JP2004158837A - レーザ照射装置及び前記レーザ照射装置を用いた半導体装置の作製方法 - Google Patents
レーザ照射装置及び前記レーザ照射装置を用いた半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明は、ガルバノミラー、fθレンズ光学系を用いたレーザ照射装置において、fθレンズの透過率変化に起因するエネルギー変化を相殺し、基板に与えられるエネルギー変動を抑制しながらレーザ光走査を行うことができるレーザ照射装置である。また本発明は、あらかじめレンズに入射するレーザ光のエネルギーを、レーザ光の偏光の分岐比を変化させる光学系とレーザ光の偏光方向に依存性のある光学系を組み合わせることによって制御し、レーザ光が入射するレンズ位置の透過率に応じて連続的に変化させる。レンズによる透過率変化を相殺するようにレーザ光のエネルギー制御を行うことによって、基板上に照射されるレーザ光のエネルギー変動の発生を防止する。
【選択図】 図1
Description
本実施例ではビームを成形する光学系とガルバノミラーの間に1/2λ波長板とビームスプリッターを配置する構成について説明する。
そこで、図9において矢印に示すように、チャネル形成領域のキャリアの移動する方向(チャネル長方向)と並行になるように、レーザ光の走査方向を定める。これによりレーザー光の走査方向に沿って結晶が成長し、結晶粒界がチャネル長方向と交差することを防ぐことができる。
Claims (15)
- レーザ発振器と、
被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する第1光学系と、
前記レーザ光の偏光の分岐比を制御する第2光学系と、
偏光方向に依存する透過率を有する第3光学系と、
前記加工されたレーザ光を前記被照射面に対して偏向させる偏向手段と、
前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させる第4光学系とを有することを特徴とするレーザ照射装置。 - レーザ発振器と、
被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する第1光学系と、
前記レーザ光の偏光の分岐比を制御する第2光学系と、
偏光方向に依存する反射率を有する第3光学系と、
前記加工されたレーザ光を前記被照射面に対して偏向させる偏向手段と、
前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させる第4光学系とを有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1又は請求項2において、前記レーザ光の偏光の分岐比を制御する手段は、1/2λ波長板であることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記偏向手段はポリゴンミラーまたはガルバノミラーであることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記結像光学手段はfθレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記レーザ発振器は連続発振の固体レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記レーザ発振器は連続発振のYAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、Y2O3レーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記レーザ発振器は連続発振のArレーザまたはKrレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記レーザ発振器は高調波を出力することを特徴とするレーザ照射装置。
- 基板上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
レーザ発振器から出力されたレーザ光を、前記非晶質半導体膜を被照射面として、前記被照射面におけるビームスポットが線状又は楕円状になるように加工し、
前記レーザ光の偏光の分岐比を制御し、偏光方向に依存する透過率を有する光学系に透過させ、前記透過したレーザ光を前記被照射面に対して偏向させ、
前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させることにより、前記非晶質半導体膜をレーザアニールする工程とを有し、
前記偏光の分岐比を、前記被照射面に与える照射エネルギーを均一化するように変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
レーザ発振器から出力されたレーザ光を、前記非晶質半導体膜を被照射面として、前記被照射面におけるビームスポットが線状又は楕円状になるように加工し、
前記レーザ光の偏光の分岐比を制御し、偏光方向に依存する反射率を有する光学系に反射させ、前記反射したレーザ光を前記被照射面に対して偏向させ、
前記ビームスポットを前記被照射面上の任意の座標に結像させることにより、前記非晶質半導体膜をレーザアニールする工程とを有し、
前記偏光の分岐比を、前記被照射面に与える照射エネルギーを均一化するように変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10又は請求項11において、前記レーザ光は連続発振の固体レーザから出力されたレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項12のいずれか一項において、前記レーザ光は連続発振のYAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、Y2O3レーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザから選ばれた一種から出力されたレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10又は請求項11において、前記レーザ光は連続発振のArレーザまたはKrレーザから出力されたレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項14のいずれか一項において、前記レーザ光は高調波を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Cited By (7)
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---|---|---|---|---|
JP2006080384A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sun Tec Kk | 波長走査型ファイバレーザ光源 |
JP2012099834A (ja) * | 2011-12-19 | 2012-05-24 | Fuji Electric Co Ltd | Mosゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2012109417A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Komatsu Ltd | スラブ型増幅装置、レーザ装置および極端紫外光源装置 |
WO2012164626A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体アレイ基板の製造方法、結晶性シリコン薄膜の形成方法、及び結晶性シリコン薄膜の形成装置 |
KR20170024644A (ko) * | 2015-08-25 | 2017-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
KR20200104865A (ko) * | 2018-01-18 | 2020-09-04 | 레이저 시스템즈 앤드 솔루션즈 오브 유럽 | 패턴화된 반도체 디바이스의 레이저 조사 방법 |
CN111952159A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-11-17 | 北京中科镭特电子有限公司 | 一种激光退火装置 |
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080384A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sun Tec Kk | 波長走査型ファイバレーザ光源 |
JP4527479B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-08-18 | サンテック株式会社 | 波長走査型ファイバレーザ光源 |
JP2012109417A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Komatsu Ltd | スラブ型増幅装置、レーザ装置および極端紫外光源装置 |
WO2012164626A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体アレイ基板の製造方法、結晶性シリコン薄膜の形成方法、及び結晶性シリコン薄膜の形成装置 |
US8735233B2 (en) | 2011-06-02 | 2014-05-27 | Panasonic Corporation | Manufacturing method for thin film semiconductor device, manufacturing method for thin film semiconductor array substrate, method of forming crystalline silicon thin film, and apparatus for forming crystalline silicon thin film |
JP2012099834A (ja) * | 2011-12-19 | 2012-05-24 | Fuji Electric Co Ltd | Mosゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR20170024644A (ko) * | 2015-08-25 | 2017-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
KR102427155B1 (ko) * | 2015-08-25 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
KR20200104865A (ko) * | 2018-01-18 | 2020-09-04 | 레이저 시스템즈 앤드 솔루션즈 오브 유럽 | 패턴화된 반도체 디바이스의 레이저 조사 방법 |
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