JP2004111567A - 露光装置 - Google Patents
露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004111567A JP2004111567A JP2002270554A JP2002270554A JP2004111567A JP 2004111567 A JP2004111567 A JP 2004111567A JP 2002270554 A JP2002270554 A JP 2002270554A JP 2002270554 A JP2002270554 A JP 2002270554A JP 2004111567 A JP2004111567 A JP 2004111567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure apparatus
- partition
- wafer
- stage
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 28
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】ウエハ及びレチクル近傍の必要最低限の空間のみを容易にパージすることができ、かつステージ位置決め精度に悪影響を防止可能なパージ構造を提供することができる露光装置を提供する。
【解決手段】防振機構１３に支持された構造体１２と、当該露光装置で使用する露光光の光路上の少なく一部に配設された隔壁Ａ２３とを備え、露光装置において、この構造体１２と隔壁とが弾性体シール部材により連結されて閉空間を形成し、該隔壁内が他の空間から隔離されている。
【選択図】 図１
【解決手段】防振機構１３に支持された構造体１２と、当該露光装置で使用する露光光の光路上の少なく一部に配設された隔壁Ａ２３とを備え、露光装置において、この構造体１２と隔壁とが弾性体シール部材により連結されて閉空間を形成し、該隔壁内が他の空間から隔離されている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の極微細パターンから形成される半導体素子の製造工程において、マスクに描かれた回路パターンを感光剤が塗布された基板上に縮小投影して焼き付け形成する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体素子の実装密度の向上に伴いパターンのより一層の微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされてきた。
【０００３】
露光装置の解像力を向上させる手段としては、露光波長をより短波長に変えていく方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくしていく方法とがある。
【０００４】
露光波長については、３６５ｎｍのｉ線から最近では２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ、１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザの開発が行なわれている。更に、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザの開発が行なわれている。
【０００５】
遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザにおいては、これら波長付近の帯域には酸素（Ｏ２）の吸収帯が複数存在することが知られている。
【０００６】
例えば、フッ素エキシマレーザは波長が１５７ｎｍと短いため、露光装置への応用が進められているが、１５７ｎｍという波長は一般に真空紫外と呼ばれる波長領域にある。しかしながら、この波長領域は、酸素分子による光の吸収が大きいため、大気はほとんど光を透過しない。そのため、フッ素エキシマレーザを利用する場合には、真空に近くまで気圧を下げ、酸素濃度を充分下げた環境でしか応用ができない。この波長１５７ｎｍの光に対する酸素の吸収係数は、約１９０ａｔｍ−１ｃｍ−１であることが示されており（例えば、非特許文献１参照）、これは、１気圧中で１％の酸素濃度の気体中を波長１５７ｎｍの光が通過するとｌｃｍあたりの透過率は
Ｔ＝ｅｘｐ（−１９０×１ｃｍ×０．０１ａｔｍ）＝０．１５０
しかないことを示している。
【０００７】
また、酸素が上記光を吸収することによりオゾン（Ｏ３）が生成され、このオゾンが光の吸収をより増加させ、透過率を著しく低下させることに加え、オゾンに起因する各種生成物が光学素子表面に付着し、光学系の効率を低下させる。
【０００８】
従って、ＡｒＦエキシマレーザ、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ等の遠紫外線を光源とする投影露光装置の露光光学系の光路においては、窒素等の不活性ガスによるパージ手段によって、光路中に存在する酸素濃度を数ｐｐｍオーダー以下の低レベルにおさえる方法がとられている。
【０００９】
このように、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光を利用した露光装置においては、ＡｒＦエキシマレーザ光や、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光が非常に物質に吸収されやすいため、光路内を数ｐｐｍオーダー以下でパージする必要がある。また、水分に対しても同様のことが言え、やはり、ｐｐｍオーダー以下での除去が必要である。
【００１０】
このため、紫外光の透過率あるいはその安定性を確保するために、不活性ガスで露光装置のレチクルステージ等の紫外光路をパージしていた。このパージ方法には、感光基板に向かって不活性ガスを吹きつける方法が提案されているが、酸素や水分をパージするには不十分であった（例えば、特許文献１参照）。また、別の方法として、投影光学系下端部から感光基板近傍の空間の全体を密閉部材で覆うことが提案されているが、ステージの移動が困難となって実用的とは言えなかった（例えば、特許文献２）。
【００１１】
【特許文献１】
特開平６−２６０３８５号公報
【特許文献２】
特開平８−２７９４５８号公報
【非特許文献１】
「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｓｍａｌｌ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ」 （Ｈｉｄｅｏ Ｏｋａｂｅ著、Ａ Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ、１９７８年、１７８頁）
【発明が解決しようとする課題】
上記の通り、紫外線とりわけＡｒＦエキシマレーザ光やフッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光を利用した露光装置においては、ＡｒＦエキシマレーザ光や、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光の波長における酸素及び水による吸収が大きいため、充分な透過率及び紫外光の安定性を得るためには酸素及び水濃度を低減する必要がある。
【００１２】
そこで、露光装置内の紫外光路、特に、ウエハ及びレチクル近傍を不活性ガスでパージする有効な手段の開発が望まれている。
【００１３】
しかしながら、露光装置上には、各種ユニットのモータ、空圧機器、電気基板、電気ケーブル等が多数配設され、それら各種ユニットからは、揮散する物質や、空圧機器からリークするエア等があり、床からパージチャンバを立ち上げて、それら各種ユニットを含めて露光装置全体をパージすると、各種ユニットから揮散する物質や空圧機器からリークするエアにより、パージ空間内が汚染したり酸素濃度の低下するなどの問題があった。
【００１４】
また、更に、防振機構に支持された露光装置本体上にパージチャンバを配設する場合、金属薄板等からなる箱状のパージチャンバが持つパネル振動が、露光装置本体上のステージ位置決め用に使用しているレーザ干渉計の信号に、ノイズとして入り、ステージ位置決め精度に悪影響を及ぼす等の問題があった。
【００１５】
また、露光装置では、ウエハ及びレチクルの搬出入やウエハステージ及びレチクル周囲のメンテナンスを行う必要が有り、かかる空間を部分的に密閉することは困難であった。
【００１６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ウエハ及びレチクル近傍の必要最低限の空間のみを容易にパージすることができ、かつステージ位置決め精度に悪影響を与えることを防止可能なパージ構造を提供することができる露光装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明による露光装置は以下の構成を備える。即ち、
マスクのパターンを投影光学系を介して基板に照射する露光装置であって、
防振機構に支持された構造体と、
当該露光装置で使用する露光光の光路上の少なく一部に配設された隔壁とを備え、
前記構造体と前記隔壁とが弾性体シール部材により連結されて閉空間を形成し、該隔壁内が他の空間から隔離されている。
【００１８】
また、好ましくは、前記隔壁は、前記構造体と異なる防振機構に支持された構造体上に配設されている。
【００１９】
また、好ましくは、前記隔壁内の閉空間内に、ウエハステージ或いはレチクルステージの少なくとも一方が配設されている。
【００２０】
また、好ましくは、前記隔壁内空間に気体を供給する気体供給手段と
を更に備える。
【００２１】
また、好ましくは、前記気体供給手段により供給される気体は、クリーンドライエアあるいは不活性ガスである。
【００２２】
また、好ましくは、前記隔壁と前記気体供給手段との接続部に、弾性体シール部材を使用している。
【００２３】
また、好ましくは、前記隔壁に開閉可能な扉或いは蓋を備える。
【００２４】
また、好ましくは、前記隔壁は、前記閉空間と異なる閉空間を形成する他の隔壁と弾性体シール部材により連結している。
【００２５】
また、好ましくは、前記異なる閉空間を形成する他の隔壁が、独立して配設された防振機構に支持された構造体上に配設されている。
【００２６】
また、好ましくは、上記の異なる閉空間を形成する他の隔壁は、ウエハ搬送系或いはレチクル搬送系の少なくとも一方を被う隔壁である。
【００２７】
また、好ましくは、マスク或いは基板を搭載して移動するステージ装置と、
前記ステージ装置を駆動した際の反力を受けるために、前記防振機構に支持された構造体とは独立して前記隔壁外に配設された反力受け構造体と、
前記ステージ装置と前記反力受け構造体の間で力を発生する力アクチュエータとを更に備え、
前記力アクチュエータが前記隔壁に形成された貫通穴を通して配置され、前記貫通穴と力アクチュエータ間に弾性体シール部材を使用し、隔壁内空間の気密を保つ。
【００２８】
また、好ましくは、前記弾性体シール部材は、薄肉板状体をアコーディオン状にジグザグに折り畳む、或いは変形可能に柔軟な素材よりなる。
【００２９】
また、好ましくは、前記弾性体シール部材は、金属薄膜或いは樹脂、或いはその複合材料によりなる。
【００３０】
また、好ましくは、上記の露光装置を用いて半導体デバイスを製造することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３２】
本発明の露光装置は、以下に説明する実施形態の内容に制限されるものではなく、露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置であれば公知のものに適用される。
【００３３】
また、本発明の露光装置に用いる露光光としての紫外光は、これに制限されるものではないが、従来技術で述べたように、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光に対して有効である。
【００３４】
本発明の実施形態について、図１を用いて説明する。
【００３５】
図１は本発明の実施形態の半導体デバイス製造用の露光装置の概略図である。
【００３６】
露光装置本体はチャンバ１に収納され、周囲温度が、例えば、±０．０３℃程度に温調されている。
【００３７】
図１において、本露光装置を構成するその主要な構造体群として、露光装置本体の基礎となるベースフレーム２、被露光物であるレチクルを搭載して移動可能なレチクルステージ３、被露光物であるウエハを搭載して移動可能なウエハステージ４、レチクルを照明光で照明する照明光学系５、レチクルのパターンをウエハに所定の倍率（例えば、４：１）で縮小投影する投影光学系６、投影光学系６を保持する鏡筒定盤７、温度調整されたクリーンドライエアや不活性ガス等の気体（パージガス）を供給する空調機械室８（気体供給機構）を備えている。
【００３８】
投影光学系６は、例えば、特開２００１−２７７２７号公報に開示されている投影光学系と同様にシングルバレル方式の反射屈折型光学系である。投影光学系６は密閉構造であり、内部は温度、湿度が調整された窒素、ヘリウム等の不活性ガスで置換されている。
【００３９】
照明光学系５は、光源を内蔵するか或いは露光装置とは別に床に置かれた不図示の光源装置からビームラインを経て照明光を導入する。そして、各種レンズや絞りによってスリット光を生成して、レチクルステージ３に保持された原版であるレチクルを上方からスリット照明する。この照明光としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等のエキシマレーザ光、ＹＡＧレーザ、金属蒸気レーザ等の高調波あるいはｉ線等の紫外光が挙げられる。また、照明光学系５は、密閉あるいは略密閉構造であり、内部は温度、湿度が調整された窒素、ヘリウム等の不活性ガスで置換されている。
【００４０】
ベースフレーム２は、半導体製造工場のクリーンルームの設置床の上に設置している。ベースフレーム２は、床に対して高い剛性で固定されており、実質的に床と一体もしくは床の延長とみなすことができる。ベースフレーム２は、３本あるいは４本の高剛性の支柱を含み、各々の支柱の上部でアクティブダンパＡ（９）を介して構造体である鏡筒定盤７を鉛直方向に支えている。
【００４１】
アクティブダンパＡ（９）は、空気ばねとダンパとアクチュエータを内蔵した防振機構であり、床からの高周波振動が鏡筒定盤７に伝わらないようにすると共に、鏡筒定盤７の傾きや揺れをアクティブ補償するものである。
【００４２】
投影光学系６を保持する鏡筒定盤７は、さらにレチクル保持フレーム３４を介してレチクルステージ定盤１０も支持している。また、鏡筒定盤７にはレチクルとウエハのアライメント状態を検出するためのアライメント検出器を取付けて、鏡筒定盤７を基準にしてアライメントを行う。
【００４３】
ウエハステージ４は、その上に基板であるウエハを搭載し、不図示の干渉計により位置を計測され、投影光学系６の光軸方向Ｚ、かつＺに垂直なＸＹ方向及び各軸まわりωｘ，ωｙ，ωｚ方向に駆動可能となっている。位置決めのための駆動源としては、リニアモータを採用している。基本的にはＸ方向には直進運動するＸステージとＸリニアモータ、Ｘ方向と直交するＹ方向に移動するＹステージとＹリニアモータによる二次元ステージを有し、この上にＺ方向、チルト（ωＸ、ωＹ）方向、回転方向に移動可能なステージが搭載されている構造となっている。
【００４４】
ウエハステージ４は、ウエハステージ定盤１１によって支えており、ウエハステージ定盤１１が有するＸＹ水平案内面（ガイド面）上を移動する。ウエハステージ定盤１１は、３本（又は４本）の支持足によって、構造体であるステージベース部材１２上に支持している。
【００４５】
ステージベース部材１２は、３つのアクティブダンパＢ（１３）を介して３箇所でベースフレーム２によって鉛直方向に支持している。ステージベース部材１２及びそれに搭載された部材の荷重は、基本的には３つのアクティブダンパＢ（１３）で大半を支えており、アクティブダンパＢ（１３）で受けた荷重は床と実質一体のベースフレーム２でうけている。そのため、実質的にはウエハステージ４の基本的な荷重は、床で支えているのに等しい。アクティブダンパＢ（１３）には、大きな荷重を支えることができる空気ばねを用いている。
【００４６】
また、図２に示すようにステージベース部材１２と空調機械室８の間には、水平方向に推力を発生する力アクチュエータ１４が介在している。この力アクチュエータ１４は、発生する可変の推力によって両者間での力伝達を制御可能になっている。特に、空調機械室８は、ステージ装置を駆動した際の反力を受けるための反力受け構造体として機能する。
【００４７】
ここで、ウエハステージ４の重心高さと水平方向に推力を発生する力アクチュエータ１４の力作用位置の高さは等しくなっている。このため、反力と同一高さに補償力を与えることができるので効果的にウエハステージ４の駆動反力をキャンセルすることができる。本実施形態では、力アクチュエータ１４としては、リニアモータを採用している。
【００４８】
リニアモータを使うことの意義は以下の通りである。
【００４９】
即ち、リニアモータは制御応答性が高く発生力を高速に制御することができる。加えて、リニアモータは固定子と可動子が非接触であり、両者の間はローレンツ力によって力が働く。このため、ローレンツ力によって非接触を保ちながらウエハステージ４の駆動反力をステージベース部材１２から空調機械室８へ伝達することができる一方、非接触であるため振動伝達を遮断する機械的フィルタ機能も備えている。
【００５０】
レチクルステージ３も不図示の干渉計により位置を計測され、投影光学系６の光軸方向Ｚに垂直なＸＹ方向に駆動可能となっている。
【００５１】
照明系５の照明により、レチクルＲのパターン像は投影光学系６を介してウエハステージ４に保持されたウエハＷ上に投影される。この時、ウエハステージ４とレチクルステージ３は投影光学系６の光軸方向に垂直な方向に相対移動される。これにより、ウエハＷ上の所定領域にパターン像が転写される。そして、ウエハＷ上の複数の露光領域に対してステップ・アンド・スキャン方式にて同様の転写動作が繰り返しなされ、ウエハＷ全面にパターンの転写が行われる。
【００５２】
レチクルＲは、レチクル収納部１５に収納されていて、レチクル搬送系１６により搬送される。レチクル収納部１５及びレチクル搬送系１６はチャンバ１内の空間１７に配置されている。レチクルＲは、レチクル搬送系１６によりレチクルアライメント部３５に搬送される。レチクルアライメント部３５は、レチクル保持フレーム３４の上面に固定されていて、レチクルＲをレチクルステージ３に搭載あるいは回収するとともにレチクルＲの位置をアライメントする。
【００５３】
ウエハＷはウエハ収納部２０に収納されていて、ウエハ搬送系２１により搬送される。ウエハ収納部２０及びウエハ搬送系２１はチャンバ内の空間１８に配置されている。ウエハＷはウエハ搬送系２１によりウエハステージ４に搭載あるいは回収する。
【００５４】
次に、本実施形態の投影露光装置のウエハステージ近傍における隔壁及び弾性体シール部材を使用したパージチャンバ構造について、図１乃至図３を用いて説明する。
【００５５】
図２は本発明の実施形態の投影露光装置のパージチャンバの概略構成図である。図３は本発明の実施形態のパージチャンバの概略斜視図である。
【００５６】
尚、本実施形態では、図２に示すように、鏡筒定盤７とステージベース部材１２は、別々に構成されている例を示しているが、例えば、図４に示すような鏡筒定盤７とステージベース部材１２が一体となって構成されている場合にも本発明を適用することができる。
【００５７】
図１乃至図３に示すように、鏡筒定盤７とウエハステージ４の間に、箱状の隔壁Ａ（２３）が設けられている。この隔壁Ａ（２３）はベースフレーム２から支持部材２４により支持されている。この隔壁Ａ（２３）には上下面に開口があり、上側の開口部と相対する鏡筒定盤７の下面との間には帯状の弾性体シール部材２５によって機密的に接合されている。また、上述の力アクチュエータ１４は、障壁Ａ（２３）の側面に形成された貫通穴を通して配置され、この貫通穴と力アクチュエータ間に弾性体シール部材２５０が使用されることで、障壁Ａ（２３）内空間の気密が保たれている。
【００５８】
また、この隔壁Ａ（２３）の下側の開口部と相対するウエハステージ４を支持するステージベース部材１２上面との間にも帯状の弾性体シール部材２６によって気密的に接合されている。弾性体シール部材２５，２６は非常に柔軟であるために、露光装置設置床の振動により揺らされている箱状の隔壁Ａ（２３）の振動が、防振機構であるアクティブダンパＡ（９）及びアクティブダンパＢ（１３）に支持された鏡筒定盤７及びウエハステージ４に伝達することなく隔壁Ａ（２３）内を気密に保持することができる。
【００５９】
この箱状の隔壁Ａ（２３）には、ウエハ搬送系２１が配置されている側にも開口があり、ウエハ搬送系２１を覆っているチャンバＡ（２２）の隔壁Ａ（２３）の開口と相対する部分にある開口との間も帯状の弾性体シール部材２７によって気密に接合されている。このチャンバＡ（２２）は、ウエハ搬送系２１を被う隔壁として機能している。
【００６０】
このウエハステージ４近傍のパージチャンバ空間には、温調された窒素等の不活性ガスがフィルタ２９を介して送風されている。送風されたエアは、空間１８内を通過し、リターン部３０より再び空調機械室８に戻り温調され送風される循環系が構成されている。また、フィルタ２９と隔壁Ａ（２３）との間も帯状の弾性体シール部材２７０によって気密に接合されている。
また、隔壁Ａ（２３）の側面部には、隔壁Ａ（２３）内にあるウエハステージ４等の構成部品のメンテナンスを行うために、内部へアクセスするための開閉可能な扉あるいは蓋１９が構成されている。尚、後述する隔壁Ｂ（３２）にも、同様の扉あるいは蓋が構成されている。
【００６１】
次に、本実施形態の投影露光装置のレチクルステージ３近傍における隔壁及び弾性体シールを使用したパージチャンバ構造について説明する。
【００６２】
図１に示すように、レチクルステージ３を覆うように箱状の隔壁Ｂ（３２）が設けられている。この隔壁Ｂ（３２）はレチクル保持フレーム３４から支持されている。
【００６３】
この箱状の隔壁Ｂ（３２）にはレチクル搬送系１６が配置されている側にも開口があり、レチクル搬送系１６を気密的に覆っているチャンバＢ（３６）の隔壁Ｂ（３２）の開口と相対する部分にある開口との間も帯状の弾性体シール部材２８によって気密に接合されている。また、このチャンバＢ（３６）は、レチクル搬送系１６を被う隔壁として機能している。
【００６４】
弾性体シール部材２８は、非常に柔軟であるために、露光装置設置床の振動により揺らされているレチクル搬送系１６のチャンバの振動が、アクティブダンパＡ（９）に支持された鏡筒定盤７及びレチクルステージ３に伝達することなく隔壁内Ｂ（３２）を気密に保持することができる。
【００６５】
このレチクルステージ３近傍のパージチャンバ空間には、温調された窒素等の不活性ガスがフィルタ３３を介して送風されている。
【００６６】
以上の構成により、照明光学系５からレチクルを通して投影光学系６までの露光光の光路及び投影光学系６からウエハまでの露光光の光路が、ＡｒＦエキシマレーザ、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ等の遠紫外光に対しても高い透過率をもつ窒素等の不活性ガスにより置換されている。
【００６７】
従って、照明光が高い透過率でウエハ表面に到達するので、露光時間を短縮でき、露光工程のスループットが向上する。
【００６８】
そして、アクティブダンパＡ（９）及びアクティブダンパＢ（１３）に支持された鏡筒定盤７及びウエハステージ４は、パージチャンバと弾性体シールで接続されているため、パージチャンバの振動を伝達することも無い。
【００６９】
さらに、各パージチャンバ外にて各種ユニットのモータ、空圧機器類、電気基板、電気ケーブル等を構成することにより、それら各種ユニットを閉空間内から隔離することが可能である。このことにより、各種ユニットから揮散する物質や、空圧機器からリークするエア等が酸素濃度を低下させる問題を解決できる。
【００７０】
尚、上記の弾性体シール部材２５〜２８、２５０及び２７０は、薄肉板状体をアコーディオン状にジグザグに折り畳む、或いは変形可能に柔軟な素材より構成されている。この素材以外に、弾性体シール部材２５〜２８、２５０及び２７０は、金属薄膜或いは樹脂、或いはその複合材料により構成されている。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態によれば、防振機構（アクティブダンパＡ（９）やアクティブダンパＢ（１３））に支持された露光装置本体を構成する構造体と、それとは独立して配設された隔壁（隔壁Ａ（２３）や隔壁Ｂ（３２））を備え、構造体と隔壁とが弾性体シール部材（２５〜２８、２５０及び２７０）により連結されて、閉空間を形成し、隔壁内と他の空間が隔離されるように構成している。
【００７２】
これにより、独立して配置された隔壁の振動が弾性体シール部材により遮断され、構造体に伝達することなく閉空間を構成し内部をパージガスで置換することが可能となる。従って、ステージ位置決め精度に悪影響を及ぼすことを防止してスループットを向上することができるとともに、露光処理に係る空間を部分的に密封してウエハ上に高精度なパターンを焼き付けることができる。
【００７３】
また、構造体上の弾性体シール部材のシール面は任意に決定できるため、シール面外に構造体上にある各種ユニットのモータ、空圧機器類、電気基板、電気ケーブル等を構成することにより、それら各種ユニットを閉空間内から隔離することが可能である。このことにより、各種ユニットから揮散する物質や、空圧機器からリークするエア等が酸素濃度を低下させることがなく、照度が低下したりすることがなくなる。従って、スループットを向上することができるとともに、ウエハ上に高精度なパターンを焼き付けることができる。
【００７４】
［露光装置の応用例］
次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
【００７５】
図５は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示すフローチャートである。
【００７６】
ステップ１（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク作製）では、設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
【００７７】
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７で、これを出荷する。
【００７８】
図６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示すフローチャートである。
【００７９】
ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記の露光装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ウエハ及びレチクル近傍の必要最低限の空間のみを容易にパージすることができ、かつステージ位置決め精度に悪影響を防止可能なパージ構造を提供することができる露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の半導体デバイス製造用の露光装置の概略図である。
【図２】本発明の実施形態の投影露光装置のパージチャンバの概略構成図である。
【図３】本発明の実施形態のパージチャンバの概略斜視図である。
【図４】本発明の実施形態の投影露光装置のパージチャンバの変形例の概略構成図である。
【図５】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローチャートである。
【図６】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローチャートである。
【符号の説明】
１ チャンバ
２ ベースフレーム
３ レチクルステージ
４ ウエハステージ
５ 照明系
６ 投影光学系
７ 鏡筒定盤
８ 空調機械室
９ アクティブダンパＡ
１０ レチクルステージ定盤
１１ ウエハステージ定盤
１２ ステージベース部材
１３ アクティブダンパＢ
１４ 力アクチュエータ
１５ レチクル収納部
１６ レチクル搬送系
１７、１８ 空間
１９ 扉
２０ ウエハ収納部
２１ ウエハ搬送系
２２ チャンバＡ
２３ 隔壁Ａ
２４ 支持部材
２５、２６、２７、２８ 弾性体シール部材
２９ フィルタ
３０ リターン部
３２ 隔壁Ｂ
３３ フィルタ
３４ レチクル保持フレーム
３５ レチクルアライメント部
３６ チャンバＢ
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の極微細パターンから形成される半導体素子の製造工程において、マスクに描かれた回路パターンを感光剤が塗布された基板上に縮小投影して焼き付け形成する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体素子の実装密度の向上に伴いパターンのより一層の微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされてきた。
【０００３】
露光装置の解像力を向上させる手段としては、露光波長をより短波長に変えていく方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくしていく方法とがある。
【０００４】
露光波長については、３６５ｎｍのｉ線から最近では２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ、１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザの開発が行なわれている。更に、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザの開発が行なわれている。
【０００５】
遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザにおいては、これら波長付近の帯域には酸素（Ｏ２）の吸収帯が複数存在することが知られている。
【０００６】
例えば、フッ素エキシマレーザは波長が１５７ｎｍと短いため、露光装置への応用が進められているが、１５７ｎｍという波長は一般に真空紫外と呼ばれる波長領域にある。しかしながら、この波長領域は、酸素分子による光の吸収が大きいため、大気はほとんど光を透過しない。そのため、フッ素エキシマレーザを利用する場合には、真空に近くまで気圧を下げ、酸素濃度を充分下げた環境でしか応用ができない。この波長１５７ｎｍの光に対する酸素の吸収係数は、約１９０ａｔｍ−１ｃｍ−１であることが示されており（例えば、非特許文献１参照）、これは、１気圧中で１％の酸素濃度の気体中を波長１５７ｎｍの光が通過するとｌｃｍあたりの透過率は
Ｔ＝ｅｘｐ（−１９０×１ｃｍ×０．０１ａｔｍ）＝０．１５０
しかないことを示している。
【０００７】
また、酸素が上記光を吸収することによりオゾン（Ｏ３）が生成され、このオゾンが光の吸収をより増加させ、透過率を著しく低下させることに加え、オゾンに起因する各種生成物が光学素子表面に付着し、光学系の効率を低下させる。
【０００８】
従って、ＡｒＦエキシマレーザ、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ等の遠紫外線を光源とする投影露光装置の露光光学系の光路においては、窒素等の不活性ガスによるパージ手段によって、光路中に存在する酸素濃度を数ｐｐｍオーダー以下の低レベルにおさえる方法がとられている。
【０００９】
このように、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光を利用した露光装置においては、ＡｒＦエキシマレーザ光や、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光が非常に物質に吸収されやすいため、光路内を数ｐｐｍオーダー以下でパージする必要がある。また、水分に対しても同様のことが言え、やはり、ｐｐｍオーダー以下での除去が必要である。
【００１０】
このため、紫外光の透過率あるいはその安定性を確保するために、不活性ガスで露光装置のレチクルステージ等の紫外光路をパージしていた。このパージ方法には、感光基板に向かって不活性ガスを吹きつける方法が提案されているが、酸素や水分をパージするには不十分であった（例えば、特許文献１参照）。また、別の方法として、投影光学系下端部から感光基板近傍の空間の全体を密閉部材で覆うことが提案されているが、ステージの移動が困難となって実用的とは言えなかった（例えば、特許文献２）。
【００１１】
【特許文献１】
特開平６−２６０３８５号公報
【特許文献２】
特開平８−２７９４５８号公報
【非特許文献１】
「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｓｍａｌｌ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ」 （Ｈｉｄｅｏ Ｏｋａｂｅ著、Ａ Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ、１９７８年、１７８頁）
【発明が解決しようとする課題】
上記の通り、紫外線とりわけＡｒＦエキシマレーザ光やフッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光を利用した露光装置においては、ＡｒＦエキシマレーザ光や、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光の波長における酸素及び水による吸収が大きいため、充分な透過率及び紫外光の安定性を得るためには酸素及び水濃度を低減する必要がある。
【００１２】
そこで、露光装置内の紫外光路、特に、ウエハ及びレチクル近傍を不活性ガスでパージする有効な手段の開発が望まれている。
【００１３】
しかしながら、露光装置上には、各種ユニットのモータ、空圧機器、電気基板、電気ケーブル等が多数配設され、それら各種ユニットからは、揮散する物質や、空圧機器からリークするエア等があり、床からパージチャンバを立ち上げて、それら各種ユニットを含めて露光装置全体をパージすると、各種ユニットから揮散する物質や空圧機器からリークするエアにより、パージ空間内が汚染したり酸素濃度の低下するなどの問題があった。
【００１４】
また、更に、防振機構に支持された露光装置本体上にパージチャンバを配設する場合、金属薄板等からなる箱状のパージチャンバが持つパネル振動が、露光装置本体上のステージ位置決め用に使用しているレーザ干渉計の信号に、ノイズとして入り、ステージ位置決め精度に悪影響を及ぼす等の問題があった。
【００１５】
また、露光装置では、ウエハ及びレチクルの搬出入やウエハステージ及びレチクル周囲のメンテナンスを行う必要が有り、かかる空間を部分的に密閉することは困難であった。
【００１６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ウエハ及びレチクル近傍の必要最低限の空間のみを容易にパージすることができ、かつステージ位置決め精度に悪影響を与えることを防止可能なパージ構造を提供することができる露光装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明による露光装置は以下の構成を備える。即ち、
マスクのパターンを投影光学系を介して基板に照射する露光装置であって、
防振機構に支持された構造体と、
当該露光装置で使用する露光光の光路上の少なく一部に配設された隔壁とを備え、
前記構造体と前記隔壁とが弾性体シール部材により連結されて閉空間を形成し、該隔壁内が他の空間から隔離されている。
【００１８】
また、好ましくは、前記隔壁は、前記構造体と異なる防振機構に支持された構造体上に配設されている。
【００１９】
また、好ましくは、前記隔壁内の閉空間内に、ウエハステージ或いはレチクルステージの少なくとも一方が配設されている。
【００２０】
また、好ましくは、前記隔壁内空間に気体を供給する気体供給手段と
を更に備える。
【００２１】
また、好ましくは、前記気体供給手段により供給される気体は、クリーンドライエアあるいは不活性ガスである。
【００２２】
また、好ましくは、前記隔壁と前記気体供給手段との接続部に、弾性体シール部材を使用している。
【００２３】
また、好ましくは、前記隔壁に開閉可能な扉或いは蓋を備える。
【００２４】
また、好ましくは、前記隔壁は、前記閉空間と異なる閉空間を形成する他の隔壁と弾性体シール部材により連結している。
【００２５】
また、好ましくは、前記異なる閉空間を形成する他の隔壁が、独立して配設された防振機構に支持された構造体上に配設されている。
【００２６】
また、好ましくは、上記の異なる閉空間を形成する他の隔壁は、ウエハ搬送系或いはレチクル搬送系の少なくとも一方を被う隔壁である。
【００２７】
また、好ましくは、マスク或いは基板を搭載して移動するステージ装置と、
前記ステージ装置を駆動した際の反力を受けるために、前記防振機構に支持された構造体とは独立して前記隔壁外に配設された反力受け構造体と、
前記ステージ装置と前記反力受け構造体の間で力を発生する力アクチュエータとを更に備え、
前記力アクチュエータが前記隔壁に形成された貫通穴を通して配置され、前記貫通穴と力アクチュエータ間に弾性体シール部材を使用し、隔壁内空間の気密を保つ。
【００２８】
また、好ましくは、前記弾性体シール部材は、薄肉板状体をアコーディオン状にジグザグに折り畳む、或いは変形可能に柔軟な素材よりなる。
【００２９】
また、好ましくは、前記弾性体シール部材は、金属薄膜或いは樹脂、或いはその複合材料によりなる。
【００３０】
また、好ましくは、上記の露光装置を用いて半導体デバイスを製造することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３２】
本発明の露光装置は、以下に説明する実施形態の内容に制限されるものではなく、露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置であれば公知のものに適用される。
【００３３】
また、本発明の露光装置に用いる露光光としての紫外光は、これに制限されるものではないが、従来技術で述べたように、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザ光に対して有効である。
【００３４】
本発明の実施形態について、図１を用いて説明する。
【００３５】
図１は本発明の実施形態の半導体デバイス製造用の露光装置の概略図である。
【００３６】
露光装置本体はチャンバ１に収納され、周囲温度が、例えば、±０．０３℃程度に温調されている。
【００３７】
図１において、本露光装置を構成するその主要な構造体群として、露光装置本体の基礎となるベースフレーム２、被露光物であるレチクルを搭載して移動可能なレチクルステージ３、被露光物であるウエハを搭載して移動可能なウエハステージ４、レチクルを照明光で照明する照明光学系５、レチクルのパターンをウエハに所定の倍率（例えば、４：１）で縮小投影する投影光学系６、投影光学系６を保持する鏡筒定盤７、温度調整されたクリーンドライエアや不活性ガス等の気体（パージガス）を供給する空調機械室８（気体供給機構）を備えている。
【００３８】
投影光学系６は、例えば、特開２００１−２７７２７号公報に開示されている投影光学系と同様にシングルバレル方式の反射屈折型光学系である。投影光学系６は密閉構造であり、内部は温度、湿度が調整された窒素、ヘリウム等の不活性ガスで置換されている。
【００３９】
照明光学系５は、光源を内蔵するか或いは露光装置とは別に床に置かれた不図示の光源装置からビームラインを経て照明光を導入する。そして、各種レンズや絞りによってスリット光を生成して、レチクルステージ３に保持された原版であるレチクルを上方からスリット照明する。この照明光としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等のエキシマレーザ光、ＹＡＧレーザ、金属蒸気レーザ等の高調波あるいはｉ線等の紫外光が挙げられる。また、照明光学系５は、密閉あるいは略密閉構造であり、内部は温度、湿度が調整された窒素、ヘリウム等の不活性ガスで置換されている。
【００４０】
ベースフレーム２は、半導体製造工場のクリーンルームの設置床の上に設置している。ベースフレーム２は、床に対して高い剛性で固定されており、実質的に床と一体もしくは床の延長とみなすことができる。ベースフレーム２は、３本あるいは４本の高剛性の支柱を含み、各々の支柱の上部でアクティブダンパＡ（９）を介して構造体である鏡筒定盤７を鉛直方向に支えている。
【００４１】
アクティブダンパＡ（９）は、空気ばねとダンパとアクチュエータを内蔵した防振機構であり、床からの高周波振動が鏡筒定盤７に伝わらないようにすると共に、鏡筒定盤７の傾きや揺れをアクティブ補償するものである。
【００４２】
投影光学系６を保持する鏡筒定盤７は、さらにレチクル保持フレーム３４を介してレチクルステージ定盤１０も支持している。また、鏡筒定盤７にはレチクルとウエハのアライメント状態を検出するためのアライメント検出器を取付けて、鏡筒定盤７を基準にしてアライメントを行う。
【００４３】
ウエハステージ４は、その上に基板であるウエハを搭載し、不図示の干渉計により位置を計測され、投影光学系６の光軸方向Ｚ、かつＺに垂直なＸＹ方向及び各軸まわりωｘ，ωｙ，ωｚ方向に駆動可能となっている。位置決めのための駆動源としては、リニアモータを採用している。基本的にはＸ方向には直進運動するＸステージとＸリニアモータ、Ｘ方向と直交するＹ方向に移動するＹステージとＹリニアモータによる二次元ステージを有し、この上にＺ方向、チルト（ωＸ、ωＹ）方向、回転方向に移動可能なステージが搭載されている構造となっている。
【００４４】
ウエハステージ４は、ウエハステージ定盤１１によって支えており、ウエハステージ定盤１１が有するＸＹ水平案内面（ガイド面）上を移動する。ウエハステージ定盤１１は、３本（又は４本）の支持足によって、構造体であるステージベース部材１２上に支持している。
【００４５】
ステージベース部材１２は、３つのアクティブダンパＢ（１３）を介して３箇所でベースフレーム２によって鉛直方向に支持している。ステージベース部材１２及びそれに搭載された部材の荷重は、基本的には３つのアクティブダンパＢ（１３）で大半を支えており、アクティブダンパＢ（１３）で受けた荷重は床と実質一体のベースフレーム２でうけている。そのため、実質的にはウエハステージ４の基本的な荷重は、床で支えているのに等しい。アクティブダンパＢ（１３）には、大きな荷重を支えることができる空気ばねを用いている。
【００４６】
また、図２に示すようにステージベース部材１２と空調機械室８の間には、水平方向に推力を発生する力アクチュエータ１４が介在している。この力アクチュエータ１４は、発生する可変の推力によって両者間での力伝達を制御可能になっている。特に、空調機械室８は、ステージ装置を駆動した際の反力を受けるための反力受け構造体として機能する。
【００４７】
ここで、ウエハステージ４の重心高さと水平方向に推力を発生する力アクチュエータ１４の力作用位置の高さは等しくなっている。このため、反力と同一高さに補償力を与えることができるので効果的にウエハステージ４の駆動反力をキャンセルすることができる。本実施形態では、力アクチュエータ１４としては、リニアモータを採用している。
【００４８】
リニアモータを使うことの意義は以下の通りである。
【００４９】
即ち、リニアモータは制御応答性が高く発生力を高速に制御することができる。加えて、リニアモータは固定子と可動子が非接触であり、両者の間はローレンツ力によって力が働く。このため、ローレンツ力によって非接触を保ちながらウエハステージ４の駆動反力をステージベース部材１２から空調機械室８へ伝達することができる一方、非接触であるため振動伝達を遮断する機械的フィルタ機能も備えている。
【００５０】
レチクルステージ３も不図示の干渉計により位置を計測され、投影光学系６の光軸方向Ｚに垂直なＸＹ方向に駆動可能となっている。
【００５１】
照明系５の照明により、レチクルＲのパターン像は投影光学系６を介してウエハステージ４に保持されたウエハＷ上に投影される。この時、ウエハステージ４とレチクルステージ３は投影光学系６の光軸方向に垂直な方向に相対移動される。これにより、ウエハＷ上の所定領域にパターン像が転写される。そして、ウエハＷ上の複数の露光領域に対してステップ・アンド・スキャン方式にて同様の転写動作が繰り返しなされ、ウエハＷ全面にパターンの転写が行われる。
【００５２】
レチクルＲは、レチクル収納部１５に収納されていて、レチクル搬送系１６により搬送される。レチクル収納部１５及びレチクル搬送系１６はチャンバ１内の空間１７に配置されている。レチクルＲは、レチクル搬送系１６によりレチクルアライメント部３５に搬送される。レチクルアライメント部３５は、レチクル保持フレーム３４の上面に固定されていて、レチクルＲをレチクルステージ３に搭載あるいは回収するとともにレチクルＲの位置をアライメントする。
【００５３】
ウエハＷはウエハ収納部２０に収納されていて、ウエハ搬送系２１により搬送される。ウエハ収納部２０及びウエハ搬送系２１はチャンバ内の空間１８に配置されている。ウエハＷはウエハ搬送系２１によりウエハステージ４に搭載あるいは回収する。
【００５４】
次に、本実施形態の投影露光装置のウエハステージ近傍における隔壁及び弾性体シール部材を使用したパージチャンバ構造について、図１乃至図３を用いて説明する。
【００５５】
図２は本発明の実施形態の投影露光装置のパージチャンバの概略構成図である。図３は本発明の実施形態のパージチャンバの概略斜視図である。
【００５６】
尚、本実施形態では、図２に示すように、鏡筒定盤７とステージベース部材１２は、別々に構成されている例を示しているが、例えば、図４に示すような鏡筒定盤７とステージベース部材１２が一体となって構成されている場合にも本発明を適用することができる。
【００５７】
図１乃至図３に示すように、鏡筒定盤７とウエハステージ４の間に、箱状の隔壁Ａ（２３）が設けられている。この隔壁Ａ（２３）はベースフレーム２から支持部材２４により支持されている。この隔壁Ａ（２３）には上下面に開口があり、上側の開口部と相対する鏡筒定盤７の下面との間には帯状の弾性体シール部材２５によって機密的に接合されている。また、上述の力アクチュエータ１４は、障壁Ａ（２３）の側面に形成された貫通穴を通して配置され、この貫通穴と力アクチュエータ間に弾性体シール部材２５０が使用されることで、障壁Ａ（２３）内空間の気密が保たれている。
【００５８】
また、この隔壁Ａ（２３）の下側の開口部と相対するウエハステージ４を支持するステージベース部材１２上面との間にも帯状の弾性体シール部材２６によって気密的に接合されている。弾性体シール部材２５，２６は非常に柔軟であるために、露光装置設置床の振動により揺らされている箱状の隔壁Ａ（２３）の振動が、防振機構であるアクティブダンパＡ（９）及びアクティブダンパＢ（１３）に支持された鏡筒定盤７及びウエハステージ４に伝達することなく隔壁Ａ（２３）内を気密に保持することができる。
【００５９】
この箱状の隔壁Ａ（２３）には、ウエハ搬送系２１が配置されている側にも開口があり、ウエハ搬送系２１を覆っているチャンバＡ（２２）の隔壁Ａ（２３）の開口と相対する部分にある開口との間も帯状の弾性体シール部材２７によって気密に接合されている。このチャンバＡ（２２）は、ウエハ搬送系２１を被う隔壁として機能している。
【００６０】
このウエハステージ４近傍のパージチャンバ空間には、温調された窒素等の不活性ガスがフィルタ２９を介して送風されている。送風されたエアは、空間１８内を通過し、リターン部３０より再び空調機械室８に戻り温調され送風される循環系が構成されている。また、フィルタ２９と隔壁Ａ（２３）との間も帯状の弾性体シール部材２７０によって気密に接合されている。
また、隔壁Ａ（２３）の側面部には、隔壁Ａ（２３）内にあるウエハステージ４等の構成部品のメンテナンスを行うために、内部へアクセスするための開閉可能な扉あるいは蓋１９が構成されている。尚、後述する隔壁Ｂ（３２）にも、同様の扉あるいは蓋が構成されている。
【００６１】
次に、本実施形態の投影露光装置のレチクルステージ３近傍における隔壁及び弾性体シールを使用したパージチャンバ構造について説明する。
【００６２】
図１に示すように、レチクルステージ３を覆うように箱状の隔壁Ｂ（３２）が設けられている。この隔壁Ｂ（３２）はレチクル保持フレーム３４から支持されている。
【００６３】
この箱状の隔壁Ｂ（３２）にはレチクル搬送系１６が配置されている側にも開口があり、レチクル搬送系１６を気密的に覆っているチャンバＢ（３６）の隔壁Ｂ（３２）の開口と相対する部分にある開口との間も帯状の弾性体シール部材２８によって気密に接合されている。また、このチャンバＢ（３６）は、レチクル搬送系１６を被う隔壁として機能している。
【００６４】
弾性体シール部材２８は、非常に柔軟であるために、露光装置設置床の振動により揺らされているレチクル搬送系１６のチャンバの振動が、アクティブダンパＡ（９）に支持された鏡筒定盤７及びレチクルステージ３に伝達することなく隔壁内Ｂ（３２）を気密に保持することができる。
【００６５】
このレチクルステージ３近傍のパージチャンバ空間には、温調された窒素等の不活性ガスがフィルタ３３を介して送風されている。
【００６６】
以上の構成により、照明光学系５からレチクルを通して投影光学系６までの露光光の光路及び投影光学系６からウエハまでの露光光の光路が、ＡｒＦエキシマレーザ、フッ素（Ｆ２）エキシマレーザ等の遠紫外光に対しても高い透過率をもつ窒素等の不活性ガスにより置換されている。
【００６７】
従って、照明光が高い透過率でウエハ表面に到達するので、露光時間を短縮でき、露光工程のスループットが向上する。
【００６８】
そして、アクティブダンパＡ（９）及びアクティブダンパＢ（１３）に支持された鏡筒定盤７及びウエハステージ４は、パージチャンバと弾性体シールで接続されているため、パージチャンバの振動を伝達することも無い。
【００６９】
さらに、各パージチャンバ外にて各種ユニットのモータ、空圧機器類、電気基板、電気ケーブル等を構成することにより、それら各種ユニットを閉空間内から隔離することが可能である。このことにより、各種ユニットから揮散する物質や、空圧機器からリークするエア等が酸素濃度を低下させる問題を解決できる。
【００７０】
尚、上記の弾性体シール部材２５〜２８、２５０及び２７０は、薄肉板状体をアコーディオン状にジグザグに折り畳む、或いは変形可能に柔軟な素材より構成されている。この素材以外に、弾性体シール部材２５〜２８、２５０及び２７０は、金属薄膜或いは樹脂、或いはその複合材料により構成されている。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態によれば、防振機構（アクティブダンパＡ（９）やアクティブダンパＢ（１３））に支持された露光装置本体を構成する構造体と、それとは独立して配設された隔壁（隔壁Ａ（２３）や隔壁Ｂ（３２））を備え、構造体と隔壁とが弾性体シール部材（２５〜２８、２５０及び２７０）により連結されて、閉空間を形成し、隔壁内と他の空間が隔離されるように構成している。
【００７２】
これにより、独立して配置された隔壁の振動が弾性体シール部材により遮断され、構造体に伝達することなく閉空間を構成し内部をパージガスで置換することが可能となる。従って、ステージ位置決め精度に悪影響を及ぼすことを防止してスループットを向上することができるとともに、露光処理に係る空間を部分的に密封してウエハ上に高精度なパターンを焼き付けることができる。
【００７３】
また、構造体上の弾性体シール部材のシール面は任意に決定できるため、シール面外に構造体上にある各種ユニットのモータ、空圧機器類、電気基板、電気ケーブル等を構成することにより、それら各種ユニットを閉空間内から隔離することが可能である。このことにより、各種ユニットから揮散する物質や、空圧機器からリークするエア等が酸素濃度を低下させることがなく、照度が低下したりすることがなくなる。従って、スループットを向上することができるとともに、ウエハ上に高精度なパターンを焼き付けることができる。
【００７４】
［露光装置の応用例］
次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
【００７５】
図５は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示すフローチャートである。
【００７６】
ステップ１（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク作製）では、設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
【００７７】
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７で、これを出荷する。
【００７８】
図６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示すフローチャートである。
【００７９】
ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記の露光装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ウエハ及びレチクル近傍の必要最低限の空間のみを容易にパージすることができ、かつステージ位置決め精度に悪影響を防止可能なパージ構造を提供することができる露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の半導体デバイス製造用の露光装置の概略図である。
【図２】本発明の実施形態の投影露光装置のパージチャンバの概略構成図である。
【図３】本発明の実施形態のパージチャンバの概略斜視図である。
【図４】本発明の実施形態の投影露光装置のパージチャンバの変形例の概略構成図である。
【図５】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローチャートである。
【図６】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローチャートである。
【符号の説明】
１ チャンバ
２ ベースフレーム
３ レチクルステージ
４ ウエハステージ
５ 照明系
６ 投影光学系
７ 鏡筒定盤
８ 空調機械室
９ アクティブダンパＡ
１０ レチクルステージ定盤
１１ ウエハステージ定盤
１２ ステージベース部材
１３ アクティブダンパＢ
１４ 力アクチュエータ
１５ レチクル収納部
１６ レチクル搬送系
１７、１８ 空間
１９ 扉
２０ ウエハ収納部
２１ ウエハ搬送系
２２ チャンバＡ
２３ 隔壁Ａ
２４ 支持部材
２５、２６、２７、２８ 弾性体シール部材
２９ フィルタ
３０ リターン部
３２ 隔壁Ｂ
３３ フィルタ
３４ レチクル保持フレーム
３５ レチクルアライメント部
３６ チャンバＢ
Claims (14)
- マスクのパターンを投影光学系を介して基板に照射する露光装置であって、
防振機構に支持された構造体と、
当該露光装置で使用する露光光の光路上の少なく一部に配設された隔壁とを備え、
前記構造体と前記隔壁とが弾性体シール部材により連結されて閉空間を形成し、該隔壁内が他の空間から隔離されている
ことを特徴とする露光装置。 - 前記隔壁は、前記構造体と異なる防振機構に支持された構造体上に配設されている
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 前記隔壁内の閉空間内に、ウエハステージ或いはレチクルステージの少なくとも一方が配設されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。 - 前記隔壁内空間に気体を供給する気体供給手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記気体供給手段により供給される気体は、クリーンドライエアあるいは不活性ガスである
ことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。 - 前記隔壁と前記気体供給手段との接続部に、弾性体シール部材を使用している
ことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。 - 前記隔壁に開閉可能な扉或いは蓋を備える
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記隔壁は、前記閉空間と異なる閉空間を形成する他の隔壁と弾性体シール部材により連結している
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記異なる閉空間を形成する他の隔壁が、独立して配設された防振機構に支持された構造体上に配設されている
ことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。 - 請求項８又は９に記載の異なる閉空間を形成する他の隔壁は、ウエハ搬送系或いはレチクル搬送系の少なくとも一方を被う隔壁である
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の露光装置。 - マスク或いは基板を搭載して移動するステージ装置と、
前記ステージ装置を駆動した際の反力を受けるために、前記防振機構に支持された構造体とは独立して前記隔壁外に配設された反力受け構造体と、
前記ステージ装置と前記反力受け構造体の間で力を発生する力アクチュエータとを更に備え、
前記力アクチュエータが前記隔壁に形成された貫通穴を通して配置され、前記貫通穴と力アクチュエータ間に弾性体シール部材を使用し、隔壁内空間の気密を保つ
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記弾性体シール部材は、薄肉板状体をアコーディオン状にジグザグに折り畳む、或いは変形可能に柔軟な素材よりなる
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記弾性体シール部材は、金属薄膜或いは樹脂、或いはその複合材料によりなる
ことを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。 - 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて半導体デバイスを製造することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002270554A JP3977214B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 露光装置 |
| US10/658,207 US6885431B2 (en) | 2002-09-17 | 2003-09-10 | Exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device using the same |
| KR1020030064129A KR100550138B1 (ko) | 2002-09-17 | 2003-09-16 | 노광장치 및 이를 사용한 반도체 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002270554A JP3977214B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004111567A true JP2004111567A (ja) | 2004-04-08 |
| JP3977214B2 JP3977214B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=31986860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002270554A Expired - Fee Related JP3977214B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6885431B2 (ja) |
| JP (1) | JP3977214B2 (ja) |
| KR (1) | KR100550138B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038887A1 (ja) * | 2003-10-21 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 環境制御装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、露光装置 |
| JP2010506418A (ja) * | 2006-10-12 | 2010-02-25 | ヴィステック・リソグラフィー・インコーポレーテッド | 電子ビームリソグラフィ機械のステージ運動反動力の減少 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4440031B2 (ja) | 2004-07-29 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7096752B1 (en) * | 2004-11-02 | 2006-08-29 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Environmental damage reduction |
| US7292317B2 (en) * | 2005-06-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing substrate stage compensating |
| KR100877150B1 (ko) * | 2007-04-05 | 2009-01-09 | 주식회사 에스에프에이 | 레이저 가공 시스템 및 레이저 가공 방법 |
| JP5188135B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP5618261B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-11-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US9341942B2 (en) * | 2010-08-24 | 2016-05-17 | Nikon Research Corporation Of America | Vacuum chamber assembly for supporting a workpiece |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP3306961B2 (ja) | 1993-03-08 | 2002-07-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
| US6341006B1 (en) * | 1995-04-07 | 2002-01-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP3473649B2 (ja) | 1995-04-07 | 2003-12-08 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JP3337906B2 (ja) * | 1996-04-02 | 2002-10-28 | キヤノン株式会社 | 空圧式振動絶縁除去装置、投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法 |
| JP3554186B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2004-08-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法および反力受け方法 |
| JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
| US6621556B2 (en) * | 2000-02-28 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof |
| US6493065B2 (en) * | 2000-05-30 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment system and alignment method in exposure apparatus |
| JP2001358056A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP4466811B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6529260B2 (en) * | 2001-05-03 | 2003-03-04 | Nikon Corporation | Lifting support assembly for an exposure apparatus |
-
2002
- 2002-09-17 JP JP2002270554A patent/JP3977214B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-10 US US10/658,207 patent/US6885431B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-16 KR KR1020030064129A patent/KR100550138B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038887A1 (ja) * | 2003-10-21 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 環境制御装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、露光装置 |
| JPWO2005038887A1 (ja) * | 2003-10-21 | 2007-02-01 | 株式会社ニコン | 環境制御装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、露光装置 |
| JP2010506418A (ja) * | 2006-10-12 | 2010-02-25 | ヴィステック・リソグラフィー・インコーポレーテッド | 電子ビームリソグラフィ機械のステージ運動反動力の減少 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3977214B2 (ja) | 2007-09-19 |
| KR100550138B1 (ko) | 2006-02-08 |
| US20040057031A1 (en) | 2004-03-25 |
| US6885431B2 (en) | 2005-04-26 |
| KR20040025591A (ko) | 2004-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100695988B1 (ko) | 리소그래피 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템 | |
| US7416574B2 (en) | Filter apparatus, exposure apparatus, and device-producing method | |
| JP3913976B2 (ja) | リソグラフ投影装置に用いる洗浄ガスシステム | |
| US7288859B2 (en) | Wafer stage operable in a vacuum environment | |
| KR20030011296A (ko) | 노광장치 및 기판처리 시스템 및 디바이스 제조방법 | |
| KR20020020646A (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JPWO2008090975A1 (ja) | 支持構造体及び露光装置 | |
| EP1975980A1 (en) | Exposure device and fabrication method thereof | |
| US20080160895A1 (en) | Atmosphere control apparatus, device-manufacturing apparatus, device-manufacturing method, and exposure apparatus | |
| KR20020036951A (ko) | 노광방법 및 장치 | |
| JPWO2002101804A1 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置 | |
| KR20020036952A (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법, 그리고 노광장치의환경제어방법 | |
| JP3977214B2 (ja) | 露光装置 | |
| US20090033901A1 (en) | Driving apparatus and exposure apparatus using the same and device manufacturing method | |
| US6914663B2 (en) | Exposure apparatus | |
| JP2006287158A (ja) | 気体供給装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
| JP2006287160A (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2006134944A (ja) | 露光装置 | |
| JPWO2003054936A1 (ja) | ガスパージ方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| US20050093502A1 (en) | Stage with isolated actuators for low vacuum environment | |
| JP4496730B2 (ja) | 露光装置の梱包方法およびその方法で梱包される露光装置、並びにその露光装置の梱包構造 | |
| JPWO2002093626A1 (ja) | 露光方法及び装置、並びに基板の搬送方法及び装置 | |
| JP2000195779A (ja) | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JP2001189268A (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2002260998A (ja) | 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050907 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070501 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070611 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070620 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |