JP2004077458A5 - - Google Patents
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【００２２】
第１１の本発明は，前記酸は，塩酸，硫酸，硝酸の内の何れかである第８の本発明のガスセンサの製造方法である。
第１１の本発明は，前記酸は，塩酸，硫酸，硝酸の内の何れかである第８の本発明のガスセンサの製造方法である。
【００３０】
薄膜電極２および厚膜電極６は，ガス感応体薄膜３に電圧印加して，その抵抗値を測定することが主たる目的であり，電極の材料，構成，パターン，製造方法等を限定するものではない。しかしながら，薄膜電極２の厚さは０．１〜１μｍ，厚膜電極４の厚さは３〜２０μｍの間であることが好ましい。また，厚膜電極４はリードとの接合をよくするためであり，構成上必ずしも必要ではない。
薄膜電極２および厚膜電極６は，ガス感応体薄膜３に電圧印加して，その抵抗値を測定することが主たる目的であり，電極の材料，構成，パターン，製造方法等を限定するものではない。しかしながら，薄膜電極２の厚さは０．１〜１μｍ，厚膜電極４の厚さは３〜２０μｍの間であることが好ましい。また，厚膜電極４はリードとの接合をよくするためであり，構成上必ずしも必要ではない。
【００５１】
１はアルミナ，ムライト等の絶縁性の基板，２は金，銀，白金等の金属からなる薄膜電極，１３は酸化スズ，酸化インジウム，酸化亜鉛，酸化タングステンなどを主成分とする網目構造を有する金属酸化物薄膜１４と，前記金属酸化物薄膜１４中に含浸した酸化ケイ素を主成分とする吸水率が５％以下である触媒活性保護層１５からなるガス感応体薄膜，６は金，銀，白金等の金属からなる厚膜電極である。
１はアルミナ，ムライト等の絶縁性の基板，２は金，銀，白金等の金属からなる薄膜電極，１３は酸化スズ，酸化インジウム，酸化亜鉛，酸化タングステンなどを主成分とする網目構造を有する金属酸化物薄膜１４と，前記金属酸化物薄膜１４中に含浸した酸化ケイ素を主成分とする吸水率が５％以下である触媒活性保護層１５からなるガス感応体薄膜，６は金，銀，白金等の金属からなる厚膜電極である。
【００５２】
ここで，基板１は，表面が絶縁性を有し，加熱機能を備えているものであれば，いずれのものも使用することができ，材料や構成等を限定するものではない。しかしながら，基板の表面粗さは０．０１〜１μｍの間であることが好ましい。また，薄膜電極２および厚膜電極６は，ガス感応体薄膜１３に電圧印加して，その抵抗値を測定することが主たる目的であり，電極の材料，構成，パターン，製造方法等を限定するものではない。しかしながら，薄膜電極２の厚さは０．１〜１μｍ，厚膜電極６の厚さは３〜２０μｍの間であることが好ましい。また，厚膜電極６はリードとの接合をよくするためであり，構成上必ずしも必要ではない。
ここで，基板１は，表面が絶縁性を有し，加熱機能を備えているものであれば，いずれのものも使用することができ，材料や構成等を限定するものではない。しかしながら，基板の表面粗さは０．０１〜１μｍの間であることが好ましい。また，薄膜電極２および厚膜電極６は，ガス感応体薄膜１３に電圧印加して，その抵抗値を測定することが主たる目的であり，電極の材料，構成，パターン，製造方法等を限定するものではない。しかしながら，薄膜電極２の厚さは０．１〜１μｍ，厚膜電極６の厚さは３〜２０μｍの間であることが好ましい。また，厚膜電極６はリードとの接合をよくするためであり，構成上必ずしも必要ではない。
【００８９】
（実施例２）
活剤として２−エチルヘキサン酸鉄を用いて，上記の（数２）が１ｍｏｌ％となるように酸化スズを主成分とする金属酸化物からなるガス感応体薄膜を形成した。
（実施例２）
活剤として２−エチルヘキサン酸鉄を用いて，上記の（数２）が１ｍｏｌ％となるように酸化スズを主成分とする金属酸化物からなるガス感応体薄膜を形成した。
【００９２】
（実施例３）
まず，１００ｍｌのビーカーに，（数１）が１ｍｏｌ％となるように活剤として塩化パラジウム（化１）を秤量し，粘度調整剤として１ｇのエチルセルロースを溶解させた１３ｇのブチルカルビトール溶液を加え，さらに，６ｇの２−エチルヘキサン酸スズ（化２）を加えて，撹拌・混合して，所望のガス感応体形成用組成物を得た。
（実施例３）
まず，１００ｍｌのビーカーに，（数１）が１ｍｏｌ％となるように活剤として塩化パラジウム（化１）を秤量し，粘度調整剤として１ｇのエチルセルロースを溶解させた１３ｇのブチルカルビトール溶液を加え，さらに，６ｇの２−エチルヘキサン酸スズ（化２）を加えて，撹拌・混合して，所望のガス感応体形成用組成物を得た。
Claims (1)
- 前記酸は，塩酸，硫酸，硝酸の内の何れかである請求項８記載のガスセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002329930A JP2004077458A (ja) | 2001-11-14 | 2002-11-13 | ガスセンサ，およびガスセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001349066 | 2001-11-14 | ||
| JP2002180363 | 2002-06-20 | ||
| JP2002329930A JP2004077458A (ja) | 2001-11-14 | 2002-11-13 | ガスセンサ，およびガスセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004077458A JP2004077458A (ja) | 2004-03-11 |
| JP2004077458A5 true JP2004077458A5 (ja) | 2005-02-03 |
Family
ID=32034018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002329930A Pending JP2004077458A (ja) | 2001-11-14 | 2002-11-13 | ガスセンサ，およびガスセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004077458A (ja) |
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| CN101329294B (zh) * | 2007-06-22 | 2012-05-23 | 郑州炜盛电子科技有限公司 | 一种抗干扰性强的气体传感器 |
| JP5209690B2 (ja) * | 2010-11-22 | 2013-06-12 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ |
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| JP2014031565A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Kochi Univ Of Technology | 酸化亜鉛を主成分とする膜構造体及びその製造方法、並びに該膜構造体からなる感受素子 |
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| JP6233511B2 (ja) | 2014-06-09 | 2017-11-22 | 富士通株式会社 | ガスセンサー、及びセンサー装置 |
| JP6511957B2 (ja) | 2015-05-22 | 2019-05-15 | 富士通株式会社 | ガスセンサ及び情報処理システム |
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| JP7352714B1 (ja) | 2022-11-29 | 2023-09-28 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体式ガス検知素子 |
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2002
- 2002-11-13 JP JP2002329930A patent/JP2004077458A/ja active Pending
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