JP2004064093A - 集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法及びシステム - Google Patents

集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法及びシステム Download PDF

Info

Publication number
JP2004064093A
JP2004064093A JP2003280819A JP2003280819A JP2004064093A JP 2004064093 A JP2004064093 A JP 2004064093A JP 2003280819 A JP2003280819 A JP 2003280819A JP 2003280819 A JP2003280819 A JP 2003280819A JP 2004064093 A JP2004064093 A JP 2004064093A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
active area
thermally conductive
circuit device
conductive element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003280819A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4908733B2 (ja
Inventor
Michael Siegel Harry
ハリー マイケル シーゲル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
STMicroelectronics lnc USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics lnc USA filed Critical STMicroelectronics lnc USA
Publication of JP2004064093A publication Critical patent/JP2004064093A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4908733B2 publication Critical patent/JP4908733B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4093Snap-on arrangements, e.g. clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/4043Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to have chip
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】集積回路装置の活性区域から熱を除去する改良した技術を提供する。
【解決手段】集積回路装置の活性区域104から熱を除去する方法が提供される。本方法によれば、集積回路装置の活性区域104へ分離体112を付与する。該分離体112の外側に該集積回路装置の活性区域104へ熱伝導性要素102を結合させる。
【選択図】図1

Description

 本発明は、大略、集積回路に関するものであって、更に詳細には、集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法及びシステムに関するものである。
 従来の集積回路パッケージは、通常、シリコンからなる集積回路と、集積回路(IC)に対しての電気的相互接続に対するサポートを与える積層体又はリードフレーム基板と、該集積回路と該基板との間の電気的接続を保護する保護物質とを有している。集積回路パッケージの製造期間中に、集積回路部分は、通常、ダイと呼称される。
 典型的なダイは、アクティブな電気回路がダイの片側に位置され且つその厚さの上部数ミクロンを占有するに過ぎないように構成される。従って、基本的に、ICの動作に関連する熱はダイ表面において局所的に発生される。通常の半導体装置の場合には、ダイはシリコン(Si)又はゲルマニウム(Ge)から形成される。これらの物質は、両方共、比較的熱伝導特性が劣っており、ゲルマニウムはこれら2つのうちで最悪である。
 ダイの表面において発生された熱を抽出するために、2つの可能な伝導経路が存在しており、即ち(1)ダイ(Si又はGeのいずれか)のバルク物質を介し、従って、その他の伝導性要素ヘ接続するものか、又は(2)ダイからそのダイを取囲んでいる封止用又は「保護用」物質を介してのものである(上述した如く)。
 典型的に、伝導経路(1)は効率が悪い。何故ならば、熱はダイ(Si又はGe)のバルクを横断せねばならず、且つその他の伝導要素ヘ伝導せねばならないからである。この熱伝導経路の場合には、ダイのバルクを横断する場合に遭遇する熱抵抗が伝導経路内のその他の要素の熱抵抗に付加され、それをより効率の悪い経路とさせている。
 従来のICパッケージにおいては、伝導経路(2)は効率の悪いものである。何故ならば、ダイの表面を封止する比較的厚い保護物質は、エポキシノボラック樹脂等の熱硬化性有機物質であり、その熱伝導特性は非常に劣っているからである。従って、この経路の場合にはダイのバルク物質を横断することを回避するものであるが、伝導性の悪い媒体を介しての比較的長い熱伝導経路のために効率の悪いものとなっている。
 パッケージ化した半導体装置から熱を除去することの重要性のために、このプロセスを改善するための試みとして多数の方法が開発されている。これらの方法は、典型的に、パッケージの外側に結合させた熱伝導性要素を包含するものであり、即ち、それは集積回路ダイの活性表面を直接的に接触したり近接したりするものではない。該熱伝導性要素は、半導体装置から熱を除去するために使用される。
 半導体装置から熱が除去される場合に、その熱は伝導経路を横断し、該経路は熱の流れに対しての抵抗を有している。この熱伝導に対する抵抗は、その経路に沿っての各要素の熱伝導率及び熱がこれらの要素の各々を介して通過せねばならない距離の両方の関数である。従って、熱を除去するために、現在の解決方法では、抽出経路において優れた熱伝導率を有する物質を使用すること及び/又は該経路の長さを最小とするためにパッケージの幾何学的形状に対してのデザインを修正することを包含していた。
 然しながら、装置の寸法が益々小さくなり且つ動作速度が集積回路において益々速くなるに従い、より多くのパワーが発生され且つ半導体装置に対して妥当な有用な寿命を確保するために半導体装置から除去することが必要となる。このことは、特に、デジタル集積回路のマイクロプロセッサファミリィの場合に言えることである。これらの適用例においては、熱を除去するための現在使用可能な方法では不充分な場合がある。
 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠点を解消し、集積回路装置の活性区域から熱を除去するための改良した方法及びシステムを提供することを目的とする。
 本発明によれば、集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法及びシステムが提供され、その場合に、従来のシステム及び方法に関連する欠点や問題を実質的に取除いているか又は減少させている。特に、熱伝導性要素が集積回路装置の活性区域へ結合され、その結果熱伝導経路を最小のものとさせ且つそれに対応して熱を除去する効率を増加させている。
 本発明の1実施例によれば、集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法が提供される。本方法は、集積回路装置の活性区域へセパレーター即ち分離体を付与することを包含している。熱伝導性要素を該分離体の外側で集積回路装置の活性区域へ結合させる。
 本発明の別の実施例によれば、集積回路装置の活性区域から熱を除去するシステムが提供され、それは分離体と熱伝導性要素とを包含している。該分離体は集積回路装置の活性区域へ結合されている。該熱伝導性要素は該分離体の外側において該集積回路装置の活性区域へ結合されている。
 本発明の1つ又はそれ以上の実施例の技術的利点は、集積回路装置から熱を除去する改良した方法を提供することを包含している。特定の実施例においては、熱伝導性要素を集積回路装置の活性区域へ結合させる。その結果、集積回路装置の活性区域から熱伝導性要素への熱伝導経路が最小とされる。従って、活性区域からの熱を除去する効率が増加される。
 以下に説明する図1乃至12及び本発明の原理を説明するために使用する種々の実施例は単に例示的なものであって本発明の技術的範囲を制限するような態様で理解されるべきものではない。当業者が理解するように、本発明の原理は任意の適宜調整した集積回路装置に対して実現することが可能なものである。
 図1は本発明の1実施例に基づいて集積回路装置106の活性区域104から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素102を有するパッケージ構成体100を例示した概略断面図である。この実施例の場合には、パッケージ構成体100はボールグリッド又はランドグリッドアレイパッケージ構成体を有している。
 熱伝導性要素102は、集積回路装置106から熱を散逸させるべく動作可能である。従って、熱伝導性要素102はヒートシンク、ヒートスプレッダー等を有することが可能である。1実施例によれば、熱伝導性要素102は銅を有している。然しながら、理解されるように、熱伝導性要素102は、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに、任意の適宜の熱伝導性物質を有することが可能である。更に、熱伝導性要素102は、熱伝導に対する導体として作用する受動的要素、又は例えばファンを組込むことによるか、液体冷却用のチャンネル、パイプ等を設けることによるか、熱電冷却コンポーネントを設けることによるか、又は積極的に熱を除去するために動作可能な任意のその他のコンポーネントを使用することにより能動的要素を有することが可能である。
 集積回路装置106はマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、メモリ装置、応用特定集積回路、又は任意のその他の適宜の装置を有することが可能である。装置106は、シリコン又はその他の適宜の物質を有することが可能であり、それは典型的な環境においてのみならず典型的なチップ適用例の場合と比較して熱散逸条件が増加されている環境において機能すべく動作可能である。装置106はその活性区域104の一部を露出させており、そのことは米国特許第5,800,841号、米国特許第5,987,338号、又は任意のその他の適宜の方法を使用して達成することが可能である。
 熱伝導性要素102及び集積回路装置106に加えて、パッケージ構成体100は基板108、モールドセクション110、熱伝導性膜112、接着剤114を有している。基板108は集積回路装置106へ結合されており且つ集積回路装置106を例えばプリント回路基板(図1においては不図示)等の別の要素ヘ結合させるべく動作可能である。
 基板108はガラス繊維物質又はその他の適宜の物質を有することが可能である。モールドセクション110はボンディングワイヤ又はボンディングフィンガーのみならず集積回路装置106の一部を被覆すべく動作可能であり、それにより集積回路装置106と基板108との間の電気的接続を保護している。モールドセクション110は、例えばニットウデンコウ(Nitto Denko)HC−100−XJAAモールディング化合物等の任意の適宜の電気的絶縁性物質を有することが可能である。
 熱伝導性膜112は、熱伝導性要素106に対する熱伝導経路を与えると共に、集積回路装置106の活性区域104を熱伝導性要素102との機械的接触から保護すべく動作可能である。熱伝導性膜112は、熱伝導性要素102をパッケージ構成体100へ取付ける前に、活性区域104か又は熱伝導性要素102のいずれかへ適用することが可能である。熱伝導性膜112はアービッド・サーマロイ(Aavid Thermalloy)A−DUX又はその他の適宜の熱伝導性物質からなるテープ又は膜を有することが可能である。
 接着剤114は、熱伝導性要素102をパッケージ構成体100のモールドセクション110へ結合させるべく動作可能である。接着剤114は熱伝導性要素102を確実にパッケージ構成体100へ結合させるべく動作可能な Locktite/Hysol E90FL又はその他の適宜の物質を有することが可能である。
 動作について説明すると、集積回路装置106の活性区域104が使用されている場合には、熱は熱伝導性膜112及び熱伝導性要素102を介して散逸される。従って、このように、活性区域104によって発生された熱は、集積回路装置106の反対側に散逸されるべく集積回路装置106を横断することは必要ではない。
 図2は、本発明の1実施例に基づいて集積回路装置106の活性区域104から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素102を有するパッケージ構成体200を例示した概略断面図である。この実施例の場合、パッケージ構成体200はボールグリッド又はランドグリッドアレイパッケージ構成体を有している。
 パッケージ構成体200は図1に例示したパッケージ構成体100と類似している。然しながら、接着剤114を有する代わりに、パッケージ構成体200は熱伝導性要素102をパッケージ構成体100のモールドセクション110へ結合させるべく動作可能な複数個の開口214を有している。開口214は熱伝導性要素102の表面上方へ固定用ハードウエアが突出することを制限し且つ完成したパッケージ構成体200の高さプロファイルを最小とするために、例えばクリップ、接着剤等のハードウエアを取付けるための凹所を与えるためにカウンタボアの形状とすることが可能である。1実施例によれば、パッケージ構成体200は4個の開口214を有しているが、パッケージ構成体200は本発明の技術的範囲を逸脱することなしに任意の適宜の数の開口214を有することが可能である。
 図7に関連して更に詳細に以下に説明するように、開口214はモールドセクション110に取付けられたポスト即ち支柱上にきっちりと嵌合することが可能であるか、又はモールドセクション110内に固定されるべくネジ又はその他の接続用の装置を挿入することが可能な区域を与えることが可能である。
 図3は本発明の1実施例に基づいて集積回路装置106の活性区域104から熱を除去するべく動作可能な熱伝導性要素102を有するパッケージ構成体300を例示した概略断面図である。この実施例の場合には、パッケージ構成体300はボールグリッド又はランドグリッドアレイパッケージ構成体を有している。
 パッケージ構成体300は図2に例示したパッケージ構成体200と類似している。然しながら、熱伝導性要素102を挿入する一様なキャビティを与えるモールドセクション110の代わりに、パッケージ構成体300は非一様なモールドセクション310を有している。
 1実施例によれば、パッケージ構成体300のモールドセクション310は、集積回路装置106に関して上昇された1つの側部310aと、基本的に集積回路装置106と同一面状の3個の側部310bを有している。然しながら、理解されるように、パッケージ構成体300のモールドセクション310は、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに任意の適宜の非一様な幾何学的形状を有することが可能である。例えば、その他の実施例としては、これらに制限されるものではないが、パッケージ構成体300が、(i)集積回路装置106に関して上昇されている2個の側部310aと集積回路装置106に関して基本的に同一面状の2個の側部310bとを有するもの、及び(ii)集積回路装置106に関して上昇されている3個の側部310aと集積回路装置106に関して基本的に同一面状の1個の側部310bとを有するもの等がある。
 更に、図示した実施例は開口214を有するものであるが、パッケージ構成体300は接着剤114と共に実現することも可能である。
 図4は本発明の1実施例に基づいて集積回路装置106の活性区域104から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素102を有するパッケージ構成体400を例示した概略断面図である。この実施例の場合には、パッケージ構成体400はリードフレームパッケージ構成体を有している。
 従って、パッケージ構成体400は図2に例示したパッケージ構成体200と類似している。然しながら、基板108を有する代わりに、パッケージ構成体400は、リードフレーム416を取囲むモールドセクション410のみならず複数個のリードを有するリードフレーム416を有している。又、例示した実施例は開口214を有するものであるが、パッケージ構成体400は接着剤114と共に実現することも可能であることを理解すべきである。
 図5は本発明の1実施例に基づいて集積回路装置106の活性区域104から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素102を有するパッケージ構成体500を例示した概略断面図である。この実施例の場合には、パッケージ構成体500はボールグリッド又はランドグリッドアレイパッケージ構成体を有している。
 パッケージ構成体500は図2に例示したパッケージ構成体200と類似している。然しながら、熱伝導性膜112を有する代わりに、パッケージ構成体500は熱伝導性グリース512を有している。熱伝導性グリース512は、熱伝導性要素106に対して熱伝導性経路を提供すると共に、集積回路装置106の活性区域104が熱伝導性要素102と機械的接触することから保護すべく動作可能である。
 熱伝導性グリース512は、グリース又はAavid Thermalloy ULTRASTICK相変化物質、AOS熱化合物AOS52032ヒートシンク化合物、又はその他の適宜の熱伝導性物質を包含する相変化物質を有することが可能である。パッケージ構成体500は、又、キャビティ520の側部にポケット518を有することも可能であり、その中に、余分な熱伝導性グリース512のオーバーフローに対処するために熱伝導性要素102を挿入する。
 パッケージ構成体500は棚521及び/又はスペーサー522を有することも可能である。棚521は熱伝導性要素102と集積回路装置106の活性区域104との間の機械的停止体として機能すべく動作可能であり、これら2つのコンポーネント102と104との間の直接的な接触を防止する。図5に例示した実施例によれば、スペーサー522は集積回路装置106の活性区域104へ結合される。スペーサー522は、熱伝導性要素102と集積回路装置106の活性区域104との間にクッションを与えるべく動作可能である。スペーサー522は、又、熱伝導性要素102と熱伝導性グリース512との間に比較的小さな分離が維持されることを確保すべく動作可能である。スペーサー522はポリマー、紙、金属又はその他の適宜の物質を有することが可能である。
 熱伝導性グリース512は、熱伝導性要素102に対して熱伝導経路を与えており、該要素は該熱伝導経路に沿っての次の伝導要素である。スペーサー522は熱伝導性要素102の活性区域104に対する近接性を制御し、且つこれら2つのコンポーネント102及び104の間の機械的接触を防止するために使用することが可能である。これら2つの係合部品、即ち熱伝導性要素102及びスペーサー522の間から搾り出される余分のグリースを受付けるための対処策(例えばポケット518)が設けられる限り、スペーサー522の厚さは熱伝導性グリース512の厚さを制御し、従って、熱伝導性グリース512を介しての熱伝導経路の長さを制御する。スペーサー522を薄くさせることによりこの経路を最小とさせることが望ましい。熱伝導性要素102とキャビティ520との間の嵌合が、余分のグリースからの浸出物が制限されるか又は防止されるようなタイト即ちきっちりしたものである場合には(モールドセクション110内にはポケット518等のオーバーフロー貯蔵部が存在しない)、熱伝導性グリース512内に静水圧が発生し、それは熱伝導性要素102をサポートし且つスペーサー522に対する必要性なしに活性区域104のデリケートな表面との接触を防止する。然しながら、熱伝導性要素102を活性区域104から間隔を空ける場合により良い精度とするために、スペーサー522を使用することが可能である。
 更に、例示した実施例は開口214を有するものであるが、理解されるように、パッケージ構成体500は接着剤114と共に実現することも可能である。
 図6は本発明の1実施例に基づいて集積回路装置106の活性区域104から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素102を有するパッケージ構成体600を例示した概略断面図である。この実施例の場合には、パッケージ構成体600はボールグリッド又はランドグリッドアレイパッケージ構成体を有している。
 パッケージ構成体600は図5に例示したパッケージ構成体500に類似している。然しながら、集積回路装置106の活性区域104へ結合されるスペーサー522を有する代わりに、パッケージ構成体600は熱伝導性要素102へ結合されるスペーサー622を有している。
 棚521及びスペーサー622の両方と共に例示されているが、理解されるように、パッケージ構成体600は本発明の技術的範囲を逸脱することなしに棚521及び/又はスペーサー622を有することが可能である。更に、例示した実施例は開口214を有するものであるが、理解されるように、パッケージ構成体600は接着剤114と共に実現することも可能である。
 図7A−Eは熱伝導性要素102を集積回路装置106の活性区域104へ結合させる別の実施例を例示した一連の概略断面図である。図7B−Eは図7Aに示したもの以外の付加的な実施例を例示するために図7Aの一部704を示している。
 結合用実施例は複数個のポスト又はスタッド724を使用することを包含しており、それらはパッケージ構成体のモールドセクション110内にモールド成形させるか、又はモールドセクション110内の孔730内に挿入することが可能なネジを設けてあるか又は設けていないポスト724を使用するポストモールド成形手順期間中に付加させることが可能である。孔730はモールドセクション110内にモールド成形するか又は機械加工することが可能である。更に、孔730はネジを設けていない孔730aか又はネジを設けた孔730bのいずれかを有することが可能である。ネジを設けた孔730bは、タッピング又はその他の適宜の手段により形成することが可能である。ポスト724は、図2に関連して上述した如く、熱伝導性要素102における開口214内にきっちりと嵌合すべく動作可能である。
 スプリングクリップ726又は接着剤(図7においては不図示)等の固定用ハードウエアは、熱伝導性要素102をネジを設けていないポスト724aへ固定させるために使用することが可能であり、一方熱伝導性要素102をネジを設けたポスト724bへ固定させるためにナット又はクリップ744等の固定用ハードウエアを使用することが可能である。スプリングクリップ726は、コンポーネントの異なる熱膨張に起因して組立てたコンポーネントにおける寸法変化を吸収するための適合的ジョイントを与えるためにその他の固定用ハードウエアと共に、又は単独で使用することが可能である。固定用ハードウエアは、又、ネジ又はボルト732、スプリング734、圧入させたか又は接着剤で固定した有刺ポスト746、ネジを設けたナット748、以下に更に詳細に説明するようなクリップ等の任意のその他の適宜の固定用メカニズムを有することが可能である。
 図8は本発明の1実施例に基づいてクリップ850を使用するボールグリッドアレイパッケージ構成体800における集積回路装置106の活性区域104に結合されている熱伝導性要素102を例示した概略断面図である。
 クリップ850は金属、プラスチック、又はその他の適宜の物質を有することが可能である。クリップ850は、又、パッケージ構成体800へ確実に取付けられることを可能とするための係止体又は湾曲セクションを有することが可能である。熱伝導性要素102は、クリップ850を受納するための凹所852を有することが可能であり、且つ基板108はクリップ850を受納するための凹所854を有している。パッケージ構成体800は、又、クリップの保持力を改善するために溝又は隆起部を有することが可能である。
 図9はクリップを使用する集積回路装置の活性区域104へ結合されている熱伝導性要素を受納すべく動作可能な集積回路装置を有するリードフレームパッケージ900を例示した概略平面図である。
 リードフレームパッケージ900は複数個のリード962を有するリードフレーム960を有している。リードフレームパッケージ900は、又、図10に例示したように、クリップを受納するために集積回路装置のモールドセクション110内に複数個の凹所964を有している。例示した実施例は4個の凹所964を有しているが、理解されるように、パッケージ構成体900は本発明の技術的範囲を逸脱することなしに任意の適宜の数の凹所964を有することが可能である。
 図10は本発明の1実施例に基づいてパッケージ構成体900の集積回路装置106の活性区域104へ結合されている熱伝導性要素102を例示した概略断面図である。
 クリップ950は、金属、プラスチック又はその他の適宜の物質を有することが可能である。クリップ950は、又、パッケージ構成体900へしっかりと取付けられることを可能とするために係止体又は湾曲したセクションを有することが可能である。熱伝導性要素102は、クリップ950を受納するための凹所966を有することが可能であり、且つモールドセクション110はクリップ950を受納するための凹所964を有している。パッケージ構成体900は、又、クリップの保持力を改善するために溝又は隆起部を有することが可能である。
 図11は本発明の1実施例に基づいて集積回路装置の活性区域へ結合されており且つ別の装置1170へ結合されている熱伝導性要素102を例示した概略断面図である。熱伝導性要素102はウイング形態を有しており、従って集積回路装置からの熱の除去の効率を改善させるために、集積回路装置に加えて装置1170へ熱伝導性要素102を結合させることが可能である。
 1実施例によれば、装置1170はプリント回路基板を有しているが、理解されるように、装置1170は本発明の技術的範囲を逸脱することなしにそれに対して集積回路装置を結合させる任意の適宜の装置を有することが可能である。熱伝導性要素102は、接着剤1172と共に、又は任意のその他の適宜の手段によって装置1170へ結合させることが可能である。
 図12は本発明の1実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去するための方法を例示したフローチャートである。この方法はステップ1200で開始し、その場合に集積回路装置106が形成される。ステップ1202において、集積回路装置106の活性区域104が露出される。1実施例によれば、活性区域104は米国特許第5,800,841号又は米国特許第5,987,338号の方法を使用して露出される。然しながら、理解されるように、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに活性区域104を露出させるための任意の適宜の方法を使用することが可能である。
 オプションとしてのステップ1204において、活性区域104を薄い有機膜でコーティングすることが可能である。オプションのステップ1206において、スペーサー522を活性区域104へ結合させることが可能である。ステップ1208において、例えば熱伝導性膜112、熱伝導性グリース512等のセパレーター即ち分離体が活性区域104に対して付与される。オプションとしてのステップ1210において、スペーサー622を熱伝導性要素(TCD)102へ結合させることが可能である。ステップ1212において、熱伝導性要素102を該分離体にわたり集積回路装置106の活性区域104へ結合させ、その点において本方法は終了する。熱伝導性要素102は接着剤及び/又は任意の適宜の固定用ハードウエアを使用して活性区域104へ結合させることが可能である。
 このように、集積回路装置106の活性区域104から熱伝導性要素102への熱伝導経路が最小とされる。従って、活性区域104からの熱の除去の効率が増加される。
 以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿論である。
本発明の第一実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去するべく動作可能な熱伝導性要素を有するパッケージ構成体を例示した概略断面図。 本発明の第二実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素を有するパッケージ構成体を例示した概略断面図。 本発明の第三実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素を有するパッケージ構成体を例示した概略断面図。 本発明の第四実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素を有するパッケージ構成体を例示した概略断面図。 本発明の第五実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素を有するパッケージ構成体を例示した概略断面図。 本発明の第六実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去すべく動作可能な熱伝導性要素を有するパッケージ構成体を例示した概略断面図。 A−Eは集積回路装置の活性区域へ熱伝導性要素を結合させるための変形実施例を例示した各概略断面図。 本発明の1実施例に基づいてクリップを使用するボールグリッドアレイパッケージにおける集積回路装置の活性区域へ結合された熱伝導性要素を例示した概略断面図。 クリップを使用して集積回路装置の活性区域へ結合した熱伝導性要素を受納すべく動作可能な集積回路装置を有するリードフレームパッケージを例示した概略平面図。 本発明の1実施例に基づいて図9の集積回路装置の活性区域へ結合した熱伝導性要素を例示した概略断面図。 本発明の1実施例に基づいて集積回路装置の活性区域へ結合されており且つ別の装置へ結合されている熱伝導性要素を例示した概略断面図。 本発明の1実施例に基づいて集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法を示したフローチャート。
符号の説明
 100 パッケージ構成体
 102 熱伝導性要素
 104 活性区域
 106 集積回路装置
 108 基板
 110 モールドセクション
 112 熱伝導性膜
 114 接着剤

Claims (20)

  1.  集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法において、
     前記集積回路装置の活性区域へ分離体を付与し、
     前記分離体の外側に前記集積回路装置の活性区域へ熱伝導性要素を結合させる、
    ことを特徴とする方法。
  2.  請求項1において、前記分離体が熱伝導性膜を有していることを特徴とする方法。
  3.  請求項1において、前記分離体が熱伝導性グリースを有していることを特徴とする方法。
  4.  請求項1において、更に、前記活性区域へ前記熱伝導性要素を結合させる前に前記集積回路装置の活性区域へスペーサーを結合させることを特徴とする方法。
  5.  請求項1において、更に、前記熱導電性要素を前記活性区域へ結合させる前に、前記熱伝導性要素ヘスペーサーを結合させることを特徴とする方法。
  6.  請求項1において、前記集積回路装置の活性区域へ熱伝導性要素を結合させる場合に、前記熱伝導性要素を固定用ハードウエアと共に前記活性区域へ結合させることを特徴とする方法。
  7.  集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法において、
     集積回路装置を形成し、
     前記集積回路装置の活性区域を露出させ、
     前記集積回路装置の活性区域へ分離体を付与し、
     前記分離体の外側に前記集積回路装置の活性区域へ熱伝導性要素を結合させる、
    ことを特徴とする方法。
  8.  請求項7において、更に、前記集積回路装置の活性区域を薄い有機膜でコーティングすることを特徴とする方法。
  9.  請求項7において、前記分離体が熱伝導性膜を有していることを特徴とする方法。
  10.  請求項7において、前記分離体が熱伝導性グリースを有していることを特徴とする方法。
  11.  請求項7において、更に、前記熱伝導性要素を前記活性区域へ結合させる前に、前記集積回路装置の活性区域へスペーサーを結合させることを特徴とする方法。
  12.  請求項7において、更に、前記熱伝導性要素を前記活性区域へ結合させる前に、前記熱伝導性要素ヘスペーサーを結合させることを特徴とする方法。
  13.  請求項7において、前記集積回路装置の活性区域へ熱伝導性要素を結合させる場合に、前記熱伝導性要素を固定用ハードウエアと共に前記活性区域へ結合させることを特徴とする方法。
  14.  集積回路装置の活性区域から熱を除去するシステムにおいて、
     前記集積回路装置の活性区域へ結合されている分離体、
     前記分離体の外側において前記集積回路装置の活性区域へ結合されている熱伝導性要素、
    を有していることを特徴とするシステム。
  15.  請求項14において、前記分離体が熱伝導性膜を有していることを特徴とするシステム。
  16.  請求項14において、前記分離体が熱伝導性グリースを有していることを特徴とするシステム。
  17.  請求項14において、更に、前記集積回路装置の活性区域へ結合されているスペーサーを有していることを特徴とするシステム。
  18.  請求項14において、更に、前記熱伝導性要素ヘ結合されているスペーサーを有していることを特徴とするシステム。
  19.  請求項14において、固定用ハードウエアと共に前記集積回路装置の活性区域へ結合されている熱導電性要素を有していることを特徴とするシステム。
  20.  請求項19において、前記固定用ハードウエアがスプリングクリップ、接着剤、ナット、クリップ、ネジ、ボルト、スプリング及び有刺ポストのうちの少なくとも1つを有していることを特徴とするシステム。
JP2003280819A 2002-07-26 2003-07-28 集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法及びシステム Expired - Lifetime JP4908733B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/205715 2002-07-26
US10/205,715 US6785137B2 (en) 2002-07-26 2002-07-26 Method and system for removing heat from an active area of an integrated circuit device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004064093A true JP2004064093A (ja) 2004-02-26
JP4908733B2 JP4908733B2 (ja) 2012-04-04

Family

ID=30000120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003280819A Expired - Lifetime JP4908733B2 (ja) 2002-07-26 2003-07-28 集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法及びシステム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6785137B2 (ja)
EP (1) EP1385206B1 (ja)
JP (1) JP4908733B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109794A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Sony Computer Entertainment Inc 半導体装置、半導体装置の作成方法
JP2014150253A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Freescale Semiconductor Inc ヒートスプレッダを有する半導体デバイスアセンブリを形成するための方法
KR20140147138A (ko) * 2012-04-17 2014-12-29 퀄컴 인코포레이티드 외부 및 내부 용량성 열 물질을 사용한 향상된 패키지 열 관리
JP2016535458A (ja) * 2013-09-27 2016-11-10 インテル・コーポレーション 両面ダイパッケージ

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004093187A1 (ja) * 2003-04-16 2004-10-28 Fujitsu Limited 電子部品パッケージ、電子部品パッケージ組立体およびプリント基板ユニット
US7268019B2 (en) * 2004-09-22 2007-09-11 Halliburton Energy Services, Inc. Method and apparatus for high temperature operation of electronics
TW200611107A (en) * 2004-09-24 2006-04-01 Via Tech Inc Heat dissipation module
US20060209516A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-21 Chengalva Suresh K Electronic assembly with integral thermal transient suppression
CN2800705Y (zh) * 2005-05-29 2006-07-26 富准精密工业(深圳)有限公司 保护盖及具有该保护盖的散热装置
US7382620B2 (en) * 2005-10-13 2008-06-03 International Business Machines Corporation Method and apparatus for optimizing heat transfer with electronic components
US7468548B2 (en) * 2005-12-09 2008-12-23 Fairchild Semiconductor Corporation Thermal enhanced upper and dual heat sink exposed molded leadless package
US7687897B2 (en) * 2006-12-28 2010-03-30 Stats Chippac Ltd. Mountable integrated circuit package-in-package system with adhesive spacing structures
KR101391925B1 (ko) * 2007-02-28 2014-05-07 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 패키지 및 이를 제조하기 위한 반도체 패키지 금형
US20090166890A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Chrysler Gregory M Flip-chip package
US8362607B2 (en) * 2009-06-03 2013-01-29 Honeywell International Inc. Integrated circuit package including a thermally and electrically conductive package lid
FR2968126A1 (fr) * 2010-11-29 2012-06-01 St Microelectronics Grenoble 2 Boitier semi-conducteur a via thermique et procédé de fabrication
US9072199B2 (en) * 2010-12-27 2015-06-30 Src, Inc. Thermal transfer component, apparatus and method including thermally conductive frame penetrated by thermally conductive plug
CN103179839A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 电子装置
JP5623463B2 (ja) * 2012-06-25 2014-11-12 三菱電機株式会社 半導体モジュール
FR2999336A1 (fr) 2012-12-07 2014-06-13 Commissariat Energie Atomique Composant electronique comportant un materiau absorbeur de chaleur et procede de fabrication de ce composant electronique
US9961798B2 (en) 2013-04-04 2018-05-01 Infineon Technologies Austria Ag Package and a method of manufacturing the same
US9918407B2 (en) * 2016-08-02 2018-03-13 Qualcomm Incorporated Multi-layer heat dissipating device comprising heat storage capabilities, for an electronic device
CN107706286B (zh) * 2017-09-27 2019-10-11 开发晶照明(厦门)有限公司 Led发光装置和led支架
WO2019066989A1 (en) * 2017-09-30 2019-04-04 Intel Corporation INTEGRATED SUBSTRATE AMOUNTS AND HEAT DIFFUSER CUSTOMIZATION FOR ENHANCED PACKAGING THERMOMECHANICS

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02220465A (ja) * 1989-02-22 1990-09-03 Hitachi Ltd 半導体デバイスの冷却装置
JPH05315481A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Nec Corp フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法
JPH0621276A (ja) * 1992-04-21 1994-01-28 Motorola Inc 熱強化型半導体素子およびその製造方法
JPH098209A (ja) * 1995-06-15 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびモールド金型
JP2001358259A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Seiko Epson Corp 半導体パッケージ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1486152A (en) 1976-02-19 1977-09-21 Standard Telephones Cables Ltd Manufacture of solid state devices
US4709301A (en) * 1985-09-05 1987-11-24 Nec Corporation Package
JPS6376444A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Nec Corp チツプキヤリア
GB2246471B (en) 1988-08-23 1993-07-28 Nobuo Mikoshiba Cooling semiconductor devices
JP2691613B2 (ja) * 1989-05-08 1997-12-17 菱電工機エンジニアリング株式会社 Cad/cam装置
FR2679729B1 (fr) * 1991-07-23 1994-04-29 Alcatel Telspace Dissipateur thermique.
US5177669A (en) * 1992-03-02 1993-01-05 Motorola, Inc. Molded ring integrated circuit package
JPH0864732A (ja) 1994-08-26 1996-03-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
MY114536A (en) 1994-11-24 2002-11-30 Apic Yamada Corp A resin molding machine and a method of resin molding
NL1003315C2 (nl) 1996-06-11 1997-12-17 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling.
US6046905A (en) * 1996-09-30 2000-04-04 Intel Corporation Dual spring clip attachment mechanism for controlled pressure interface thermal solution on processor cartridges
US5969947A (en) * 1997-12-17 1999-10-19 International Business Machines Corporation Integral design features for heatsink attach for electronic packages
US6459582B1 (en) * 2000-07-19 2002-10-01 Fujitsu Limited Heatsink apparatus for de-coupling clamping forces on an integrated circuit package
JP2005521209A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 富士写真フイルム株式会社 有機薄膜素子及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02220465A (ja) * 1989-02-22 1990-09-03 Hitachi Ltd 半導体デバイスの冷却装置
JPH0621276A (ja) * 1992-04-21 1994-01-28 Motorola Inc 熱強化型半導体素子およびその製造方法
JPH05315481A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Nec Corp フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法
JPH098209A (ja) * 1995-06-15 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびモールド金型
JP2001358259A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Seiko Epson Corp 半導体パッケージ

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109794A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Sony Computer Entertainment Inc 半導体装置、半導体装置の作成方法
KR20140147138A (ko) * 2012-04-17 2014-12-29 퀄컴 인코포레이티드 외부 및 내부 용량성 열 물질을 사용한 향상된 패키지 열 관리
KR101651031B1 (ko) * 2012-04-17 2016-08-24 퀄컴 인코포레이티드 외부 및 내부 용량성 열 물질을 사용한 향상된 패키지 열 관리
JP2014150253A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Freescale Semiconductor Inc ヒートスプレッダを有する半導体デバイスアセンブリを形成するための方法
JP2016535458A (ja) * 2013-09-27 2016-11-10 インテル・コーポレーション 両面ダイパッケージ
US9711428B2 (en) 2013-09-27 2017-07-18 Intel Corporation Dual-sided die packages
US10361142B2 (en) 2013-09-27 2019-07-23 Intel Corporation Dual-sided die packages

Also Published As

Publication number Publication date
JP4908733B2 (ja) 2012-04-04
EP1385206B1 (en) 2015-06-17
EP1385206A3 (en) 2004-03-17
EP1385206A2 (en) 2004-01-28
US6785137B2 (en) 2004-08-31
US20040017661A1 (en) 2004-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4908733B2 (ja) 集積回路装置の活性区域から熱を除去する方法及びシステム
KR102292432B1 (ko) Sas 구조물을 갖는 열전 히트 펌프
US6992887B2 (en) Liquid cooled semiconductor device
US6315038B1 (en) Application of pressure sensitive adhesive (PSA) to pre-attach thermal interface film/tape to cooling device
US5268812A (en) Cooling multi-chip modules using embedded heat pipes
EP2664228B1 (en) Devices having anisotropic conductivity heatsinks, and methods of making thereof
JP2902531B2 (ja) 半導体装置の放熱装置
US6661661B2 (en) Common heatsink for multiple chips and modules
US6075287A (en) Integrated, multi-chip, thermally conductive packaging device and methodology
JPH07106477A (ja) 熱伝導板付きヒートシンクアセンブリ
US20050117296A1 (en) Ball grid array package with heat sink device
KR19990078062A (ko) 전자 조립체 및 그 제조 방법
CN105575954A (zh) 系统和方法
TW201742543A (zh) 插拔式功率模組及次系統
JPH1070232A (ja) チップ・スタックおよびコンデンサ取付の配置
JP4367376B2 (ja) 電力半導体装置
US6238954B1 (en) COF packaged semiconductor
US6441480B1 (en) Microelectronic circuit package
US7227257B2 (en) Cooling micro-channels
US20160155683A1 (en) Semiconductor package having heat-dissipation member
US7348664B2 (en) Semiconductor apparatus having a cooling apparatus that compressively engages a semiconductor device
KR20040086133A (ko) 반도체장치
JP2002076259A (ja) パワーモジュール
JP5700092B2 (ja) 半導体装置
JP2008227361A (ja) 電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060725

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090714

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091013

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110304

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111213

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4908733

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term