JP2004158823A - 接着層を有する発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光ダイオードを形成する方法は、第1のスタックを形成する段階と、第1のスタック上に第2の反応層を形成する段階と、第2のスタックを形成する段階と、第2のスタック上に第1の反応層を形成する段階と、透明接着層によって第1の反応層と第2の反応層を共に保持する段階を含む。透明接着層は、第1の反応層と第2の反応層との間に形成され、それにより、第1のスタックの第2の反応層は、第2のスタックの第1の反応層から外れない。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードに関り、より具体的には、発光ダイオードの構造を強化する接着層を有する発光ダイオードに係る。
【0002】
【従来の技術】
発光ダイオードは、光学ディスプレイ、レーザダイオード、信号機、データ記憶装置、通信装置、照明機器、及び、医療機器に広く使用されている。従って、発光ダイオードの性能を高めることは、LEDの分野において重要な課題である。
【0003】
関連技術は、発光スタックと透明基板に透明の絶縁接着層を接着することにより形成される発光ダイオードとその製造方法を教示する。付着力は、バン・デル・ワール(Van der Waals)力により達成される。しかし、このバン・デル・ワール力は、発光スタックと透明基板を定位置に保持するには弱すぎる。従って、発光スタックが、透明基板から容易に外れてしまう場合がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、上述した問題を解決する強い構造を有する発光ダイオードを開発することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、発光ダイオードを形成する方法は、第1のスタックを形成する段階と、第2のスタックを形成する段階と、第1のスタック上に第2の反応層を形成する段階と、第2のスタック上に第1の反応層を形成する段階と、透明接着層によって第1の反応層と第2の反応層を共に保持する段階を含む。
【0006】
更に、本発明によると、発光ダイオードは、第1のスタックと、第1のスタック上に形成される第2の反応層と、第2のスタックと、第2のスタック上に形成される第1の反応層と、第1の反応層と第2の反応層との間に形成される透明接着層と、第1のスタック上に形成される第1の電極及び第2の電極を含む。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の上述の目的及び他の目的は、図面に示す好適な実施例の詳細な説明を読んだ後、当業者により明らかとなろう。
【0008】
図1を参照する。図1は、本発明の発光ダイオード1を示す斜視図である。発光ダイオード1は、第2の基板10と、第2の基板10上に形成される第1の反応層11と、第1の反応層11上に形成される透明接着層12と、透明接着層12上に形成される第2の反応層22と、第2の反応層22上に形成される透明導電層21を含む。透明導電層21は、第1の表面領域及び第2の表面領域を有する。発光ダイオード1は更に、透明導電層21の第1の表面領域上に形成される第1のコンタクト層13と、第1のコンタクト層13上に形成される第1のクラッド層14と、第1のクラッド層14上に形成される発光層15と、発光層15上に形成される第2のクラッド層16と、第2のクラッド層16上に形成される第2のコンタクト層17と、第2のコンタクト層17上に形成される第1の電極19と、透明導電層21の第2の表面領域上に形成される第2の電極20を含む。
【0009】
図2を参照する。図2は、本発明による第1のスタック2及び第2の反応層22を示す斜視図である。第1のスタック2と第2の反応層22は、以下の順序で形成される。即ち、第1の基板18を形成し、第1の基板18上に第2のコンタクト層17を形成し、第2のコンタクト層17上に第2のクラッド層16を形成し、第2のクラッド層16上に発光層15を形成し、発光層15上に第1のクラッド層14を形成し、第1のクラッド層14上に第1のコンタクト層13を形成し、第1のコンタクト層13上に透明導電層21を形成し、透明導電層21上に第2の反応層22を形成する。
【0010】
図3乃至図5を参照する。図3は、本発明による第2のスタック3及び第1の反応層11を示す斜視図である。図4は、本発明の第3のスタック4を示す斜視図である。図5は、本発明の第4のスタック5を示す斜視図である。第2のスタック3と第1の反応層11は、第2の基板10を形成し、第2の基板10上に第1の反応層11を形成することにより形成される。第3のスタック4は、第1のスタック2の第2の反応層22と透明接着層12との間に水素結合又はイオン結合を生成し、且つ、第2のスタック3の第1の反応層11と透明接着層12との間に水素結合又はイオン結合を生成するよう化学反応を行うことにより形成される。化学反応は、温度が高くされて、又は、追加的に圧力を増加して行われる。第4のスタック5は、第1の基板18を取り除くことによって形成される。第4のスタック5が形成されると、第4のスタック5は、透明導電層21の第2の表面領域までエッチングされる。次に、第1の電極19が第2のコンタクト層17上に形成され、第2の電極20が透明導電層21の第2の表面領域上に形成され、発光ダイオード1が形成される。
【0011】
第1の基板18は、GaP、GaAs、Ge、及び類似する材料からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む。第2の基板10は、SiC、Al203、ガラス材、クォーツ、GaP、GaAsP、AlGaAs、及び類似する材料からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む。透明接着層12は、PI、BCB、PFCB、及び類似する材料からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む。第1の反応層11及び第2の反応層22は、それぞれ、SiNx、Ti、Cr、及び類似する材料からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む。第1のコンタクト層13及び第2のコンタクト層17は、それぞれ、GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、及び類似する材料からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む。第1のクラッド層14、発光層15、及び、第2のクラッド層16は、それぞれ、AlGaInP又は類似する材料を含む。透明導電層21は、酸化スズインジウム、酸化スズカドミウム(cadmium tin oxide)、酸化スズアンチモン(antimony tin oxide)、酸化亜鉛、酸化スズ亜鉛、BeAu、GeAu、Ni/Au、及び類似する材料からなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む。
【0012】
関連技術と比較すると、化学反応は、第2の反応層22と透明接着層12との間と、第1の反応層11と透明接着層12との間に水素結合又はイオン結合を生成するよう行われる。水素結合又はイオン結合は、第2の反応層22を第1の反応層11の上方にかたく保持することができる。従って、第2の反応層11は、第1の反応層11から外れることがない。発光ダイオード1は強い構造を有する。
【0013】
当業者は、本発明の教示内容を維持しながら発光ダイオードに多くの修正及び交替を容易に観察し得るであろう。従って、上述の開示は、特許請求の範囲にのみ制限されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光ダイオードを示す斜視図である。
【図2】本発明の第1のスタックを示す斜視図である。
【図3】本発明の第2のスタックを示す斜視図である。
【図4】本発明の第3のスタックを示す斜視図である。
【図5】本発明の第4のスタックを示す斜視図である。
【符号の説明】
1 発光ダイオード
2 第1のスタック
3 第2のスタック
4 第3のスタック
5 第4のスタック
10 第1の基板
11 第1の反応層
12 透明接着層
13 第1のコンタクト層
14 第1のクラッド層
15 発光層
16 第2のクラッド層
17 第2のコンタクト層
18 第1の基板
19 第1の電極
20 第2の電極
21 透明導電層
22 第2の反応層
Claims (22)
- 発光ダイオードを形成する方法であって、
第1のスタックを形成する段階と、
上記第1のスタック上に第2の反応層を形成する段階と、
第2のスタックを形成する段階と、
上記第2のスタック上に第1の反応層を形成する段階と、
透明接着層によって上記第1の反応層と上記第2の反応層を共に保持する段階と、を含む方法。 - 上記第1のスタックを形成する段階は更に、
第1の基板を設ける段階と、
上記第1の基板上に第2のコンタクト層を形成する段階と、
上記第2のコンタクト層上に第2のクラッド層を形成する段階と、
上記第2のクラッド層上に発光層を形成する段階と、
上記発光層上に第1のクラッド層を形成する段階と、
上記第1のクラッド層上に第1のコンタクト層を形成する段階と、
上記第1のコンタクト層上に透明導電層を形成する段階と、を含む請求項1記載の方法。 - 上記第1の基板を取り除く段階と、
上記第2のコンタクト層、上記第2のクラッド層、上記発光層、上記第1のクラッド層、及び、上記第1のコンタクト層をエッチングする段階と、
上記第2のコンタクト層上に第1の電極を形成し、且つ、上記透明導電層上に第2の電極を形成する段階と、を更に含む請求項2記載の方法。 - 上記第1の基板は、GaP、GaAs、及び、Geからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項2記載の方法。
- 上記第1のコンタクト層及び上記第2のコンタクト層は、それぞれ、GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、及び、AlGaAsからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項2記載の方法。
- 上記第1のクラッド層、上記発光層、及び、上記第2のクラッド層は、それぞれ、AlGaInPを含む請求項2記載の方法。
- 上記透明導電層は、酸化スズインジウム、酸化スズカドミウム、酸化スズアンチモン、酸化亜鉛、酸化スズ亜鉛、BeAu、GeAu、及びNi/Auからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項2記載の方法。
- 上記第1の反応層及び上記第2の反応層は、それぞれ、SiNx、Ti、及び、Crからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項1記載の方法。
- 上記透明接着層は、PI、BCB、及び、PFCBからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項1記載の方法。
- 上記第2のスタックを形成する段階は、第2の基板を形成する段階を含む請求項1記載の方法。
- 上記第2の基板は、SiC、Al203、ガラス材、クォーツ、GaP、GaAsP、及び、AlGaAsからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項10記載の方法。
- 上記第1の反応層及び上記第2の反応層は、化学結合によって、上記透明接着層により共に保持される請求項1記載の方法。
- 上記化学結合は、水素結合、又は、イオン結合である請求項12記載の方法。
- 第1のスタックと、
上記第1のスタック上に形成される第2の反応層と、
第2のスタックと、
上記第2のスタック上に形成される第1の反応層と、
上記第1の反応層と上記第2の反応層との間に形成される透明接着層と、
上記第1のスタック上に形成される第1の電極及び第2の電極と、を含む発光ダイオード。 - 上記第1のスタックは、
上記第2の反応層上に形成され、第1の表面領域及び第2の表面領域を有する透明導電層と、
上記透明導電層の上記第1の表面領域上に形成される第1のコンタクト層と、
上記第1のコンタクト層上に形成される第1のクラッド層と、
上記第1のクラッド層上に形成される発光層と、
上記発光層上に形成される第2のクラッド層と、
上記第2のクラッド層上に形成される第2のコンタクト層と、を含み、
上記第1の電極は、上記第2のコンタクト層上に形成され、上記第2の電極は、上記透明導電層の上記第2の表面領域上に形成される請求項14記載の発光ダイオード。 - 上記第1のコンタクト層及び上記第2のコンタクト層は、それぞれ、GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、及び、AlGaAsからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項15記載の発光ダイオード。
- 上記第1のクラッド層、上記発光層、及び、上記第2のクラッドソは、それぞれ、AlGaInPを含む請求項15記載の発光ダイオード。
- 上記透明導電層は、酸化スズインジウム、酸化スズカドミウム、酸化スズアンチモン、酸化亜鉛、酸化スズ亜鉛、BeAu、GeAu、及びNi/Auからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項15記載の発光ダイオード。
- 上記第1の反応層及び上記第2の反応層は、それぞれ、SiNx、Ti、及び、Crからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項14記載の発光ダイオード。
- 上記透明接着層は、PI、BCB、及び、PFCBからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項14記載の発光ダイオード。
- 上記第2のスタックは、第2の基板を含み、
上記第1の反応層は、上記第2の基板上に形成される請求項14記載の発光ダイオード。 - 上記第2の基板は、SiC、Al203、ガラス材、クォーツ、GaP、GaAsP、及び、AlGaAsからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含む請求項21記載の発光ダイオード。
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