JP2004111786A - 熱処理装置及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】局所的な基板自重の集中および熱処理により発生する基板の傷を防止することができる熱処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板支持体30の支持部60には、基板支持体30に対して傾斜自在の可動体62が設けられている。この可動体62は、基板56を載せる前は所定方向に傾けられており、基板56を載せると、基板62の荷重により支点70を中心として起き上がり、可動体62の載置面64上の複数の半球状凸部64aで基板62を支持する。この状態で加熱すると、基板56が膨張、変形するが、この基板56の膨張、変形を可動体62が吸収し、基板56の傷発生を防止することができる。
【選択図】 図4
【解決手段】基板支持体30の支持部60には、基板支持体30に対して傾斜自在の可動体62が設けられている。この可動体62は、基板56を載せる前は所定方向に傾けられており、基板56を載せると、基板62の荷重により支点70を中心として起き上がり、可動体62の載置面64上の複数の半球状凸部64aで基板62を支持する。この状態で加熱すると、基板56が膨張、変形するが、この基板56の膨張、変形を可動体62が吸収し、基板56の傷発生を防止することができる。
【選択図】 図4
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板やガラス基板等の基板を熱処理するための熱処理装置、及び基板を熱処理する工程を有する半導体デバイスの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば縦型熱処理炉を用いて、複数の基板を熱処理する場合、基板は基板支持体(ボート)に支持され、この基板支持体と共に反応炉に搬入され、反応炉内で熱処理される。
【0003】
上述した従来の基板支持体は、例えば3本又は4本の支柱と、この支柱の内側に形成された支持部とを有する。基板は、支柱の間に挿入され、支持部に支持され、基板支持体と共に処理炉内において加熱される。基板は面で支持するのが一般的である。また、その材質は高温熱処理では、軟化点の高いSiC等が用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
基板は、加熱処理すると、基板の面内及び表裏の温度差により膨張、変形する。このため、上記従来技術のように、基板を直接支持部に支持する構成であると、基板が支持部上で部分的に移動し、支持部との接触部分で基板に傷(欠陥)を形成してしまう。この傷は、以降の熱処理により転位し、スリップ発生に至るおそれがある。また支持部をSiCで構成した場合、現在のSiC成形加工技術では完全な面支持となる平坦性を得ることは非常に困難であり、基板との接触面内において局所的に突出した部分が何点か存在してしまい、最も突出した部分にウェーハ自重が集中し、結果としてウェーハにスリップ転位が発生するという問題点があった。
【0005】本発明は、上述した従来の問題点を解消し、熱処理により発生する基板の傷を防止することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第1の特徴とするところは、基板を基板支持体にて支持した状態で前記基板を熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体に可動体を設け、この可動体は、前記基板を載置する載置部と、前記基板支持体に対して該可動体を傾斜自在に支持する支点とを有し、前記載置部は凸部を有することを特徴とする熱処理装置にある。なお凸部は複数設けられることが好ましい。基板を熱処理する場合は、基板は一つまたは複数の凸部を有する可動体上に載置されるので、一つまたは複数の凸部に平等に基板の自重がかかり、局所的な基板の自重の集中を低減できるとともに、基板の膨張、変形に対して可動体が傾斜してその膨張、変形を吸収し、基板の傷発生を防止することができる。
【0007】
可動体は、複数設けることが好ましく、さらに好ましくは3つ以上である。この可動体は、基板を載せないときは、基板支持体上で倒れた状態にすることができる。可動体の倒れる方向はいずれであってもよいが、基板の載置位置の移動を阻止するために所定方向に倒れるように、可動体の重心位置を支点からずらすことが好ましい。また、この可動体の位置を安定させるため、基板支持体に第1の溝を形成し、この第1の溝に可動体の支点を噛み合わせることが好ましい。もっともその逆に、可動体の支点を溝状とし、基板支持体に突起を形成し、両者を噛み合わせることもできる。さらに、可動体の傾斜位置を安定させるため、基板支持体に第2の溝を形成し、この第2の溝に可動体の側面部分を噛み合わせることが好ましい。基板を可動体に載置する際、基板と可動体の載置部に設けられる複数の凸部とが接触するが、この凸部の基板と接触する部分に丸みを持たせ、この部分の接触による基板の傷発生を抑制することが好ましい。なお凸部は半球状であることが好ましい。
【0008】
本発明の第2の特徴とするところは、基板支持体に対して傾斜自在に支持されるとともに基板載置部に凸部を有する可動体に基板を載置する第1のステップと、この第1のステップにより可動体に載置された前記基板を熱処理する第2のステップとを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法にある。なお凸部は複数設けられることが好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る熱処理装置10が示されている。この熱処理装置10は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体12を有する。この筺体12には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16は、例えば25枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
【0010】
筺体12内において、ポッドステージ14に対向する位置には、ポッド搬送装置18が配置されている。また、このポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22及び基板枚数検知器24が配置されている。ポッド搬送装置18は、ポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ22は、ポッド16の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド16内の基板枚数が基板枚数検知器24により検知される。
【0011】
さらに、筺体12内には、基板移載機26、ノッチアライナ28及び基板支持体30(ボート)が配置されている。基板移載機26は、例えば5枚の基板を取り出すことができるアーム32を有し、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かせたポッド、ノッチアライナ28及び基板支持体30間で基板を搬送する。ノッチアライナ28は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板を揃えるものである。
【0012】
図2に反応炉34が示されている。この反応炉34は、反応管36を有し、この反応管36内に基板支持体30が挿入される。反応管36の下方は、基板支持体30を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ38により密閉されるようにしてある。また、反応管36の周囲は、均熱管40により覆われ、さらに均熱管40の周囲にヒータ42が配置されている。熱電対44は、反応管36と均熱管40との間に配置され、反応炉34内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管36には、処理ガスを導入する導入管46と、処理ガスを排気する排気管48とが接続されている。
【0013】
次に上述したように構成された熱処理装置10の作用について説明する。まず、ポッドステージ14に複数枚の基板を収納したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板の枚数を検知する。
【0014】
次に、基板移載機26により、ポッドオープナ22の位置にあるポッド16から基板を取り出し、ノッチアライナ28に移載する。このノッチアライナ28においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数の基板を同じ位置に整列させる。次に、基板移載機26により、ノッチアライナ28から基板を取り出し、基板支持体30に移載する。
【0015】
このようにして、1バッチ分の基板を基板支持体30に移載すると、例えば700°C程度の温度に設定された反応炉34内に複数枚の基板を装填した基板支持体30を装入し、シールキャップ38により反応管36内を密閉する。次に、導入管46から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。この際、基板は例えば1000°C程度以上の温度に加熱される。なお、この間、熱電対44により反応管36内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、降温プログラムに従って基板の熱処理を実施する。
【0016】
基板の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を700°C程度の温度に降温した後、基板支持体30を反応炉34からアンロードし、基板支持体30に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体30を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持体30の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機26により、基板支持体30から基板を取り出し、ポッドオープナ22にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置18により、基板が収容されたポッド16をポッド棚20に搬送し、さらにポッドステージ14に搬送して完了する。
【0017】
図3に前述した基板支持体30の全体が示されている。基板支持体30は、シリコン、炭化珪素又は石英等の耐熱材料からなり、上部板50及び下部板52を有し、この上部板50と下部板52との間を例えば3本の支柱54により接続されている。各支柱54の内側には、シリコン又は石英等からなる基板56を挿入支持するための多数の挿入溝58が平行に形成されている。 なお、支柱54は、3本以上あっても構わない。
【0018】
図4に基板支持体30の基板支持部分の詳細が示されている。基板支持体30は、前述した挿入溝58の下部を構成する支持部60を有する。この支持部60には、それぞれ支柱54毎に可動体62が設けられている。可動体62は、基板支持体30とは別体で、シリコン、炭化珪素又は石英等の耐熱材料からなり、例えばこま状に形成され、例えば円板状の載置部(載置面)64を有する本体部66と、この本体部66の略中心位置下部に形成されたピン部68とから構成されている。載置面64上には、半球状の凸部64aが複数(図4では3つ)設けられ、この凸部64a上に基板56が載置される。凸部64aの表面は研磨加工が施される。また、ピン部68の下端は支点70となっており、この支点70が支持部60の上面に形成された例えば円形の第1の溝72に噛み合い、可動体62の支持部60に対する位置を安定させるようにしてある。このため、可動体62は、支点70を中心として、支持部60に対して360°の方向で傾斜自在に支持されている。
【0019】
また、可動体62は、この可動体62の重心が支点70から、例えば支柱側にずらされており、基板56が載せられる前(図4(a)に示す状態)には、可動体62が支柱側に倒れるようになっている。重心の位置は、本体部66の体積をずらすか、あるいは重量をずらすことにより設定することができる。
【0020】
また、支持部60の上面には、例えば円弧上の第2の溝74が第1の溝72の近傍で第1の溝72よりも支柱側に形成されており、この第2の溝74に、傾斜した状態における本体部66の周縁部分が噛み合い、可動体62の傾斜位置を安定させるようにしてある。
【0021】
さらに、本体部66の載置面64の周縁、特に支柱と反対側の周縁は、半径方向の断面が丸くなるように、ラウンド研磨加工が施されている。このようにラウンド研磨加工するのは、図4(b)に示すように、基板56が可動体62に載置される際、凸部64aの大きさにより、基板56が本体部66の周縁に接触する可能性があり、それにより基板56に傷が発生するのを抑制するためである。
【0022】
このように、可動体62は、支持部60に対して支点70を中心として傾斜自在に設けられているので、図4(a),(b)に示すように、基板56を載せようとすると、基板56の接触部分で均等に基板56の荷重が分散するため、可動体62が起き上がり、可動体62の載置面64上の半球状の凸部64aに基板56が載置され、基板56は支持部60と平行に支持されるものである。
【0023】
上記構成において、基板56を基板支持体30に載置するには、図4(a)に示すように、まず基板56を前述した基板移載機により挿入溝58に挿入する。このときは、可動体62は、支柱側に倒れた状態にある。次に基板56を徐々に下降させていくと、基板56の裏面は、最初に可動体62の載置面64上の半球状凸部64aのうち支柱と反対側の端部に位置する凸部64aに接触し、この部分で均等に基板56の荷重が分散して作用する。このとき、基板56が凸部64aに接触してすれ合うが、凸部64aは半球状であり、しかも研磨加工されているので、基板56に傷が発生するのを抑制することができ、またスムースに可動体62を立ち上がらせる。さらに基板56を下降すると、可動体62は、支点70を中心に回転し、ついには、図4(b)に示すように、支持部60と平行となるまで起き上がり、基板56の裏面が各可動体62の載置面64上のすべての凸部64aに接触し、基板56が可動体62を介して支持部60上に支持されるようになる。このとき、基板を支持する箇所(可動体62)は3箇所であるため、3箇所全てに同等な基板自重がかかる。もしこれが、4箇所の場合、バランスの悪い椅子のように2〜3箇所に集中して基板自重がかかる可能性もある。また、それぞれの支持箇所に注目すると、支持箇所は360°全ての方向に傾くことができるため、3つの半球状凸部64a全てが基板裏面に接触する。すなわち、3×3=9点に平等に基板自重がかかり、局所的な基板自重の集中を低減することができる。
【0024】
このように基板56が支持された状態で加熱されると、基板56は、加熱による膨張、変形を生じる。しかしながら、図4(c)に示すように、基板56の膨張、変形に合わせて可動体62が傾き、基板56の膨張、変形を吸収する。可動体62は、支点70を中心として、周囲360°に対して傾斜自在となっているので、基板56の膨張、変形が一様でなくとも吸収することができるものである。
【0025】
図5に可動体62の変形例が示されている。この変形例においては、可動体62は、逆円錐状に形成され、本体部66がピン部と一体となって構成されており、この本体部66の下端に支点70が形成され、この支点70が支持部の第1の溝72に噛み合うようになっている。また、本体部66の上面である載置面64上には、半球状の凸部64aが複数(図5では3つ)設けられ、この凸部64a上に基板56が載置される。凸部64aの表面は研磨加工が施される。
【0026】
なお、熱処理装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば枚葉式のものであってもよい。また、可動体は、基板を載置する載置部上の凸部と、基板支持体に傾斜自在に支持する支点とを有するものであればよく、形状は問わない。また、可動体の載置面上の凸部は、曲面であることが好ましく、半球状以外に、半楕円状、球状、楕円状、ドーム状などであってもよい。
【0027】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板を複数の凸部を有する傾斜自在の可動体により支持するようにしたので、局所的な基板自重の集中を低減することができ、また基板の熱処理中に生じる傷を防止することができ、半導体デバイス製造の歩留まりを向上させることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体を示す斜視図である。
【図4】本発明の実施形態に係る熱処理工程を示し、可動体を有する基板支持体の断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る可動体の変形例を示す斜視図である。
10 熱処理装置
30 基板支持体
60 支持部
62 可動体
64 載置面
64a 凸部
70 支点
72 第1の溝
74 第2の溝
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板やガラス基板等の基板を熱処理するための熱処理装置、及び基板を熱処理する工程を有する半導体デバイスの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば縦型熱処理炉を用いて、複数の基板を熱処理する場合、基板は基板支持体(ボート)に支持され、この基板支持体と共に反応炉に搬入され、反応炉内で熱処理される。
【0003】
上述した従来の基板支持体は、例えば3本又は4本の支柱と、この支柱の内側に形成された支持部とを有する。基板は、支柱の間に挿入され、支持部に支持され、基板支持体と共に処理炉内において加熱される。基板は面で支持するのが一般的である。また、その材質は高温熱処理では、軟化点の高いSiC等が用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
基板は、加熱処理すると、基板の面内及び表裏の温度差により膨張、変形する。このため、上記従来技術のように、基板を直接支持部に支持する構成であると、基板が支持部上で部分的に移動し、支持部との接触部分で基板に傷(欠陥)を形成してしまう。この傷は、以降の熱処理により転位し、スリップ発生に至るおそれがある。また支持部をSiCで構成した場合、現在のSiC成形加工技術では完全な面支持となる平坦性を得ることは非常に困難であり、基板との接触面内において局所的に突出した部分が何点か存在してしまい、最も突出した部分にウェーハ自重が集中し、結果としてウェーハにスリップ転位が発生するという問題点があった。
【0005】本発明は、上述した従来の問題点を解消し、熱処理により発生する基板の傷を防止することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第1の特徴とするところは、基板を基板支持体にて支持した状態で前記基板を熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体に可動体を設け、この可動体は、前記基板を載置する載置部と、前記基板支持体に対して該可動体を傾斜自在に支持する支点とを有し、前記載置部は凸部を有することを特徴とする熱処理装置にある。なお凸部は複数設けられることが好ましい。基板を熱処理する場合は、基板は一つまたは複数の凸部を有する可動体上に載置されるので、一つまたは複数の凸部に平等に基板の自重がかかり、局所的な基板の自重の集中を低減できるとともに、基板の膨張、変形に対して可動体が傾斜してその膨張、変形を吸収し、基板の傷発生を防止することができる。
【0007】
可動体は、複数設けることが好ましく、さらに好ましくは3つ以上である。この可動体は、基板を載せないときは、基板支持体上で倒れた状態にすることができる。可動体の倒れる方向はいずれであってもよいが、基板の載置位置の移動を阻止するために所定方向に倒れるように、可動体の重心位置を支点からずらすことが好ましい。また、この可動体の位置を安定させるため、基板支持体に第1の溝を形成し、この第1の溝に可動体の支点を噛み合わせることが好ましい。もっともその逆に、可動体の支点を溝状とし、基板支持体に突起を形成し、両者を噛み合わせることもできる。さらに、可動体の傾斜位置を安定させるため、基板支持体に第2の溝を形成し、この第2の溝に可動体の側面部分を噛み合わせることが好ましい。基板を可動体に載置する際、基板と可動体の載置部に設けられる複数の凸部とが接触するが、この凸部の基板と接触する部分に丸みを持たせ、この部分の接触による基板の傷発生を抑制することが好ましい。なお凸部は半球状であることが好ましい。
【0008】
本発明の第2の特徴とするところは、基板支持体に対して傾斜自在に支持されるとともに基板載置部に凸部を有する可動体に基板を載置する第1のステップと、この第1のステップにより可動体に載置された前記基板を熱処理する第2のステップとを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法にある。なお凸部は複数設けられることが好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る熱処理装置10が示されている。この熱処理装置10は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体12を有する。この筺体12には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16は、例えば25枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
【0010】
筺体12内において、ポッドステージ14に対向する位置には、ポッド搬送装置18が配置されている。また、このポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22及び基板枚数検知器24が配置されている。ポッド搬送装置18は、ポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ22は、ポッド16の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド16内の基板枚数が基板枚数検知器24により検知される。
【0011】
さらに、筺体12内には、基板移載機26、ノッチアライナ28及び基板支持体30(ボート)が配置されている。基板移載機26は、例えば5枚の基板を取り出すことができるアーム32を有し、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かせたポッド、ノッチアライナ28及び基板支持体30間で基板を搬送する。ノッチアライナ28は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板を揃えるものである。
【0012】
図2に反応炉34が示されている。この反応炉34は、反応管36を有し、この反応管36内に基板支持体30が挿入される。反応管36の下方は、基板支持体30を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ38により密閉されるようにしてある。また、反応管36の周囲は、均熱管40により覆われ、さらに均熱管40の周囲にヒータ42が配置されている。熱電対44は、反応管36と均熱管40との間に配置され、反応炉34内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管36には、処理ガスを導入する導入管46と、処理ガスを排気する排気管48とが接続されている。
【0013】
次に上述したように構成された熱処理装置10の作用について説明する。まず、ポッドステージ14に複数枚の基板を収納したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。次に、ポッド搬送装置18により、このポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットし、このポッドオープナ22によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器24によりポッド16に収容されている基板の枚数を検知する。
【0014】
次に、基板移載機26により、ポッドオープナ22の位置にあるポッド16から基板を取り出し、ノッチアライナ28に移載する。このノッチアライナ28においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数の基板を同じ位置に整列させる。次に、基板移載機26により、ノッチアライナ28から基板を取り出し、基板支持体30に移載する。
【0015】
このようにして、1バッチ分の基板を基板支持体30に移載すると、例えば700°C程度の温度に設定された反応炉34内に複数枚の基板を装填した基板支持体30を装入し、シールキャップ38により反応管36内を密閉する。次に、導入管46から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。この際、基板は例えば1000°C程度以上の温度に加熱される。なお、この間、熱電対44により反応管36内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、降温プログラムに従って基板の熱処理を実施する。
【0016】
基板の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を700°C程度の温度に降温した後、基板支持体30を反応炉34からアンロードし、基板支持体30に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体30を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持体30の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機26により、基板支持体30から基板を取り出し、ポッドオープナ22にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置18により、基板が収容されたポッド16をポッド棚20に搬送し、さらにポッドステージ14に搬送して完了する。
【0017】
図3に前述した基板支持体30の全体が示されている。基板支持体30は、シリコン、炭化珪素又は石英等の耐熱材料からなり、上部板50及び下部板52を有し、この上部板50と下部板52との間を例えば3本の支柱54により接続されている。各支柱54の内側には、シリコン又は石英等からなる基板56を挿入支持するための多数の挿入溝58が平行に形成されている。 なお、支柱54は、3本以上あっても構わない。
【0018】
図4に基板支持体30の基板支持部分の詳細が示されている。基板支持体30は、前述した挿入溝58の下部を構成する支持部60を有する。この支持部60には、それぞれ支柱54毎に可動体62が設けられている。可動体62は、基板支持体30とは別体で、シリコン、炭化珪素又は石英等の耐熱材料からなり、例えばこま状に形成され、例えば円板状の載置部(載置面)64を有する本体部66と、この本体部66の略中心位置下部に形成されたピン部68とから構成されている。載置面64上には、半球状の凸部64aが複数(図4では3つ)設けられ、この凸部64a上に基板56が載置される。凸部64aの表面は研磨加工が施される。また、ピン部68の下端は支点70となっており、この支点70が支持部60の上面に形成された例えば円形の第1の溝72に噛み合い、可動体62の支持部60に対する位置を安定させるようにしてある。このため、可動体62は、支点70を中心として、支持部60に対して360°の方向で傾斜自在に支持されている。
【0019】
また、可動体62は、この可動体62の重心が支点70から、例えば支柱側にずらされており、基板56が載せられる前(図4(a)に示す状態)には、可動体62が支柱側に倒れるようになっている。重心の位置は、本体部66の体積をずらすか、あるいは重量をずらすことにより設定することができる。
【0020】
また、支持部60の上面には、例えば円弧上の第2の溝74が第1の溝72の近傍で第1の溝72よりも支柱側に形成されており、この第2の溝74に、傾斜した状態における本体部66の周縁部分が噛み合い、可動体62の傾斜位置を安定させるようにしてある。
【0021】
さらに、本体部66の載置面64の周縁、特に支柱と反対側の周縁は、半径方向の断面が丸くなるように、ラウンド研磨加工が施されている。このようにラウンド研磨加工するのは、図4(b)に示すように、基板56が可動体62に載置される際、凸部64aの大きさにより、基板56が本体部66の周縁に接触する可能性があり、それにより基板56に傷が発生するのを抑制するためである。
【0022】
このように、可動体62は、支持部60に対して支点70を中心として傾斜自在に設けられているので、図4(a),(b)に示すように、基板56を載せようとすると、基板56の接触部分で均等に基板56の荷重が分散するため、可動体62が起き上がり、可動体62の載置面64上の半球状の凸部64aに基板56が載置され、基板56は支持部60と平行に支持されるものである。
【0023】
上記構成において、基板56を基板支持体30に載置するには、図4(a)に示すように、まず基板56を前述した基板移載機により挿入溝58に挿入する。このときは、可動体62は、支柱側に倒れた状態にある。次に基板56を徐々に下降させていくと、基板56の裏面は、最初に可動体62の載置面64上の半球状凸部64aのうち支柱と反対側の端部に位置する凸部64aに接触し、この部分で均等に基板56の荷重が分散して作用する。このとき、基板56が凸部64aに接触してすれ合うが、凸部64aは半球状であり、しかも研磨加工されているので、基板56に傷が発生するのを抑制することができ、またスムースに可動体62を立ち上がらせる。さらに基板56を下降すると、可動体62は、支点70を中心に回転し、ついには、図4(b)に示すように、支持部60と平行となるまで起き上がり、基板56の裏面が各可動体62の載置面64上のすべての凸部64aに接触し、基板56が可動体62を介して支持部60上に支持されるようになる。このとき、基板を支持する箇所(可動体62)は3箇所であるため、3箇所全てに同等な基板自重がかかる。もしこれが、4箇所の場合、バランスの悪い椅子のように2〜3箇所に集中して基板自重がかかる可能性もある。また、それぞれの支持箇所に注目すると、支持箇所は360°全ての方向に傾くことができるため、3つの半球状凸部64a全てが基板裏面に接触する。すなわち、3×3=9点に平等に基板自重がかかり、局所的な基板自重の集中を低減することができる。
【0024】
このように基板56が支持された状態で加熱されると、基板56は、加熱による膨張、変形を生じる。しかしながら、図4(c)に示すように、基板56の膨張、変形に合わせて可動体62が傾き、基板56の膨張、変形を吸収する。可動体62は、支点70を中心として、周囲360°に対して傾斜自在となっているので、基板56の膨張、変形が一様でなくとも吸収することができるものである。
【0025】
図5に可動体62の変形例が示されている。この変形例においては、可動体62は、逆円錐状に形成され、本体部66がピン部と一体となって構成されており、この本体部66の下端に支点70が形成され、この支点70が支持部の第1の溝72に噛み合うようになっている。また、本体部66の上面である載置面64上には、半球状の凸部64aが複数(図5では3つ)設けられ、この凸部64a上に基板56が載置される。凸部64aの表面は研磨加工が施される。
【0026】
なお、熱処理装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば枚葉式のものであってもよい。また、可動体は、基板を載置する載置部上の凸部と、基板支持体に傾斜自在に支持する支点とを有するものであればよく、形状は問わない。また、可動体の載置面上の凸部は、曲面であることが好ましく、半球状以外に、半楕円状、球状、楕円状、ドーム状などであってもよい。
【0027】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板を複数の凸部を有する傾斜自在の可動体により支持するようにしたので、局所的な基板自重の集中を低減することができ、また基板の熱処理中に生じる傷を防止することができ、半導体デバイス製造の歩留まりを向上させることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体を示す斜視図である。
【図4】本発明の実施形態に係る熱処理工程を示し、可動体を有する基板支持体の断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る可動体の変形例を示す斜視図である。
10 熱処理装置
30 基板支持体
60 支持部
62 可動体
64 載置面
64a 凸部
70 支点
72 第1の溝
74 第2の溝
Claims (2)
- 基板を基板支持体にて支持した状態で前記基板を熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体に可動体を設け、この可動体は、前記基板を載置する載置部と、前記基板支持体に対して該可動体を傾斜自在に支持する支点とを有し、前記載置部には凸部が設けられることを特徴とする熱処理装置。
- 基板支持体に対して傾斜自在に支持されるとともに基板載置部に凸部を有する可動体に基板を載置する第1のステップと、この第1のステップにより可動体に載置された前記基板を熱処理する第2のステップとを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002274761A JP2004111786A (ja) | 2002-09-20 | 2002-09-20 | 熱処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002274761A JP2004111786A (ja) | 2002-09-20 | 2002-09-20 | 熱処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
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JP2004111786A true JP2004111786A (ja) | 2004-04-08 |
Family
ID=32271139
Family Applications (1)
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JP2002274761A Pending JP2004111786A (ja) | 2002-09-20 | 2002-09-20 | 熱処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2004111786A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20150059072A (ko) | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 | 기판 지지구조체 |
-
2002
- 2002-09-20 JP JP2002274761A patent/JP2004111786A/ja active Pending
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