JP2004091233A5 - - Google Patents
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- 第１原料として金属ハロゲン化物、第２原料としてチオアミド化合物を用い、前記金属ハロゲン化物および前記チオアミド化合物を気化させ、３７５〜４２５℃に加熱した成膜部で反応させることにより、基材上に金属硫化物の薄膜を形成することを特徴とする金属硫化物薄膜の製造方法。
- 金属ハロゲン化物およびチオアミド化合物を気化させ、成膜部で加熱して反応させることにより、チオアミド化合物からトリアジン化合物を生成すると同時に、基材上に金属硫化物の薄膜を形成することを特徴とする金属硫化物薄膜の製造方法。
- ３７５〜４２５℃に加熱した成膜部で反応させることにより、金属硫化物の薄膜を形成することを特徴とする請求項２に記載の金属硫化物薄膜の製造方法。
- 前記チオアミド化合物がチオアセトアミドであり、加熱下において前記チオアセトアミドからトリメチルトリアジンが生成し、その過程で単体の硫黄が同時に生成することを特徴とする請求項２または３に記載の金属硫化物薄膜の製造方法。
- 下式：
- 前記金属ハロゲン化物がハロゲン化鉄であり、前記金属硫化物がパイライトＦｅＳ 2 である請求項１〜５のいずれか１に記載の製造方法。
- 請求項１〜６のいずれか１に記載の方法により製造されたことを特徴とする金属硫化物薄膜。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002252450A JP4189799B2 (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 金属硫化物薄膜およびその製造方法 |
| US10/525,443 US8337952B2 (en) | 2002-08-30 | 2003-08-27 | Metal sulfide thin film and method for production thereof |
| PCT/JP2003/010814 WO2004020688A1 (ja) | 2002-08-30 | 2003-08-27 | 金属硫化物薄膜およびその製造方法 |
| AU2003261740A AU2003261740A1 (en) | 2002-08-30 | 2003-08-27 | Metal sulfide thin film and method for production thereof |
| DE10394037T DE10394037B4 (de) | 2002-08-30 | 2003-08-27 | Verfahren zur Herstellung einer Metallsulfidschicht |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002252450A JP4189799B2 (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 金属硫化物薄膜およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004091233A JP2004091233A (ja) | 2004-03-25 |
| JP2004091233A5 true JP2004091233A5 (ja) | 2005-10-20 |
| JP4189799B2 JP4189799B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=31972746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002252450A Expired - Fee Related JP4189799B2 (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 金属硫化物薄膜およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8337952B2 (ja) |
| JP (1) | JP4189799B2 (ja) |
| AU (1) | AU2003261740A1 (ja) |
| DE (1) | DE10394037B4 (ja) |
| WO (1) | WO2004020688A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007074545A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2009-06-04 | 株式会社ユーテック | Ｃｖｄ装置およびその薄膜形成方法 |
| US8551363B2 (en) | 2008-02-06 | 2013-10-08 | National University Corporation Kumamoto University | Method of producing group II-VI compound semiconductor, method of producing group II-VI compound semiconductor phosphor, and hexagonal group II-VI compound semiconductor |
| US20100159135A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Process for in situ generation of hydrogen sulfide or hydrogen selenide gas using a solid precursor |
| CN102424429B (zh) * | 2011-08-25 | 2013-06-26 | 重庆大学 | 用天然硫铁矿制备硫化铁薄膜的方法 |
| US10355148B2 (en) * | 2014-02-10 | 2019-07-16 | The University Of Toledo | Iron pyrite nanocrystal film as a copper-free back contact for polycrystalline CdTe thin film solar cells |
| CN103872186B (zh) * | 2014-03-19 | 2016-05-11 | 浙江大学 | FeS2薄膜的制备方法 |
| CN103824902B (zh) * | 2014-03-19 | 2016-05-11 | 浙江大学 | 一种FeS2薄膜及其制备方法 |
| CN105548274A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-05-04 | 天津大学 | 原位合成具有二级孔洞结构的氧化镉纳米气敏元件 |
| CN113265612B (zh) * | 2021-05-10 | 2023-03-21 | 海信视像科技股份有限公司 | 低温渗硫方法以及渗硫剂 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08199333A (ja) | 1995-01-27 | 1996-08-06 | Honda Motor Co Ltd | 硫化鉄薄膜の製造方法 |
| JPH08218161A (ja) | 1995-02-09 | 1996-08-27 | Honda Motor Co Ltd | 硫化鉄薄膜の製造方法 |
-
2002
- 2002-08-30 JP JP2002252450A patent/JP4189799B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-27 AU AU2003261740A patent/AU2003261740A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-27 US US10/525,443 patent/US8337952B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-27 DE DE10394037T patent/DE10394037B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-27 WO PCT/JP2003/010814 patent/WO2004020688A1/ja active Application Filing
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