CN101329294B - 一种抗干扰性强的气体传感器 - Google Patents

一种抗干扰性强的气体传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN101329294B
CN101329294B CN2007101234406A CN200710123440A CN101329294B CN 101329294 B CN101329294 B CN 101329294B CN 2007101234406 A CN2007101234406 A CN 2007101234406A CN 200710123440 A CN200710123440 A CN 200710123440A CN 101329294 B CN101329294 B CN 101329294B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas sensor
gas
strong interference
sensitive material
interference immunity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007101234406A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101329294A (zh
Inventor
钟克创
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WEISHENG ELECTRONICS TECH Co Ltd ZHENGZHOU
Original Assignee
WEISHENG ELECTRONICS TECH Co Ltd ZHENGZHOU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WEISHENG ELECTRONICS TECH Co Ltd ZHENGZHOU filed Critical WEISHENG ELECTRONICS TECH Co Ltd ZHENGZHOU
Priority to CN2007101234406A priority Critical patent/CN101329294B/zh
Publication of CN101329294A publication Critical patent/CN101329294A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101329294B publication Critical patent/CN101329294B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

本发明涉及一种抗干扰性强的气体传感器。该气体传感器采用以下原料SnO2、Al2O3、SiO2、MgO、CaO、Sb2O3、Pd/PdO/Pd和Pt/PtO/Pt，经共沉淀、掺杂或固相混合构成敏感材料，然后以有机硅进行表面修饰制得。本发明还涉及该气体传感器的制备方法。该传感器具有高灵敏度、高稳定性、长寿命、抗酒精、烟雾干扰的优点。本发明所具有的上述优点使其更适合在复杂环境中使用，消除漏报警、误报警现象并减少气体报警设备调整次数，可用于家庭、燃气、化工等场合的燃气泄漏检测。

Description

一种抗干扰性强的气体传感器
技术领域
本发明涉及气体传感器领域，具体地说，是一种抗干扰性强的气体传感器。
背景技术
目前，国内尚无厂家生产以Sn的纳米氧化物为主体材料制作的半导体类气体传感器。国外有费加罗以Sn的纳米氧化物为主体材料制作的半导体类气体传感器，但配方与本发明不同。另外还有一些是采用催化原理或红外线原理制作的传感器。催化元件工作原理为当白金加热丝上的催化剂与可燃气体接触时，由于催化剂的作用使气体燃烧而引起温度上升，导致白金丝电阻增大，以此检测可燃气体。红外线气体分析仪检测原理是，对2-10μm波长范围的红外光，不同异核气体分子由于旋转和振动对不同波长的红外光有特异吸收，当红外光透过被测气体时，检测红外光谱的缺失及光强度的变化可以实现对气体的检测。
发明内容
本发明提出了一种抗干扰性强的气体传感器。该传感器具有高灵敏度、高稳定性、长寿命、抗酒精、烟雾干扰的优点。
与背景技术中的传感器的原理不同的是，本发明利用了在加热条件下敏感体电阻随接触的可燃性气体浓度的变化而成对数关系变化的特性，实现对可燃性气体的检测。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：
该气体传感器，由以下重量份的原料，经共沉淀、掺杂或固相混合构成敏感材料，然后以有机硅进行表面修饰制得：
SnO2       0.5-99份
Al2O3      0.01-20份
SiO2       0.01-20份
MgO        0.01-20份
CaO        0.01-20份
Sb2O3      0.01-30份
Pd/PdO/Pd  0.01-50份
Pt/PtO/Pt  0.01-50份。
该抗干扰性强的气体传感器的制备方法，是将原料SnO2、Al2O3、SiO2、MgO、CaO、Sb2O3、Pd/PdO/Pd和Pt/PtO/Pt经共沉淀、掺杂或固相混合构成敏感材料，然后以有机硅进行表面修饰制得。
所述的表面修饰，是将有机硅与醇类及酸类相混合、或用硅化合物在碱性介质中的溶胶类混合物、或有机硅构成表面修饰材料。
表面修饰可以采用掺杂的方式、浸渍的方式或者化学沉积的方式，以提高传感器抗酒精、抗烟雾干扰能力。
本发明的优点是：
(1)对0.01％至100％空气体积比的可燃性气体有很高的灵敏度；
(2)该传感器零点及灵敏度飘移不大于基准量的15％；
(3)传感器使用寿命不小于15年；
(4)在使用条件下，0.1％空气体积比的酒精蒸汽不干扰；
(5)在使用条件下，一个1m3的密闭空间内，两支普通香烟完全释放的烟雾不干扰。
本发明所具有的上述优点使其更适合在复杂环境中使用，消除漏报警、误报警现象并减少气体报警设备调整次数。可用于家庭、燃气、化工等场合的燃气泄漏检测。
具体实施方式
实施例1
取以下原料备用：6.0克纳米级SnO2、1.0克Al2O3、0.8克SiO2、0.2克MgO、0.2克CaO、0.1克Sb2O3、0.12克Pd/PdO/Pd和0.18克Pt/PtO/Pt。
取6.0克纳米SnO2、1.0克Al2O3、0.8克SiO2、0.2克MgO、0.2克CaO、0.1克Sb2O3，经共沉淀、掺杂或固相混合烧结后成为敏感体。然后将0.12克Pd/PdO/Pd、0.18克Pt/PtO/Pt掺杂到敏感体中，再以有机硅进行表面修饰，经研磨、涂敷、烧结，即得本发明的气体传感器。
以上对本发明所提供的抗干扰性强的气体传感器进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (4)

1.一种抗干扰性强的气体传感器，其特征在于，由以下重量份的原料，经共沉淀、掺杂或固相混合烧结后构成敏感材料，再将0.01-50份Pd/PdO/Pd、0.01-50份Pt/PtO/Pt掺杂到敏感材料中，然后以有机硅进行表面修饰制得：
Figure FDA0000109469630000011
2.权利要求1所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法，其特征在于：将原料SnO2、Al2O3、SiO2、MgO、CaO、Sb2O3经共沉淀、掺杂或固相混合烧结后构成敏感材料，再将Pd/PdO/Pd和Pt/PtO/Pt掺杂到敏感材料中，然后以有机硅进行表面修饰制得。
3.根据权利要求2所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法，其特征在于：所述的表面修饰，是将有机硅与醇类及酸类相混合、或用硅化合物在碱性介质中的溶胶类混合物、或有机硅构成表面修饰材料。
4.根据权利要求2所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法，其特征在于：所述的表面修饰采用掺杂的方式、浸渍的方式或者化学沉积的方式。
CN2007101234406A 2007-06-22 2007-06-22 一种抗干扰性强的气体传感器 Active CN101329294B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101234406A CN101329294B (zh) 2007-06-22 2007-06-22 一种抗干扰性强的气体传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101234406A CN101329294B (zh) 2007-06-22 2007-06-22 一种抗干扰性强的气体传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101329294A CN101329294A (zh) 2008-12-24
CN101329294B true CN101329294B (zh) 2012-05-23

Family

ID=40205209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101234406A Active CN101329294B (zh) 2007-06-22 2007-06-22 一种抗干扰性强的气体传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101329294B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110455900B (zh) * 2019-07-31 2022-05-24 广州大学华软软件学院 一种甲醛敏感复合材料和气敏传感器及其制备方法
CN114839231B (zh) * 2022-04-27 2022-12-16 河南森斯科传感技术有限公司 一种用于半导体可燃气体传感器的抗干扰气敏涂层及其制备方法、应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849180A (en) * 1985-02-12 1989-07-18 New Cosmos Electric Co., Ltd. Alcohol selective gas sensor
CN1108763A (zh) * 1994-03-17 1995-09-20 中国科学院长春应用化学研究所 常温co气体传感器的制造方法
CN1160848A (zh) * 1996-07-16 1997-10-01 昆明贵金属研究所 二氧化锡酒敏元件及其制备方法
JP2000074866A (ja) * 1998-06-16 2000-03-14 Figaro Eng Inc Ｃｏセンサおよびその製造方法
JP2004077458A (ja) * 2001-11-14 2004-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガスセンサ，およびガスセンサの製造方法
JP2004205294A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Denso Corp ガスセンサ用ガス感応膜の製造方法
CN1837803A (zh) * 2006-04-18 2006-09-27 云南大学 SnO2集束纳米棒气体传感器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849180A (en) * 1985-02-12 1989-07-18 New Cosmos Electric Co., Ltd. Alcohol selective gas sensor
CN1108763A (zh) * 1994-03-17 1995-09-20 中国科学院长春应用化学研究所 常温co气体传感器的制造方法
CN1160848A (zh) * 1996-07-16 1997-10-01 昆明贵金属研究所 二氧化锡酒敏元件及其制备方法
JP2000074866A (ja) * 1998-06-16 2000-03-14 Figaro Eng Inc Ｃｏセンサおよびその製造方法
JP2004077458A (ja) * 2001-11-14 2004-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガスセンサ，およびガスセンサの製造方法
JP2004205294A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Denso Corp ガスセンサ用ガス感応膜の製造方法
CN1837803A (zh) * 2006-04-18 2006-09-27 云南大学 SnO2集束纳米棒气体传感器

Also Published As

Publication number Publication date
CN101329294A (zh) 2008-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101329293B (zh) 一种用于酒精蒸汽和呼气酒精检测的半导体气体传感器
US9011778B2 (en) Hydrogen sensitive composite material, hydrogen gas sensor, and sensor for detecting hydrogen and other gases with improved baseline resistance
CN101281159A (zh) 纳米氧化锌多功能气敏传感器件及其制作方法
CN100592082C (zh) 甲醛气敏材料及其制备方法以及甲醛气敏器件的制作方法
CN103293197B (zh) 二氧化锡掺杂二氧化钛基薄膜丙酮气敏传感器的制备方法
CN108956715B (zh) 一种Au@WO3核壳结构纳米球及其制备方法和应用
CN104458827A (zh) 基于空心球状wo3的no2气体传感器及其制备方法
CN103675078B (zh) 一种丙酮气敏传感器的制备方法
CN114839231B (zh) 一种用于半导体可燃气体传感器的抗干扰气敏涂层及其制备方法、应用
CN114858868B (zh) 一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器
CN110161084B (zh) 微传感芯片及其制备方法、气体检测方法和应用
CN101329294B (zh) 一种抗干扰性强的气体传感器
Yasunaga et al. Effects of tetraethyl orthosilicate binder on the characteristics of an SnO2 ceramic-type semiconductor gas sensor
CN102235989B (zh) 催化式气体传感器零点自调校方法
CN209690249U (zh) 一种新型接触燃烧式气体传感器
CN208103923U (zh) 一种氢气传感器
KR100810120B1 (ko) 자외선 발광소자와 자외선-촉매를 적용한 접촉연소식가연성 가스센서
CN114609198B (zh) 一种基于稀土元素掺杂、贵金属修饰的氧化锡基氢气传感材料及其制备方法、应用
CN102953059B (zh) 氧化锌掺杂二氧化钛基的丙酮气敏传感器制备方法
CN100491994C (zh) 一种室温测定有机醇类气体的气敏元件的制作方法
CN218157676U (zh) 氢气传感器、检测装置及检测系统
JP2003329592A (ja) ガスセンサ用の膜の製造方法
CN110455900A (zh) 一种甲醛敏感复合材料和气敏传感器及其制备方法
CN108169292B (zh) 一种Au和Cl共修饰的LaFeO3基乙醇气体传感器及其制备方法
CN221038894U (zh) 丙烷传感器信号处理电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant