JP2004082283A - ワイヤーソー - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ブロックをスライスするときに、ワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみがなどがワイヤーに付着しにくく、安定したスライスができるワイヤーソーを提供する。
【解決手段】供給リール8から供給されるワイヤー7を複数の間隔保持用ローラー5間に配置して巻き取りリールで巻き取るとともに、複数の間隔保持用ローラー5間に半導体ブロック3を配置して切削液を供給しながらスライスするワイヤーソーであって、上記間隔保持用ローラー5と上記半導体ブロック3との間の上記ワイヤー7の通過部にこのワイヤー7の清掃部材6を配設した。
【選択図】 図1
【解決手段】供給リール8から供給されるワイヤー7を複数の間隔保持用ローラー5間に配置して巻き取りリールで巻き取るとともに、複数の間隔保持用ローラー5間に半導体ブロック3を配置して切削液を供給しながらスライスするワイヤーソーであって、上記間隔保持用ローラー5と上記半導体ブロック3との間の上記ワイヤー7の通過部にこのワイヤー7の清掃部材6を配設した。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はワイヤーソーに関し、特に半導体ブロックなどをスライスするワイヤーソーに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子や太陽電池を形成するためのシリコンウエハーなどの半導体ウエハーは、チョクラルスキー法や鋳造法により作成された単結晶や多結晶の半導体ブロックから形成される。
【0003】
これらの半導体ブロックから一定の厚みのウエハーを切り出す装置にワイヤーソーがある。このワイヤーソーは、直径約100〜300μmのピアノ線などの一本のワイヤーを通常2〜4本の間隔保持用ローラーに設けられた多数の溝に巻きつけて、一定ピッチで互いに平行に配置し、ワイヤーを一定方向または双方向に走行させて半導体ブロックをスライスする。この場合、ワイヤーにスラリーと呼ばれるオイルまたは水にSiCなどの砥粒が混合された切削液を供給しながら半導体ブロックをワイヤーに押圧してスライスする。
【0004】
このようなワイヤーソーによるスライスでは、多数のシリコンウエハーを同時にスライスすることができ、また外周刃や内周刃などを使用する他のスライス方法と比べてスライス精度が高くかつ使用しているワイヤーが細いためにカーフロス(切り代)を少なくできるという利点がある。そのため、半導体ブロックをスライスする装置としてワイヤーソーが広く用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述したようなワイヤーソーでは、半導体ブロックをスライスするときに、ワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみがなどがワイヤーに付着し、これらが付着したまま半導体ブロックをスライスすると、出来上がった半導体ウエハーに傷がついて不良の原因になることがあった。
【0006】
また、スライスするときに発生するシリコンの破片がワイヤーに付着して運ばれて間隔保持用ローラーに移り、間隔保持用ローラー上に設けられた溝に食い込んでワイヤーの走行を妨げ、ウエハーのうねりや段差が発生する原因になったり、さらにはワイヤーの断線の原因になることがあった。
【0007】
このため、本発明は半導体ブロックをスライスするときに、ワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみがなどがワイヤーに付着しにくく、安定したスライスができるワイヤーソーを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明では、供給リールから供給されるワイヤーを複数の間隔保持用ローラー間に配置して巻き取りリールで巻き取るとともに、複数の間隔保持用ローラー間に半導体ブロックを配置して切削液を供給しながらスライスするワイヤーソーにおいて、前記間隔保持用ローラーと前記半導体ブロックとの間の前記ワイヤーの通過部にこのワイヤーの清掃部材を配設したことを特徴とする。
【0009】
また、上記ワイヤーソーでは、前記清掃部材がポリ塩化ビニール、ポリエチレン、ポリプロピレン、テフロン(R)のうちのいずれかからなることが望ましい。
【0010】
また、上記ワイヤーソーでは、前記半導体ブロックで前記ワイヤーを押圧したときに前記清掃部材に切れ込みが形成され、この切れ込み部をワイヤーが通過するときにごみなどを除去することが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図に基づき説明する。
図1は、本発明に係るワイヤーソーの構成を示す図である。図1において、1はスラリー供給ノズル、2はスラリー受け、3は半導体ブロック、4はスライス台、5は間隔保持用ローラ、6は清掃部材、7はワイヤー、8はワイヤー供給リールである。
【0012】
本発明のワイヤーソーは、複数の間隔保持用ローラー5を離間して配置し、この複数の間隔保持用ローラー5間にワイヤー7が所定間隔に維持されるように折り返して張設し、このワイヤー7上にスライスされる半導体ブロック3を配置して構成される。
【0013】
間隔保持用ローラー5にはワイヤー供給リール8からワイヤー7が供給され、この間隔保持用ローラー5と半導体ブロック3の間にはワイヤー屑などを取るための清掃部材6が設けられている。
【0014】
また、この半導体ブロック3に、スラリー供給ノズル1の付いたスラリー受け2を設けている。スラリー受け2はスラリーの部分的な偏りをなくすために設ける。すなわち、半導体ブロック3のスライス幅の全長にわたってスラリーを偏りなく供給するために設ける。
【0015】
半導体ブロック3は、例えば鋳造法によって製造された約150×150×300mmの直方体ものであり、これを同時に2本スライスする。
【0016】
スライス台4は、半導体ブロック3を保持するためのものであり、これに接着剤を用いて半導体ブロック3を接着する。
【0017】
半導体ブロック3を接着したスライス台4を半導体ブロック3が下になるように、スラリー受け2とワイヤー6の間にあるホルダー(図示せず)にセットする。このホルダーは、上下動の制御が可能で、これを下に押し下げることにより半導体ブロック3をその下にあるワイヤ−7に押圧することができる。
【0018】
ワイヤー屑などを取るための清掃部材6は間隔保持用ローラー5と半導体ブロック3の間に2個設けられている。位置は固定でワイヤーソー本体にボルトによって取りつけることができる。概略の大きさは幅×高さ×長さが8×120×300mmで、ポリ塩化ビニールなどで形成される。その形状は直方体にかかわらず、円柱状や円筒状のものなどでもよい。清掃部材6にワイヤー7による切れ込みが形成され、この切れ込みにより、ここにハケ状のものを置くよりも確実にワイヤー7に付着したワイヤー屑などが除去される。
【0019】
半導体ブロック3の下部に配置される間隔保持用ローラー5は、直径150〜250mm、長さ400〜500mmで、一般的にはウレタンゴムなどで形成され、その表面に400〜600μm程度のピッチでワイヤー7のはまる多数の溝が形成されている。この間隔保持用ローラー5の2本を約500mmの間隔で同一高さに配置する。
【0020】
ワイヤー7は、直径140〜180μmでワイヤー供給リール8より供給され、螺旋状に2本の間隔保持用ローラー5の間に上記のピッチで配置される。
【0021】
以上の状態で、装置上部に設けた数本のスラリー供給ノズル1からその下のスラリー受け2を介してスラリーをワイヤー7に適量供給しながら間隔保持用ローラー5を高速回転させることによってワイヤー7を400〜700m/minで走行させて半導体ブロック3を保持したスライス台4を下降させることによって半導体ブロック3をワイヤー7に押しつけて半導体ブロック3をスライスしていく。
【0022】
このとき、図2に示すように、半導体ブロック3をワイヤ−7に押圧することによってワイヤー7が下方向に撓み、これによってワイヤー7が清掃部材6をも切り込んでいく。この清掃部材6の切れ込み部8をワイヤー7が通過することによってワイヤー7に付着したワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみ9などがこの清掃部材6によって除去される。ごみなどを除去する性能を保つために、この清掃部材6は半導体ブロック3のスライスが完了したら新しいものと交換する必要がある。
【0023】
なお、本発明は半導体インゴットが下にあり、ワイヤーにむかって半導体インゴットを押し上げていくような位置関係になった場合、つまり上述した実施形態とはワイヤー7と半導体インゴット3とが上下逆の位置関係の場合にも応用できる。
【0024】
【発明の効果】
以上のように、本発明のワイヤーソーによれば、間隔保持用ローラーと前記半導体ブロックとの間の前記ワイヤーの通過部にこのワイヤーの清掃部材を配設したことから、ワイヤーに付着したワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみなどがこの清掃部材によって除去される。これによりワイヤーに付着したごみなどに起因するウエハーの傷、うねり、あるいは段差などが発生することがなく、またワイヤーの断線の発生もなくなり、安定したスライスが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るワイヤーソーを示す図である。
【図2】本発明に係るワイヤーの清掃部材部分を拡大して示す図である。
【符号の説明】
1 スラリーノズル
2 スラリー受け
3 半導体ブロック
4 スライス台
5 間隔保持用ローラー
6 清掃部材
7 ワイヤー
8 ワイヤー供給リール
9 ワイヤーに付着した屑
【発明の属する技術分野】
本発明はワイヤーソーに関し、特に半導体ブロックなどをスライスするワイヤーソーに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子や太陽電池を形成するためのシリコンウエハーなどの半導体ウエハーは、チョクラルスキー法や鋳造法により作成された単結晶や多結晶の半導体ブロックから形成される。
【0003】
これらの半導体ブロックから一定の厚みのウエハーを切り出す装置にワイヤーソーがある。このワイヤーソーは、直径約100〜300μmのピアノ線などの一本のワイヤーを通常2〜4本の間隔保持用ローラーに設けられた多数の溝に巻きつけて、一定ピッチで互いに平行に配置し、ワイヤーを一定方向または双方向に走行させて半導体ブロックをスライスする。この場合、ワイヤーにスラリーと呼ばれるオイルまたは水にSiCなどの砥粒が混合された切削液を供給しながら半導体ブロックをワイヤーに押圧してスライスする。
【0004】
このようなワイヤーソーによるスライスでは、多数のシリコンウエハーを同時にスライスすることができ、また外周刃や内周刃などを使用する他のスライス方法と比べてスライス精度が高くかつ使用しているワイヤーが細いためにカーフロス(切り代)を少なくできるという利点がある。そのため、半導体ブロックをスライスする装置としてワイヤーソーが広く用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述したようなワイヤーソーでは、半導体ブロックをスライスするときに、ワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみがなどがワイヤーに付着し、これらが付着したまま半導体ブロックをスライスすると、出来上がった半導体ウエハーに傷がついて不良の原因になることがあった。
【0006】
また、スライスするときに発生するシリコンの破片がワイヤーに付着して運ばれて間隔保持用ローラーに移り、間隔保持用ローラー上に設けられた溝に食い込んでワイヤーの走行を妨げ、ウエハーのうねりや段差が発生する原因になったり、さらにはワイヤーの断線の原因になることがあった。
【0007】
このため、本発明は半導体ブロックをスライスするときに、ワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみがなどがワイヤーに付着しにくく、安定したスライスができるワイヤーソーを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明では、供給リールから供給されるワイヤーを複数の間隔保持用ローラー間に配置して巻き取りリールで巻き取るとともに、複数の間隔保持用ローラー間に半導体ブロックを配置して切削液を供給しながらスライスするワイヤーソーにおいて、前記間隔保持用ローラーと前記半導体ブロックとの間の前記ワイヤーの通過部にこのワイヤーの清掃部材を配設したことを特徴とする。
【0009】
また、上記ワイヤーソーでは、前記清掃部材がポリ塩化ビニール、ポリエチレン、ポリプロピレン、テフロン(R)のうちのいずれかからなることが望ましい。
【0010】
また、上記ワイヤーソーでは、前記半導体ブロックで前記ワイヤーを押圧したときに前記清掃部材に切れ込みが形成され、この切れ込み部をワイヤーが通過するときにごみなどを除去することが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図に基づき説明する。
図1は、本発明に係るワイヤーソーの構成を示す図である。図1において、1はスラリー供給ノズル、2はスラリー受け、3は半導体ブロック、4はスライス台、5は間隔保持用ローラ、6は清掃部材、7はワイヤー、8はワイヤー供給リールである。
【0012】
本発明のワイヤーソーは、複数の間隔保持用ローラー5を離間して配置し、この複数の間隔保持用ローラー5間にワイヤー7が所定間隔に維持されるように折り返して張設し、このワイヤー7上にスライスされる半導体ブロック3を配置して構成される。
【0013】
間隔保持用ローラー5にはワイヤー供給リール8からワイヤー7が供給され、この間隔保持用ローラー5と半導体ブロック3の間にはワイヤー屑などを取るための清掃部材6が設けられている。
【0014】
また、この半導体ブロック3に、スラリー供給ノズル1の付いたスラリー受け2を設けている。スラリー受け2はスラリーの部分的な偏りをなくすために設ける。すなわち、半導体ブロック3のスライス幅の全長にわたってスラリーを偏りなく供給するために設ける。
【0015】
半導体ブロック3は、例えば鋳造法によって製造された約150×150×300mmの直方体ものであり、これを同時に2本スライスする。
【0016】
スライス台4は、半導体ブロック3を保持するためのものであり、これに接着剤を用いて半導体ブロック3を接着する。
【0017】
半導体ブロック3を接着したスライス台4を半導体ブロック3が下になるように、スラリー受け2とワイヤー6の間にあるホルダー(図示せず)にセットする。このホルダーは、上下動の制御が可能で、これを下に押し下げることにより半導体ブロック3をその下にあるワイヤ−7に押圧することができる。
【0018】
ワイヤー屑などを取るための清掃部材6は間隔保持用ローラー5と半導体ブロック3の間に2個設けられている。位置は固定でワイヤーソー本体にボルトによって取りつけることができる。概略の大きさは幅×高さ×長さが8×120×300mmで、ポリ塩化ビニールなどで形成される。その形状は直方体にかかわらず、円柱状や円筒状のものなどでもよい。清掃部材6にワイヤー7による切れ込みが形成され、この切れ込みにより、ここにハケ状のものを置くよりも確実にワイヤー7に付着したワイヤー屑などが除去される。
【0019】
半導体ブロック3の下部に配置される間隔保持用ローラー5は、直径150〜250mm、長さ400〜500mmで、一般的にはウレタンゴムなどで形成され、その表面に400〜600μm程度のピッチでワイヤー7のはまる多数の溝が形成されている。この間隔保持用ローラー5の2本を約500mmの間隔で同一高さに配置する。
【0020】
ワイヤー7は、直径140〜180μmでワイヤー供給リール8より供給され、螺旋状に2本の間隔保持用ローラー5の間に上記のピッチで配置される。
【0021】
以上の状態で、装置上部に設けた数本のスラリー供給ノズル1からその下のスラリー受け2を介してスラリーをワイヤー7に適量供給しながら間隔保持用ローラー5を高速回転させることによってワイヤー7を400〜700m/minで走行させて半導体ブロック3を保持したスライス台4を下降させることによって半導体ブロック3をワイヤー7に押しつけて半導体ブロック3をスライスしていく。
【0022】
このとき、図2に示すように、半導体ブロック3をワイヤ−7に押圧することによってワイヤー7が下方向に撓み、これによってワイヤー7が清掃部材6をも切り込んでいく。この清掃部材6の切れ込み部8をワイヤー7が通過することによってワイヤー7に付着したワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみ9などがこの清掃部材6によって除去される。ごみなどを除去する性能を保つために、この清掃部材6は半導体ブロック3のスライスが完了したら新しいものと交換する必要がある。
【0023】
なお、本発明は半導体インゴットが下にあり、ワイヤーにむかって半導体インゴットを押し上げていくような位置関係になった場合、つまり上述した実施形態とはワイヤー7と半導体インゴット3とが上下逆の位置関係の場合にも応用できる。
【0024】
【発明の効果】
以上のように、本発明のワイヤーソーによれば、間隔保持用ローラーと前記半導体ブロックとの間の前記ワイヤーの通過部にこのワイヤーの清掃部材を配設したことから、ワイヤーに付着したワイヤー屑、シリコン破片、あるいは外部からのごみなどがこの清掃部材によって除去される。これによりワイヤーに付着したごみなどに起因するウエハーの傷、うねり、あるいは段差などが発生することがなく、またワイヤーの断線の発生もなくなり、安定したスライスが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るワイヤーソーを示す図である。
【図2】本発明に係るワイヤーの清掃部材部分を拡大して示す図である。
【符号の説明】
1 スラリーノズル
2 スラリー受け
3 半導体ブロック
4 スライス台
5 間隔保持用ローラー
6 清掃部材
7 ワイヤー
8 ワイヤー供給リール
9 ワイヤーに付着した屑
Claims (3)
- 供給リールから供給されるワイヤーを複数の間隔保持用ローラー間に配置して巻き取りリールで巻き取るとともに、複数の間隔保持用ローラー間に半導体ブロックを配置して切削液を供給しながらスライスするワイヤーソーにおいて、前記間隔保持用ローラーと前記半導体ブロックとの間の前記ワイヤーの通過部にこのワイヤーの清掃部材を配設したことを特徴とするワイヤーソー。
- 前記清掃部材がポリ塩化ビニール、ポリエチレン、ポリプロピレン、テフロン(R)のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項1に記載のワイヤーソー。
- 前記半導体ブロックで前記ワイヤーを押圧したときに前記清掃部材に切れ込みが形成され、この切れ込み部を前記ワイヤーが通過するときにごみなどを除去することを特徴とする請求項1に記載のワイヤーソー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002247387A JP2004082283A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | ワイヤーソー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002247387A JP2004082283A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | ワイヤーソー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004082283A true JP2004082283A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32055050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002247387A Pending JP2004082283A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | ワイヤーソー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004082283A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180527A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Kyocera Corp | 半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造装置 |
KR100878417B1 (ko) | 2007-11-21 | 2009-01-13 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판의 절단장치 |
WO2010016337A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 | 超伝導高周波加速空洞の製造方法 |
CN102152419A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-08-17 | 浙江荣马电子科技有限公司 | 一种多线切割硅片的工艺 |
-
2002
- 2002-08-27 JP JP2002247387A patent/JP2004082283A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180527A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Kyocera Corp | 半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造装置 |
KR100878417B1 (ko) | 2007-11-21 | 2009-01-13 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판의 절단장치 |
WO2010016337A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 | 超伝導高周波加速空洞の製造方法 |
JP2010040423A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | High Energy Accelerator Research Organization | 超伝導高周波加速空洞の製造方法 |
US8324134B2 (en) | 2008-08-07 | 2012-12-04 | Inter-University Research Institute Corporation High Energy Accelerator Research Organization | Method of manufacturing superconducting radio-frequency acceleration cavity |
CN102152419A (zh) * | 2011-03-18 | 2011-08-17 | 浙江荣马电子科技有限公司 | 一种多线切割硅片的工艺 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050118 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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