KR101531816B1 - 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명인 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법은 파워 조정단계와, 제1조사단계와, 제1획득단계와, 산출단계와, 위치 보상단계를 포함한다. 파워 조정단계는 레이저 출력부에서 출력되는 레이저빔의 파워를 미리 설정된 보정용 파워로 조정한다. 제1조사단계는 홀더 구동유닛을 이용하여 마킹영역 내의 일 위치로 웨이퍼 홀더에 부착된 레이저빔 감지부를 이동하고, 갈바노미터 스캐너를 제어하여 레이저빔을 레이저빔 감지부에 조사한다. 제1획득단계는 레이저빔 감지부에 감지된 레이저빔의 이미지와 조사위치를 획득한다. 산출단계는 레이저빔 감지부의 중앙부와 레이저빔 감지부에서 레이저빔의 조사위치 사이의 위치편차를 산출한다. 위치 보상단계는 레이저빔이 레이저빔 감지부의 중앙부에 조사되도록 위치편차를 갈바노미터 스캐너에 입력하여 레이저빔의 조사위치를 보상한다.

Description

웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법{Method for calibrating marking position of wafer marking apparatus}
본 발명은 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼에 분포된 각각의 칩에 레이저빔을 조사하여 원하는 문자 또는 기호를 마킹하는 웨이퍼 마킹장치에서 레이저빔이 조사되는 마킹위치를 보정하는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 관한 것이다.
반도체 공정에서 사용하는 웨이퍼에는 수천 개 또는 수만 개의 칩이 분포되어 있다. 이들 칩들을 생산 로트별로 구별하기 위해서 각 칩의 표면에 문자 및/또는 기호를 표시한다. 이때, 웨이퍼에 분포된 칩의 마킹을 위해 사용하는 장치로서 레이저빔을 조사하는 웨이퍼 마킹장치를 사용한다.
도 1은 갈바노미터 스캐너의 일례를 도시한 도면이고, 도 2는 갈바노미터 스캐너에 의해 마킹영역이 왜곡되는 형상을 설명하는 도면이다.
일반적으로 레이저빔(L)을 웨이퍼(W) 상의 원하는 위치로 이동시키는 것은 갈바노미터 스캐너(10)에 의해 구현될 수 있다. 갈바노미터 스캐너(10)는 반사미러가 회전모터의 회전축에 결합되도록 구성되어, 반사미러에 입사되는 레이저빔(L)을 회전모터의 회전에 의해 원하는 위치로 조사할 수 있다. 일반적으로 한 쌍의 갈바노미터 스캐너(10)를 이용하면, 레이저빔(L)을 웨이퍼 내의 원하는 위치로 조사할 수 있다.
갈바노미터 스캐너(10)는 x 반사미러(11a) 및 y 반사미러(12a)를 구비한다. x 반사미러(11a)는 x 회전모터(11b)에 의해서 마킹되는 문자 또는 기호의 x 방향의 움직임을 제어하고, y 반사미러(12a)는 y 회전모터(12b)에 의해서 x 반사미러(11a)로부터 입사되는 레이저빔의 y 방향의 움직임을 제어한다. x 방향으로의 광경로와 y 방향으로의 광경로의 길이 차이로 인하여, 도 2의 (a)와 같은 격자 모양(1)을 마킹하도록 신호를 보내도 도 2의 (b)와 같은 왜곡(2)이 발생한다. 또한, 갈바노미터 스캐너(10)를 지난 레이저빔이 웨이퍼(w)에 조사되기 전 집광렌즈(미도시)를 통과하면서 곡선화 경향을 가지는데, 집광렌즈에 의해 왜곡이 발생한다.
이와 같이 레이저빔(L)이 조사되는 마킹영역에서의 왜곡현상을 개선하기 위해서는 주기적으로 마킹위치를 보정하여 갈바노미터 스캐너(10)의 반사미러의 회전을 제어하여야 한다.
종래의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 관한 선행기술로는, 한국등록특허공보 제10-0584840호(등록일:2004.05.23, 이하 '선행기술'이라 함) 등이 있다.
도 3을 참조하면, 선행기술에서는 웨이퍼 대신에 그와 같은 크기의 스크린(30)을 웨이퍼 홀더(20)에 장착하고, 레이저빔(L)을 스크린(30)의 목표 위치로 조사한다. 조사된 레이저빔(L)은 형광층인 하부층(32)에 흡수되고 그로부터 발광하여 광을 상부층(31)인 투과층을 통해서 상방으로 조사한다. 이때 스크린(30)에 경사지게 입사된 광도 상방의 카메라(40)에 대해서 수직으로 빛을 발산할 수 있다.
그러나, 선행기술에서는 마킹영역의 가장자리부에 대하여 정확한 마킹위치 보정을 수행할 수 없는 문제점이 있다. 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 마킹영역의 가장자리부에서는 보정 전 레이저빔(L)이 스크린(30)에 조사되지 못하고, 웨이퍼 홀더(20)의 중앙홀(21)의 내벽(22)에 조사되어 반사될 수 있으므로, 카메라(40)는 잘못된 위치에서 레이저빔(L)의 이미지를 획득할 수 있다. 이로 인해 마킹영역의 가장자리부에서 마킹위치의 보정은 엉망이 되고, 잘못된 보정 후에 실제 웨이퍼(w)에 마킹을 수행하면 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 마킹영역의 가장자리부에 배치된 칩(c1)에 마킹된 문자 또는 기호가 엉망이 되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼 홀더에 레이저빔 감지부를 부착하여 마킹위치 보정을 수행함으로써, 레이저빔이 조사되는 마킹영역 전체에 걸쳐 정확한 보정을 수행할 수 있는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법은, 레이저빔을 출력하는 레이저 출력부와, 레이저빔의 마킹위치를 제어하는 갈바노미터 스캐너와, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼 홀더의 가장자리부에 부착되고 레이저빔을 감지하는 레이저빔 감지부와, 상기 웨이퍼 홀더를 수평 방향으로 이동시키는 홀더 구동유닛을 포함하는 웨이퍼 마킹장치를 이용하며, 상기 레이저 출력부에서 출력되는 레이저빔의 파워를 미리 설정된 보정용 파워로 조정하는 파워 조정단계; 상기 홀더 구동유닛을 이용하여 마킹영역 내의 일 위치로 상기 웨이퍼 홀더에 부착된 레이저빔 감지부를 이동하고, 상기 갈바노미터 스캐너를 제어하여 레이저빔을 상기 레이저빔 감지부에 조사하는 제1조사단계; 상기 레이저빔 감지부에 감지된 레이저빔의 이미지와 조사위치를 획득하는 제1획득단계; 상기 레이저빔 감지부의 중앙부와 상기 레이저빔 감지부에서 레이저빔의 조사위치 사이의 위치편차를 산출하는 산출단계; 및 레이저빔이 상기 레이저빔 감지부의 중앙부에 조사되도록 상기 위치편차를 상기 갈바노미터 스캐너에 입력하여 상기 레이저빔의 조사위치를 보상하는 위치 보상단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 있어서, 상기 위치 보상단계 후, 상기 레이저빔 감지부를 고정시키고, 상기 갈바노미터 스캐너를 제어하여 레이저빔을 상기 레이저빔 감지부에 재차 조사하는 제2조사단계; 상기 레이저빔 감지부에 감지된 레이저빔의 이미지와 조사위치를 재차 획득하는 제2획득단계;를 더 포함하고, 상기 제2획득단계에서 획득된 레이저빔의 조사위치가 상기 레이저빔 감지부의 중앙부에 위치하는지 확인할 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 있어서, 상기 제1획득단계에서 획득된 레이저빔의 이미지가 상기 보정용 파워에 대응하는 레이저빔의 이미지에 일치하도록, 레이저빔의 파워를 보상하는 파워 보상단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 있어서, 상기 레이저빔 감지부에서 레이저빔을 감지하는 감지면은 상기 웨이퍼 홀더의 상면과 동일한 높이로 배치될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 따르면, 마킹영역의 중앙부 및 가장자리부 전체에 걸쳐 정확한 보정을 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 따르면, 실제 웨이퍼 마킹공정이 수행되는 평면에 대하여 마킹위치의 보정을 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법에 따르면, 파워 변화로 인해 마킹위치 보정공정이 중단되는 사태를 방지하고, 레이저빔 감지부의 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 갈바노미터 스캐너의 일례를 도시한 도면이고,
도 2는 갈바노미터 스캐너에 의해 마킹영역이 왜곡되는 형상을 설명하는 도면이고,
도 3은 종래의 마킹위치 보정방법의 일례를 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법을 구현하기 위한 웨이퍼 마킹장치의 일례를 도시한 도면이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법의 순서도이고,
도 6은 도 5의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법의 제1조사단계 및 제1획득단계를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법을 구현하기 위한 웨이퍼 마킹장치의 일례를 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법의 순서도이고, 도 6은 도 5의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법의 제1조사단계 및 제1획득단계를 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 4를 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법을 구현하기 위한 웨이퍼 마킹장치(100)는, 레이저 출력부(110)와, 갈바노미터 스캐너(120)와, 웨이퍼 홀더(130)와, 레이저빔 감지부(140)와, 홀더 구동유닛(150)을 포함한다.
상기 레이저 출력부(110)는 웨이퍼(w)에 원하는 문자 또는 기호를 마킹하기 위한 레이저빔(L)을 출력한다. 웨이퍼(w)에 조사되는 레이저빔(L)은 펄스파 레이저빔(L)이 바람직하다. 또한, 레이저빔(L)은 웨이퍼(w)의 전면에 배치된 회로를 손상시키지 않고, 후면에서만 마킹이 수행되도록 가시광선 영역, 예컨대 약 532 nm 영역의 파장을 가지는 것이 바람직하다.
상기 갈바노미터 스캐너(120)는 웨이퍼(w) 상의 원하는 위치로 레이저빔(L)을 이동시키면서 레이저빔(L)의 마킹위치를 제어한다. 갈바노미터 스캐너(120)와 웨이퍼(w) 사이에는 갈바노미터 스캐너(120)를 경유한 레이저빔(L)을 웨이퍼(w) 상에 집광시키는 집광렌즈(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼 홀더(130)는 마킹되는 웨이퍼(w)를 지지한다. 웨이퍼 홀더(130)의 중앙부에는 상하면이 관통된 중앙홀(131)이 형성되어 있고, 웨이퍼 홀더(130)는 웨이퍼(w)의 가장자리부를 지지한다. 중앙홀(131)을 통해 레이저빔(L)이 웨이퍼(w)의 하면에 조사되면서 웨이퍼 마킹공정이 수행된다.
본 발명의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법을 수행할 때는 웨이퍼 홀더(130)에 웨이퍼(w)가 지지되지 않은 상태이며, 실제 웨이퍼 마킹공정이 수행될 때에만 웨이퍼 홀더(130)에 웨이퍼(w)가 지지된다.
상기 레이저빔 감지부(140)는 웨이퍼 홀더(130)의 가장자리부에 부착되고, 레이저빔(L)을 감지한다. 레이저빔 감지부(140)는 조사되는 레이저빔의 이미지(LI)를 획득할 수 있으며, 소정의 해상도를 가지는 CCD 에어리어 카메라(area camera)가 이용될 수 있다.
본 발명은 레이저빔 감지부(140)가 웨이퍼 홀더(130)의 가장자리부에 부착되어 웨이퍼 홀더(130)와 함께 이동하면서 보정방법을 수행하는 것을 특징으로 한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 홀더(130)에 별도의 스크린을 배치하지 않고, 레이저빔 감지부(140)를 마킹영역(WF) 내의 복수의 샘플링위치(P) 사이에서 순차적으로 이동시키면서 마킹위치를 보정할 수 있으므로, 마킹영역(WF) 전체에 걸쳐 정확하게 보정을 수행할 수 있다.
이때, 레이저빔 감지부(140)에서 레이저빔을 감지하는 감지면(141)은 웨이퍼 홀더의 상면(132)과 동일한 높이로 배치될 수 있다. 웨이퍼 홀더의 상면(132)은 실제 웨이퍼 마킹공정에서 문자나 기호가 마킹되는 웨이퍼(w)의 하면과 동일한 높이가 되므로, 감지면(141)을 웨이퍼 홀더의 상면(132)과 동일한 높이로 배치함으로써, 실제 웨이퍼 마킹공정이 수행되는 평면에 대하여 마킹위치의 보정을 수행할 수 있다. 레이저빔 감지부(140)에서 레이저빔을 감지하는 감지면(141)은 CCD 카메라 내부의 CCD 소자가 설치되는 면이 될 수 있다.
레이저빔 감지부(140)는 전면에 ND 필터를 포함할 수 있다.
상기 홀더 구동유닛(150)는 웨이퍼 홀더(130)를 수평 방향으로 이동시킨다. 예를 들어, 홀더 구동유닛(150)은 웨이퍼 홀더(130)를 x 또는 y 방향으로 이동시키는 스테이지가 이용될 수 있다. 웨이퍼 홀더(130)를 직선이송시키는 스테이지는, 리니어 모터, 회전모터와 볼 스크류를 조합한 구성 등 통상의 기술자에게 잘 알려진 구성을 채용할 수 있으므로, 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.
이하, 본 실시예에 따른 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법을 설명한다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법은, 웨이퍼에 분포된 각각의 칩에 레이저빔을 조사하여 원하는 문자 또는 기호를 마킹하는 웨이퍼 마킹장치에서 레이저빔이 조사되는 마킹위치를 보정하기 위한 것으로서, 파워 조정단계(S110)와, 제1조사단계(S120)와, 제1획득단계(S130)와, 산출단계(S140)와, 위치 보상단계(S150)와, 제2조사단계(S160)와, 제2획득단계(S170)를 포함한다.
상기 파워 조정단계(S110)는 레이저 출력부(110)에서 출력되는 레이저빔(L)의 파워를 미리 설정된 보정용 파워로 조정한다. 마킹위치 보정방법에서 조사되는 레이저빔(L)의 파워는 웨이퍼(w)에 원하는 문자 또는 기호를 마킹하는 실제 웨이퍼 마킹공정에서 조사되는 레이저빔(L)의 파워보다 낮게 설정된다. 예를 들어, 실제 웨이퍼 마킹공정에서 조사되는 레이저빔(L)의 파워가 2~3 W로 설정된다면, 본 발명인 마킹위치 보정방법에서 조사되는 레이저빔(L)의 파워는 1 W 미만으로 설정되는 것이 바람직하다. 실제 웨이퍼 마킹공정의 파워로 레이저빔(L)이 조사되다가 레이저빔 감지부(140)에 입사되면, 레이저빔 감지부(140)의 이미지 센서를 손상시킬 위험이 있다. 따라서, 레이저빔 감지부(140)의 이미지 센서를 손상시키지 않으면서 레이저빔(L)의 조사위치만을 파악할 수 있는 충분히 낮은 파워인 보정용 파워로 레이저빔(L)의 파워를 조정한다.
상기 제1조사단계(S120)는 홀더 구동유닛(150)을 이용하여 마킹영역(WF) 내의 일 위치로 웨이퍼 홀더(130)에 부착된 레이저빔 감지부(140)를 이동하고, 갈바노미터 스캐너(120)를 제어하여 레이저빔(L)을 레이저빔 감지부(140)에 조사한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 우선 마킹영역(WF) 내에서 마킹위치를 보정하기 위한 데이터를 확보할 수 있는 복수의 샘플링위치(P)를 설정하고, 샘플링위치(P)를 따라 순차적으로 이동하면서 데이터를 확보한다. 웨이퍼 홀더(130)에 부착된 레이저빔 감지부(140)를 이동하고 레이저빔 감지부(140)에 레이저빔(L)을 조사하는 작업을 각각의 샘플링위치(P)에 대하여 반복하여 수행한다.
상기 제1획득단계(S130)는 레이저빔 감지부(140)에 감지된 레이저빔의 이미지(LI)와 조사위치를 획득한다. 레이저빔 감지부의 영상(141) 내에서 레이저빔의 이미지(LI)는 밝게 표시되므로, 배경과의 그레이 레벨의 차이를 바탕으로 레이저빔의 이미지(LI)의 크기를 산출할 수 있다. 또한, 레이저 감지부의 영상(141)은 픽셀 단위로 분할될 수 있으므로, 레이저 감지부의 영상(141) 내에서 레이저빔(L)의 조사위치가 픽셀 단위로 표시될 수 있다.
상기 산출단계(S140)는 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)와 레이저빔 감지부(140)에서 레이저빔의 조사위치 사이의 위치편차(dx,dy)를 산출한다.
픽셀 단위로 표시된 레이저빔(L)의 조사위치와 픽셀 단위로 표시된 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)의 위치를 가감하여, 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)와 레이저빔 감지부(140)에서 레이저빔(L)의 조사위치 사이의 위치편차(dx,dy)를 x방향 및 y방향에 대하여 각각 산출할 수 있다.
상기 위치 보상단계(S150)는 레이저빔(L)이 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)에 조사되도록, 위치편차(dx,dy)를 갈바노미터 스캐너(120)에 입력하여 레이저빔(L)의 조사위치를 보상한다.
도 2에 도시된 바와 같은 왜곡(2)이 없다면, 각각의 샘플링위치(P)에서 레이저빔(L)은 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)에 조사되어야 한다. 그러나, 갈바노미터 스캐너(120) 및 집광렌즈 등으로 인해 실질적으로 왜곡이 발생하므로, 이러한 왜곡으로 발생한 위치편차(dx,dy)를 보상할 필요가 있다. 따라서, 위치편차(dx,dy)에 대응하는 갈바노미터 스캐너(120)의 제어값을 갈바노미터 스캐너(120)에 입력함으로써, 레이저빔(L)이 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)에 조사되도록 한다.
상기 제2조사단계(S160)는 위치 보상단계(S150) 후, 레이저빔 감지부(140)를 제1획득단계(S130)와 동일한 샘플링위치(P)에 고정시키고, 보상된 제어값을 가지고 갈바노미터 스캐너(120)를 제어하여 레이저빔(L)을 레이저빔 감지부(140)에 재차 조사한다. 상기 제2획득단계(S170)는 레이저빔 감지부(140)에 감지된 레이저빔의 이미지(LI)와 조사위치를 재차 획득한다.
제2조사단계(S160)와 제2획득단계(S170)를 수행함으로써, 보상된 레이저빔(L)의 조사위치가 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)에 실제 위치하는지 확인할 수 있다. 산출단계(S140)를 통해 산출된 위치편차(dx,dy)는 선형적인 수치로 주어지지만, 실제 레이저빔의 왜곡(2) 형태는 비선형 형상으로 나타난다. 따라서, 위치 보상단계(S150)를 통해 레이저빔(L)의 조사위치를 보상하였다고 하더라도 레이저빔(L)이 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)에 조사되지 않을 위험이 있다.
이러한 위험을 방지하기 위하여 제2조사단계(S160)와 제2획득단계(S170)를 재차 수행하여 보상된 레이저빔(L)의 조사위치가 레이저빔 감지부의 중앙부(141a)에 위치하는지 확인한다. 레이저빔(L)의 조사위치와 레이저빔 감지부의 중앙부(141a) 사이의 위치편차(dx,dy)가 허용오차를 넘을 경우, 위치 보상단계(S150)를 한번 더 수행할 수 있다.
한편, 마킹위치 보정방법을 수행하는 도중, 레이저 출력부(110)로부터 출력되는 레이저빔(L)의 파워가 불안정하여 파워가 변경될 수도 있다. 레이저빔(L)의 파워가 변경될 경우 마킹위치 보정공정이 중간에 중단될 수도 있고, 자칫 레이저빔 감지부(140)에 과도한 파워의 레이저빔(L)이 조사되어 손상될 수도 있다. 이러한 손상을 방지하기 위하여 항상 레이저빔(L)의 파워를 감시하고, 미리 설정된 보정용 파워에 일치하도록 조정할 필요가 있다.
이를 위해 제1획득단계(S130) 또는 제2획득단계(S140)에서 획득된 레이저빔(L)의 이미지의 크기와, 미리 저장된 보정용 파워에 대응하는 레이저빔(L)의 이미지의 크기를 비교한다. 제1획득단계(S130) 또는 제2획득단계(S140)에서 획득된 레이저빔(L)의 이미지의 크기가 상대적으로 크다면, 이는 마킹위치 보정방법을 수행하는 도중 레이저빔(L)의 파워가 상승하였다는 것을 의미한다. 반대로 제1획득단계(S130) 또는 제2획득단계(S140)에서 획득된 레이저빔(L)의 이미지의 크기가 상대적으로 작다면, 이는 마킹위치 보정방법을 수행하는 도중 레이저빔(L)의 파워가 하강하였다는 것을 의미한다.
이와 같이 레이저빔(L)의 이미지의 크기를 기준으로 하여 두 이미지의 크기가 일치하도록 레이저빔(L)의 파워를 보상하는 파워 보상단계를 추가적으로 수행할 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법은, 웨이퍼 홀더의 중앙홀의 간섭을 피할 수 있는 위치에 레이저빔 감지부를 부착하여 마킹위치 보정을 수행함으로써, 마킹영역의 중앙부 및 가장자리부 전체에 걸쳐 정확한 보정을 수행할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법은, 레이저빔 감지부에서 레이저빔을 감지하는 감지면을 웨이퍼 홀더의 상면과 동일한 높이로 배치함으로써, 실제 웨이퍼 마킹공정이 수행되는 평면에 대하여 마킹위치의 보정을 수행할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법은, 보정방법을 수행하는 과정 중에 레이저빔의 파워 변화를 감시함으로써, 파워 변화로 인해 마킹위치 보정공정이 중단되는 사태를 방지하고, 레이저빔 감지부의 손상을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
140 : 레이저빔 감지부
S110 : 파워 조정단계
S120 : 제1조사단계
S130 : 제1획득단계
S140 : 산출단계
S150 : 위치 보상단계

Claims (4)

  1. 레이저빔을 출력하는 레이저 출력부와, 레이저빔의 마킹위치를 제어하는 갈바노미터 스캐너와, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더와, 상기 웨이퍼 홀더의 가장자리부에 부착되고 레이저빔을 감지하는 레이저빔 감지부와, 상기 웨이퍼 홀더를 수평 방향으로 이동시키는 홀더 구동유닛을 포함하는 웨이퍼 마킹장치를 이용하며,
    상기 레이저 출력부에서 출력되는 레이저빔의 파워를 미리 설정된 보정용 파워로 조정하는 파워 조정단계;
    상기 홀더 구동유닛을 이용하여 마킹영역 내의 일 위치로 상기 웨이퍼 홀더에 부착된 레이저빔 감지부를 이동하고, 상기 갈바노미터 스캐너를 제어하여 레이저빔을 상기 레이저빔 감지부에 조사하는 제1조사단계;
    상기 레이저빔 감지부에 감지된 레이저빔의 이미지와 조사위치를 획득하는 제1획득단계;
    상기 레이저빔 감지부의 중앙부와 상기 레이저빔 감지부에서 레이저빔의 조사위치 사이의 위치편차를 산출하는 산출단계; 및
    레이저빔이 상기 레이저빔 감지부의 중앙부에 조사되도록 상기 위치편차를 상기 갈바노미터 스캐너에 입력하여 상기 레이저빔의 조사위치를 보상하는 위치 보상단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 위치 보상단계 후,
    상기 레이저빔 감지부를 고정시키고, 상기 갈바노미터 스캐너를 제어하여 레이저빔을 상기 레이저빔 감지부에 재차 조사하는 제2조사단계;
    상기 레이저빔 감지부에 감지된 레이저빔의 이미지와 조사위치를 재차 획득하는 제2획득단계;를 더 포함하고,
    상기 제2획득단계에서 획득된 레이저빔의 조사위치가 상기 레이저빔 감지부의 중앙부에 위치하는지 확인하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1획득단계에서 획득된 레이저빔의 이미지가 상기 보정용 파워에 대응하는 레이저빔의 이미지에 일치하도록, 레이저빔의 파워를 보상하는 파워 보상단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 레이저빔 감지부에서 레이저빔을 감지하는 감지면은 상기 웨이퍼 홀더의 상면과 동일한 높이로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180037580A (ko) * 2016-10-04 2018-04-12 가부시기가이샤 디스코 펄스 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법
CN117524911A (zh) * 2023-11-08 2024-02-06 南京埃米仪器科技有限公司 一种图像传感器温度变化导致的位置偏差补偿方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100584840B1 (ko) * 2002-12-24 2006-05-30 주식회사 이오테크닉스 칩 스케일 마커 및 마킹위치 보정방법
KR20060088408A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 삼성전자주식회사 레이저 빔의 위치검출장치 및 이를 이용한 반도체웨이퍼용 레이저 마킹설비
KR101424600B1 (ko) * 2013-02-15 2014-08-01 주식회사 엘티에스 웨이퍼 마킹장치의 마킹영역 보정방법
KR101511645B1 (ko) * 2013-11-14 2015-04-13 주식회사 엘티에스 레이저빔의 조사위치 보정방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100584840B1 (ko) * 2002-12-24 2006-05-30 주식회사 이오테크닉스 칩 스케일 마커 및 마킹위치 보정방법
KR20060088408A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 삼성전자주식회사 레이저 빔의 위치검출장치 및 이를 이용한 반도체웨이퍼용 레이저 마킹설비
KR101424600B1 (ko) * 2013-02-15 2014-08-01 주식회사 엘티에스 웨이퍼 마킹장치의 마킹영역 보정방법
KR101511645B1 (ko) * 2013-11-14 2015-04-13 주식회사 엘티에스 레이저빔의 조사위치 보정방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180037580A (ko) * 2016-10-04 2018-04-12 가부시기가이샤 디스코 펄스 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법
KR102312237B1 (ko) 2016-10-04 2021-10-12 가부시기가이샤 디스코 펄스 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법
CN117524911A (zh) * 2023-11-08 2024-02-06 南京埃米仪器科技有限公司 一种图像传感器温度变化导致的位置偏差补偿方法
CN117524911B (zh) * 2023-11-08 2024-04-26 南京埃米仪器科技有限公司 一种图像传感器温度变化导致的位置偏差补偿方法

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