JP4041228B2 - フロンガスセンサおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フロンガスセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、パラジウムなどの貴金属を添加した酸化錫等のような金属酸化物半導体をガス検出材料として用いたガスセンサが広く使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のガスセンサは、金属酸化物半導体である酸化錫等を主成分とする感応部の表面にガスが接触することによって起きる抵抗値の変化によりガスを検知するものであるが、フロンガスに対する感度が小さいという問題があった。また、干渉ガスであるアルコール(エタノール)の感度が経時変化して次第に高くなるので、誤報の原因となる恐れがあった。
【0004】
また、フロンガスセンサについては各所で研究が行われ、例えば、特開昭57−57249号公報、特開昭59−120946号公報、特開昭56−147051号公報、特開平1−242951号公報、特開平1−242952号公報などに開示されているが、200ppm以下の低濃度で各種フロンガスに対して高い感度を有するものについては報告されていない。
【0005】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、フロンガスに対する感度が高く信頼性の高いフロンガスセンサを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、上記目的を達成するために、金属酸化物半導体よりなる感応部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けたフロンガスセンサであって、感応部は、酸化錫を主成分としγ−アルミナのみからなる添加物が添加されてなり、酸化錫に対して合計重量が0.6wt%ないし10wt%のγ−アルミナを含有することを特徴とするものであり、各種フロンガスに対する感度が高く、また、アルコールの感度が経時的に高くなることがないので信頼性が高く、誤報を防止することができる。
【0008】
請求項の発明は、請求項1記載のフロンガスセンサの製造方法であって、感応部は、酸化錫を含む感ガス材料を焼成した後、アルミナゾルを感ガス体に添加し、焼成を行うことにより形成することを特徴とし、各種フロンガスに対する感度が高く信頼性の高いフロンガスセンサを提供することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本実施形態のフロンガスセンサは、図1および図2に示すように、有底筒状のセンサ筐体40の底部を兼ねる樹脂製のベース30と、ベース30を貫通してセンサ筐体40内外に突出する3本の端子101,102,103と、端子101,102,103にリード線201,202,203を接続固定して支持されたセンシング素子Aと、センサ筐体40の天井面に設けられたガス導入用のステンレス製の金網41とを備えている。センシング素子Aは、楕円球状に形成された感応部6に貴金属線の電極コイルからなるヒータ25が埋設されるとともに、ヒータ25の内部に貴金属線からなる芯線20が設けられている。ここに、ヒータ25は上述のリード線201,203間に設けられ、芯線20は上述のリード線202により形成されている。また、リード線202と、リード線201,203のいずれか一方とで電気抵抗測定用の電極を構成し、リード線201とリード線203とがヒータ加熱用の電極を構成している。なお、感応部6の外形寸法は、長手方向の径をほぼ0.5mmとし、短手方向の径をほぼ0.3mmとしてある。
【0010】
ところで、感応部6は、SnO2を主成分としγ−アルミナを添加してある。
【0011】
ここで、SnO2の調整について説明すると、まずSnCl4(塩化スズ)の水溶液をNH3で加水分解してスズ酸ゾルを得、この得たスズ酸ゾルを風乾燥後に空気中において例えば500℃で1時間焼成し、SnO2を得る。なお、このSnO2に対してPdの王水溶液を含浸させ、例えば500℃で空気中において1時間焼成してPdを担持させるようにしてもよい。ここで、Pdの役割は各種ガスに対する応答速度を改善する(速くする)ことであり、Pdの代わりに、Pt,Rh,Auなどの他の貴金属を用いてもよい。次に、上述のようにPd或いはそれに代わる金属を担持させたSnO2若しくはこれら金属を担持させないSnO2に骨材として例えば1000メッシュのα−アルミナを等量混合し、さらにテルピオネールを加えてペースト状にした感ガス材料を得て、該感ガス材料をヒータ25および芯線20に塗布し、空気中において例えば580℃で3分間焼成する。この後、アルミナゾルを感ガス体に添加し、空気中において例えば525℃で3分間焼成することにより感応部6が形成される。
【0012】
しかして、本実施形態のフロンガスセンサにおける感応部6は酸化錫を主成分とし酸化錫中にγ−アルミナを含有しており、各種フロンガスに対する感度が高く、また、アルコールの感度が経時的に高くなることがないので信頼性が高く、誤報を防止することができる。なお、各種フロンガスに対する感度が高くなる理由は明らかではないが、γ−アルミナが活性の強い物質であるので、感応部6にγ−アルミナが添加されていることにより、感応部6表面で吸着あるいは燃焼が促進されているのではないかと推考される。
【0013】
ところで、本実施形態では、アルミナゾルを添加した後に焼成することにより、酸化錫にγ−アルミナを添加しているが、アルミナゾルの代わりに、γ−アルミナ、無定形アルミナ、ベーマイトあるいはこれらの混合物を直接添加してもよい。
【0014】
なお、本実施形態のフロンガスセンサの作動温度は300℃ないし500℃程度であり、ヒータ25に接続された1対の端子101,102間に所定の直流電圧を印加することにより、感応部6の温度が300℃ないし500℃の温度になるようにして使用すればよい。
【0015】
また、本発明は、感応部6を構成しているガス検出材料(感ガス材料)に特徴があり、フロンガスセンサの構造は図1および図2の構造に限定されるものではなくて、つまり、図1および図2に示す燒結体型のセンシング素子Aに限定されるものではなく、例えば、図3および図4に示す平板厚膜型のセンシング素子Aを用いたものであってもよいし、図5および図6に示す管状厚膜型のセンシング素子Aを用いたものであってもよい。
【0016】
図3および図4に示すセンシング素子Aは、厚さ0.3mmで一辺の長さが2mmの正方形のアルミナ基板1の裏面に図3(b)に示すように金電極4A’,4B’及びヒータ用の金電極2A,2Bを設け、金電極2A,2B間には酸化ルテニウムからなるヒータ25’を形成している。また、アルミナ基板1の表面にはスルーホールにより裏面の金電極4A’,4B’と接続された金電極4A,4Bを図3(a)に示すように設け、金電極4A,4B間に亘るように酸化錫(SnO2)を主成分とする感ガス材料を塗布焼成している。またこのアルミナ基板1の裏面側の各電極2A,2B,4A’,4B’にはリードワイヤ5を夫々接続して、リードワイヤ5をベース30に貫通した端子10に接続してある。
【0017】
図5および図6に示すセンシング素子Aは、円筒状のセラミック管7の外周に対向電極(図示せず)が印刷してあり、対向電極の上に感応部6が形成され、セラミック管7の中にコイル状のヒータ25を配設したものであって、軸方向の長さが3.5mm、外径が1.2mmに形成してある。また、感応部6に接続された4本のリードワイヤ5はベース30に貫通した6つの端子10のうちの4つに接続され、ヒータ25の両端はそれぞれ残りの端子10に接続されている。
【0018】
(実施例1)
本実施例では、アルミナゾルを添加した後に、空気中において525℃で3分間焼成することにより感応部6を形成した図1および図2の構造のフロンガスガスセンサを作製した。ここにおいて、本実施例のフロンガスセンサにおける感応部6は、SnO2に対して0.6wt%のγ−アルミナを含有している。
【0019】
(実施例2)
本実施例では、アルミナゾルを添加した後に、空気中において525℃で3分間焼成することにより感応部6を形成した図1および図2の構造のフロンガスガスセンサを作製した。ここにおいて、本実施例のフロンガスセンサにおける感応部6は、SnO2に対して1.5wt%のγ−アルミナを含有している。
【0020】
(実施例3)
本実施例では、アルミナゾルを添加した後に、空気中において525℃で3分間焼成することにより感応部6を形成した図1および図2の構造のフロンガスガスセンサを作製した。ここにおいて、本実施例のフロンガスセンサにおける感応部6は、SnO2に対して3wt%のγ−アルミナを含有している。
【0021】
(実施例4)
本実施例では、アルミナゾルを添加した後に、空気中において525℃で3分間焼成することにより感応部6を形成した図1および図2の構造のフロンガスガスセンサを作製した。ここにおいて、本実施例のフロンガスセンサにおける感応部6は、SnO2に対して6wt%のγ−アルミナを含有している。
【0022】
(実施例5)
本実施例では、アルミナゾルを添加した後に、空気中において525℃で3分間焼成することにより感応部6を形成した図1および図2の構造のフロンガスガスセンサを作製した。ここにおいて、本実施例のフロンガスセンサにおける感応部6は、SnO2に対して10wt%のγ−アルミナを含有している。
【0023】
(実施例6)
本実施例では、アルミナゾルを添加した後に、空気中において525℃で3分間焼成することにより感応部6を形成した図1および図2の構造のフロンガスガスセンサを作製した。ここにおいて、本実施例のフロンガスセンサにおける感応部6は、SnO2に対して20wt%のγ−アルミナを含有している。
【0024】
(実施例7)
本実施例では、無定形アルミナを添加した後に、空気中において525℃で3分間焼成することにより感応部6を形成した図1および図2の構造のフロンガスガスセンサを作製した。ここにおいて、本実施例のフロンガスセンサにおける感応部6は、SnO2に対して0.6wt%の無定形アルミナを含有している。
【0025】
(比較例)
本比較例では、アルミナゾルを添加しないで感応部を形成した図1および図2の構造のガスセンサを作製した。すなわち、本比較例のガスセンサの感応部はγ−アルミナを添加していない。
【0026】
ここで、アルミナゾルを添加した上記各実施例1〜6およびアルミナゾルを添加していない比較例の特性測定を行った結果について図7ないし図12を参照して説明する。なお、特性測定にあたっては、図13に示すような回路を構成し、ヒータ25の両端間に印加する直流電圧であるヒータ電圧VHを0.9(V)として感応部6を加熱し感応部6の温度が400℃になるようにするとともに、感応部6と負荷抵抗RLとの直列回路の両端間に検出用電圧VCとして5(V)の直流電圧を印加し、負荷抵抗RLの両端電圧Voutに基づいて感応部6の抵抗値を求めた。ただし、負荷抵抗RLの抵抗値は10(KΩ)とした。
【0027】
図7および図8は、空気中での感応部6の抵抗値Rairに対する各種フロンガス雰囲気中での感応部6の抵抗値Rの割合(R/Rair)を示すグラフであって、図7は実施例1を、図8は比較例を、それぞれ示す。図7および図8の横軸はガス濃度、縦軸はR/Rairであって、図7および図8中の実線イ(●)はR−407cに対する測定結果を、二点鎖線ロ(■)はR−410aに対する測定結果を、一点鎖線ハ(◆)はR−404aに対する測定結果を、破線ニ(△)はR−12(CCl22)に対する測定結果を、二点鎖線ホ(▼)はR−134a(CH2F−CF3)に対する測定結果を、実線ヘ(○)はR−125(CF3−CF3)に対する測定結果を、一点鎖線ト(□)はR−290に対する測定結果を、破線チ(×)はR−600a(C410)に対する測定結果を、それぞれ示す。ここにおいて、R/Rairは、同じガス濃度において値が小さいほど感度が高いことを示す。
【0028】
図7および図8の測定結果から、アルミナゾルを添加して焼成することによりγ−アルミナを含有した感応部6を備えた実施例1のフロンガスセンサの方がアルミナゾルを添加していない比較例のガスセンサに比べて各種フロンガスに対する感度が高くなることがわかる。なお、図9は各種フロンガスの100ppmでの測定データの一覧を示す。
【0029】
図10および図11は連続通電時における感応部6の抵抗値Rの経時変化の測定結果を示すグラフであって、横軸が通電日数、縦軸が抵抗値Rを示し、図10が実施例1(γ−アルミナを0.6wt%含有)の測定結果を、図11が実施例3(γ−アルミナを3%含有)の測定結果を、それぞれ示す。図10および図11の▲1▼は空気中における感応部6の抵抗値Rの測定結果を、▲2▼は100ppmのR−134a雰囲気における感応部6の抵抗値Rの測定結果を、▲3▼は100ppmのエタノール雰囲気における感応部6の抵抗値Rの測定結果を、それぞれ示す。
【0030】
図10および図11に示す測定結果から、γ−アルミナの含有量が多い方が、長期連続通電時におけるフロンガス、エタノールに対する感応部6の抵抗値Rの変化が小さく経時安定性が良いことが分かる。また、γ−アルミナの含有量が多い方が、長期連続通電時におけるエタノールに対する高感度化を抑制することができることがわかる。
【0031】
ところで、図12は酸化錫(SnO2)に対するγ−アルミナの添加量を種々変えた(SnO2に対するγ−アルミナの添加濃度を0wt%ないし20wt%の範囲で変化させた)実施例1〜6及び比較例について感応部6の抵抗値Rを測定した結果を示すものであって、図12の▲1▼(●)は100ppmのエタノール雰囲気中での測定結果を示し、図12中の▲2▼(■)は100ppmのR−134a雰囲気中での測定結果を示し、図12中の▲3▼(◇)は100ppmのR−125雰囲気中での測定結果を、それぞれ示す。図12に示す測定結果から、SnO2に対するγ−アルミナの添加濃度が0.6wt%ないし3wt%の範囲ではγ−アルミナの添加濃度が大きいほどフロンガスに対する感度が高くなり、γ−アルミナの添加濃度が3wt%ないし20wt%の範囲ではフロンガスに対する感度がほぼ一定となっていることが分かる。一方、SnO2に対するγ−アルミナの添加濃度が20wt%を越えると、上述の平板厚膜型のセンシング素子や管状厚膜型のセンシング素子では感応部6の剥離などの問題が生じる恐れがあるので、SnO2に対して0.6wt%ないし10wt%のγ−アルミナを添加することが望ましい。
【0032】
また、図14は実施例7のフロンガスセンサに関して各種ガス雰囲気中での感応部6の抵抗値Rを示す。図14の横軸はガス濃度、縦軸は感応部6の抵抗値Rであって、図14中の▲1▼(●)はR−134aに対する測定結果を、▲2▼(▲)はR−125に対する測定結果を、▲3▼(■)はエタノールに対する測定結果を、それぞれ示す。図14から実施例7においてもフロンガスに対して高感度であることが分かる。
【0033】
【発明の効果】
請求項1の発明は、金属酸化物半導体よりなる感応部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けたフロンガスセンサであって、感応部は、酸化錫を主成分としγ−アルミナのみからなる添加物が添加されてなり、酸化錫に対して合計重量が0.6wt%ないし10wt%のγ−アルミナを含有しているので、各種フロンガスに対する感度が高く、また、アルコールの感度が経時的に高くなることがないので信頼性が高く、誤報を防止することができるという効果がある。
【0034】
請求項の発明は、請求項1記載のフロンガスセンサの製造方法であって、感応部は、酸化錫を含む感ガス材料を焼成した後、アルミナゾルを感ガス体に添加し、焼成を行うことにより形成するので、各種フロンガスに対する感度が高く信頼性の高いフロンガスセンサを提供することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示すガスセンサの要部概略構成図である。
【図2】同上の一部破断した正面図である。
【図3】本発明の他の構成例の要部を示し、(a)は表面側から見た斜視図、(b)は裏面側から見た斜視図である。
【図4】同上の一部破断した斜視図である。
【図5】本発明の別の構成例の要部を示し、一部破断した斜視図である。
【図6】同上の一部破断した斜視図である。
【図7】実施例1のガス濃度−感度特性を示すグラフである。
【図8】比較例のガス濃度−感度特性を示すグラフである。
【図9】実施例1と比較例との比較説明図である。
【図10】実施例1の連続通電による感応部の抵抗値の経時変化の測定結果を示すグラフである。
【図11】実施例3の連続通電による感応部の抵抗値の経時変化の測定結果を示すグラフである。
【図12】感応部の抵抗値のγ−アルミナ濃度依存性を示すグラフである。
【図13】感応部の抵抗値の測定回路図である。
【図14】実施例7のガス濃度−抵抗値特性を示すグラフである。
【符号の説明】
6 感応部
20 芯線
201,202,203 リード線
25 ヒータ
A センシング素子

Claims (2)

  1. 金属酸化物半導体よりなる感応部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けたフロンガスセンサであって、感応部は、酸化錫を主成分としγ−アルミナのみからなる添加物が添加されてなり、酸化錫に対して合計重量が0.6wt%ないし10wt%のγ−アルミナを含有することを特徴とするフロンガスセンサ。
  2. 請求項1記載のフロンガスセンサの製造方法であって、感応部は、酸化錫を含む感ガス材料を焼成した後、アルミナゾルを感ガス体に添加し、焼成を行うことにより形成することを特徴とするフロンガスセンサの製造方法。
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JP5223125B2 (ja) * 2006-08-25 2013-06-26 謙治 佐藤 無線タグ型センサ
JP7317318B2 (ja) * 2019-08-08 2023-07-31 フィガロ技研株式会社 複数のガスセンサを備えるガス検出装置とガス検出方法
CN110632136B (zh) * 2019-10-25 2021-09-14 武汉中能天华节能环保科技有限公司 一种管式NOx传感器
CN111398361A (zh) * 2019-10-31 2020-07-10 杭州超钜科技有限公司 一种宽量程的卤素检漏系统及其检测方法
CN114858868B (zh) * 2022-04-27 2022-11-18 河南森斯科传感技术有限公司 一种快速响应恢复的半导体可燃气体传感器

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