JP2004179649A - 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
超薄型半導体装置の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004179649A JP2004179649A JP2003383056A JP2003383056A JP2004179649A JP 2004179649 A JP2004179649 A JP 2004179649A JP 2003383056 A JP2003383056 A JP 2003383056A JP 2003383056 A JP2003383056 A JP 2003383056A JP 2004179649 A JP2004179649 A JP 2004179649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ultra
- semiconductor device
- manufacturing
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003383056A JP2004179649A (ja) | 2002-11-12 | 2003-11-12 | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002327732 | 2002-11-12 | ||
JP2003383056A JP2004179649A (ja) | 2002-11-12 | 2003-11-12 | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004179649A true JP2004179649A (ja) | 2004-06-24 |
JP2004179649A5 JP2004179649A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2005-08-11 |
Family
ID=32716136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003383056A Pending JP2004179649A (ja) | 2002-11-12 | 2003-11-12 | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004179649A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006041430A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2006279031A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-10-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2006352100A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
EP1775762A2 (en) * | 2005-08-25 | 2007-04-18 | Sumco Corporation | Laminated substrate manufacturing method and laminated substrate manufactured by the method |
JP2008506617A (ja) * | 2004-07-15 | 2008-03-06 | アイクストロン、アーゲー | SiとGeを含有する膜の堆積方法 |
JP2008288578A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板及び半導体装置の作製方法 |
WO2008156058A1 (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Seiko Epson Corporation | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
WO2008156056A1 (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Seiko Epson Corporation | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
JP2009023900A (ja) * | 2007-06-18 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
JP2009302405A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Shibaura Mechatronics Corp | Soi基板の製造方法及び製造装置 |
JP2010245287A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2010245286A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2011138858A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Lintec Corp | 薄型半導体装置の製造方法 |
JP2013042180A (ja) * | 2005-06-01 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 集積回路装置の作製方法 |
KR101241066B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
CN103145089A (zh) * | 2012-10-01 | 2013-06-12 | 合肥工业大学 | 逆向热键合技术制作尺寸可控的微纳米流体系统 |
JP2013171949A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 支持体分離方法及び支持体分離装置 |
TWI413152B (zh) * | 2005-03-01 | 2013-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置製造方法 |
KR101434934B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2014-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작 방법, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2014170872A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Toyota Industries Corp | 半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法 |
WO2014163188A1 (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 富士電機株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2017147463A (ja) * | 2010-06-24 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20190057326A (ko) * | 2017-11-09 | 2019-05-28 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 칩의 제조 방법 |
KR20220025891A (ko) * | 2019-07-03 | 2022-03-03 | 램 리써치 코포레이션 | 선택적 패시베이션을 위해 타깃 증착 (targeted deposition) 을 사용하여 피처들을 에칭하기 위한 방법 |
KR20220059960A (ko) * | 2019-09-17 | 2022-05-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 고급 회로 아키텍처를 위한 고밀도 논리 회로 및 메모리를 제조하는 방법 |
JP2023009016A (ja) * | 2021-07-06 | 2023-01-19 | ファーウェイ デジタル パワー テクノロジーズ カンパニー リミテッド | ウェハを薄化する方法 |
US11667815B2 (en) | 2019-12-09 | 2023-06-06 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive film |
-
2003
- 2003-11-12 JP JP2003383056A patent/JP2004179649A/ja active Pending
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008506617A (ja) * | 2004-07-15 | 2008-03-06 | アイクストロン、アーゲー | SiとGeを含有する膜の堆積方法 |
JP2006041430A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法 |
JP2006279031A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-10-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US10032671B2 (en) | 2005-03-01 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device using peeling |
US9040420B2 (en) | 2005-03-01 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including peeling layers from substrates by etching |
TWI413152B (zh) * | 2005-03-01 | 2013-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置製造方法 |
JP2006352100A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
KR101241066B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
JP2013042180A (ja) * | 2005-06-01 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 集積回路装置の作製方法 |
EP1775762A2 (en) * | 2005-08-25 | 2007-04-18 | Sumco Corporation | Laminated substrate manufacturing method and laminated substrate manufactured by the method |
KR101447048B1 (ko) | 2007-04-20 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판 및 반도체장치의 제조방법 |
US8629031B2 (en) | 2007-04-20 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device |
US8951878B2 (en) | 2007-04-20 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and semiconductor device |
JP2008288578A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板及び半導体装置の作製方法 |
KR101434934B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2014-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작 방법, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8895407B2 (en) | 2007-05-18 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device |
JP2009023900A (ja) * | 2007-06-18 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
WO2008156058A1 (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Seiko Epson Corporation | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
WO2008156056A1 (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Seiko Epson Corporation | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
JP2008311596A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Seiko Epson Corp | シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス |
JP2009302405A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Shibaura Mechatronics Corp | Soi基板の製造方法及び製造装置 |
JP2010245286A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2010245287A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2011138858A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Lintec Corp | 薄型半導体装置の製造方法 |
JP2017147463A (ja) * | 2010-06-24 | 2017-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10112377B2 (en) | 2012-02-20 | 2018-10-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Supporting member separation method and supporting member separation apparatus |
JP2013171949A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 支持体分離方法及び支持体分離装置 |
CN103145089A (zh) * | 2012-10-01 | 2013-06-12 | 合肥工业大学 | 逆向热键合技术制作尺寸可控的微纳米流体系统 |
JP2014170872A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Toyota Industries Corp | 半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法 |
JPWO2014163188A1 (ja) * | 2013-04-04 | 2017-02-16 | 富士電機株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
US9728441B2 (en) | 2013-04-04 | 2017-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2014163188A1 (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 富士電機株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
KR20190057326A (ko) * | 2017-11-09 | 2019-05-28 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 칩의 제조 방법 |
KR102282587B1 (ko) | 2017-11-09 | 2021-07-27 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 칩의 제조 방법 |
KR20220025891A (ko) * | 2019-07-03 | 2022-03-03 | 램 리써치 코포레이션 | 선택적 패시베이션을 위해 타깃 증착 (targeted deposition) 을 사용하여 피처들을 에칭하기 위한 방법 |
US12217955B2 (en) | 2019-07-03 | 2025-02-04 | Lam Research Corporation | Method for etching features using a targeted deposition for selective passivation |
KR102797629B1 (ko) * | 2019-07-03 | 2025-04-17 | 램 리써치 코포레이션 | 선택적 패시베이션을 위해 타깃 증착 (targeted deposition) 을 사용하여 피처들을 에칭하기 위한 방법 |
KR20220059960A (ko) * | 2019-09-17 | 2022-05-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 고급 회로 아키텍처를 위한 고밀도 논리 회로 및 메모리를 제조하는 방법 |
KR102797915B1 (ko) * | 2019-09-17 | 2025-04-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 고급 회로 아키텍처를 위한 고밀도 논리 회로 및 메모리를 제조하는 방법 |
US11667815B2 (en) | 2019-12-09 | 2023-06-06 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive film |
JP2023009016A (ja) * | 2021-07-06 | 2023-01-19 | ファーウェイ デジタル パワー テクノロジーズ カンパニー リミテッド | ウェハを薄化する方法 |
JP7402929B2 (ja) | 2021-07-06 | 2023-12-21 | ファーウェイ デジタル パワー テクノロジーズ カンパニー リミテッド | ウェハを薄化する方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004179649A (ja) | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置 | |
US9929054B2 (en) | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer | |
KR101484492B1 (ko) | 반도체 기판의 제작 방법 및 반도체 장치의 제작 방법 | |
KR101558192B1 (ko) | 반도체 기판의 제작 방법 및 반도체 장치의 제작 방법 | |
US7521335B2 (en) | Method and apparatus for producing ultra-thin semiconductor chip and method and apparatus for producing ultra-thin back-illuminated solid-state image pickup device | |
US8507308B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5756334B2 (ja) | 積層体、およびその積層体の分離方法 | |
TWI588914B (zh) | Transparent SOI wafer manufacturing method | |
JP2004311955A (ja) | 超薄型電気光学表示装置の製造方法 | |
KR20090037332A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
JP2010503239A (ja) | 厚層転写プロセスを用いて太陽電池を製造するための方法および構造 | |
US7696065B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device by forming separation regions which do not extend to the peripherals of a substrate, and structures thereof | |
JP5336101B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP2005333042A (ja) | 電気光学表示装置の製造方法及び電気光学表示装置 | |
US8349702B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor substrate | |
JP2005333052A (ja) | Simox基板及びその製造方法及びsimox基板を用いた半導体装置及びsimox基板を用いた電気光学表示装置の製造方法 | |
JP2012038932A (ja) | 半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法 | |
JP2005268238A (ja) | 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2004310056A (ja) | 超薄型電気光学表示装置の製造方法 | |
JP2005333070A (ja) | 半導体装置の製造方法及び縦型オーバーフロードレイン構造及び電子シャッタ機能を有する表面照射型固体撮像装置並びにその製造方法 | |
JP5368000B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP2010287817A (ja) | Ge膜付きSOI基板の製造方法及びGe膜付きSOI基板 | |
JP2009059817A (ja) | 半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050317 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080618 |