JP2004071819A

JP2004071819A - 膜形成方法及び半導体素子の製造方法

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Publication number: JP2004071819A
Application number: JP2002228946A
Authority: JP
Inventors: Kei Kasuya; 粕谷　圭; Yoshihiko Honda; 本田　善彦
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2002-08-06
Filing date: 2002-08-06
Publication date: 2004-03-04

Abstract

【課題】塗布法で形成する絶縁膜のエッジ部分の盛り上がりに起因する剥離発生を防止できる膜形成方法、及び、低コスト且つ高歩留りが達成可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１０上に塗布絶縁膜１１を回転塗布によって形成し、その塗布絶縁膜１１の外周部をリンス液により除去する。このとき、リンス液として、メシチレンとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの混合溶剤を用いることにより、エッジの盛り上がり部１１ａにおける比ｂ／ａを１．１以下に抑えることが可能となる。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高集積化した半導体素子の製造に有用な膜形成方法及びその半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの高集積化に伴って、トランジスタを接続する配線が多層化且つ微細化すると共に、素子の動作スピードを向上させるため、層間絶縁膜（ＩＬＤ）の低誘電率化が進んでいる。また、配線金属は、従来のアルミニウムから、より導電性に優れる低抵抗の銅へと変化している。層間絶縁膜としては、従来から、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）法によって形成される比誘電率が４．２程度の酸化珪素（ＳｉＯ_２）膜が主として用いられてきた。
【０００３】
しかし、配線の微細化に伴い、配線間容量の増大による信号遅延時間の増大が問題となり、かかる配線間容量の低減が要求されている。そのため、より低誘電率な層間絶縁膜が望まれている。このような層間絶縁膜としては、３．０以下の比誘電率が達成可能な有機ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）膜、有機ポリマー膜が挙げられ、ＬＳＩへの適用が盛んに検討されており、一部で既に適用が開始されている。
【０００４】
有機ＳＯＧ膜、有機ポリマー膜の形成方法としては、回転塗布（スピンコート）法が用いられている。これらの膜を形成する際には、後の工程でウエハ外周部における膜が剥離して異物発生の原因となることを防止するため、塗布後にウエハ外周部における膜の除去が行われる。この膜除去方法としては、ウエハを回転させながら、ウエハ外周部にリンス液を滴下するエッジリンス法が一般的である。
【０００５】
このような回転塗布により形成した膜に対するエッジリンスでは、エッジリンスされた絶縁膜の周縁（エッジ）部分の盛り上がりが問題となる。すなわち、有機ＳＯＧ膜、有機ポリマー膜のような低誘電率膜は、Ｃｕ配線と組み合わせて用いられるので、このようなエッジ部分の盛り上がりは、ダマシン法を用いた銅（Ｃｕ）配線形成の化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）工程において当該エッジ部分の剥離の原因となる。剥離によって発生した異物は、ＬＳＩ製品の歩留まりを低下させることになるため、絶縁膜のエッジの盛り上がりを低くすることが要求されており、かかる問題は、ＬＳＩの多層化が進むに従い顕在化してきている。
【０００６】
これに対し、エッジリンス法における絶縁膜のエッジ部分の盛り上がりを小さくする方法として、特開平１１−３３３３５５号公報には、絶縁膜の回転塗布後にそのウエハをホットプレートで加熱して溶剤を揮発させてからエッジリンスを行う方法が提案されている。また、特開平８−２２２５５０号公報には、塗布膜を形成した後に、別の有機膜をマスクにして塗布膜の外周部をエッチングして除去する方法も提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特開平１１−３３３３５５号公報に開示された方法では、塗布膜の種類によっては充分な効果が得られないという問題がある。また、塗布とエッジリンスとの間にウエハを加熱する工程が必要なので、全体の処理プロセスが複雑になると共に、スループットの低下が避け難い。一方、上記特開平８−２２２５５０号公報に開示された方法では、マスク形成工程及びエッチング工程が必要となるため、ＬＳＩの量産への適用は困難である。このような状況下、回転塗布法によって形成される低誘電率膜を用いた多層配線を有するＬＳＩの歩留まりを向上させる方法の開発が望まれている。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、回転塗布法で形成される絶縁膜のエッジ部分の盛り上がりに起因する剥離の発生を、複雑な工程を経ることなく充分に低減できる膜形成方法、及び、低コストで高歩留りを達成可能な半導体素子の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有する溶剤をリンス液として用いることにより、絶縁膜のエッジ部分の盛り上がりを充分に低減できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
すなわち、本発明による膜形成方法は、基板上に絶縁膜を回転塗布によって形成し、その絶縁膜の外周部をリンス液により除去する方法であって、リンス液として、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとを含む混合溶剤を用いることを特徴とするものである。
【００１１】
ＬＳＩ等の多層配線に用いられる絶縁膜としては、有機膜又は有機無機複合膜等からなる低誘電率膜が好適であり、特にこのような絶縁膜を基板上に形成し、その外周部を除去する際に上記特定混合溶剤を用いると、従来のリンス液、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを単独でリンス液として用いた場合に比べて、絶縁膜のエッジ部の盛り上がりを充分に低く抑えることが可能になる。
【００１２】
上記リンス液は、メシチレンとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの体積混合比が、メシチレン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート＝１０／９０〜９５／５の範囲内の値であることが好ましい。リンス液における上記成分の割合を上記範囲内にすることにより、絶縁膜のエッジ部分の盛り上がりを特に効果的に低減できるようになる。
【００１３】
また、本発明による半導体素子の製造方法は、本発明の上記膜形成方法により、基板上に外周部が除去された絶縁膜を形成する工程を備えることを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。
【００１５】
本発明の膜形成方法では、まず、ウエハ等の基板上に塗布絶縁膜の回転塗布によって絶縁膜を形成し、次いで、その絶縁膜の外周部をリンス液によって除去する。この絶縁膜としては、有機含有ポリシロキサン膜、芳香族系ポリマー膜、フッ素樹脂膜等とこれらのポーラス膜とを含む有機無機複合膜、又は、有機膜等の低誘電率膜が用いられる。
【００１６】
塗布絶縁膜の形成に用いる装置としては、例えば、複数のホットプレートを有する市販のスピンコータが使用可能である。当該装置としては、特に、回転塗布後に、ウエハを回転させながらその外周部にリンス液を滴下して塗布絶縁膜の一部を除去（エッジリンス）するためのノズルを有するものが好ましく、ノズルが可動式であって塗布絶縁膜を除去する幅を任意に設定できる装置がより好ましい。
【００１７】
図１は、塗布絶縁膜１１（絶縁膜）が形成されたウエハ１０（基板）の周縁部を示す模式断面図である。本発明においては、エッジリンスのリンス液として、メシチレンとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとを含有する特定の混合溶剤を用いることにより、外周部が除去された後の塗布絶縁膜１１の厚さａ（外周部よりも内側における厚さ）に対するそのエッジ部の盛り上がり部１１ａの高さｂの比（ｂ／ａ）を、１．１以下に抑えることが可能である。
【００１８】
これに対し、従来のリンス液としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、酢酸エステル系溶媒、グリコールアセテート系溶媒、アミド系溶媒、グリコールエーテル系溶媒等が単独で用いられていたが、かかる溶媒をリンス液として用いた場合には、上記ｂ／ａが１．５以上となり、ｂ／ａを１以上１．１未満に制御するのは、殆ど不可能であった。
【００１９】
本発明で用いるリンス液は、メシチレン及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのみからなるものが好ましいが、これら以外の溶媒をリンス液の全重量を基準として１〜２０重量％程度含有していてもよい。
【００２０】
また、リンス液中のメシチレン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの体積混合比率は、１０／９０〜９５／５の範囲内の値であることが好ましく、３０／７０〜８０／２０の範囲内の値であることがより好ましい。この比率が１０／９０未満であると、エッジ部に未溶解物が残る傾向にある。一方、この比率が９５／５を超えると、絶縁膜の種類によっては、塗布絶縁膜１１の盛り上がり部１１ａの上記ｂ／ａを１．１以下に抑制し難くなる傾向にある。
【００２１】
このように芳香族系溶媒であるメシチレンとグリコールアセテート系溶媒であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの混合溶剤を用いた場合に、塗布絶縁膜１１の盛り上がり部１１ａの発生が充分に解消するメカニズム（優れた平坦化性能が発現されるメカニズム）の詳細は未だ不明な点があるものの、例えば、絶縁膜に対する溶解性と適正な表面張力を両立できることが要因の一つと推測される。但し、作用はこれに限定されるものではない。
【００２２】
回転塗布方法によってウエハ１０上に塗布絶縁膜１１を形成する際には、まず、スピンチャックにウエハ１０を吸着させた後、そのウエハ１０を１０〜５０ｒｐｍで回転させながら必要量の塗布液をウエハ１０の中央に滴下する。次いで、例えば１０００〜６０００ｒｐｍで３０秒程度回転させる。この時の回転数を変更することにより、得られる塗布絶縁膜１１の膜厚ａを所望に制御することが可能である。
【００２３】
さらに、この段階で塗布膜の溶剤が充分に揮発していれば、回転数を５００〜２０００ｒｐｍ程度に保持した状態でエッジリンス、及び、ウエハ１０裏面に飛散した塗布液を除去するためのバックリンスを行う。一方、塗布膜の溶剤の揮発が不充分な場合には、エッジ部の盛り上がり部１１ａが増大し、上方から顕微鏡で監察したときの形状も悪化する傾向にある。かかる場合には、エッジリンスの前に、３０００〜５０００ｒｐｍでウエハ１０を３０〜１２０秒程度回転させると、エッジ部の盛り上がりを抑え且つその形状を改善できる。但し、この時の回転時間が過度に長いとスループットが低下する傾向にあるため、回転時間は３０〜６０秒が好ましい。
【００２４】
このような回転塗布を実施後、１〜３枚のホットプレートを用いて５０〜３５０℃のプリベークを行う。通常は、低温から段階的に２〜３段階でベークする方法が用いられ、塗布絶縁膜１１を完全に硬化させるためには、通常３５０〜４５０℃で２０〜６０分の加熱処理を行う。この際には、市販の縦型炉を用いることができる。なお、塗布絶縁膜１１が有機膜又は有機無機複合膜である場合には、硬化雰囲気を窒素雰囲気とし、雰囲気中の酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に維持制御するのが好ましい。
【００２５】
ところで、ＬＳＩの層間絶縁膜に有機膜及び／又は有機無機複合膜からなり低誘電率を発現する絶縁膜を用いる場合、絶縁膜がウエハ表面に露出した状態（図１に示すような状態）では、ＬＳＩの多層配線形成プロセスで用いられるプラズマ及び薬品により、膜質が劣化し、絶縁膜としての信頼性が低下するおそれがある。よって、これを防ぐため、絶縁膜の上層に無機膜を積層するのが一般的である。
【００２６】
無機膜としては、通常、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＮ膜が用いられ、一般にプラズマＣＶＤ法により形成する。また、層間絶縁膜に有機膜及び／又は有機無機複合膜を用いる場合、パターン形成後のフォトレジストの除去に通常用いられるアッシングを行うことができない。よって、パターン形成のエッチング時にフォトレジストを同時に除去する方法が採用されるが、上層として形成された無機膜は、フォトレジストが除去された後のハードマスクとしての役割を果たす場合もある。
【００２７】
また、Ｃｕ配線を形成するシングルダマシン法では、絶縁膜の形成後、配線パターン又は接続孔パターンのフォトレジストパターンを形成し、プラズマエッチングにより絶縁膜にパターン形成を行う。フォトレジストの形成には、上述した塗布絶縁膜の形成に用いたのと同等の機能を有する塗布装置を使用可能である。無機膜上に形成されたフォトレジストの外周部を除去するには、エッジリンス或いは周縁露光のどちらを用いてもよい。
【００２８】
次いで、市販のステッパ−を用いて、フォトレジストに、配線又は接続孔のパターンを形成し、無機膜と塗布絶縁膜のエッチングを行う。エッチングには、市販のエッチング装置を用いることができる。さらに、塗布絶縁膜が有機膜の場合、ＣＦ系のエッチングガスで上層の無機膜をエッチングした後、Ｎ_２／Ｈ_２系又はＮＨ_３系のエッチングガスを用いてそれら有機膜のエッチングを行う。有機膜のエッチング時には、フォトレジストも同時にエッチングされ、エッチング完了後にはフォトレジストが完全に除去される。
【００２９】
また、有機ポリシロキサン膜のような有機無機複合膜のエッチングは、ＣＦ系ガスを用いて行う。この場合、塗布絶縁膜のエッチング完了後もフォトレジストは完全に除去されないため、別途フォトレジストの除去を行う必要がある。但し、従来の酸素を用いたアッシャーは塗布絶縁膜を酸化してしまうため、Ｏ_２の異方性エッチング又はＮ_２／Ｈ_２系若しくはＮＨ_３系の異方性エッチングを用いる。
【００３０】
このようなエッチングを終えた後、必要に応じて市販のクリーニング液によるクリーニングを行ってもよい。その後、配線孔等のパターンが形成されたウエハ上にスパッタによってバリア膜と銅メッキのためのＣｕシード層を形成する。バリア膜は、下地絶縁膜との接着性向上やＣｕ膜が絶縁膜中を拡散することを防ぐ等を目的として形成される。Ｃｕ膜は市販のメッキ液、メッキ装置を用いて形成することができる。さらに、市販の研磨液と装置を用いてＣｕ−ＣＭＰを行い、Ｃｕ配線を形成する。Ｃｕ−ＣＭＰ後は、連続してバリア膜のＣＭＰを行う。この場合、絶縁膜のエッジの段差部分側方にＣｕ膜が残り、段差が解消される。
【００３１】
このような本発明の膜形成方法によれば、Ｃｕ−ＣＭＰの前に、上述のように特定の混合溶剤をリンス液として用い、塗布絶縁膜のエッジ部の盛り上がり部が充分に平坦化されているため、ＣＭＰ工程でその盛り上がりに起因する塗布絶縁膜や無機膜の剥離が生じない。このような作用効果は、絶縁膜の種類に依存することなく発現されると共に、熱処理を行う必要もないので、全体の処理プロセスの複雑化を防止できる。よって、高集積化したＬＳＩの歩留まりを低コストで改善することが可能となる。さらに、多層配線に用いる絶縁膜としての低誘電率膜の膜厚変更等のプロセス条件及びレシピの変更への対応も容易となる。
【００３２】
また、このような膜形成方法により、外周部が除去された絶縁膜が基板上に形成されて成る半導体素子としては、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、マスクＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、ＡＳＩＣ等の論理回路素子等に代表される集積回路素子が挙げられる。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明に係る具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１）
塗布絶縁膜として、硬化膜の比誘電率が２．６であるダウ・ケミカル社製のＳｉＬＫ　Ｊ３５０樹脂を用いてシングルダマシンを想定した多層配線形成の検討を行った。
【００３５】
基板として、ＳｉＮ１００ｎｍが製膜された８インチのシリコンウエハを用い、塗布装置として、大日本スクリーン製のＳＣＷ−８０Ａコータを用いた。まず、シリコンウエハをスピンチャックに吸着後、３０ｒｐｍで回転しながら、ＳｉＬＫ　Ｊ３５０塗布液をシリコンウエハ上に４ｃｃ滴下した。滴下終了後、直ちに３８００ｒｐｍで２５秒回転し、続いて、５０００ｒｐｍで２０秒回転することにより塗布膜の溶剤を揮発させた。
【００３６】
その後、回転数を１５００ｒｐｍに保持しながら、シリコンウエハの外周部にリンス液を滴下して外周部のＳｉＬＫ樹脂を除去した。リンス液は、体積混合比がメシチレン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート＝７０／３０である混合溶剤を用い、樹脂の除去幅は、Ｓｉウエハの周端から３ｍｍとした。エッジリンスの際には、同時にシリコンウエハ裏面に付着した樹脂液を除去するため、メシチレンによるバックリンスを行った。エッジリンス、バックリンス終了後、リンス液を振り切るため、２０００ｒｐｍで１０秒回転した。
【００３７】
次いで、ホットプレートを用いて３２０℃／９０秒のベークを行い、続いてクーリングプレートを用いて２３℃／９０秒のクーリングを行った。その後、シリコンウエハを縦型炉用の石英ボートに挿入し、大日本スクリーン社製の縦型炉ＡＶＦ８０１を用いて４００℃／３０分の硬化を行った。この時の雰囲気はＮ_２雰囲気とし、Ｏ_２濃度を１００ｐｐｍ以下に制御した。
【００３８】
硬化後の樹脂膜の膜厚を干渉膜厚計を用いて屈折率１．６３で測定した結果、３５０ｎｍであった。また、触針式膜厚計を用いて塗布膜のエッジ形状を測定した結果、盛り上がり部の高さは最大２００ｎｍで、図１に示すｂ／ａが１．１であった。また、顕微鏡で監察したエッジ形状は良好であった。
【００３９】
次に、樹脂膜の硬化後、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ_２膜を積層した。成膜装置として、アプライドマテリアルズ社製のＰｒｅｃｉｓｉｏｎ　５０００を用い、ソースガスとしてＳｉＨ_４及びＮ_２Ｏを用いた。また、ウエハチャック温度を４００度、ＳｉＨ_４／Ｎ_２Ｏ比を１００ｓｃｃｍ／２０００ｓｃｃｍ、処理圧力を１．２ｋＰａとし、１００ｎｍのＳｉＯ_２膜を形成した。
【００４０】
次いで、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行ってパターンを形成した。得られたフォトレジストパターンの膜厚は３５０ｎｍであった。さらに、アルバック社製の平行平板型のＲＩＥ装置ＣＳＥ―１１１０を用いてエッチングを行った。まず、ＣＦ_４／Ｏ_２を用いて、ＳｉＯ_２膜のエッチングを行った。処理条件は、ＣＦ_４／Ｏ_２＝８０ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ、圧力を５０Ｐａ、Ｒｆパワーを２００Ｗとした。
【００４１】
続いて、ＳｉＬＫ硬化膜のエッチングを行った。処理圧力を４Ｐａとし、エッチングガスとしてＮ_２／Ｈ_２＝１５ｓｃｃｍ／１５ｓｃｃｍとした。この時のフォトレジストのエッチレートは１００ｎｍ／分であった。また、３５０ｎｍの膜厚に対して３０％のオーバーエッチを行うため、エッチング時間を４．５分とした。上層のフォトレジスト膜は完全に除去され、この後、配線又は接続孔が形成された。
【００４２】
次に、Ｃｕ−ＣＭＰの評価を行うため、エッチング完了後のシリコンウエハにＴａＮを１０ｎｍ積層し、次いでＴａを２０ｎｍ積層し、最後にＣｕを２００ｎｍ積層した。これらの成膜はスパッタによって行った。Ｃｕ−ＣＭＰでは、研磨液として砥粒フリー研磨液ＨＳ−４０００（日立化成工業（株）製）、研磨パッドとしてＩＣ−１０００単層、格子溝パッド（ロデール社製）、研磨装置として、定盤直径２４インチ、２プラテン型のメタル用研磨装置（ラップマスター社製）を用いた。
【００４３】
研磨条件は、荷重２００ｇ／ｃｍ^２、定盤回転数４０ｒｐｍ、ウエハホルダ回転数４０ｒｐｍ、研磨液供給量２００ｃｃ／分、研磨時間２分とし、プラテンは第一プラテンを用いた。この条件におけるＣｕの研磨速度は１４０ｎｍ／分であった。研磨後、シリコンウエハを水で洗浄し、乾燥させた後、エッジ部分の観察を行った。顕微鏡でウエハ全周を監察したところ、剥離の発生は認められなかった。
【００４４】
続いて、Ｔａ／ＴａＮのＣＭＰを行った。研磨液として砥粒入りの研磨液　ＨＳ−５０００Ｘ−４（日立化成工業（株）製）、研磨パッドとしてＩＣ−１０００単層、格子溝パッド（ロデール社製）、研磨装置としてＣｕ−ＣＭＰと同一の研磨装置を用い、第二プラテンを用いて研磨を行った。研磨条件は、荷重２００ｇ／ｃｍ^２、定盤回転数３０ｒｐｍ、ウエハホルダ回転数３０ｒｐｍ、研磨液供給量２００ｃｃ／分、研磨時間１分とした。この条件におけるＴａ及びＴａＮの研磨速度は、共に５０ｎｍ／分であった。研磨後は、水洗し、乾燥させた後、断面の観察を行った。顕微鏡でウエハ全周を監察したところ、剥離の発生は認められなかった。
【００４５】
バリア膜研磨後、Ｃｕ拡散防止膜を想定したＳｉＮ膜（５０ｎｍ厚）を形成することにより、シングルダマシンを想定したプロセスを完了した。この後、上記のシングルダマシンを想定したプロセスを６回繰り返して行ったが、いずれも絶縁膜のエッジ部分における剥離の発生は認められなかった。これより、本プロセスは、ＬＳＩの多層配線形成に対して充分なマージンを有し、多層化した場合にも全く問題ないことが確認された。
【００４６】
（比較例１）
エッジリンス液として、メシチレン及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの混合溶剤の代わりに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを単独で用いたこと以外は、実施例１と同様にしてシングルダマシンプロセスを想定した膜形成及び多層配線形成を実施した。また、Ｃｕ−ＣＭＰを実施例１と同条件で行い、ＳｉＬＫ膜エッジ部を顕微鏡で監察した。その結果、ＳｉＬＫ樹脂膜の盛り上がり部に起因した剥離の発生が認められた。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の膜形成方法及び半導体素子の製造方法によれば、回転塗布法で基板上に形成される絶縁膜の外周部を除去する際に、メシチレンとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとを含む混合溶剤から成るリンス液を用いるので、その絶縁膜のエッジ部分の盛り上がり及び段差に起因する剥離の発生を、複雑な工程を経ることなく解決でき、高集積化したＬＳＩの歩留まりを低コストで改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】塗布絶縁膜が形成されたウエハの周縁部を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１０…ウエハ（基板）、１１…塗布絶縁膜（絶縁膜）、１１ａ…盛り上がり部。

Claims

基板上に絶縁膜を回転塗布によって形成し、該絶縁膜の外周部をリンス液により除去する膜形成方法であって、
前記リンス液として、メシチレンとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとを含む混合溶剤を用いることを特徴とする膜形成方法。
前記リンス液におけるメシチレンとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの体積混合比が、メシチレン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート＝１０／９０〜９５／５の範囲内の値であることを特徴とする請求項１記載の膜形成方法。
請求項１又は２に記載の膜形成方法により、基板上に外周部が除去された絶縁膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。