JP2004076162A - 表面処理方法および表面処理された希土類系永久磁石 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 易酸化性蒸着材料からなる蒸着被膜を被処理物の表面に形成する表面処理方法であって、処理室内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物の近傍に蒸着制御ガスを供給した状態で前記蒸着材料を蒸発させることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
図1は、具体的には希土類永久磁石表面にアルミニウム蒸着被膜を形成するための装置を示すもので、図略の真空排気系に連なる処理室(真空槽)1内の下部には、蒸着材料であるアルミニウム10を蒸発させる溶融蒸発部であるハース(蒸着材料を溶解するための容器)2が、支持テーブル3上に立設されたハース支持台4上に1個または複数個配設されている。また、処理室1内の上方には網状部材で形成された籠状の被処理物保持部5が回転軸6を中心に回転自在に2個並設されている。
そして、この装置によれば、前記被処理物保持部5内に被処理物として希土類系永久磁石30が収容され、この被処理物保持部5、5を回転させながら、図略の加熱手段によって所定温度に加熱された前記ハース2からアルミニウム10を蒸発させ、被処理物保持部5、5内の希土類系永久磁石30の表面にアルミニウム蒸着被膜を形成するようにしている。
そこで本発明は、高い真空度を得るために長時間をかけたり、特別の装置を使用したりすることなく、アルミニウムのような易酸化性蒸着材料を希土類系永久磁石のような被処理物に安定に蒸着させるための表面処理方法などを提供することを目的とする。
また、請求項2記載の表面処理方法は、請求項1記載の表面処理方法において、前記蒸着制御ガスが水素であることを特徴とする。
また、請求項3記載の表面処理方法は、請求項2記載の表面処理方法において、蒸着材料の蒸発を10-3Pa以上の酸素分圧下で行うことを特徴とする。
また、請求項4記載の表面処理方法は、請求項3記載の表面処理方法において、処理室内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物間の空間における水素/酸素モル比を10〜250の範囲とすることを特徴とする。
また、請求項5記載の表面処理方法は、請求項2記載の表面処理方法において、前記蒸着材料が水素含有量が0.5ppm以下のアルミニウムであることを特徴とする。
また、本発明の被処理物は、請求項6記載の通り、請求項1乃至5のいずれかに記載の表面処理方法によって、アルミニウム、チタニウム、亜鉛、錫、鉛、ビスマスから選ばれる少なくとも一成分の蒸着被膜が形成されていることを特徴とする。
また、請求項7記載の被処理物は、請求項6記載の被処理物において、前記被処理物が希土類系永久磁石であることを特徴とする。
なお、EB蒸着を行う場合は、蒸着材料に蒸着制御ガスが含まれていると、スプラッシュが生じるおそれがあるので、安定した蒸着のためには、蒸着材料に含まれる蒸着制御ガス量は極力少ないことが望ましく、蒸着制御ガスは処理室外部から供給することが望ましい。
実施例A(実施例1〜3と比較例1〜3)
公知の鋳造インゴットを粉砕し、微粉砕後に成形、焼結、熱処理、表面加工を行い、17Nd−1Pr−75Fe−7B組成の23mm×10mm×6mm寸法の磁石体試験片を得た。この磁石体試験片を用いて、1時間で3μmのアルミニウム被膜を形成する試験を行った。
図1に示した、ハースが1個配設された表面処理装置(内容積0.6m3)の処理室(真空槽)内に前記磁石体試験片を挿入した後、真空槽内の全圧が3.0×10-5Paになるまで真空排気を行った。この時の真空槽外壁に直接設置した四重極質量分析計(QIG−066:アネルバ社製)で測定した真空槽内の酸素分圧を表1に示す。
その後、真空槽内にArガスを全圧が5.0×10-4Paになるように導入し、表面スパッタによって磁石体試験片表面を清浄化した後、全圧が3.0×10-4PaになるようにArガスの導入量を調整した。
また、この際にArガスと同時に水素ガスを表1の実施例1〜3と比較例2に示す分圧になるように導入した。
その後、電圧1kVを印加し、電子ビーム加熱法によって水素含有量が0.5ppmのアルミニウムインゴットに電子ビームを照射、加熱してこれを溶融し、蒸発させ、イオン化させてイオンプレーティングを行った。
また、比較例3として、水素含有量が1.2ppmのアルミニウムインゴットを使用し、実施例2と同一条件による試験を行った。
結果を表1に示す。
2 ハース
3 支持テーブル
4 ハース支持台
5 被処理物保持部
6 回転軸
10 アルミニウム
30 希土類系永久磁石
Claims (7)
- 易酸化性蒸着材料からなる蒸着被膜を被処理物の表面に形成する表面処理方法であって、蒸着制御ガスを処理室外部から導入することによって、処理室内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物の近傍に蒸着制御ガスを供給した状態で前記蒸着材料を蒸発させることを特徴とする表面処理方法。
- 前記蒸着制御ガスが水素であることを特徴とする請求項1記載の表面処理方法。
- 蒸着材料の蒸発を10-3Pa以上の酸素分圧下で行うことを特徴とする請求項2記載の表面処理方法。
- 処理室内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物間の空間における水素/酸素モル比を10〜250の範囲とすることを特徴とする請求項3記載の表面処理方法。
- 前記蒸着材料が水素含有量が0.5ppm以下のアルミニウムであることを特徴とする請求項2記載の表面処理方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の表面処理方法によって、アルミニウム、チタニウム、亜鉛、錫、鉛、ビスマスから選ばれる少なくとも一成分の蒸着被膜が形成されていることを特徴とする被処理物。
- 前記被処理物が希土類系永久磁石であることを特徴とする請求項6記載の被処理物。
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