JP2004110334A - メモリ制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電源監視部15でメモリ8及びメモリコントローラ11に動作電力を供給する主電源10の出力変動を監視し、判定部16が主電源10の出力電圧が保護開始電圧Vcc1に低下したと判定すると、切替え部13がメモリ8及びメモリコントローラ11の動作電力を保護電源14からの供給に切り替え、保護電源14からの供給電圧が更に動作限界電圧Vcc2に低下するまでの時間T内に、コントローラ11及びリセット部7がメモリ8のデータを保護した状態に制御する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ファクシミリ装置、複写機、プリンタ装置、これらの複合機などと言った電子機器に用いられる読み出し書き込み可能メモリの制御装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器にはユーザデータ、システムデータ、プログラムデータなどを言った種々なデータを読み出し書き込み可能に保持するために、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SDRAM(Synchronous DRAM)、SRAM(Static RAM)などの揮発性メモリや、EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられている。
【0003】
これらのメモリはメモリコントローラによってデータの読み出しや書き込みが制御され、これらメモリやメモリコントローラには電子機器に備えられた主電源から動作電力が供給されている。
【0004】
ここで、この主電源は商用電力を電圧変換や直流変換などして電子機器の各機能部に供給するが、商用電力を得るためのコンセントフラグの脱落や停電などによって電源がダウンしてしまう事態が発生すると、例えば、メモリアクセスが正常終了しないままに中断されて、システムデータやプログラムデータが破壊されて電子機器が動作不能なハング状態に陥ってしまったり、ファクシミリ送信やプリントすべきユーザデータが破壊されてしまったり、ファクシミリ送信先として登録した電話番号などのユーザデータが破壊されてしまうと言った問題を生じてしまう。
【0005】
このような問題に対して、従来では次のような提案がなされている。
主電源がオフの時は、SRAMのCS端子を信号線から切り離してアクセス禁止の状態として誤動作を防止することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、主電源からの電力供給がオフとなると副電源からの電力供給を開始し、この副電源からの電力で揮発性メモリ(DRAM)に記憶されたいた画像データを不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)に転送して記憶させた後、副電源からの電力供給を停止させることが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
また、電源のオフを検出して、SDRAMをセルフリフレッシュ状態として、電源のオンを検出するまでの間はアクセス禁止の動作停止状態とすることが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開平06―095973号公報
【特許文献2】
特開2002―007000号公報
【特許文献3】
特開2002―108725号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記提案も含めて従来の手法にあっては、主電源がダウンしてしまったことをことに基づいて、メモリのデータを保護する処置を行うものであり、この処置の動作を確実に行えることを保証できるものではなかった。特に、メモリコントローラがコマンドを発行して必要な制御を行った後に、メモリをアクセス禁止の状態とするタイプのデバイスでは、この制御処理を主電源がダウンした後に確実に行うことは難しい。
【0008】
すなわち、ダウンしてしまった主電源を副電源に切替えるもの以外では、図9に示すように、主電源90からメモリやメモリコントローラ91への電力供給経路に寄生する容量92が蓄えている電荷によって上記の処置動作を行うが、このような不確実な寄生容量の電圧では確実に処置を実行できるとは言えない。また、副電源に切替えて処置動作を行うものであっても、主電源がダウンしてしまってから切替え動作を行うものであるため、副電源への切替え自体が確実に実行できるとは言えない。
【0009】
本発明は、上記従来の事情に鑑みなされたもので、主電源のダウンに対してメモリのデータ保護を確実に実施することを目的としている。
なお、本発明の更なる目的は以下の説明において明らかなところである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、読み出し書き込み可能メモリ及び当該メモリの動作を制御するメモリコントローラに動作電力を供給する主電源の出力変動を監視し、主電源の出力電圧が予め設定した保護開始電圧に低下したことに応じて、メモリ及びメモリコントローラに供給される電圧の低下を遅延させ、メモリ及びメモリコントローラに供給される電圧が保護開始電圧より低い動作限界電圧まで低下する間に、メモリのデータを保護した状態に制御するものである。
【0011】
このメモリ及びメモリコントローラに供給される電圧低下の遅延は、例えば、主電源を保護用の副電源(バッテリ)に切替える、主電源からメモリ及びメモリコントローラへの電力供給経路の設けた電圧安定化回路の昇圧機能を利用する、主電源からの電力供給経路に対してメモリ及びメモリコントローラへ以外の電力負荷を切り離すことにより行うことができる。そして、この遅延にとって主電源の出力電圧が動作限界電圧まで下がってしまうより長い時間を確保して、当該時間内でメモリのデータを保護した状態に制御する。
また、メモリのデータを保護した状態は、例えば、メモリをデータを正常に保持して外部アクセスを禁止した状態や、メモリのデータを他の不揮発性メモリにコピー退避させた状態である。
【0012】
すなわち、保護開始電圧は主電源がダウンしてしまう前兆という意味もあり、上記切替えや切離し動作などを主電源が完全にダウンしてしまう前に確実に行い、そして、切替えられた保護用電源によってメモリ及びメモリコントローラへの供給電圧が動作限界電圧に低下してしまうまでの時間を遅延させ、この遅延によって引き延ばされた時間内にメモリに対する保護処置の制御を完了する。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
図1には第1実施例に係るメモリ制御装置の構成を示し、図2には本実施例を適用したファクシミリ装置の構成を示し、図3には本実施例を適用したSDRAM及びそのコントローラを示してある。
【0014】
まず、本例に係るファクシミリ装置は、図2に示すように、送信する画像データを読み込むスキャナー部1、受信したデータの画像を印刷出力するプリンタ部2、ユーザからのボタン操作の受付や必要な情報の表示を行うユーザーインタフェース部3、モデムなどによるデータのファクシミリ送受信を制御する通信制御部4、送受信するデータの処理や装置全体の処理を統括制御するシステム制御部5を有している。
【0015】
システム制御部5は、制御処理を行うCPU(プロセッサ)6、制御プログラムやシステムデータなどを記憶したROM(メモリ)7、プロセッサ6へ作業領域を提供するとともにデータを書き込み読み出し可能に保持するRAM(メモリ)8、特定用途用のIC(ASIC)9などを有している。
ここで、本例では、送受信データや電話番号データなどのユーザデータやシステム制御用の制御データなどを保持するRAM8に対する保護処理制御を行って、当該ファクシミリ装置に備えられた主電源(図2には、図示せず)がダウンした場合でも、RAM8に保持されているデータを保護するものとして説明する。
【0016】
本例のファクシミリ装置では、メモリ(RAM)8に対する制御のために、図1に示すようなメモリ制御装置が設けられている。
主電源10は、外部からの商用電力(AC)をトランスなどによって規定電圧のDC電力として、メモリ8を初めとしたファクシミリ装置の各機能部に供給する。
メモリコントローラ11は、公知のようにメモリ8に対する読み出し書き込みといったアクセスを制御する他、メモリ8に対する保護処理制御を行うための保護設定機能12を有している。
【0017】
主電源10からメモリ8及びメモリコントローラ11に至る電力供給経路には切替え部13が設けられており、この切替え部13には主電源10と分岐した経路で保護用の副電源14が接続されている。
すなわち、切替え部13によって、メモリ8及びメモリコントローラ11への電力供給を主電源10からと保護用電源14からとに切替えることができる。
なお、揮発性のメモリ8には、公知のように装置の電源をオフにしてもデータを保持し続けるための電力を供給する充電式又は非充電式の電池19が付設されている。
【0018】
ここで、保護用電源14は主電源10がダウンした場合に少なくとも後述する時間Tは保護処理制御を行える所定電圧(動作限界電圧)以上の電力をメモリ8やメモリコントローラ11へ供給できる能力を持った充電式の電池、非充電式の電池、太陽電池などでこうせいされる。
なお、主電源10による装置動作中に、必要な電荷電圧を蓄積するコンデンサを設けて、これを切替え部13の切替えによって用いる保護用電源14とすることもできる。
【0019】
主電源10には電源監視部15が付設されており、この電源監視部15は主電源10からの出力電力の変動を常時監視する。この電源監視は、主電源10のトランスの一次側(商用電力側)又は二次側(機器の内部側)の電圧又はサイクル数をの変化を検出することにより行うことができる。
【0020】
電源監視部15には判定部16が接続されており、この判定部16は電源監視部15よる検出値に基づいて、主電源10からの出力電圧が正常値から上記保護処理制御を開始すべき所定の電圧(保護開始電圧)に低下したか否かを判定し、保護開始電圧まで低下したしたところでメモリコントローラ11に対して保護処理制御の開始信号(Power−Fail)を出力し、これとともに、切替え部13に対してメモリ8及びメモリコントローラ11に対する電力供給を主電源10から保護電源14に切替えさせる指示信号を出力する。
【0021】
また、保護電源14からの出力電力の変動を常時監視するリセット部17が設けられており、保護電源14からの出力電圧が保護開始電圧より低い予め設定した上記動作限界電圧に低下したしたところでメモリコントローラ11に対してメモリ8を外部からのアクセスを禁止した状態にさせる信号(RESET)を出力する。
なお、例えば、図3に示すように、主電源10からの正常な供給電圧(Vcc)に対して、これより低い保護開始電圧(Vcc1)を検知するリセットICで判定部16を構成し、更にこれより低い動作限界電圧(Vcc2)を検知するリセットICでリセット部17を構成することにより、上記Power−Fail信号及びRESET信号の出力を行うことができる。
【0022】
したがって、本例のメモリ制御装置では、主電源10からの出力が保護開始電圧に低下したところで、保護電源14からの電力によりメモリコントローラ11にメモリ8に対する保護処理制御を開始させ、この保護電源14からの出力が更に動作限界電圧にまで低下する間(時間T)に、メモリコントローラ11に当該保護処理制御を終了させて、メモリ8を外部がアクセスされた状態とし、電池19からバックアップ電力を供給した休止状態とする。
すなわち、保護設定機能12を含むメモリコントローラ11及びリセット部17により、メモリ8のデータを保護した状態に制御する制御部が構成されている。
【0023】
具体的には、例えば図4に示すように、メモリ8としてSDRAMを用いている場合には、メモリコントローラ11がSDRAM8にセルフリフレッシュコマンドを発行する制御を行って当該コマンドを発行した後に、CKE端子への入力信号を固定する制御を行って当該CKE端子への入力信号を固定して外部アクセス禁止状態とする。なお、図中の18は装置全体の制御を行うシステムコントローラである。
【0024】
また、メモリ8としてSRAMを用いている場合には、CS端子の入力信号を固定する制御を行ってCS端子の入力信号を固定して当該外部アクセス禁止状態とする。
なお、この保護処理制御はメモリに用いるデバイスに応じて設定されるものであり、要は、供給メモリを正常にデータ保持した状態で外部アクセスを禁止した休止状態(保持モード)に制御すればよい。
【0025】
次に、上記の保護処理制御について、更に詳細に説明する。
上記の主電源10からの出力電圧(Vcc)、保護電源14からの出力電圧(B)、判定部16から出力されるPower−Fail信号(C)、リセット部17から出力されるRESET信号(D)は、図5(但し、横軸は時間)に示すような関係にある。
【0026】
すなわち、主電源10の出力電圧(A)がメモリ8、メモリコントローラ11、切替え部13、電源監視部15、判定部16などと言った制御に係わる機能部が動作できなくなってしまうまで低下していない保護開始電圧(Vcc1)となったところで、Power−Fail信号(C)を発するとともに、切替え部13により主電源10から保護電源14への切り替えをする。そして、それ以後の制御に係る少なくともメモリ8、メモリコントローラ11、リセット部に保護電源14から動作電力を供給し、メモリコントローラ11にメモリ8に対する保護処理制御を行わせる。
【0027】
メモリコントローラ11は、保護電源14の出力電圧(B)が動作限界電圧(Vcc2)にまで低下するまでの間に(すなわち、時間Tの内に)、保護処理制御を終了し、保護電源14の出力電圧(B)が動作限界電圧(Vcc2)となったところで、リセット部17がRESET信号(D)を発して、メモリを外部アクセスが禁止された状態にする。
したがって、主電源10がダウンしてメモリ8やメモリコントローラ11が動作し得ない程に電圧が低下してしまう前に、保護用電源14に切替えることによって時間Tを遅延させて長期化し、この時間T内で保護処理制御を確実に行わせている。
【0028】
図6には、制御処理の中心的な役割を果たすメモリコントローラ11による制御処理手順を示してある。
主電源10からの電力供給が保護開始電圧に低下したことに基づくPower−Fail信号の入力を常時判定し(ステップS1)、当該信号の入力があったときには、その時点でメモリ8に対する読み出しや書き込みといったアクセスがなされているかを判定する(ステップS2)。この結果、アクセス中であれば終了を待って、上記のように切替えられた保護電源14からの電力によって保護設定機能12がメモリ8に対する保護処理制御を行い(ステップS3)、RESET信号に応じてメモリ8を外部アクセス禁止の状態とする(ステップS4)。
【0029】
図7には、本発明の第2実施例に係るメモリ制御装置の構成を示してある。なお、第1実施例と同一部には同一符号を付して、重複する説明は省略する。
本例は、主電源10からの供給電力電圧を規定値に安定化させるDC/DCコンバータ21を利用して、切替え部13や保護電源14を用いることなく、第1実施例と同様に、主電源10の異常な電圧低下に対して保護処理制御を実現するものである。
【0030】
公知のように電圧安定化回路12は電圧の変動を抑えるために入力電圧を昇圧して一定電圧にする昇圧機能を有しており、本例では、主電源10からメモリ8及びメモリコントローラ11に至る電力供給経路に電圧安定化回路としてのDC/DCコンバータ21を設けてある。
また、本例では、リセット部17はDC/DCコンバータ21の出力電圧が動作限界電圧ところでRESET信号をメモリコントローラ11に出力する。
【0031】
すなわち、主電源10の出力電圧が低下した場合でも、DC/DCコンバータ21の昇圧機能によってメモリ8及びメモリコントローラ11に供給される電圧の低下を遅延させることができ、これによって、動作限界電圧にまで低下する間に保護処理制御を完了するための時間Tを確保している。
【0032】
したがって、本例においては、主電源10の出力電圧が保護開始電圧まで低下したところでP ower−Fail信号がメモリコントローラ11に入力され、その後は、DC/DCコンバータ21の昇圧機能によってメモリ8及びメモリコントローラ11への供給電圧を時間Tの間は動作限界電圧以上に維持し、その後に、RESET信号によってメモリを外部アクセス禁止状態にする。
【0033】
図8には、本発明の第3実施例に係るメモリ制御装置の構成を示してある。なお、第1実施例と同一部には同一符号を付して、重複する説明は省略する。
本例は、主電源10の出力電力の供給経路に存在する寄生容量の蓄積電荷を積極的に利用して、保護電源14を用いることなく、第1実施例と同様に、主電源10の異常な電圧低下に対して保護処理制御を実現するものである。
【0034】
公知のように基板配線などからなる電力供給経路には寄生容量が形成されて電荷が蓄積されるが、この蓄積電荷による電力は主電源10がオフとなると、当該電力供給経路に接続されている様々な電気回路部によって急速に消費される。本例では、電気負荷23となるこれら電気回路部を負荷切離し部24により主電源10からの電力供給経路から切り離すことによって、メモリ8及びメモリコントローラ11に供給する電力の電圧低下を遅延させるようにしている。
【0035】
このために、主電源10からの電力供給経路にPower−Fail信号に応じて動作する負荷切離し部24を設け、メモリ8及びメモリコントローラ11などの保護処理制御に係る機能部を除く電気負荷23負荷切離し部24を介して当該電力供給経路に接続してあり、Power−Fail信号に入力によって負荷切離し部24が当該電力供給経路から電気負荷23を切り離すようにしてある。
また、本例では、リセット部17は主電源10からの電力供給経路の電圧が動作限界電圧ところでRESET信号をメモリコントローラ11に出力する。
【0036】
すなわち、主電源10の出力電圧が低下した場合でも、電力供給経路に蓄積された電荷でメモリ8及びメモリコントローラ11に供給される電圧の低下を遅延させることができ、これによって、動作限界電圧にまで低下する間に保護処理制御を完了するための時間Tを確保している。
【0037】
したがって、本例においては、主電源10の出力電圧が保護開始電圧まで低下したところでPower−Fail信号がメモリコントローラ11及び負荷切離し部24に入力され、その後は、電力供給経路の蓄積電荷によってメモリ8及びメモリコントローラ11への供給電圧を時間Tの間は動作限界電圧以上に維持し、その後に、RESET信号によってメモリを外部アクセス禁止状態にする。
【0038】
上記の実施例では、DRAMやSRAMと言った揮発性メモリの保護処理制御について説明したが、本発明は、EEPROMやフラッシュメモリと言った不揮発性メモリの保護処理制御についての同様に適用することができ、主電源10の以上を保護開始電圧によって逸早く判定し、動作限界電圧にまで低下する時間Tを遅延させて、この時間T内に不揮発性メモリを外部アクセス禁止状態にするための処理制御を実行するようにすればよい。
また、本発明における保護処理制御では、メモリ8に記憶されたデータを他の不揮発性メモリにコピーして退避させるようにしてもよい。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、主電源のダウンを逸早く判定してメモリに対する保護処理制御を実行するようにしたため、主電源のダウンに対してメモリのデータ保護を確実に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係るメモリ制御装置の構成図である。
【図2】本発明を適用したファクシミリ装置の一例を示す構成図である。
【図3】電圧低下を検知する方法の一例を説明する図である。
【図4】SDRAM及びそのコントローラの接続関係の一例を示す図である。
【図5】電圧及び信号の関係を説明する図である。
【図6】メモリコントローラの処理手順の一例を示す図である。
【図7】本発明の第2実施例に係るメモリ制御装置の構成図である。
【図8】本発明の第3実施例に係るメモリ制御装置の構成図である。
【図9】従来の処置動作を説明する図である。
【符号の説明】
8:メモリ、 10:主電源、
11:メモリコントローラ、 12:保護設定機能部、
13:切替え部、 14:保護電源、
15:電源監視部、 16:判定部、
17:リセット部、 21:DC/DCコンバータ、
23:電気負荷、 24:負荷切離し部、
Vcc1:保護開始電圧、 Vcc2:動作限界電圧、
T:遅延された時間、
Claims (4)
- 読み出し書き込み可能メモリ及び当該メモリの動作を制御するメモリコントローラに供給される電力の低下を遅延させて当該メモリを正常終了させるメモリ制御装置であって、
前記メモリ及びメモリコントローラに動作電力を供給する主電源の出力変動を監視する電源監視部と、
前記主電源の出力電圧が予め設定した保護開始電圧に低下したことを判定する判定部と、
前記保護開始電圧に低下したことに応じて、前記メモリ及びメモリコントローラの動作電力を保護用電源からの供給に切り替える切替え部と、
前記メモリ及びメモリコントローラに供給される電圧が前記保護開始電圧より低い動作限界電圧に低下するまでの間に、前記メモリのデータを保護した状態に制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。 - 読み出し書き込み可能メモリ及び当該メモリの動作を制御するメモリコントローラに供給される電力の低下を遅延させて当該メモリを正常終了させるメモリ制御装置であって、
主電源から前記メモリ及びメモリコントローラへの動作電力の供給経路に設けられた電圧安定化部と、
前記主電源の出力変動を監視する電源監視部と、
前記主電源の出力電圧が予め設定した保護開始電圧に低下したことを判定する判定部と、
前記保護開始電圧に低下したことに応じて、前記電圧安定化部の昇圧機能によって保持される前記メモリ及びメモリコントローラへの供給電圧が前記保護開始電圧より低い動作限界電圧に低下するまでの間に、前記メモリのデータを保護した状態に制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。 - 読み出し書き込み可能メモリ及び当該メモリの動作を制御するメモリコントローラに供給される電力の低下を遅延させて当該メモリを正常終了させるメモリ制御装置であって、
前記メモリ及びメモリコントローラに動作電力を供給する主電源の出力変動を監視する電源監視部と、
前記主電源の出力電圧が予め設定した保護開始電圧に低下したことを判定する判定部と、
前記保護開始電圧に低下したことに応じて、前記メモリ及びメモリコントローラを除いて前記主電源接続される電力負荷を電力供給経路から切り離す負荷切離し部と、
前記メモリ及びメモリコントローラへの供給電圧が前記保護開始電圧より低い動作限界電圧に低下するまでの間に、前記メモリのデータを保護した状態に制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。 - 読み出し書き込み可能メモリ及び当該メモリの動作を制御するメモリコントローラに動作電力を供給する主電源の出力変動を監視し、
前記主電源の出力電圧が予め設定した保護開始電圧に低下したことに応じて、前記メモリ及びメモリコントローラに供給される電圧の低下を遅延させ、
前記メモリ及びメモリコントローラに供給される電圧が前記保護開始電圧より低い動作限界電圧まで低下する間に、前記メモリのデータを保護した状態に制御することを特徴とするメモリ制御方法。
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