JP2006279031A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】剥離層のエッチングガス雰囲気にさらすと同時に剥離を行う。或いは、剥離層のエッチングガス雰囲気において、剥離層にエッチングガスを吹きつけながら、剥離を行う。具体的には、基板から被剥離層を引きはがしながら、剥離箇所にエッチングガスを吹きつける。或いは、剥離層のエッチャント溶液中で、剥離層に新しいエッチャント溶液を供給しながら剥離を行う。
【選択図】図1
Description
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第1の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む被剥離層を形成する第2の工程と、
エッチングガスの雰囲気下において、力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対してエッチングガスを吹きつけて前記剥離層を除去する第3工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第1の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む被剥離層を形成する第2の工程と、
エッチング液中において、力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対してエッチング液を供給して前記剥離層を除去する第3工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
本実施の形態では、ガラス基板上に形成したTFTを含む被剥離層をガラス基板から剥離し、プラスチック基板に転写する作製方法を説明する。ここでは、剥離の際に、ハロゲンガスの存在する雰囲気下で、剥離層にハロゲンガスを吹きつけながら除去しつつ被剥離層の剥離を行う例を示す。
実施の形態1では、ハロゲンガス雰囲気で剥離を行う例を示したが、ここではエッチング液中で剥離を行う例を示す。
11 剥離層
12 被剥離層
13 保護層
14 開口部
15 ノズル
16 物理的手段
20 基板
21 剥離層
22 被剥離層
23 保護層
24 開口部
25 ノズル
26 物理的手段
27 液槽
101 基板
102 定盤
103 移動台
104 移動機構
105 固定ピン
106 高さ制御機構
107 ガス導入管
108 ノズル
109 チャック部
110 チャック昇降機構部
111 ガイド部
112 撮像部
113 制御部
140 剥離層
150 被剥離層
201a TFT
201b TFT
207a 配線
207b 配線
207c 配線
210 ICチップ
231 層間絶縁膜
232 アンテナ
233 保護層
234 アンテナ
235 アンテナ用基板
236 異方性導電体
237 導電体
238 接続端子
239 接続端子が設けられた領域
900 アンテナ
901 集積回路
903 容量
904 変調回路
905 整流回路
906 マイクロプロセッサ
907 メモリ
908 スイッチ
909 復調回路
920 集積回路
921 アンテナ
922 フレキシブル基板
923 カバー材
1001 カード状の記録媒体
1002 カード状の記録媒体
1003 カード状の記録媒体
1004 カード状の記録媒体
1005 カード状の記録媒体
1006 カード状の記録媒体
Claims (10)
- 絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
エッチングガスの雰囲気下において、力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
エッチングガスの雰囲気下において、力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対してエッチングガスを吹きつけて前記剥離層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
エッチング液中において、力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対してエッチング液を供給して前記剥離層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、前記剥離層は、Si、W、Ti、Ta、Mo、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Irから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1及至4のいずれか一において、前記被剥離層を形成した後に被剥離層の一部に開口部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1及至5のいずれか一において、前記開口部はエッチング処理またはレーザアブレーション処理で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記薄膜集積回路は、アンテナを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記薄膜集積回路は、中央処理ユニットを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記薄膜集積回路は、薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一において、前記力は、電気によって操作される装置によって加えられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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