JP2004096132A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004096132A5 JP2004096132A5 JP2003402312A JP2003402312A JP2004096132A5 JP 2004096132 A5 JP2004096132 A5 JP 2004096132A5 JP 2003402312 A JP2003402312 A JP 2003402312A JP 2003402312 A JP2003402312 A JP 2003402312A JP 2004096132 A5 JP2004096132 A5 JP 2004096132A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- quantum well
- well active
- active layer
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 10
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003402312A JP4127394B2 (ja) | 1999-08-31 | 2003-12-01 | 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置並びに光学式情報再生装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24679199 | 1999-08-31 | ||
| JP2003402312A JP4127394B2 (ja) | 1999-08-31 | 2003-12-01 | 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置並びに光学式情報再生装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000171342A Division JP3511372B2 (ja) | 1999-08-31 | 2000-06-07 | 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004096132A JP2004096132A (ja) | 2004-03-25 |
| JP2004096132A5 true JP2004096132A5 (enExample) | 2007-07-19 |
| JP4127394B2 JP4127394B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=32071413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003402312A Expired - Fee Related JP4127394B2 (ja) | 1999-08-31 | 2003-12-01 | 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置並びに光学式情報再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4127394B2 (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006134975A (ja) | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置 |
| JP5349737B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2013-11-20 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| KR101283233B1 (ko) | 2007-06-25 | 2013-07-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP2024123607A (ja) * | 2023-03-01 | 2024-09-12 | 国立大学法人 東京大学 | サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置。 |
-
2003
- 2003-12-01 JP JP2003402312A patent/JP4127394B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wong et al. | Continuous-wave InGaN multiple-quantum-well laser diodes on copper substrates | |
| CN101771120B (zh) | 半导体发光元件 | |
| JP4014557B2 (ja) | デュアルドーパント接触層を有する発光ダイオード | |
| JP5186436B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| CN100499190C (zh) | 半导体器件 | |
| US8232560B2 (en) | Light-emitting diode in semiconductor material | |
| US6531408B2 (en) | Method for growing ZnO based oxide semiconductor layer and method for manufacturing semiconductor light emitting device using the same | |
| WO2003043097A1 (en) | Ultraviolet emitting device | |
| JP2002084040A (ja) | 窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置およびピックアップ装置 | |
| TW200939519A (en) | Light emitting diode of III-nitride based semiconductor | |
| JPH0621511A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004087908A (ja) | 窒化物半導体発光素子、その製造方法、それを搭載した光学装置 | |
| Wuu et al. | GaN/mirror/Si light-emitting diodes for vertical current injection by laser lift-off and wafer bonding techniques | |
| JP5257967B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| WO2007138656A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP2004096132A5 (enExample) | ||
| Tadatomo et al. | High output power near-ultraviolet and violet light-emitting diodes fabricated on patterned sapphire substrates using metalorganic vapor phase epitaxy | |
| JP4334129B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置 | |
| JP3796065B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2001148540A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2013102182A (ja) | 半導体光素子 | |
| JP2002026459A (ja) | 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置 | |
| KR100693407B1 (ko) | ｐ형 산화아연 반도체를 이용한 산화아연 단파장 발광소자 제작방법 | |
| JPWO2008117788A1 (ja) | 発光素子 | |
| JP2004128107A (ja) | 光半導体素子 |