JP2004186211A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004186211A JP2004186211A JP2002348259A JP2002348259A JP2004186211A JP 2004186211 A JP2004186211 A JP 2004186211A JP 2002348259 A JP2002348259 A JP 2002348259A JP 2002348259 A JP2002348259 A JP 2002348259A JP 2004186211 A JP2004186211 A JP 2004186211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- shaft
- driving
- vapor phase
- rotating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】サセプタ支持軸の熱変形に起因するサセプタの位置のずれや回転ぶれを防止し、基板表面への均一な成膜が図れる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ15の外周をベアリング22で回転可能に支持するとともに、サセプタの中心から突出した回転軸16と、該回転軸を介してサセプタを回転させるための駆動軸24とを非接触状態で配置し、前記回転軸と前記駆動軸との間に、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な回転力伝達手段25を設ける。
【選択図】 図1
【解決手段】サセプタ15の外周をベアリング22で回転可能に支持するとともに、サセプタの中心から突出した回転軸16と、該回転軸を介してサセプタを回転させるための駆動軸24とを非接触状態で配置し、前記回転軸と前記駆動軸との間に、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な回転力伝達手段25を設ける。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相成長装置に関し、詳しくは、気相成長ガス(原料ガス)を基板面と平行に流して基板の表面(気相成長面)に半導体薄膜を形成する横型の気相成長装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光ダイオードやレーザダイオードの発光デバイスに用いられる化合物半導体等の薄膜を製造するための気相成長装置として、軸線を水平方向にして設置した反応炉(フローライナー)内に基板を水平方向に設置し、この基板を加熱した状態で基板表面に平行な方向に原料ガスを供給することにより、基板表面に半導体薄膜を形成する横型の気相成長装置が知られている。
【0003】
このような気相成長装置におけるフローライナー内での基板保持構造として、基板を載置するサセプタと該サセプタを介して前記基板を加熱するヒーターとをリフレクター内に収納し、前記サセプタをリフレクターの底板及びヒーターにそれぞれ設けられている通孔を貫通するサセプタ支持軸の上端部に嵌着したものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−114182号公報(第2頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、成膜操作時に基板を高温、例えば1000℃以上に加熱すると、サセプタやサセプタ支持軸も同時に高温となるため、サセプタ支持軸が熱変形を起こすおそれがあった。サセプタ支持軸が熱変形を起こすと、サセプタの位置がずれたり、サセプタの回転軸がぶれたりするなどして基板表面への均一な成膜が阻害されてしまう。
【0006】
そこで本発明は、サセプタ支持軸の熱変形に起因するサセプタの位置のずれや回転ぶれを防止し、基板表面への均一な成膜が図れる気相成長装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の気相成長装置は、サセプタにより保持された基板の表面に平行な方向に原料ガスを供給し、基板表面に半導体薄膜を成長させる横型の気相成長装置において、前記サセプタの外周をベアリングで回転可能に支持するとともに、サセプタの中心から突出した回転軸と、該回転軸を介してサセプタを回転させるための駆動軸とを非接触状態で配置し、前記回転軸と前記駆動軸との間に、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な回転力伝達手段を設けたことを特徴としている。
【0008】
また、前記回転力伝達手段は、前記回転軸に設けた係止部と、前記駆動軸に設けた駆動部とを、回転軸及び駆動軸の軸線方向に移動可能な状態で、かつ、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な状態で係止させたことを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態】
図1及び図2は本発明の気相成長装置の第1形態例を示すもので、図1は要部の断面正面図、図2は回転力伝達手段の一例を示す断面底面図である。
【0010】
まず、本形態例に示す気相成長装置は、いわゆるフェイスアップ方式と呼ばれるものであって、軸線を水平方向に向けて設置した筒状のフローライナー11の一端にガス導入口12を、他端にガス導出口13をそれぞれ設けるとともに、基板14を水平に保持するための円盤又は円柱状のサセプタ15を鉛直方向の回転軸16によって回転駆動するように形成している。
【0011】
この気相成長装置における成膜操作は、所定温度に加熱した基板14を所定回転数で回転させながら、ガス導入口12からガス導出口13に向かって基板表面に平行な方向に原料ガスを供給し、基板近傍で原料ガスを熱分解あるいは反応させることにより、基板表面に半導体薄膜を成長(エピタキシャル成長)させることにより行われる。
【0012】
前記サセプタ15は、フローライナー11の底部開口11aに連通する上部開口17を備えたサセプタ支持ケース18内に収納されており、サセプタ支持ケース18の外側は、ヒーター19を収納した断熱箱(リフレクター)20により覆われている。
【0013】
前記サセプタ15の底面とサセプタ支持ケース18の底板21との間には、サセプタ15を回転可能に支持するためのベアリング22が設けられている。このベアリング22は、サセプタ15と同軸のリング状に設けられるものであって、このベアリング22でサセプタ15の全重量を支持するようにしている。ベアリング22には、サセプタ15の重量や直径等に応じてボールベアリングやローラーベアリング等の適当な型式のベアリングを使用することができ、ベアリングを2個以上設けることもできる。また、サセプタ軸線方向の支持だけでなく、径方向の支持を兼ねるようにしてもよい。
【0014】
サセプタ支持ケース18の底板21、ヒーター19及び断熱箱20の底板23には、前記回転軸16が貫通する通孔21a,19a,23aがそれぞれ設けられ、回転軸16は、これらの通孔を通して断熱箱20の底面よりも下方に突出した状態となっている。回転軸16の下方には、回転軸16を回転駆動するための駆動軸24が、回転軸16に対して軸線方向に離間した非接触状態で設けられており、回転軸16と駆動軸24との間に、駆動軸24の回転運動を駆動軸24から回転軸16に伝達可能な回転力伝達手段25が設けられている。
【0015】
前記回転力伝達手段25は、両者の相対的な軸線方向の移動を許容した状態で、両者の接触面積を極力小さくすることにより、熱伝導を抑制しながら回転力を伝達できる構造としたものであって、本形態例に示す回転力伝達手段は、回転軸16の下端外周に4個の係止部26を等間隔で軸方向に突設して隣接する係止部26同士の間に係止溝27を形成するとともに、駆動軸24先端部外周には、前記係止溝27内に挿入可能な丸棒形状とした4本の駆動部28を径方向に等間隔で突設した構造を有している。
【0016】
駆動部28は、係止溝27内に回転軸16の軸線方向に移動可能な状態で挿入され、モーター等の駆動源から駆動軸24に与えられた回転力は、駆動部28から係止部26に伝達されて回転軸16が回転することになる。この回転力の伝達時に、係止部26と駆動部28との少なくとも一方を丸棒状に形成しておくことにより、両者の接触状態を線接触として両者間の熱伝導を抑制することができるので、ヒーター19で高温に加熱されたサセプタ15からの輻射や熱伝導によって回転軸16が高温となっても、駆動軸24には熱がほとんど伝わらないので、駆動軸24の熱変形や熱損失を抑えることができる。
【0017】
さらに、高温となった回転軸16が熱膨張しても、係止部26と駆動部28とが回転軸16の軸線方向に移動可能となっているので、駆動軸24には全く影響がなく、回転軸16の熱膨張によって回転軸16や駆動軸24が変形することがなくなる。これにより、サセプタ15の位置がずれたり、サセプタ15の回転軸16がぶれたりすることがなくなり、サセプタ15を安定した状態で回転させることができ、基板表面への成膜を均一に行うことができる。また、サセプタ15の重量が駆動軸24に加わらないので、駆動軸24やその軸支部の簡略化も図れるので、装置コストの低減も図れる。
【0018】
なお、回転力伝達手段25は、本例で示したような機械的な回転力伝達構造に限らず、回転軸16の径や必要なトルクに応じて電気的、磁気的な回転力伝達構造も採用することもできる。
【0019】
図3は、本発明の気相成長装置の第2形態例を示す要部の断面正面図である。本形態例は、成膜を行う基板表面をフローライナー内で下向きに保持した、いわゆるフェイスダウン方式の気相成長装置に本発明を適用した例を示している。なお、前記第1形態例に示した気相成長装置と基本的に同一な構成要素には、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【0020】
本形態例では、サセプタ15の上部外周にフランジ51を設け、このフランジ51の下面とサセプタ支持ケース18の底板上面との間に、前記同様のベアリング22を設けたものであって、サセプタ15の上面中央から上方に突出した回転軸16と、その上方に位置する駆動軸24とは、前記同様に非接触状態で配置されており、回転軸16と駆動軸24との間には、前記同様に構成した回転力伝達手段25が設けられている。
【0021】
このように、フェイスダウン方式の気相成長装置においても、サセプタ15の重量を前記ベアリング22によって支持するとともに、回転軸16と駆動軸24とを回転力伝達手段25を介して接続することにより、熱損失の低減が図れるとともに、サセプタ15を安定した状態で回転させることができる。
【0022】
前記各形態例において、回転軸16と駆動軸24との間には、熱伝導や熱膨張を考慮して0.1mm以上の空間を設けておくことが好ましい。また、前記ベアリング22の材質は、耐熱性等を考慮するとステンレス鋼又は窒化ケイ素であることが好ましい。さらに、サセプタ15の直径は50mm〜1000mmに対応することができ、回転軸の直径は、サセプタ15の直径に応じて10mm〜200mmの範囲に設定することができる。また、サセプタ15及び回転軸16は、サファイア、石英ガラス、ステンレス鋼、SiC、カーボンで形成することができる。なお、サセプタやフローライナーの形状等は、基板の直径や同時成膜枚数、原料ガスの種類等の条件に応じて任意に選択することが可能である。
【0023】
【実施例】
実施例1
図1に示すフェイスアップ方式の気相成長装置において、直径170mmのSiC製サセプタの底面を直径140mmのボールベアリングで支持するとともに、底面中央に直径15mm、長さ300mmの石英ガラス製回転軸を取り付けた。回転軸の下方には5mmの空間を空けて直径10mmのステンレス鋼製駆動軸を配置し、図2に示す構造の回転力伝達手段を設けた。係止部は回転軸の下端部を切削加工して形成し、長さは10mm、厚さは4mmで、係止溝の幅は5mmとした。また、駆動部の丸棒状部分の直径は4mmとした。
【0024】
ヒーターを作動させてサセプタを1200℃に加熱した状態でサセプタを毎分20回転で回転させ、有機金属原料を含む原料ガスを導入して基板表面に半導体薄膜を成長させた。このとき、回転軸に熱膨張による僅かな変形が認められたが、この変形によってサセプタの位置がずれたり傾いたりすることはなかった。得られた半導体薄膜の均一性も十分に保たれていた。
【0025】
比較例1
実施例1において、ボールベアリング及び回転力伝達手段を設けずに、回転軸と駆動軸とを直結して両軸によってサセプタを支持した以外は実施例1と同様の実験を行った。その結果、回転軸の変形によってサセプタの位置が僅かにずれて傾いた状態となってしまった。得られた半導体薄膜は、その一部に均一性に劣る部分があった。
【0026】
実施例2
図3に示すフェイスダウン方式の気相成長装置において、基板支持部の直径が300mmのSiC製サセプタに直径350mmのフランジを形成し、このフランジ部を幅20mmのローラーベアリングで支持した。サセプタの上面中央に直径30mm、長さ300mmの石英ガラス製回転軸を取り付け、その上方に10mmの空間を空けて直径10mmのステンレス鋼製駆動軸を配置し、図2に示す構造の回転力伝達手段を設けた。係止部は回転軸の上端部を切削加工して形成し、長さは10mm、厚さは4mmで、係止溝の幅は5mmとした。また、駆動部の丸棒状部分の直径は4mmとした。
【0027】
ヒーターを作動させてサセプタを1200℃に加熱した状態でサセプタを毎分20回転で回転させ、有機金属原料を含む原料ガスを導入して基板表面に半導体薄膜を成長させた。このとき、回転軸に熱膨張による僅かな変形が認められたが、この変形によってサセプタの位置がずれたり傾いたりすることはなかった。得られた半導体薄膜の均一性も十分に保たれていた。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の気相成長装置によれば、サセプタの回転軸が熱変形を起こしても、サセプタの位置を一定に保ち、安定した回転状態を維持することができるので、基板上に均一な半導体薄膜を成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の気相成長装置の第1形態例を示す要部の断面正面図である。
【図2】回転力伝達手段の一例を示す断面底面図である。
【図3】本発明の気相成長装置の第2形態例を示す要部の断面正面図である。
【符号の説明】
11…フローライナー、12…ガス導入口、13…ガス導出口、14…基板、15…サセプタ、16…回転軸、17…上部開口、18…サセプタ支持ケース、19…ヒーター、20…断熱箱、21…サセプタ支持ケース底板、22…ベアリング、23…断熱箱底板、24…駆動軸、25…回転力伝達手段、26…係止部、27…係止溝、28…駆動部、51…フランジ
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相成長装置に関し、詳しくは、気相成長ガス(原料ガス)を基板面と平行に流して基板の表面(気相成長面)に半導体薄膜を形成する横型の気相成長装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光ダイオードやレーザダイオードの発光デバイスに用いられる化合物半導体等の薄膜を製造するための気相成長装置として、軸線を水平方向にして設置した反応炉(フローライナー)内に基板を水平方向に設置し、この基板を加熱した状態で基板表面に平行な方向に原料ガスを供給することにより、基板表面に半導体薄膜を形成する横型の気相成長装置が知られている。
【0003】
このような気相成長装置におけるフローライナー内での基板保持構造として、基板を載置するサセプタと該サセプタを介して前記基板を加熱するヒーターとをリフレクター内に収納し、前記サセプタをリフレクターの底板及びヒーターにそれぞれ設けられている通孔を貫通するサセプタ支持軸の上端部に嵌着したものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−114182号公報(第2頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、成膜操作時に基板を高温、例えば1000℃以上に加熱すると、サセプタやサセプタ支持軸も同時に高温となるため、サセプタ支持軸が熱変形を起こすおそれがあった。サセプタ支持軸が熱変形を起こすと、サセプタの位置がずれたり、サセプタの回転軸がぶれたりするなどして基板表面への均一な成膜が阻害されてしまう。
【0006】
そこで本発明は、サセプタ支持軸の熱変形に起因するサセプタの位置のずれや回転ぶれを防止し、基板表面への均一な成膜が図れる気相成長装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の気相成長装置は、サセプタにより保持された基板の表面に平行な方向に原料ガスを供給し、基板表面に半導体薄膜を成長させる横型の気相成長装置において、前記サセプタの外周をベアリングで回転可能に支持するとともに、サセプタの中心から突出した回転軸と、該回転軸を介してサセプタを回転させるための駆動軸とを非接触状態で配置し、前記回転軸と前記駆動軸との間に、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な回転力伝達手段を設けたことを特徴としている。
【0008】
また、前記回転力伝達手段は、前記回転軸に設けた係止部と、前記駆動軸に設けた駆動部とを、回転軸及び駆動軸の軸線方向に移動可能な状態で、かつ、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な状態で係止させたことを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態】
図1及び図2は本発明の気相成長装置の第1形態例を示すもので、図1は要部の断面正面図、図2は回転力伝達手段の一例を示す断面底面図である。
【0010】
まず、本形態例に示す気相成長装置は、いわゆるフェイスアップ方式と呼ばれるものであって、軸線を水平方向に向けて設置した筒状のフローライナー11の一端にガス導入口12を、他端にガス導出口13をそれぞれ設けるとともに、基板14を水平に保持するための円盤又は円柱状のサセプタ15を鉛直方向の回転軸16によって回転駆動するように形成している。
【0011】
この気相成長装置における成膜操作は、所定温度に加熱した基板14を所定回転数で回転させながら、ガス導入口12からガス導出口13に向かって基板表面に平行な方向に原料ガスを供給し、基板近傍で原料ガスを熱分解あるいは反応させることにより、基板表面に半導体薄膜を成長(エピタキシャル成長)させることにより行われる。
【0012】
前記サセプタ15は、フローライナー11の底部開口11aに連通する上部開口17を備えたサセプタ支持ケース18内に収納されており、サセプタ支持ケース18の外側は、ヒーター19を収納した断熱箱(リフレクター)20により覆われている。
【0013】
前記サセプタ15の底面とサセプタ支持ケース18の底板21との間には、サセプタ15を回転可能に支持するためのベアリング22が設けられている。このベアリング22は、サセプタ15と同軸のリング状に設けられるものであって、このベアリング22でサセプタ15の全重量を支持するようにしている。ベアリング22には、サセプタ15の重量や直径等に応じてボールベアリングやローラーベアリング等の適当な型式のベアリングを使用することができ、ベアリングを2個以上設けることもできる。また、サセプタ軸線方向の支持だけでなく、径方向の支持を兼ねるようにしてもよい。
【0014】
サセプタ支持ケース18の底板21、ヒーター19及び断熱箱20の底板23には、前記回転軸16が貫通する通孔21a,19a,23aがそれぞれ設けられ、回転軸16は、これらの通孔を通して断熱箱20の底面よりも下方に突出した状態となっている。回転軸16の下方には、回転軸16を回転駆動するための駆動軸24が、回転軸16に対して軸線方向に離間した非接触状態で設けられており、回転軸16と駆動軸24との間に、駆動軸24の回転運動を駆動軸24から回転軸16に伝達可能な回転力伝達手段25が設けられている。
【0015】
前記回転力伝達手段25は、両者の相対的な軸線方向の移動を許容した状態で、両者の接触面積を極力小さくすることにより、熱伝導を抑制しながら回転力を伝達できる構造としたものであって、本形態例に示す回転力伝達手段は、回転軸16の下端外周に4個の係止部26を等間隔で軸方向に突設して隣接する係止部26同士の間に係止溝27を形成するとともに、駆動軸24先端部外周には、前記係止溝27内に挿入可能な丸棒形状とした4本の駆動部28を径方向に等間隔で突設した構造を有している。
【0016】
駆動部28は、係止溝27内に回転軸16の軸線方向に移動可能な状態で挿入され、モーター等の駆動源から駆動軸24に与えられた回転力は、駆動部28から係止部26に伝達されて回転軸16が回転することになる。この回転力の伝達時に、係止部26と駆動部28との少なくとも一方を丸棒状に形成しておくことにより、両者の接触状態を線接触として両者間の熱伝導を抑制することができるので、ヒーター19で高温に加熱されたサセプタ15からの輻射や熱伝導によって回転軸16が高温となっても、駆動軸24には熱がほとんど伝わらないので、駆動軸24の熱変形や熱損失を抑えることができる。
【0017】
さらに、高温となった回転軸16が熱膨張しても、係止部26と駆動部28とが回転軸16の軸線方向に移動可能となっているので、駆動軸24には全く影響がなく、回転軸16の熱膨張によって回転軸16や駆動軸24が変形することがなくなる。これにより、サセプタ15の位置がずれたり、サセプタ15の回転軸16がぶれたりすることがなくなり、サセプタ15を安定した状態で回転させることができ、基板表面への成膜を均一に行うことができる。また、サセプタ15の重量が駆動軸24に加わらないので、駆動軸24やその軸支部の簡略化も図れるので、装置コストの低減も図れる。
【0018】
なお、回転力伝達手段25は、本例で示したような機械的な回転力伝達構造に限らず、回転軸16の径や必要なトルクに応じて電気的、磁気的な回転力伝達構造も採用することもできる。
【0019】
図3は、本発明の気相成長装置の第2形態例を示す要部の断面正面図である。本形態例は、成膜を行う基板表面をフローライナー内で下向きに保持した、いわゆるフェイスダウン方式の気相成長装置に本発明を適用した例を示している。なお、前記第1形態例に示した気相成長装置と基本的に同一な構成要素には、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【0020】
本形態例では、サセプタ15の上部外周にフランジ51を設け、このフランジ51の下面とサセプタ支持ケース18の底板上面との間に、前記同様のベアリング22を設けたものであって、サセプタ15の上面中央から上方に突出した回転軸16と、その上方に位置する駆動軸24とは、前記同様に非接触状態で配置されており、回転軸16と駆動軸24との間には、前記同様に構成した回転力伝達手段25が設けられている。
【0021】
このように、フェイスダウン方式の気相成長装置においても、サセプタ15の重量を前記ベアリング22によって支持するとともに、回転軸16と駆動軸24とを回転力伝達手段25を介して接続することにより、熱損失の低減が図れるとともに、サセプタ15を安定した状態で回転させることができる。
【0022】
前記各形態例において、回転軸16と駆動軸24との間には、熱伝導や熱膨張を考慮して0.1mm以上の空間を設けておくことが好ましい。また、前記ベアリング22の材質は、耐熱性等を考慮するとステンレス鋼又は窒化ケイ素であることが好ましい。さらに、サセプタ15の直径は50mm〜1000mmに対応することができ、回転軸の直径は、サセプタ15の直径に応じて10mm〜200mmの範囲に設定することができる。また、サセプタ15及び回転軸16は、サファイア、石英ガラス、ステンレス鋼、SiC、カーボンで形成することができる。なお、サセプタやフローライナーの形状等は、基板の直径や同時成膜枚数、原料ガスの種類等の条件に応じて任意に選択することが可能である。
【0023】
【実施例】
実施例1
図1に示すフェイスアップ方式の気相成長装置において、直径170mmのSiC製サセプタの底面を直径140mmのボールベアリングで支持するとともに、底面中央に直径15mm、長さ300mmの石英ガラス製回転軸を取り付けた。回転軸の下方には5mmの空間を空けて直径10mmのステンレス鋼製駆動軸を配置し、図2に示す構造の回転力伝達手段を設けた。係止部は回転軸の下端部を切削加工して形成し、長さは10mm、厚さは4mmで、係止溝の幅は5mmとした。また、駆動部の丸棒状部分の直径は4mmとした。
【0024】
ヒーターを作動させてサセプタを1200℃に加熱した状態でサセプタを毎分20回転で回転させ、有機金属原料を含む原料ガスを導入して基板表面に半導体薄膜を成長させた。このとき、回転軸に熱膨張による僅かな変形が認められたが、この変形によってサセプタの位置がずれたり傾いたりすることはなかった。得られた半導体薄膜の均一性も十分に保たれていた。
【0025】
比較例1
実施例1において、ボールベアリング及び回転力伝達手段を設けずに、回転軸と駆動軸とを直結して両軸によってサセプタを支持した以外は実施例1と同様の実験を行った。その結果、回転軸の変形によってサセプタの位置が僅かにずれて傾いた状態となってしまった。得られた半導体薄膜は、その一部に均一性に劣る部分があった。
【0026】
実施例2
図3に示すフェイスダウン方式の気相成長装置において、基板支持部の直径が300mmのSiC製サセプタに直径350mmのフランジを形成し、このフランジ部を幅20mmのローラーベアリングで支持した。サセプタの上面中央に直径30mm、長さ300mmの石英ガラス製回転軸を取り付け、その上方に10mmの空間を空けて直径10mmのステンレス鋼製駆動軸を配置し、図2に示す構造の回転力伝達手段を設けた。係止部は回転軸の上端部を切削加工して形成し、長さは10mm、厚さは4mmで、係止溝の幅は5mmとした。また、駆動部の丸棒状部分の直径は4mmとした。
【0027】
ヒーターを作動させてサセプタを1200℃に加熱した状態でサセプタを毎分20回転で回転させ、有機金属原料を含む原料ガスを導入して基板表面に半導体薄膜を成長させた。このとき、回転軸に熱膨張による僅かな変形が認められたが、この変形によってサセプタの位置がずれたり傾いたりすることはなかった。得られた半導体薄膜の均一性も十分に保たれていた。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の気相成長装置によれば、サセプタの回転軸が熱変形を起こしても、サセプタの位置を一定に保ち、安定した回転状態を維持することができるので、基板上に均一な半導体薄膜を成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の気相成長装置の第1形態例を示す要部の断面正面図である。
【図2】回転力伝達手段の一例を示す断面底面図である。
【図3】本発明の気相成長装置の第2形態例を示す要部の断面正面図である。
【符号の説明】
11…フローライナー、12…ガス導入口、13…ガス導出口、14…基板、15…サセプタ、16…回転軸、17…上部開口、18…サセプタ支持ケース、19…ヒーター、20…断熱箱、21…サセプタ支持ケース底板、22…ベアリング、23…断熱箱底板、24…駆動軸、25…回転力伝達手段、26…係止部、27…係止溝、28…駆動部、51…フランジ
Claims (2)
- サセプタにより保持された基板の表面に平行な方向に原料ガスを供給し、基板表面に半導体薄膜を成長させる横型の気相成長装置において、前記サセプタの外周をベアリングで回転可能に支持するとともに、サセプタの中心から突出した回転軸と、該回転軸を介してサセプタを回転させるための駆動軸とを非接触状態で配置し、前記回転軸と前記駆動軸との間に、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な回転力伝達手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。
- 前記回転力伝達手段は、前記回転軸に設けた係止部と、前記駆動軸に設けた駆動部とを、回転軸及び駆動軸の軸線方向に移動可能な状態で、かつ、駆動軸の回転運動を駆動軸から回転軸に伝達可能な状態で係止させたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002348259A JP2004186211A (ja) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002348259A JP2004186211A (ja) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | 気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004186211A true JP2004186211A (ja) | 2004-07-02 |
Family
ID=32751219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002348259A Pending JP2004186211A (ja) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004186211A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005034220A1 (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 気相成長方法および気相成長装置 |
JP2010027713A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2011233929A (ja) * | 2005-06-24 | 2011-11-17 | Eugene Technology Co Ltd | 回転式ヒータ構造を有する化学気相蒸着装置 |
KR101321582B1 (ko) | 2012-01-31 | 2013-10-28 | 한국기술교육대학교 산학협력단 | 밸런싱 기능을 갖는 서셉터 및 이를 이용하는 증착 공정장비 |
-
2002
- 2002-11-29 JP JP2002348259A patent/JP2004186211A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005034220A1 (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 気相成長方法および気相成長装置 |
JP2011233929A (ja) * | 2005-06-24 | 2011-11-17 | Eugene Technology Co Ltd | 回転式ヒータ構造を有する化学気相蒸着装置 |
JP2010027713A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101321582B1 (ko) | 2012-01-31 | 2013-10-28 | 한국기술교육대학교 산학협력단 | 밸런싱 기능을 갖는 서셉터 및 이를 이용하는 증착 공정장비 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20130061805A1 (en) | Epitaxial wafer susceptor and supportive and rotational connection apparatus matching the susceptor | |
US20120055406A1 (en) | Vapor Phase Deposition Apparatus and Support Table | |
WO2017043282A1 (ja) | SiCエピタキシャルウェハの製造方法及びSiCエピタキシャルウェハの製造装置 | |
JP2009283904A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP2014127612A (ja) | ウェハホルダーおよびエピタキシャルウェハの製造装置 | |
JP2003218039A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2004186211A (ja) | 気相成長装置 | |
TWI694170B (zh) | 成膜裝置 | |
KR940011099B1 (ko) | 기상반응장치 | |
JP6562546B2 (ja) | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 | |
JP4706531B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP3617860B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5340680B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP2009027021A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2017088415A (ja) | SiC単結晶成長装置およびSiC単結晶成長方法 | |
JP2012243926A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
JPH0529230A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2008066652A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JP3056781B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP2007042845A (ja) | サセプタ及び気相成長装置 | |
JP2019007045A (ja) | ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 | |
JP2004247489A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4758385B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2004335591A (ja) | Cvd装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JPH04120722A (ja) | 気相成長装置 |