JP2004158837A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. レーザ発振器と、
   被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する第１光学系と、
   前記レーザ光の偏光の分岐比を制御する第２光学系と、
   偏光方向に依存する透過率を有する第３光学系と、
   前記加工されたレーザ光を前記被照射面に対して偏向させる偏向手段と、
   前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させる第４光学系と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
2. レーザ発振器と、
   被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する第１光学系と、
   前記レーザ光の偏光の分岐比を制御する第２光学系と、
   偏光方向に依存する反射率を有する第３光学系と、
   前記加工されたレーザ光を前記被照射面に対して偏向させる偏向手段と、
   前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させる第４光学系と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
3. レーザ発振器と、
   被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する第１光学系と、
   前記レーザ光の偏光の分岐比を制御する第２光学系と、
   偏光方向に依存する透過率及び反射率を有する第３光学系と、
   前記加工されたレーザ光を前記被照射面に対して偏向させる偏向手段と、
   前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させる第４光学系と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記第２光学系は、１／２λ波長板であることを特徴とするレーザ照射装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記偏向手段はポリゴンミラーまたはガルバノミラーであることを特徴とするレーザ照射装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第４光学系はｆθレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
7. 請求項６において、前記ｆθレンズはテレセントリックｆθレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記レーザ発振器は連続発振の固体レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記レーザ発振器は連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、Ｙ_２Ｏ_３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
10. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記レーザ発振器は連続発振のＡｒレーザまたはＫｒレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記レーザ光は前記レーザ発振器の基本波に対する高調波であることを特徴とするレーザ照射装置。
12. 基板上に非晶質半導体膜を形成し、
    レーザ発振器から出力されたレーザ光を、前記非晶質半導体膜を被照射面として、前記被照射面におけるビームスポットが線状又は楕円状になるように加工し、
    前記レーザ光の偏光の分岐比を制御し、
    偏光方向に依存する透過率を有する光学系に前記レーザ光を透過させ、
    前記透過したレーザ光を前記被照射面に対して偏向させ、
    前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させることにより、前記非晶質半導体膜をレーザアニールし、
    前記偏光の分岐比を、前記被照射面に与える照射エネルギーを均一化するように制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 基板上に非晶質半導体膜を形成し、
    レーザ発振器から出力されたレーザ光を、前記非晶質半導体膜を被照射面として、前記被照射面におけるビームスポットが線状又は楕円状になるように加工し、
    前記レーザ光の偏光の分岐比を制御し、
    偏光方向に依存する反射率を有する光学系にて前記レーザ光を反射させ、
    前記反射したレーザ光を前記被照射面に対して偏向させ、
    前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させることにより、前記非晶質半導体膜をレーザアニールし、
    前記偏光の分岐比を、前記被照射面に与える照射エネルギーを均一化するように制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１２又は請求項１３において、前記レーザ光は連続発振の固体レーザから出力されたレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１２乃至請求項１４のいずれか一において、前記レーザ光は連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、Ｙ_２Ｏ_３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種から出力されたレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１２又は請求項１３において、前記レーザ光は連続発振のＡｒレーザまたはＫｒレーザから出力されたレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１１乃至請求項１６のいずれか一において、前記レーザ光は前記レーザ発振器の基本波に対する高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。