JP2004200719A5 - - Google Patents

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  1. タブと、
    複数のパッドが形成された主面、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記タブから露出するように、前記タブ上に搭載された半導体チップと
    記半導体チップの周囲に配置された複数のインナーリード部と、
    前記半導体チップの複数のパッドと前記複数のインナーリード部とをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
    前記半導体チップ、前記複数のインナーリード部、および前記複数のワイヤを封止する封止部と、
    前記複数のインナーリード部のそれぞれと一体に形成され、前記封止部から露出する複数のアウターリード部と、
    前記複数のアウターリード部のそれぞれに形成されたPbフリー半田メッキ層と、
    を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 前記複数のインナーリード部のそれぞれのワイヤ接合面には、Agメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記Pbフリー半田メッキ層は、Sn−Ag系、又はSn−Zn系等の金属から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  4. 前記タブ、前記インナーリード部、および前記アウターリード部のそれぞれは、Cu系、又はFe系の金属から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  5. 前記タブにおいて、前記半導体チップを支持する面とは反対側の前記裏面側は、封止部により覆われていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  6. 前記タブの裏面側は、エッチングにより前記アウターリード部の厚さよりも薄く形成されていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
  7. 前記タブの外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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JP2012195454A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Ricoh Co Ltd 半導体装置
JP2014099534A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1093004A (ja) * 1996-09-11 1998-04-10 Matsushita Electron Corp 電子部品およびその製造方法
JPH10229152A (ja) * 1996-12-10 1998-08-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子部品用リード材、それを用いたリードおよび半導体装置
JP3493113B2 (ja) * 1997-03-21 2004-02-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法およびリードフレーム
US6157074A (en) * 1997-07-16 2000-12-05 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Lead frame adapted for variable sized devices, semiconductor package with such lead frame and method for using same
MY133357A (en) * 1999-06-30 2007-11-30 Hitachi Ltd A semiconductor device and a method of manufacturing the same

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