピンホールブロック210はピンホールフレーム220内で水平及び垂直方向のバネ230a、230bにより付勢されており、各バネの反対側には前記ピンホールブロック210を支持する調節スクリュー240a、240bが設置されている。前記スクリュー240a、240bは前記ピンホールフレーム220内でピンホールブロック210の垂直及び水平方向の位置を調節してレーザービームの進行軸をピンホール210aに整列させる。ピンホール装置200はマーキング位置補正時にはレーザービーム経路に装着され、ウェーハのマーキング時にはレーザービーム経路から脱着される着脱手段に連結されて構成されることが望ましい。
標準式1はピンホール210aを通過したレーザービームの強度を示すものであって、ピンホール210aの直径が減少するにつれてピンホール210aを通過したレーザービームの強度が減少することを示す。
Figure 2004202575
ここで、P(r)はピンホール210aを通過したレーザービームの強度、P(∞)はピンホール210aに入射されるレーザービームの強度、Rはピンホール210aに入射されるレーザービームの半径、rはピンホール210aの半径を示す。
前記ピンホール装置200は、レーザービームが直接接触するものであるために、熱変形が少ないインバアンバまたはダイヤモンドで製造されることが望ましい。そして、一面を前記レーザービームが入射される方向に突設してピンホール装置200に照射されたレーザービームを反射させて外方に広めることによって、レーザービームがピンホール装置200で反射されてレーザー発振装置131に戻ることを防止することが望ましい。そして、前記ピンホール210aの直径をレーザービームの経路に沿って大きくしてピンホール210aを通過したレーザービームを容易に回折し、かつパワー密度を低めることが望ましい。
前記ガルバノスキャナ133はxミラー133a及びyミラー133bを具備する。xミラー133aはxミラー133aの一端のシャフト(図示せず)を回転するxドライブ(図示せず)によってレーザービームのx方向の動きを制御して、yドライブ(図示せず)はxミラー133aから入射されたレーザービームのy方向の動きを制御する。
ウェーハホルダ120の上方にはウェーハまたはスクリーン180を観察するカメラ140が設置されるが、このカメラ140はX−Yステージ150により移動かつ支持される。前記カメラ140及びX−Yステージ150は制御器170に電気的信号を伝送し、前記制御器170はガルバノスキャナ133及びX−Yステージ150を制御する。
前記スクリーン180はマーキング対象のウェーハと同じ形状及び大きさを有し、図10に示したように二層に積層されている。下部層182はレーザー光を吸収して発光する蛍光層であり、上部層184は蛍光層からの光を透過させる層である。前記下部層182はウェーハホルダ120の中央ホール(図11の122参照)に載置されて変形しないようにある程度硬い方が望ましい。
図11は図6のウェーハホルダの斜視図である。ウェーハが載置される中央ホール122の周りに多数のホール124が形成されており、そのホール124上には光を半透過する半透光性膜126が付着されている。前記ホール124は中央ホール122の中心軸から外郭に同心円上に配置されることが望ましい。前記半透光性膜126は前記スクリーン180と同じ作用をする。
前記構造のチップスケールマーカ100の作用を、図面を参照して詳細に説明する。
図10はスクリーン180にレーザービームを照射する時の光路を図式的に示す図であり、図12はカメラの中心点146とそれからずれたレーザービームポイント148を図式的に示す図である。
まず、ウェーハの代りにスクリーン180をウェーハホルダ120に載置させる。次に、レーザー発振器131からレーザービームを発振すれば、このレーザービームはビームエキスパンダ132、ピンホール装置200、ガルバノスキャナ133及びf−(レンズ134を通過してスクリーン180の目標位置に照射される。照射されたレーザービームは蛍光層である下部層182に吸収され、それにより発光された光は前記下部層182にビームポイント148を形成し、透過層である上部層184を通じて上方に進む。この時、スクリーン180に傾いて入射された光(図10の点線表示されたレーザービーム)も図10の点線表示された光路のように上方のカメラ140に対して垂直に光を発散する。前記レーザーはNd:YAGレーザーを使用することが望ましく、かつ2次調和波である532nmの緑色可視光線を使用することが望ましい。また、前記カメラ140は使われたレーザービームを認識できるビジョンCCDカメラを使用することが望ましい。
前記カメラ140はレーザービームの目標点(146)の上方に位置するようにX−Yステージ150により移動された状態でその下方のスクリーン180に形成されたレーザービームポイント148を読出す。この時、ビームポイント148及びカメラの中心点146から外れた偏差を把握してその偏差のX−Y座標を制御器170に入力する。前記ビームポイント148の確認過程は多数のチップの位置に相当する位置で前記過程を反復して実行する。
前記制御器170は入力された位置情報を分析してウェーハチップの位置に合せてビームを照射するようにガルバノスキャナ133のミラーを調節する。
次に、前記スクリーン180を除去した後、ウェーハホルダ120にウェーハを載置させる。この時、ウェーハが載置する位置は前記スクリーンが置かれていた位置と同一である。
前記レーザーシステム130から発振されたレーザービームはウェーハに補正された位置に照射されてマーキングをする。
一方、レーザーマーキング途中でガルバノスキャナ133の揺れを検出しようとする場合にはレーザービームをウェーハホルダ120の外郭におけるホール124上の半透光性膜126上に照射し、カメラ140をレーザービームが照射される目標ポイントの上方に移動させて前述した方法で照射されたビームポイントを検出し、それによりレーザービームを補正する。
前記実施例ではレーザービームのパワー密度を低めるために着脱自在なピンホール装置200を使用したが、ピンホール装置200の代りに光透過率が例えば10〜50%であるNDフィルタを使用するか、あるいはピンホール装置200及びNDフィルタを共に使用してもよい。
前記スクリーンの変形例によれば、下部層にレーザービームが照射される面を粗く加工したガラスまたはアクリルを配置し、その上部に光減衰器を配置する。前記スクリーンにレーザービームが照射されれば、レーザービームは下部層の粗く加工された面で散乱される。傾いて照射されたビームは散乱されて傾いた方向に透過されることが防止される。照射されたレーザービームは前記下部層に像を結ぶ。前記光減衰器は下部層の散乱光のうちレーザービームが照射されたポイントを区分する。この光減衰器を通過した光は一つのビームポイントを表示するのでカメラを使用して前記ビームポイントを容易に観測できるようになる。
図13はスクリーンの他の変形例である。ウェーハと同じ大きさの円形フレーム282上に半透光性シート284を付着したものである。半透光性シート284は例えば、障子紙を使用できる。このような半透光性シート284はカラーレーザービームを受けたポイントを表示してレーザービームの位置を表示する。
また、前記実施例では二層よりなるスクリーンを使用したが、半透光ガラスのように硬い半透光性物質を使用する時は一層よりなるスクリーンを使用することもある。
前記実施例は可視光線の波長を有するレーザービームを使用してCCDカメラでスクリーンに照射されたビームポイントを測定した。可視光線ではない赤外線または紫外線波長のレーザービームを使用する場合にはスクリーンに照射されたポイントを検出するためにスクリーンとして紙スクリーンを使用し、スクリーンに照射されるレーザービームのパワー密度を低めて前記スクリーンを黒くする。このように紙スクリーンを使用する方法は可視光線波長のレーザービームを使用するマーキング補正システムにも適用可能である。
図14は本発明の第2実施例によるチップスケールマーカ300のマーキング位置補正装置を示す図であり、第1実施例と同じ構成要素には同じ参照番号を使用して詳細な説明は省略する。
図14を参照すれば、カメラ140を支持する支持台142に支持されてカメラ140の前面にカメラスクリーン390を配置及び除去するモータ392が配置されている。図14でカメラスクリーン390がカメラ140の前面に配置された場合には実線で、カメラの前面から除去された場合には点線で表示した。前記カメラスクリーン390はウェーハホルダ320に近く配置されることが望ましい。そして、ウェーハホルダ320の中央に中央ホール322が形成されており、この中央ホール322を通じてレーザーシステム130からのレーザービームがカメラスクリーン390に照射される。カメラスクリーン390の構造は前記実施例で適用されるあらゆるスクリーンに適用可能である。
一方、前記カメラスクリーン390を垂直移動する手段393と、前記ウェーハホルダ320を垂直移動する手段394と、をさらに具備することが望ましい。
前記スクリーン390を使用してマーキング位置を検出しようとする場合にはモータ392を駆動してカメラスクリーン390をカメラ140の前面に配置する。そして、ウェーハホルダ320を垂直移動手段394により下方に移動させつつ、カメラスクリーン390を垂直移動手段393によりマーキング対象ウェーハが配置される位置に移動させた後、レーザービームを照射しようとするウェーハの位置に対応するようにX−Yステージ150にカメラ140及びカメラスクリーン390を所定の位置に移動させた後、カメラスクリーン390にレーザービームを照射する。次に、カメラ140でカメラスクリーン390上に形成されたビームポイントを観測してその位置情報を制御器170に入力する。
前記垂直移動手段393、394には、シリンダロッドまたはギアとアクチュエータとを用いた機械的装置などが使われる。
図15は紙スクリーンをカメラ前方に設置して使用する一例を示す斜視図である。
図15を参照すれば、カメラ440から所定距離離れて紙スクリーンとして使われる紙ローラ401が第1及び第2支持軸402、403に巻かれて支持されている。レーザービームが照射される前記紙ローラ401の水平面はウェーハホルダに積載されるウェーハのマーキング面と近く配置されることが望ましい。第1支持軸402を回転することによって第2支持軸403に巻かれた紙が解かれて第1支持軸402に巻かれる構造である。第1及び第2支持軸402、403は連結部材404によってカメラ440に前記紙供給方向(矢印A方向)と垂直方向に摺動自在に設置される。カメラ440と連結部材404との間には連結部材404がカメラ440から摺動することを案内するガイド部材406が配置されている。参照番号407は連結部材404の内側方向から紙ローラ方向に延設されて紙スクリーンのマーキング表面がレーザーシステム130のレーザービームに対して垂直平面をなすようにする部材である。
チップスケールマーカのマーキング位置の補正時、紙ローラ401を含む連結部材404はガイド部材406に沿ってウェーハホルダの上方に移動する。この時、カメラの視野領域に紙ローラ401が位置するように連結部材404を矢印B方向に移動させる。すなわち、ガイド部材406に沿ってy軸位置を調節し、第1支持軸402を巻きながらx軸に移動しつつカメラの視野領域に紙ローラ401、すなわち、紙スクリーンを位置させる。次いで前述した方法でレーザービームを紙スクリーンに照射して紙スクリーンを黒くした後、カメラ440ですすけたポイントを測定して目標ポイントとの偏差を計算する。
本発明は図面を参照して実施例を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であればこれより多様な変形及び均等な実施例が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲に限って決まらねばならない。
本発明のマーキング位置補正方法は、紙スクリーンを黒くしてマーキング位置を確認するために、可視光線だけではなく紫外線及び赤外線波長を使用するチップスケールマーカにも適用可能である。
一般的なチップスケールマーカを概略的に示す図である。 図1のレーザーシステムの構成を概略的に示す図である。 ガルバノスキャナによってマーキング形状が歪曲されることを説明する図である。 マーキングしようとする格子状の図である。 ピンクッション歪曲現象を示す図である。 従来のマーキング誤差を測定する方法を概略的に示す図である。 本発明の第1実施例によるチップスケールマーカを概略的に示す図である。 図6のレーザーシステムの構成を概略的に示す図である。 図6のピンホール装置の構成を示す図である。 図8のピンホールブロックの断面図である。 スクリーンにレーザービームを照射する時の光路を図式的に示す図である。 図6のウェーハホルダの斜視図である。 カメラの中心点とそれからずれたレーザービームポイントを図式的に示す図である。 スクリーンの変形例を示す一部切開斜視図である。 本発明の第2実施例によるチップスケールマーカを概略的に示す図である。 紙スクリーンの変形例を概略的に示す斜視図である。
符号の説明
130 レーザーシステム
131 レーザー発振器
132 ビームエキスパンダ
133 ガルバノスキャナ
133a xミラー
133b yミラー
134 f−(レンズ
200 ピンホール装置
210a ピンホール

Claims (22)

  1. レーザーシステムと、加工対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でX−Yステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダの中央ホールに支持されるウェーハを監視するカメラとを具備するチップスケールマーカにおいて、
    前記レーザーシステムからのレーザービーム経路上に着脱自在に配置されて前記レーザービームのパワー密度を減少させる手段と、
    前記ウェーハホルダの前記中央ホール上に配置されて前記レーザーシステムからのレーザービームを受けてそのレーザービームが照射された位置を表示するスクリーンとを具備することを特徴とするチップスケールマーカ。
  2. 前記レーザービームパワー密度減少手段は、
    所定口径のピンホールが中央に形成されたピンホール装置であることを特徴とする請求項1に記載のチップスケールマーカ。
  3. 前記レーザービームの光量を所定割合で減少させるNDフィルタをさらに具備することを特徴とする請求項2に記載のチップスケールマーカ。
  4. 前記レーザービームパワー密度減少手段は、
    前記レーザービームの光量を所定割合で減少させるNDフィルタであることを特徴とする請求項1に記載のチップスケールマーカ。
  5. 前記ピンホール装置は、
    アンバまたはダイヤモンドで製造されることを特徴とする請求項2または3に記載のチップスケールマーカ。
  6. 前記ピンホール装置は、
    前記レーザービームが入射される方向に突設されたことを特徴とする請求項2または3に記載のチップスケールマーカ。
  7. 前記ピンホール装置は、
    前記ピンホールの直径が前記レーザービームの経路に沿って大きくなることを特徴とする請求項6に記載のチップスケールマーカ。
  8. 前記スクリーンは、
    照射されたレーザービームを吸収する下部層と、
    前記下部層からの光を上方の垂直方向に透過させる上部層とを具備することを特徴とする請求項1に記載のチップスケールマーカ。
  9. 前記スクリーンは、
    レーザービームが照射されたポイントで光が散乱されるように表面が粗く加工されたガラスまたはアクリルの下部層と、
    前記下部層の上部に配置されて前記散乱された光をフィルタリングして上方に一つのポイントを提供する光減衰器とを具備することを特徴とする請求項1に記載のチップスケールマーカ。
  10. 前記スクリーンは、
    半透光性ガラスであることを特徴とする請求項1に記載のチップスケールマーカ。
  11. 前記スクリーンは、
    紙であることを特徴とする請求項1に記載のチップスケールマーカ。
  12. 前記ウェーハホルダには、その中央にウェーハを載置させるように形成された中央ホールの外郭で、前記中央ホールの中心軸から所定距離はなれた同心円上に配置された多数のホールがさらに形成され、
    前記多数のホール上には半透光性防止膜がさらに設けられたことを特徴とする請求項1に記載のチップスケールマーカ。
  13. レーザーシステムと、加工対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でX−Yステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されるウェーハを監視するカメラとを具備するチップスケールマーカにおいて、
    前記レーザーシステムからのレーザービーム経路上に着脱自在に配置されて前記レーザービームのパワー密度を減少させる手段と、
    前記カメラの前端に配置されるカメラスクリーンと、
    前記カメラスクリーンを前記カメラの前端に着脱する手段とを具備することを特徴とするチップスケールマーカ。
  14. 前記カメラスクリーンを垂直移動する手段と、
    前記ウェーハホルダを垂直移動する手段とをさらに具備することを特徴とする請求項13に記載のチップスケールマーカ。
  15. 前記カメラスクリーンの着脱手段は、
    前記カメラスクリーンを回転させる手段であることを特徴とする請求項13に記載のチップスケールマーカ。
  16. 前記カメラスクリーンは、
    紙であることを特徴とする請求項13に記載のチップスケールマーカ。
  17. 前記カメラスクリーンは、
    二つの支持軸により支持されて第1支持軸を回転することによって第2支持軸に巻かれた紙が回転して前記第1支持軸に巻かれる紙ローラであることを特徴とする請求項16に記載のチップスケールマーカ。
  18. 前記カメラスクリーンの着脱手段は、
    前記支持軸方向に前記カメラスクリーンを往復動させることを特徴とする請求項17に記載のチップスケールマーカ。
  19. レーザーシステムと、加工対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でX−Yステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されることを監視するカメラと、前記レーザーシステムからのレーザービーム経路上に着脱自在に配置されて前記レーザービームのパワー密度を減少させる手段と、前記ウェーハホルダの中央ホール上に配置されて前記レーザーシステムからのレーザービームを受けてそのレーザービームが照射された位置を表示するように形成されたスクリーンとを具備するチップスケールマーカのマーキング位置補正方法において、
    (a)前記レーザーシステムで前記スクリーンの目標位置にレーザービームを照射する段階と、
    (b)前記スクリーンに照射されたレーザービームの位置を測定する段階と、
    (c)前記測定されたレーザービームの位置と目標位置とを比較して前記レーザーシステムを補正する段階とを有し、
    前記スクリーンは紙材質であり、前記レーザービームの位置は前記レーザーシステムからの、前記レーザービームパワー密度減少手段によりパワー密度が減少したレーザービームによって前記スクリーンがすすけた位置であることを特徴とするチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
  20. 前記レーザービームパワー密度減少手段は、
    所定口径のピンホールが形成されたピンホール装置であることを特徴とする請求項19に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
  21. 前記レーザービームパワー密度減少手段は、
    前記レーザービームの光量を所定割合で減少させるNDフィルタをさらに具備することを特徴とする請求項20に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
  22. 前記レーザービームパワー密度減少手段は、
    前記レーザービームの光量を所定割合で減少させるNDフィルタであることを特徴とする請求項19に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007160920A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの加工方法
JP2014151346A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Nidec Copal Corp レーザマーカ
US10005157B2 (en) 2013-11-01 2018-06-26 Lg Chem, Ltd. Cathode cutting device using laser
KR20190115977A (ko) * 2018-04-04 2019-10-14 주식회사 이오테크닉스 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030024913A1 (en) * 2002-04-15 2003-02-06 Downes Joseph P. Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like
US7015418B2 (en) 2002-05-17 2006-03-21 Gsi Group Corporation Method and system for calibrating a laser processing system and laser marking system utilizing same
US7577296B2 (en) * 2004-01-30 2009-08-18 The Boeing Company System and method for evaluating laser projection equipment
KR20060040277A (ko) * 2004-11-05 2006-05-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 펨토초 레이저를 이용한 기판의 절단방법
KR100899421B1 (ko) * 2007-02-28 2009-05-27 삼성테크윈 주식회사 칩 본딩 툴, 그 본딩 툴을 구비하는 플립 칩 본딩 장치 및 방법
CN100459034C (zh) * 2007-07-12 2009-02-04 格兰达技术(深圳)有限公司 全自动晶圆背面打标机
TW201143947A (en) * 2009-12-07 2011-12-16 J P Sercel Associates Inc Laser machining and scribing systems and methods
US20130256286A1 (en) * 2009-12-07 2013-10-03 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
DE102010062359A1 (de) 2010-12-02 2012-06-06 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Kalibrierung einer Laserstrahlbearbeitungseinrichtung, Kalibriervorrichtung und Laserstrahlbearbeitungseinrichtung
KR101531816B1 (ko) * 2014-05-21 2015-06-25 주식회사 엘아이에스 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법
TWI607817B (zh) * 2015-09-02 2017-12-11 E&R Eng Corp Laser printing apparatus and method
KR101812210B1 (ko) * 2016-02-15 2017-12-26 주식회사 이오테크닉스 마킹 위치 보정장치 및 방법
KR101812209B1 (ko) * 2016-02-16 2017-12-26 주식회사 이오테크닉스 레이저 마킹 장치 및 레이저 마킹 방법
KR101857414B1 (ko) * 2016-02-25 2018-05-15 주식회사 이오테크닉스 마킹 위치 보정장치 및 방법
CN106985546A (zh) * 2017-03-10 2017-07-28 深圳市杰普特光电股份有限公司 激光打标装置
CN107856649B (zh) * 2017-10-20 2020-11-10 深圳市道通科技股份有限公司 一种车体中心线标定设备及方法
TWI644384B (zh) * 2017-12-11 2018-12-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 雷射雕刻設備
CN109103134B (zh) * 2018-09-01 2021-07-30 余晓飞 芯片的标签流水化制备设备
CN110560916A (zh) * 2019-10-07 2019-12-13 南京理工大学北方研究院 利用激光在铝合金阳极层表面打标的设备及方法
CN111843187A (zh) * 2020-07-30 2020-10-30 广东大族粤铭激光集团股份有限公司 激光屏幕分离方法
KR102650062B1 (ko) * 2020-12-16 2024-03-21 주식회사 비아트론 레이저 빔 공간 필터 시스템
CN112570920A (zh) * 2020-12-23 2021-03-30 武汉艾特艾迪汽车科技有限公司 一种芯片引脚焊接方法、设备及存储介质

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5792879A (en) * 1980-12-01 1982-06-09 Omron Tateisi Electronics Co Optical reading element
JPS6366446A (ja) * 1986-09-09 1988-03-25 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 異物検査装置
US5085502A (en) * 1987-04-30 1992-02-04 Eastman Kodak Company Method and apparatus for digital morie profilometry calibrated for accurate conversion of phase information into distance measurements in a plurality of directions
JP2770960B2 (ja) * 1988-10-06 1998-07-02 キヤノン株式会社 Sor−x線露光装置
JPH02240505A (ja) * 1989-03-13 1990-09-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体ウエハのメサ方向識別方法
JP2897355B2 (ja) * 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
GB9216643D0 (en) * 1992-08-05 1992-09-16 Univ Loughborough Automatic operations on materials
JPH09248692A (ja) 1996-03-18 1997-09-22 Hitachi Ltd レーザマーク装置
US5837962A (en) * 1996-07-15 1998-11-17 Overbeck; James W. Faster laser marker employing acousto-optic deflection
US5898491A (en) * 1997-03-28 1999-04-27 Hitachi Electronics Engineering Co. Ltd. Surface defect test method and surface defect tester
US6047140A (en) * 1997-07-15 2000-04-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Cartridge, laboratory system, image data recording method, camera and photograph processing method
JPH11156563A (ja) 1997-11-25 1999-06-15 Komatsu Ltd レーザ光による微小マーキング装置とそのマーキング方法
JP3055104B2 (ja) * 1998-08-31 2000-06-26 亜南半導体株式会社 半導体パッケ―ジの製造方法
KR100461024B1 (ko) * 2002-04-15 2004-12-13 주식회사 이오테크닉스 칩 스케일 마커 및 마킹 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007160920A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの加工方法
JP2014151346A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Nidec Copal Corp レーザマーカ
US10005157B2 (en) 2013-11-01 2018-06-26 Lg Chem, Ltd. Cathode cutting device using laser
KR20190115977A (ko) * 2018-04-04 2019-10-14 주식회사 이오테크닉스 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
KR102146503B1 (ko) * 2018-04-04 2020-08-21 주식회사 이오테크닉스 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법

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