JP2004179645A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004179645A5
JP2004179645A5 JP2003381372A JP2003381372A JP2004179645A5 JP 2004179645 A5 JP2004179645 A5 JP 2004179645A5 JP 2003381372 A JP2003381372 A JP 2003381372A JP 2003381372 A JP2003381372 A JP 2003381372A JP 2004179645 A5 JP2004179645 A5 JP 2004179645A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
conversion element
signal
imaging device
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003381372A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4938961B2 (ja
JP2004179645A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2003381372A priority Critical patent/JP4938961B2/ja
Priority claimed from JP2003381372A external-priority patent/JP4938961B2/ja
Publication of JP2004179645A publication Critical patent/JP2004179645A/ja
Publication of JP2004179645A5 publication Critical patent/JP2004179645A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4938961B2 publication Critical patent/JP4938961B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2003381372A 2002-11-13 2003-11-11 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム Expired - Fee Related JP4938961B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003381372A JP4938961B2 (ja) 2002-11-13 2003-11-11 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002329653 2002-11-13
JP2002329653 2002-11-13
JP2003381372A JP4938961B2 (ja) 2002-11-13 2003-11-11 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004179645A JP2004179645A (ja) 2004-06-24
JP2004179645A5 true JP2004179645A5 (https=) 2006-12-28
JP4938961B2 JP4938961B2 (ja) 2012-05-23

Family

ID=32716188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003381372A Expired - Fee Related JP4938961B2 (ja) 2002-11-13 2003-11-11 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4938961B2 (https=)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7208810B2 (en) * 2004-07-01 2007-04-24 Varian Medical Technologies, Inc. Integrated MIS photosensitive device using continuous films
JP5013754B2 (ja) * 2005-06-13 2012-08-29 キヤノン株式会社 電磁波検出装置、放射線検出装置、放射線検出システム及びレーザ加工方法
RU2351038C2 (ru) * 2005-08-31 2009-03-27 Кэнон Кабусики Кайся Устройство обнаружения излучения, устройство формирования изображения излучения и система формирования изображения излучения
JP5159065B2 (ja) 2005-08-31 2013-03-06 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム
US7566899B2 (en) * 2005-12-21 2009-07-28 Palo Alto Research Center Incorporated Organic thin-film transistor backplane with multi-layer contact structures and data lines
JP2007201246A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Canon Inc 光電変換装置及び放射線撮像装置
JP4498283B2 (ja) 2006-01-30 2010-07-07 キヤノン株式会社 撮像装置、放射線撮像装置及びこれらの製造方法
JP5286691B2 (ja) * 2007-05-14 2013-09-11 三菱電機株式会社 フォトセンサー
JP2009089078A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sony Corp 固体撮像装置及び撮像装置
JP5253799B2 (ja) * 2007-12-17 2013-07-31 三菱電機株式会社 フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法
JP5262212B2 (ja) * 2008-03-20 2013-08-14 三菱電機株式会社 フォトセンサーアレイ基板
JP5388488B2 (ja) * 2008-06-19 2014-01-15 富士フイルム株式会社 電磁波検出素子
WO2010058369A2 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh X-ray detector
JP2010147407A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Toshiba Corp 放射線検出器およびその欠陥補正方法
JP2011108890A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Fujifilm Corp 放射線検出素子
JP5923972B2 (ja) 2011-12-26 2016-05-25 三菱電機株式会社 光電変換装置の製造方法および当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法
JP6053379B2 (ja) * 2012-08-06 2016-12-27 キヤノン株式会社 検出装置の製造方法、検出装置及び検出システム
JP5726931B2 (ja) * 2013-02-18 2015-06-03 富士フイルム株式会社 電磁波検出素子
WO2018169009A1 (ja) * 2017-03-16 2018-09-20 シャープ株式会社 撮像装置およびｘ線撮像装置
CN113299593B (zh) * 2021-05-21 2023-01-10 錼创显示科技股份有限公司 接着层结构以及半导体结构
TWI808422B (zh) 2021-05-21 2023-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 接著層結構以及半導體結構

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120474A (ja) * 1991-08-16 1994-04-28 Fuji Xerox Co Ltd ２次元密着型イメージセンサ
JP3719786B2 (ja) * 1996-09-11 2005-11-24 株式会社東芝 光検出器の製造方法
JP4011734B2 (ja) * 1998-06-02 2007-11-21 キヤノン株式会社 ２次元光センサ、それを用いた放射線検出装置及び放射線診断システム
JP3469143B2 (ja) * 1999-11-02 2003-11-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた二次元画像検出器
JP2002009272A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Canon Inc 光電変換装置及びそのリペア方法
JP3708440B2 (ja) * 2001-01-30 2005-10-19 シャープ株式会社 イメージセンサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004179645A5 (https=)
JP2007329434A5 (https=)
JP2007201246A5 (https=)
JP2009044135A5 (https=)
CN107851649B (zh) 成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备
CN105789230B (zh) 固态图像拾取装置和图像拾取系统
US9299737B2 (en) Image pickup device, method of manufacturing the same, and image pickup display system
JP2007049123A5 (https=)
JP2008004920A5 (https=)
JP2007049124A5 (https=)
JP2009043826A5 (https=)
US20130264485A1 (en) Method of manufacturing radiation detection apparatus, radiation detection apparatus, and radiation imaging system
TW200900784A (en) Liquid crystal display and method for making the same
US9093341B2 (en) Imaging apparatus, manufacturing method thereof and imaging display system
CN102881701A (zh) 一种tft平板x射线传感器及其制造方法
US20110267573A1 (en) Display apparatus
CN103887316A (zh) 一种图像传感器
CN105118840B (zh) 非可见光平板检测器及其制备方法、影像设备
JP2008244445A5 (https=)
US7164112B2 (en) Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors
JP5557795B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP5436121B2 (ja) 撮像装置および放射線撮像システム
CN102222675B (zh) 检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统
US9647018B2 (en) Imaging device including an intermediate electrode between first and second pixel electrodes and in contact with a photoelectric conversion film
JP2011071862A5 (https=)