JP2004125710A - 電界検出光学装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電気光学素子の厚みに関わらずに高い感度を得られる電界検出光学装置を提供する。
【解決手段】電界検出光学装置11にあっては、第1電極37aと第2電極37bはともに、電気光学素子27の一方の面に設けられ、入射したレーザ光は、第1電極37aと第2電極37bの設けられた電極面寄りの箇所を、実際には電極の間隙の下部を進行する。
【選択図】   図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばウェアラブルコンピュータ(身体につけるコンピュータ)間のデータ通信のために使用されるトランシーバにおいて送信情報に基づいて生体である電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯端末の小型化および高性能化によりウェアラブルコンピュータが注目されてきているが、図6はこのようなウェアラブルコンピュータを人間に装着して使用する場合の例を示している。同図に示すように、ウェアラブルコンピュータ1はそれぞれトランシーバ3を介して人間の腕、肩、胴体などに装着されて互いにデータの送受信を行うとともに、更に、壁や床などに設けられて手足の先端で触れられるトランシーバ3a,3bやケーブルを介して外部に設けられたパソコン(PC)5と通信を行うようになっている。
【0003】
このようにウェアラブルコンピュータ1はトランシーバ3を介して生体である人間に装着してデータ通信を行うが、このトランシーバ3ではウェアラブルコンピュータ1からの送信データを電界として電界伝達媒体である生体に誘起し、電界として生体の他の部位に伝達し、また生体に誘起され伝達されてくる電界を受信データとしてトランシーバ3で受信してウェアラブルコンピュータ1に送るようになっている。
【0004】
トランシーバ3は、図7に示すように構成され、ウェアラブルコンピュータ1からの送信データを入出力(I/O)回路101を介して受け取ると、この送信データを送信部103を介して送信電極105に供給し、該送信電極105から電界伝達媒体である生体100に電界を誘起させ、この電界を生体100を介して生体100の他の部位に伝達させる。
【0005】
また、トランシーバ3は、生体100の他の部位に装着された別のトランシーバから生体100に誘起させられて伝達されてくる電界を受信電極111で受信し、この受信した電界を電界検出光学部110に結合して電気信号に変換する。この電気信号は、信号処理回路115で増幅、雑音除去、波形整形などの信号処理を施されてから、入出力回路101を介してウェアラブルコンピュータ1に供給されるようになっている。
【0006】
上記トランシーバ3の電界検出光学部110は、生体100に誘起されて伝達され、受信電極111を介して結合される電界を検出し、電気信号に変換して信号処理回路115に出力するように機能するものであるが、検出感度をアップさせるために様々な工夫がされている。
【0007】
電界検出光学部110は、レーザ光と電気光学結晶を用いた電気光学的手法により電界を検出するものであり、レーザ光源を構成するレーザダイオードおよび電気光学結晶からなる電気光学素子を有する。なお、電気光学素子は、レーザダイオードからのレーザ光の光路に対して直角方向に結合される電界にのみ感度を有し、この電界強度によって光学特性、すなわち複屈折率が変化し、この複屈折率の変化によりレーザ光の偏光が変化するようになっている。
【0008】
図8は、従来の電界検出光学装置15の要部断面図である。
【0009】
電界検出光学装置15では、レーザダイオードから出力されるレーザ光は、コリメートレンズで平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板で偏光状態を調整され、電気光学素子27に入射する。
【0010】
受信電極111をなす信号電極35に接続された第1電極37eと、グランド電極39に接続された第2電極37fにより、図のy方向の電界が結合されるので、電気光学素子27のレーザ光の偏光が変化する。
【0011】
このように偏光変化を受けて電気光学素子27から出射されたレーザ光は、第2波長板で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタでレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズで集光される。そしてフォトダイオードでこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0012】
なお、類似の技術が下記文献に記載されている。
【0013】
【特許文献1】
特開2001−352298号公報
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
このとき、電界検出光学装置では電界強度は、電極間の電圧を電極間の距離すなわち電気光学素子の厚みで除した値になるので、かかる距離を短くすれば、高い感度を得ることができる。
【0015】
しかしながら、現状の電気光学素子の厚みは100μm〜200μmであり、検出感度もこの厚み相当のものに留まっている。
【0016】
そこで本発明は、上記の従来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電気光学素子の厚みに関わらずに高い感度を得られる電界検出光学装置を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記従来の課題を解決するために、請求項1の本発明は、電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、該電気光学素子に光を入射させる手段と、当該電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段と、前記電界を当該電気光学素子に結合させる一対の電極とを有し、前記一対の電極が前記電気光学素子の一方の側に設けられたことを特徴とする電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0018】
請求項1の電界検出光学装置によれば、電極が電気光学素子の一方の側に設けられているので、電気光学素子の厚さに関わらずに電極の間隙を狭くすることができ、これにより検出感度を高めることができる。
【0019】
請求項2の本発明は、前記電気光学素子内での光が前記一方の側寄りを進行するように構成されたことを特徴とする請求項1記載の電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0020】
請求項2の電界検出光学装置によれば、電気光学素子内での光が電界強度の高いその一方の側寄りを進行するように構成されているので、これにより検出感度を高めることができる。
【0021】
請求項3の本発明は、前記電気光学素子内での光が前記一対の電極により形成された間隙の下部を進行するように構成されたことを特徴とする請求項1または2記載の電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0022】
請求項3の電界検出光学装置によれば、電気光学素子内での光が一対の電極により形成された間隙の下部を進行するように構成されているので、主に電極が設けられた面に平行な電界を検出することができる。
【0023】
請求項4の本発明は、前記間隙が平行に2本形成され、一方の間隙の下部において進行した光を他方の間隙の下部において進行するように折り返す手段を有することを特徴とする請求項3記載の電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0024】
請求項4の電界検出光学装置によれば、一方の間隙の下部において進行した光を他方の間隙の下部において進行するように折り返す手段を有するので、電気光学素子における光路が長くなり、これにより感度を高めることができる。
【0025】
請求項5の本発明は、前記一対の電極の一方が線状の部分を含み、前記電気光学素子内での光が当該線状の部分の下部を進行するように構成されたことを特徴とする請求項1または2記載の電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0026】
請求項5の電界検出光学装置によれば、一対の電極の一方が線状の部分を含み、電気光学素子内での光が当該線状の部分の下部を進行するように構成されているので、主に電極が設けられた面に垂直な電界を検出することができる。
【0027】
請求項6の本発明は、前記線状の部分が平行に2本形成され、一方の部分の下部において進行した光を他方の部分の下部において進行するように折り返す手段を有することを特徴とする請求項5記載の電界検出光学装置をもって解決手段とする。
【0028】
請求項6の電界検出光学装置によれば、一方の部分の下部において進行した光を他方の部分の下部において進行するように折り返す手段を有するので、電気光学素子における光路が長くなり、これにより感度を高めることができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。同図に示す電界検出光学装置11は、図6に示すようにウェアラブルコンピュータ1を電界伝達媒体である生体100に装着して、他のウェアラブルコンピュータやデータ通信装置とデータ通信を可能とするために使用されるトランシーバ3における電界検出光学部110として使用されるものである。
【0030】
具体的には、図7に示すトランシーバ3は、ウェアラブルコンピュータ1から入力される送信データに基づく電界を生体100に誘起し、この誘起した電界を用いてデータの送受信を行うものであり、ウェアラブルコンピュータ1からの送信データを入出力(I/O)回路101を介して受け取ると、この送信データを送信部103を介して送信電極105に供給し、該送信電極105を介して生体100に電界を誘起させ、この電界を生体100を介して生体100の他の部位に伝達させるものである。
【0031】
また、図7に示すトランシーバ3は、生体100の他の部位に装着された別のトランシーバから生体100に誘起させられて伝達されてくる電界を受信電極111で検出し、この電界を電界検出光学部110に結合して電気信号に変換する。この電気信号は、信号処理回路115で増幅、雑音除去、波形整形などの信号処理を施され、入出力回路101を介してウェアラブルコンピュータ1に出力されるようになっている。
【0032】
なお、図示してないが、送信電極105及び受信電極111における生体への接触面には絶縁膜が設けられて、生体における金属アレルギー等の発生を防止している。
【0033】
上述したトランシーバ3においては、図1に示す本発明の第1の実施形態の電界検出光学装置11から構成される電界検出光学部110は、生体100に誘起されて伝達され、受信電極111を介して結合される電界を検出し、電気信号に変換して信号処理回路115に出力するように機能するものである。
【0034】
この電界検出光学部110を有するトランシーバ3を用いて、生体100にウェアラブルコンピュータ1を取り付けた場合には、トランシーバ3はウェアラブルコンピュータ1からの送信情報に基づいて生体に電界を誘起し、相手のトランシーバ3に伝達し、これにより各ウェアラブルコンピュータ1はトランシーバ3を介してデータ通信を行なうようになっている。また、手先や足先に接触されるトランシーバ3a,3bは、他のトランシーバ3を介してウェアラブルコンピュータ1から伝達されてくる電界を検出すると、この電界を電気信号に変換し、ケーブルを介してパソコン(PC)5に送信し、またパソコン5からケーブルを介して受信した送信情報を電界として生体に誘起して他のトランシーバ3に伝達するようになっている。
【0035】
次に、図1乃至図3を参照して、トランシーバ3に使用される電界検出光学部110を構成する第1の実施形態の電界検出光学装置11について詳細に説明する。
【0036】
[第1の実施形態]
図1は、電界検出光学装置11の構成図、図2は、電界検出光学装置11の要部斜視図、図3は、電界検出光学装置11の要部断面図である。
【0037】
電界検出光学装置11は、レーザダイオード21と、レーザダイオード21からのレーザ光の光路上に順次に並べられたコリメートレンズ23、第1波長板25を備える。
【0038】
なお、本実施形態では、レーザダイオード21から出力されるレーザ光を用いているが、本発明はレーザ光に限られるものでなく、単一波長光を発生するものであればよく、例えば発光ダイオード(LED)でもよいものであり、このことは後述する他の実施形態のすべてに適用し得ることである。
【0039】
電界検出光学装置11は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学素子27と、受信電極111をなす信号電極35と、グランド電極39と、電気光学素子27の一方の面に設けられ、信号電極35に接続された第1電極37aと、当該一方の面に設けられ、グランド電極39に接続された第2電極37bとを備える。なお、第1電極37a及び第2電極37bを設けられた面を「電極面」という。
【0040】
第1電極37aは、電気光学素子27の厚み方向にみて2本の歯を有する櫛型に形成されている。この歯のような線状の部分を以下、適宜「歯」と略す。また、第2電極37bは、当該厚み方向にみて3本の歯を有する櫛型に形成され、第1電極37aの2本の歯と第2電極37bの3本の歯とを噛み合わせるようにして、電気光学素子27の長手方向に延びる平行な4本の間隙(間隙は10μm程度のもの)が形成されている。
【0041】
また、電界検出光学装置11は、電気光学素子27の一方の長辺寄りに隣合う2本の間隙の延長線を覆うように一方の短辺に相当する箇所に設けられたプリズム34aと、中央で隣合う2本の間隙の延長線を覆うように他方の短辺に相当する箇所に設けられたプリズム34bと、他方の長辺寄りに隣合う2本の間隙の延長線を覆うように前記一方の短辺に相当する箇所に設けられたプリズム34cとを有する。
【0042】
電気光学素子27は、レーザダイオード21からのレーザ光の光路に対して直角方向に結合される電界にのみ感度を有し、この電界強度によって光学特性、すなわち複屈折率が変化し、この複屈折率の変化によりレーザ光の偏光が変化するようになっている。このことは全実施形態の電気光学素子に共通である。
【0043】
また、電界検出光学装置11にあっては、電気光学素子27からのレーザ光の光路上に順次に第2波長板29、偏光ビームスプリッタ30、集光レンズ31及びフォトダイオード33が設けられている。
【0044】
次に、第1の実施形態の電界検出光学装置11の動作を説明する。
【0045】
レーザダイオード21から出力されたレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子27に入射し、入射したレーザ光は、図3に示すように、電極面寄りの箇所を、実際には最も外側の間隙の下部を進行する。かかるレーザ光は、電気光学素子27から出射され、プリズム34aで折り返され、折り返されたレーザ光は、電気光学素子27に入射する。入射したレーザ光は、同様に、隣の間隙の下部を進行する。かかるレーザ光は、電気光学素子27から出射され、プリズム34bで折り返され、折り返されたレーザ光は、電気光学素子27に入射する。入射したレーザ光は、同様に、隣の間隙の下部を進行する。かかるレーザ光は、電気光学素子27から出射され、プリズム34cで折り返され、折り返されたレーザ光は、電気光学素子27に入射する。
【0046】
入射したレーザ光は、同様に、隣のすなわち最も外側の間隙の下部を進行して電気光学素子27から出射され、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0047】
図3に示すように、電極面に平行な電界強度(x方向の電界強度)は、電極面寄りで強くなるので、電界検出光学装置11では高い感度が得られる。なお、電界強度が強くなるので間隙は狭くする程に好適である。
【0048】
以上説明したように、第1の実施形態の電界検出光学装置11によれば、電極が電気光学素子の一方の側に設けられているので、電気光学素子の厚さに関わらずに電極の間隙を狭くすることができ、これにより検出感度を高めることができる。また、電気光学素子内でのレーザ光が電界強度の高い電極面寄りを進行するように構成されているので、これにより検出感度を高めることができる。また、電気光学素子内でのレーザ光が間隙の下部を進行するように構成されているので、主に電極面に平行な電界を検出することができる。また、一方の間隙の下部において進行した光を他方の間隙の下部において進行するように折り返す手段であるプリズムを有するので、電気光学素子における光路が長くなり、これにより感度を高めることができる。
【0049】
[第2の実施形態]
次に、図4及び図5を参照して、トランシーバ3に使用される電界検出光学部110を構成する第2の実施形態の電界検出光学装置12について詳細に説明する。
【0050】
図4は、電界検出光学装置12の構成図、図5は、電界検出光学装置12の要部断面図である。
【0051】
電界検出光学装置12は、レーザダイオード21と、レーザダイオード21からのレーザ光の光路上に順次に並べられたコリメートレンズ23、第1波長板25を備える。
【0052】
電界検出光学装置12は、厚み方向にみて長方形の板状に形成された電気光学素子27と、受信電極111をなす信号電極35と、グランド電極39と、電気光学素子27における当該長方形形状の一方の面に設けられ、信号電極35に接続された第1電極37cと、当該一方の面に設けられ、グランド電極39に接続された第2電極37dとを備える。なお、第1電極37c及び第2電極37dを設けられた面を「電極面」という。
【0053】
第1電極37cは、電気光学素子27の厚み方向にみて2本の歯を有する櫛型に形成され、第2電極37dは、当該厚み方向にみて3本の歯を有する櫛型に形成され、第1電極37cの2本の歯と第2電極37dの3本の歯とを噛み合わせるようにしている。
【0054】
また、電界検出光学装置12は、第1電極37cに形成された両方の歯の延長線を覆うように一方の短辺に相当する箇所に設けられたプリズム34を有する。
【0055】
また、電界検出光学装置12にあっては、電気光学素子27からのレーザ光の光路上に順次に第2波長板29、偏光ビームスプリッタ30、集光レンズ31及びフォトダイオード33が設けられている。
【0056】
次に、第2の実施形態の電界検出光学装置12の動作を説明する。
【0057】
レーザダイオード21から出力されたレーザ光は、コリメートレンズ23で平行光にされ、平行光となったレーザ光は第1波長板25で偏光状態を調整されて電気光学素子27に入射し、入射したレーザ光は、図5に示すように、電極面寄りの箇所を、実際には、第1電極37cの一方の歯の下部を進行する。かかるレーザ光は、電気光学素子27から出射され、プリズム34で折り返され、折り返されたレーザ光は、電気光学素子27に入射する。入射したレーザ光は、同様に、他方の歯の下部を進行する。そして電気光学素子27から出射され、第2波長板29で偏光状態を調整され、偏光ビームスプリッタ30でレーザ光の偏光変化がレーザ光の強度変化に変換され、集光レンズ31で集光される。そしてフォトダイオード33でこのレーザ光を基に電気信号が生成される。
【0058】
図5に示すように、電極面に垂直な方向の電界強度(y方向の電界強度)は、電極面寄りで強くなるので、電界検出光学装置12では高い感度が得られる。なお、電界強度が強くなるので電極の歯にあたる部分の幅は狭い程に好適である。また、電界強度が強くなるので電極の間隙は狭い程に好適である。
【0059】
以上説明したように、第2の実施形態の電界検出光学装置12によれば、電極が電気光学素子の一方の側に設けられているので、電気光学素子の厚さに関わらずに電極の間隙を狭くすることができ、これにより検出感度を高めることができる。また、電気光学素子内でのレーザ光が電界強度の高い電極面寄りを進行するように構成されているので、これにより検出感度を高めることができる。また、電気光学素子内でのレーザ光が電極の歯の下部を進行するように構成されているので、主に電極面に垂直な電界を検出することができる。また、一方の歯(線状の部分)の下部において進行した光を他方の歯(線状の部分)の下部において進行するように折り返す手段であるプリズムを有するので、電気光学素子における光路が長くなり、これにより感度を高めることができる。
【0060】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、電気光学素子に光を入射させる手段と、電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段と、電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を電気光学素子に結合させる一対の電極とを有し、一対の電極が電気光学素子の一方の側に設けられているので、電気光学素子の厚さに関わらずに電極の間隙を狭くすることができ、これにより検出感度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る電界検出光学装置の要部斜視図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る電界検出光学装置の要部断面図である。
【図4】本発明の第2の実施形態に係る電界検出光学装置の構成を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施形態に係る電界検出光学装置の要部断面図である。
【図6】本発明の電界検出光学装置を含むトランシーバの利用形態を示す図である。
【図7】本発明の電界検出光学装置を含むトランシーバの構成を示す図である。
【図8】従来の電界検出光学装置の要部断面図である。
【符号の説明】
1 ウェアラブルコンピュータ
3 トランシーバ
11,12 電界検出光学装置
21 レーザダイオード
23 コリメートレンズ
25 第1波長板
29 第2波長板
30 偏光ビームスプリッタ
31 集光レンズ
33 フォトダイオード
34,34a,34b,34c プリズム
35 信号電極
37a,37c 第1電極
37b,37d 第2電極
39 グランド電極
27 電気光学素子

Claims (6)

  1. 電界伝達媒体に誘起されて伝達されてくる電界を検出して電気信号に変換する電界検出光学装置であって、
    結合される電界で光学特性の変化する電気光学素子と、該電気光学素子に光を入射させる手段と、当該電気光学素子から出射された光により電気信号を生成する手段と、前記電界を当該電気光学素子に結合させる一対の電極とを有し、
    前記一対の電極が前記電気光学素子の一方の側に設けられたことを特徴とする電界検出光学装置。
  2. 前記電気光学素子内での光が前記一方の側寄りを進行するように構成されたことを特徴とする請求項1記載の電界検出光学装置。
  3. 前記電気光学素子内での光が前記一対の電極により形成された間隙の下部を進行するように構成されたことを特徴とする請求項1または2記載の電界検出光学装置。
  4. 前記間隙が平行に2本形成され、一方の間隙の下部において進行した光を他方の間隙の下部において進行するように折り返す手段を有することを特徴とする請求項3記載の電界検出光学装置。
  5. 前記一対の電極の一方が線状の部分を含み、前記電気光学素子内での光が当該線状の部分の下部を進行するように構成されたことを特徴とする請求項1または2記載の電界検出光学装置。
  6. 前記線状の部分が平行に2本形成され、一方の部分の下部において進行した光を他方の部分の下部において進行するように折り返す手段を有することを特徴とする請求項5記載の電界検出光学装置。
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JP2010161549A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電界トランシーバ
JP2010177768A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電極構造
JP2011019210A (ja) * 2009-06-12 2011-01-27 Q Factor Inc ピックアップ及び通信装置

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