JP2004046752A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水晶発振回路2は、水晶発振子Xの振動周波数に基づいた内部クロックA3を発生する。入力端子INには、外部クロックの使用情報を示す使用情報信号(領域A1a)及び外部クロック(領域A1b)からなる入力信号A1が入力される。記憶回路3は、リセット端子RSTにリセット信号A2が入力されているときの、入力端子INに入力されている使用情報信号を保持して出力する。選択回路4は、内部クロック及び入力端子INに入力される外部クロックを入力し、記憶回路3から出力される使用情報信号に応じて、一方を出力する。これにより、入力端子INを外部クロック及び使用情報信号を入力する端子として兼用でき、端子数の増加を抑えることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特に内部クロック又は外部クロックに同期して動作する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置には、クロックに同期して動作する、例えばマイクロコンピュータなどがある。このような半導体装置は、水晶発振子の外付けにより、内部でクロックを発生させるものがある。
【0003】
図10は、従来の半導体装置の水晶発振回路を示す。半導体装置100は、水晶発振子が外付けされる水晶発振端子X0,X1、内部クロックを発生する水晶発振回路101を有している。水晶発振回路101は、水晶発振端子X0,X1に水晶発振子が接続され、内部クロックを発生する。水晶発振回路101は、想定した水晶発振子の周波数範囲内で、安定発振するように設計される。
【0004】
水晶発振回路101は、FETトランジスタQ3,Q4、インバータ回路Z7,NAND回路Z8,シュミットトリガー回路Z9から構成されている。FETトランジスタQ3,Q4は、nチャンネル、pチャンネルのFETトランジスタである。信号線Sに‘H’状態の信号が入力されると、FETトランジスタQ3,Q4のソース−ドレイン間がオンする。これにより、水晶発振端子X0,X1に接続される水晶発振子に、並列にFETトランジスタQ3,Q4によって、フィードバック回路が構成される。
【0005】
水晶発振回路101は、FETトランジスタQ3,Q4のソース−ドレイン間のオン抵抗(帰還抵抗)と水晶発振子の振動周波数との間の所定の関係によって発振する。FETトランジスタQ3,Q4のソース−ドレイン間のオン抵抗は、固定されているので、水晶発振端子X0,X1に接続できる水晶発振子は、必然的に決まる。
【0006】
図10において、信号線Sの信号が‘H’状態で、水晶発振端子X1に‘L’状態の信号が生じているとする。これにより、NAND回路Z8は、‘H’状態の信号を出力する。‘H’状態の信号は、水晶発振端子X0,X1に接続されている水晶振動子を介して、再びNAND回路Z8に入力される。NAND回路Z8は、‘L’状態の信号を出力する。以上の動作が繰り返され、NAND回路Z8は、‘H’状態、‘L’状態の信号が交互に出力する。シュミットトリガー回路Z9は、この信号を整形して内部クロックとして出力する。
【0007】
ところで、半導体装置を高速で動作させる場合や高速動作試験を行う場合、水晶発振端子X0,X1に、想定した水晶発振子の周波数以上のクロックを入力する。しかし、高速のクロックが入力されると、NAND回路Z8のゲート遅延が周波数に対して無視できなくなり、入力されたクロックの周波数に対応したクロックが、シュミットトリガー回路Z4から出力されなくなる。そのため、水晶発振端子の一方に、インバータ回路を接続して、反転した高速のクロックを入力する。図11は、水晶発振端子にインバータ回路を接続した半導体装置の構成図である。高速外部クロック102は、半導体装置100の内部クロックより高速のクロックを出力する。半導体装置100の水晶発振端子X1にインバータ回路Z10を接続し、水晶発振端子X0には、高速のクロックを、水晶発振端子X1には、反転した高速のクロックを入力する。これにより、帰還ゲートの遅延が解消される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、高速クロックを水晶発振端子に入力するとき、インバータ回路を接続することは部品の増加であり、実装面積も増加する。
【0009】
そのため、水晶発振端子とは別の、外部クロックと外部クロックを使用するか否かを示す使用情報信号を入力するための入力端子を設け、かつその入力端子を外部クロック及び使用情報信号を入力する端子として兼用し、端子数の増加を抑えた半導体装置が望まれていた。
【0010】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、外部からの外部クロックを入力するための端子を設け、かつ端子数の増加を抑えた半導体装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記課題を解決するために、図1に示す内部クロック又は外部クロックに同期して動作する半導体装置1において、外付けされる水晶発振子Xの振動周波数に基づいた内部クロックを発生する水晶発振回路2と、外部クロックの使用情報を示す使用情報信号及び外部クロックが入力される入力端子INと、リセット信号が入力されたときの使用情報信号の状態を保持して出力する記憶回路3と、使用情報信号の状態に応じて内部クロック又は外部クロックの一方を出力する選択回路4と、を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【0012】
このような半導体装置1によれば、記憶回路3によって、リセット信号が入力されているときの使用情報信号の状態を保持して選択回路4に出力することにより、使用情報信号が記憶回路3にて記憶された後は、入力端子INに外部クロックを入力することが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の原理を説明する原理図である。図1に示すように半導体装置1は、水晶発振回路2、記憶回路3、選択回路4、水晶発振端子X0,X1、入力端子IN、及びリセット端子RSTを有している。半導体装置1は、選択回路4から出力されるクロックに同期して動作する。
【0014】
水晶発振端子X0,X1には、水晶発振子が外付けで接続される。図1においては、水晶発振子Xが接続されている。
入力端子INには、外部クロックを使用するか否かの使用情報を示す使用情報信号及び外部クロックが入力される。
【0015】
入力信号A1は、入力端子INに入力される使用情報信号及び外部クロックを示す。領域A1aに示す部分が使用情報信号で、領域A1bに示す部分が外部クロックである。
【0016】
リセット端子RSTには、半導体装置1をリセットするためのリセット信号が入力される。なお、上記の使用情報信号は、リセット信号がリセット端子RSTに入力されているときに、入力端子に入力されることが必要である。
【0017】
リセット信号A2は、リセット端子RSTに入力されるリセット信号を示す。‘L’状態で、リセット有効状態とする。
水晶発振回路2は、水晶発振端子X0,X1に接続された水晶発振子Xの振動周波数に基づいて発振し、クロックを出力する。出力されたクロックは、内部クロックとして選択回路4に出力される。
【0018】
内部クロックA3は、水晶発振回路2から出力される内部クロックを示す。
記憶回路3は、リセット端子RSTからリセット信号A2を入力すると同時に、入力端子INから入力信号A1を入力する。記憶回路3は、リセット信号が入力されているときの使用情報信号の状態を保持して出力する。
【0019】
選択回路4は、水晶発振回路2から出力される内部クロックを端子Aから入力し、入力端子INから入力される外部クロックを端子Bから入力する。選択回路4は、記憶回路3から保持して出力される使用情報信号を端子Sから入力する。選択回路4は、端子Sに入力される使用情報信号に応じて、端子Aに入力される内部クロック又は端子Bに入力される外部クロックを端子Xから出力する。ここでは、選択回路4は、‘L’状態の使用情報信号を入力して、外部クロックを出力するとする。
【0020】
以下、原理図の動作について説明する。
水晶発振回路2は、水晶発振端子X0,X1に接続された水晶発振子Xの振動周波数に基づいて発振し、内部クロックA3を出力する。内部クロックA3は、選択回路4の端子Aに入力される。
【0021】
記憶回路3は、リセット端子RSTにリセット信号A2が入力されたときの、入力信号A1の使用情報信号を保持して出力する。図1の領域A4に示すように、リセット信号A2が‘L’状態のとき、使用情報信号は‘L’状態にあるので、記憶回路3は、‘L’状態の使用情報信号を保持して出力する。
【0022】
選択回路4は、記憶回路3から出力される‘L’状態の使用情報信号により、端子Bに入力されている外部クロックを選択して出力する。
なお、‘H’状態の使用情報信号が入力端子INに入力された場合、記憶回路3は、‘H’状態の信号を保持して出力する。この場合、選択回路4は、端子Aに入力される内部クロックを選択して出力する。
【0023】
このように、記憶回路によって、リセット信号が入力されているときの使用情報信号の状態を保持して選択回路に出力することにより、使用情報信号が記憶回路にて記憶された後は、入力端子に外部クロックを入力することができるので、入力端子を外部クロック及び使用情報信号を入力する端子として兼用でき、端子数の増加を抑えることができる。
【0024】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図2は、本発明の第1の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。マイクロコンピュータ10は、水晶発振回路11、記憶回路12,13、NAND回路Z1、選択回路14、PLL(Phase Locked Loop:位相同期回路)回路15、クロック制御回路16、及びCPU17を有している。また、水晶発振端子X0,X1、モード/外部クロック端子M1/CLK、モード端子M2、及びリセット端子RSTを有している。
【0025】
水晶発振端子X0,X1は、水晶発振子が接続される端子である。
モード/外部クロック端子M1/CLKは、外部クロックを使用するか否かを示すモード信号MD1及びCPU17が同期して動作するための外部クロックOCLKが入力される端子である。なお、モード信号MD1は、CPU17にも入力され、CPU17の動作モードを決める。
【0026】
モード端子M2は、外部クロックを使用するか否かを示すモード信号MD2が入力される端子である。なお、モード信号MD2は、CPU17にも入力され、CPU17の動作モードを決める。
【0027】
リセット端子RSTは、CPU17をリセット(初期化)するためのリセット信号RSが入力される端子である。
CPU17は、図2に示してないが、マイクロコンピュータ10の外部、又は内部のメモリに格納されるプログラムを、クロック制御回路16から出力される動作クロックMCLKに同期して実行する。また、CPU17は、リセット信号RSを入力しているときのモード信号MD1,MD2の状態によって、動作モードが決定される。例えば、CPU17に、リセット信号RSが入力されているときに、所定のモード信号を入力することによって、動作モードを決定する。CPU17の動作モードには、例えば高速動作試験モード、低消費電力モードなどがある。なお、CPU17は、リセット信号RSが‘L’状態でリセットされるとする。
【0028】
水晶発振回路11は、水晶発振端子X0,X1に接続される水晶発振子の振動周波数に基づいて発振し、内部クロックICLKを出力する。内部クロックICLKは、選択回路14に出力される。
【0029】
記憶回路12は、モード/外部クロック端子M1/CLKに入力されるモード信号MD1を端子Dから入力する。記憶回路12は、リセット端子RSTに入力されるリセット信号RSを端子Gから入力する。記憶回路12は、端子Gにリセット信号RSが入力されているときの、端子Dに入力されているモード信号MD1の状態を保持し、保持信号HMD1を端子Q1から出力する。記憶回路12は、端子Q1から出力する保持信号HMD1を反転した信号を端子Q2から出力する。
【0030】
記憶回路13は、モード端子M2に入力されるモード信号MD2を端子Dから入力する。記憶回路13は、リセット端子RSTに入力されるリセット信号RSを端子Gから入力する。記憶回路13は、端子Gにリセット信号RSが入力されているときの、端子Dに入力されているモード信号MD2の状態を保持し、保持信号HMD2を端子Q1から出力する。記憶回路13は、端子Q1から出力する保持信号HMD2を反転した信号を端子Q2から出力する。なお、端子Q2は、未使用である。
【0031】
NAND回路Z1は、記憶回路12の端子Q2から出力される反転された保持信号HMD1及び記憶回路13の端子Q1から出力される保持信号HMD2を入力する。NAND回路Z1は、入力した信号をNAND演算し、選択信号SELとして選択回路14に出力する。具体的には、NAND回路Z1は、記憶回路12の端子Q2からの‘H’状態の信号及び記憶回路13の端子Q1からの‘H’状態の信号を入力して、‘L’状態の選択信号SELを出力する。
【0032】
選択回路14は、水晶発振回路11から出力される内部クロックICLKを端子Aから入力する。選択回路14は、モード/外部クロック端子M1/CLKから入力される外部クロックOCLKを端子Bに入力する。選択回路14は、NAND回路Z1から出力される選択信号SELを端子Sから入力する。選択回路14は、端子Sに入力される選択信号SELの状態に応じて、端子Aに入力される内部クロックICLK又は端子Bに入力される外部クロックOCLKの一方を端子Xから出力する。
【0033】
具体的には、選択回路14は、端子Sに‘H’状態の選択信号SELが入力された場合、端子Aに入力される内部クロックICLKを端子Xから出力する。端子Sに‘L’状態の選択信号SELが入力された場合、端子Bに入力される外部クロックOCLKを端子Xから出力する。
【0034】
PLL回路15は、選択回路14の端子Xから出力される内部クロックICLK又は外部クロックOCLKを逓倍して出力する。
クロック制御回路16は、PLL回路15から出力される逓倍された内部クロックICLK又は外部クロックOCLKを入力する。また、クロック制御回路16は、選択回路14から出力される内部クロックICLK又は外部クロックOCLKを入力する。クロック制御回路16は、PLL回路15から出力されるクロック又は選択回路14から出力されるクロックの一方を選択して、CPU17の動作クロックMCLKとして出力する。
【0035】
以下、図2の回路図の動作について、マイクロコンピュータ10の各部における信号のタイミングチャートを用いて説明する。
図3は、マイクロコンピュータの各部における信号のタイミングチャートを示す図である。なお、図3に示す斜線は、信号の不定状態を示す。
【0036】
図3(a)に示す波形B1は、水晶発振端子X0に生じている信号の波形を示す。図3(b)に示す波形B2は、リセット端子RSTに入力されるリセット信号RSの波形を示す。図3(c)に示す波形B3は、モード/外部クロック端子M1/CLKに入力されるモード信号MD1及び外部クロックOCLKの波形を示す。図3(d)に示す波形B4は、モード端子M2に入力されるモード信号MD2の波形を示す。図3(e)に示す波形B5は、記憶回路12の端子Q1から出力される保持信号HMD1の波形を示す。図3(f)に示す波形B6は、記憶回路13の端子Q1から出力される保持信号HMD2の波形を示す。図3(g)に示す波形B7は、NAND回路Z1から出力される選択信号SELの波形を示す。図3(h)に示す波形B8は、水晶発振回路11から出力される内部クロックICLKの波形を示す。図3(i)に示す波形B9は、選択回路14から出力されるクロックの波形を示す。
【0037】
CPU17の動作モードを決めるには、リセット端子RSTに入力されるリセット信号RSとともにモード信号MD1,MD2を、モード/外部クロック端子M1/CLK、モード端子M2に入力する。
【0038】
外部クロックOCLKをCPU17の動作クロックMCLKとして使用するには、リセット信号RSの入力中に、モード/外部クロック端子M1/CLKに‘L’状態のモード信号MD1を入力し、続けて外部クロックOCLKを入力する。さらに、モード端子M2に‘H’状態の信号を入力する。すなわち、図2のリセット端子RST、モード/外部クロック端子M1/CLK、及びモード端子M2に、図3に示す波形B2,B3、及びB4の信号を入力する。
【0039】
記憶回路12は、リセット信号RSが入力されているときの、モード/外部クロック端子M1/CLKに入力されているモード信号MD1を保持し、保持信号HMD1を出力する。波形B2が‘L’状態にあるとき(リセット信号RSが入力されているとき)、モード/外部クロック端子M1/CLKに入力されているモード信号MD1は、波形B3より‘L’状態にある。よって、記憶回路12の端子Q1からは、波形B5に示すように、‘L’状態の保持信号HMD1が出力される。なお、このモード信号は、CPU17にも入力される。CPU17は、保持信号HMD1に応じた動作モードで動作する。
【0040】
記憶回路13は、リセット信号RSが入力されているときの、モード端子M2に入力されているモード信号MD2を保持し、保持信号HMD2を出力する。波形B2が‘L’状態にあるとき(リセット信号RSが入力されているとき)、モード端子M2に入力されているモード信号MD2は、波形B4より‘H’状態にある。よって、記憶回路13の端子Q1からは、波形B6に示すように、‘H’状態の保持信号HMD2が出力される。なお、この信号は、CPU17にも入力される。CPU17は、保持信号HMD2に応じた動作モードで動作する。
【0041】
NAND回路Z1は、記憶回路12の端子Q2から出力される、反転された保持信号HMD1と記憶回路13の端子Q1から出力される保持信号HMD2を入力する。NAND回路Z1は、入力した信号をNAND演算した、選択信号SELを出力する。NAND回路Z1は、波形B5を反転した‘H’状態の信号、及び‘H’状態の波形B6を入力するので、波形B7に示す‘L’状態の選択信号SELを出力する。
【0042】
選択回路14の端子Aには、波形B8に示す内部クロックICLKが入力される。選択回路14の端子Bには、波形B3に示す外部クロックOCLKが入力される。選択回路14は、端子Sに入力される選択信号SELに応じて、端子Xから内部クロックICLK又は外部クロックOCLKを出力する。選択回路14は、波形B7に示す‘L’状態の選択信号SELを端子Sから入力するので、波形B9に示すように、端子Bに入力されている外部クロックOCLKを出力する。
【0043】
外部クロックOCLK、及びPLL回路15によって逓倍された外部クロックOCLKは、クロック制御回路16に入力される。クロック制御回路16は、どちらか一方をCPU17の動作クロックMCLKとして出力する。
【0044】
なお、内部クロックICLKをCPU17の動作クロックMCLKとするには、モード/外部クロック端子M1/CLKに‘H’状態のモード信号MD1を入力するか、又はモード端子M2に‘L’状態のモード信号MD2を入力する。
【0045】
以上より、リセット信号が入力されているときに、モード端子からモード信号を入力し、記憶回路で保持する。モード信号が記憶回路にて記憶された後は、モード端子を自由に使用することができるので、モード信号が記憶回路にて記憶された後は、モード端子に外部クロックを入力することができ、モード端子を外部クロック及びモード信号を入力する端子として兼用でき、端子数の増加を抑えることができる。
【0046】
また、CPUの動作モードを指定するためのモード端子を持ったマイクロコンピュータにおいては、モード信号が記憶回路にて記憶されるので、モード端子に外部クロックを入力でき、外部クロックを入力するための新たな端子は不要となる。
【0047】
なお、1つのモード信号で動作クロックを外部クロック又は内部クロックに決定することができる。この場合、モード端子MD2、記憶回路13を省略し、記憶回路12の端子Q2を直接、選択回路14の端子Sに接続するようにする。
【0048】
また、3つ以上のモード信号の組み合わせで動作クロックを外部クロック又は内部クロックに決定することができる。この場合、モード信号を入力する端子、及びモード信号を保持して出力する記憶回路を追加する。そして、保持されるモード信号を、NAND回路Z1に入力するようにする。
【0049】
なお、記憶回路12,13に、D−フリップフロップ回路を用いてもよい。図4は、D−フリップフロップ回路を用いた場合のマイクロコンピュータの回路構成図である。図4のマイクロコンピュータ20は、マイクロコンピュータ10に対し、記憶回路12,13がD−フリップフロップ(以下D−FF)回路12a,13aとなっている。D−FF回路12a,13aは、端子CKに入力されるリセット信号RSの立ち上がりで、端子Dに入力されているモード信号MD1,MD2を保持して、保持信号HMD1,HMD2を端子Q1から出力する。また、D−FF回路12a,13aは、端子Q1から出力する保持信号HMD1,HMD2を反転した信号を端子Q2から出力する。
【0050】
図5は、D−FF回路を用いた場合の各部における信号のタイミングチャートである。なお、図5に示す斜線は、信号の不定状態を示す。
図5(a)に示す波形C1は、水晶発振端子X0に生じている信号の波形を示す。
【0051】
図5(b)に示す波形C2は、リセット端子RSTに入力されるリセット信号RSの波形を示す。リセット信号RSが‘L’状態から‘H’状態に立ち上がったとき、CPU17はリセットされる。
【0052】
図5(c)に示す波形C3は、モード/外部クロック端子M1/CLKに入力されるモード信号MD1及び外部クロックOCLKの波形を示す。モード/外部クロック端子M1/CLKには、波形C2に示すように、‘L’状態のモード信号MD1が入力され、その後、外部クロックOCLKが入力される。
【0053】
図5(d)に示す波形C4は、モード端子M2に入力されるモード信号MD2の波形を示す。常に‘H’状態のモード信号MD2が入力されているとする。
図5(e)に示す波形C5は、D−FF回路12aの端子Q1から出力される保持信号HMD1の波形を示す。D−FF回路12aは、リセット信号RSの立ち上がりで、モード/外部クロック端子M1/CLKに入力されているモード信号MD1の状態を保持して、保持信号HMD1を出力する。波形C2,C3より、波形C5は、リセット信号RSの立ち上がりで、不定状態から‘L’状態の信号波形となる。
【0054】
図5(f)に示す波形C6は、D−FF回路13aの端子Q1から出力される保持信号HMD2の波形を示す。D−FF回路13aは、リセット信号RSの立ち上がりで、モード端子M2に入力されているモード信号MD2の状態を保持して出力する。波形C2,C4より、波形C6は、リセット信号の立ち上がりで、不定状態から‘H’状態の信号波形となる。
【0055】
図5(g)に示す波形C7は、NAND回路Z1から出力される選択信号SEL信号の波形を示す。NAND回路Z1には、波形C5を反転した信号及び波形C6の信号が入力されるので、NAND回路Z1は、波形C7に示すように‘L’状態の選択信号SELを出力する。
【0056】
図5(h)に示す波形C8は、水晶発振回路11から出力される内部クロックICLKの波形を示す。
図5(i)に示す波形C9は、選択回路14から出力される外部クロックOCLKの波形を示す。選択回路14の端子Sには、波形C7の信号、すなわち‘L’状態の選択信号SELが入力されるので、端子Xからは、波形C9に示す外部クロックOCLKが出力される。なお、波形C9では、外部クロックOCLKが出力される前は、内部クロックICLKが出力されていたように示してある。
【0057】
このように、D−FF回路は、リセット信号の立ち上がり時に、モード端子に入力されているモード信号を保持して出力する。その後、外部クロックをモード端子から入力する。すなわち、モード信号がFF−回路にて記憶された後は、モード端子を自由に使用することができるので、外部クロックを入力するための新たな端子は不要である。
【0058】
なお、FF回路は、リセット信号RSの立下りにおいて、モード信号MD1,MD2を保持するものであってもよい。
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。
【0059】
図6は、本発明の第2の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。図に示すマイクロコンピュータ30は、第1の実施の形態のマイクロコンピュータ10に対し、NAND回路Z1の出力が水晶発振回路11に入力されるようになっている。第1の実施の形態と同じものには同じ番号を付し、説明は省略する。
【0060】
水晶発振回路11は、FETトランジスタQ1,Q2、インバータ回路Z2、NAND回路Z3、及びシュミットトリガー回路Z4から構成されている。
FETトランジスタQ1は、nチャネルのFETトランジスタである。ゲートに‘H’状態の信号が入力されるとソース−ドレイン間をオンする。FETトランジスタQ2は、pチャネルのFETトランジスタである。ゲートに‘L’状態の信号が入力されるとソース−ドレイン間をオンする。
【0061】
FETトランジスタQ1,Q2は、互いのソース、ドレインが接続されている。FETトランジスタQ1,Q2のドレインは、NAND回路Z3の入力に接続されている。NAND回路Z3の出力は、FETトランジスタQ1,Q2のソースに接続されている。
【0062】
NAND回路Z1の出力は、FETトランジスタQ1のゲート及びNAND回路Z3の他方の入力と接続されている。NAND回路Z1の出力は、インバータ回路Z2を介してFETトランジスタQ2のゲートと接続されている。
【0063】
水晶発振端子X1は、NAND回路Z3の入力と接続されている。NAND回路Z3の出力は、水晶発振端子X0と接続されている。すなわち、NAND回路Z3は、水晶発振端子X0,X1に接続される水晶発振子と帰還回路を構成するようになっている。
【0064】
シュミットトリガー回路Z4は、NAND回路Z3の出力と接続されている。シュミットトリガー回路Z4は、NAND回路Z3から出力される発振信号を整形し、内部クロックICLKとして選択回路14に出力する。
【0065】
水晶発振回路11は、水晶発振端子X0,X1に接続される水晶発振子に、並列に挿入される抵抗、すなわちFETトランジスタQ1,Q2のソース−ドレイン間の抵抗と、水晶発振子の振動周波数とが所定の関係を満たしているとき、水晶発振子の振動周波数で発振する。水晶発振回路11のFETトランジスタQ1,Q2のソース−ドレイン間の抵抗は、マイクロコンピュータ30の製造過程で固定されるので、水晶発振端子X0,X1には、決まった振動周波数の水晶発振子が接続されることになる。
【0066】
このような、水晶発振回路11において、NAND回路Z1から‘H’状態の選択信号SELが出力されると、FETトランジスタQ1のソース−ドレイン間がオンする。また、選択信号SELは、インバータ回路Z2によって、‘L’状態の信号に反転され、FETトランジスタQ2のソース−ドレイン間がオンする。また、NAND回路Z3の入力に‘H’状態の選択信号SELが入力される。
【0067】
これにより、水晶発振端子X0,X1に接続される水晶発振子間に、並列にFETトランジスタQ1,Q2のソース−ドレイン間の抵抗が生じ、水晶発振子の振動周波数で発振する。水晶発振回路11は、発振した信号を内部クロックICLKとして選択回路14の端子Aに出力する。
【0068】
なお、NAND回路Z1からは‘H’状態の選択信号SELが出力されているので、選択回路14は、端子Aに入力される内部クロックICLKを端子Xから出力する。
【0069】
NAND回路Z1から‘L’状態の選択信号SELが出力されると、FETトランジスタQ1のソース−ドレイン間がオフする。また、選択信号SELは、インバータ回路Z2によって反転され、‘H’状態の信号となり、FETトランジスタQ2のソース−ドレイン間がオフする。また、NAND回路Z3の一方の入力端子に‘L’状態の選択信号SELが入力される。
【0070】
これにより、NAND回路Z3の出力端子は常に‘H’状態となり発振が止まる。また、FETトランジスタQ1,Q2のソース−ドレイン間はオフ状態であり、NAND回路Z3の入力端子−出力端子間に漏れ電流が流れない。
【0071】
なお、NAND回路Z1からは‘L’状態の選択信号SELが出力されているので、選択回路Z14は、端子Bに入力される外部クロックOCLKを端子Xから出力する。
【0072】
すなわち、内部クロックICLKがCPU17の動作クロックとされる場合にのみ、水晶発振回路11は、発振動作を行う。これにより、消費電流を抑えることができる。また、水晶発振回路11は、発振動作を止められているとき、FETトランジスタQ1,Q2のソース−ドレイン間はオフ状態であり、NAND回路Z3の入力端子−出力端子間に漏れ電流が流れず、消費電力を抑えることができる。
【0073】
なお、記憶回路12,13の替わりに、図4で示したD−FF回路12a,13aを用いた場合でも、同様に、水晶発振回路11の発振動作を止めることができる。
【0074】
図7は、リセット信号と内部クロックのタイミングチャートを示す図で、(a)は、記憶回路におけるタイミングチャート、(b)はD−FF回路におけるタイミングチャートを示す。
【0075】
記憶回路12,13では、リセット信号RSが端子Gに入力されるとともに、モード信号MD1,MD2が保持されて出力される。これにより、図7(a)に示すように、リセット信号RSが‘L’状態になるとともに、水晶発振回路11は、発振動作を止め、内部クロックICLKの出力を止める。
【0076】
D−FF回路では、端子CKに入力されるリセット信号RSの立ち上がりでモード信号が保持されて出力される。これにより、図7(b)に示すように、リセット信号RSが‘L’状態から‘H’状態に立ち上がるまで、水晶発振回路11は、内部クロックICLKを出力し、その後、発振動作を止め、内部クロックICLKの出力を止める。
【0077】
次に本発明の第3の実施の形態について説明する。
図8は、本発明の第3の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。図に示すマイクロコンピュータ40は、第2の実施の形態のマイクロコンピュータ30に対し、NOR回路Z5、AND回路Z6が追加されている。第2の実施の形態と同じものには同じ番号を付し、説明は省略する。
【0078】
CPU17は、消費電力を抑えるために、動作クロックMCLKの供給を停止させるプログラムを実行すると、‘H’状態のストップ信号STを出力する。
NOR回路Z5の入力の一端は、NAND回路Z1の出力と接続され、他端は、CPU17のストップ信号STを出力する信号線と接続されている。NOR回路Z5の出力は、水晶発振回路11のインバータ回路Z2の入力に接続されている。
【0079】
NOR回路Z5は、NAND回路Z1の選択信号が‘L’状態又はCPU17からのストップ信号STが‘H’状態であれば、‘L’状態の信号を出力する。AND回路Z6の一端は、モード/外部クロック端子M1/CLKと接続されている。他端は、CPU17のストップ信号STを出力する信号線と接続されている。AND回路Z6の出力は、選択回路14の端子Bと接続されている。
【0080】
AND回路Z6は、CPU17のストップ信号STが‘L’状態及びモード/外部クロック端子M1/CLKの外部クロックOCLKが‘H’状態であれば‘H’状態の信号を出力する。すなわち、AND回路Z6は、CPU17のストップ信号STが‘L’状態であれば、外部クロックOCLKがAND回路Z6から出力される。
【0081】
以下、マイクロコンピュータ40の動作について説明する。
CPU17が消費電力を抑えるため、‘H’状態のストップ信号STを出力したとする。これにより、NOR回路Z5の他端には、‘H’状態のストップ信号STが入力される。NOR回路Z5は、‘L’状態の信号を水晶発振回路11のFETトランジスタQ1のゲート及びインバータ回路Z2に出力する。これにより、水晶発振回路11は、内部クロックICLKを出力しない。
【0082】
また、AND回路Z6の他端にも、‘H’状態のストップ信号STが入力され、AND回路Z6は、モード/外部クロック端子M1/CLKから入力される外部クロックOCLKを選択回路14に出力しない。
【0083】
これにより、消費電力を低減するプログラムが実行され、ストップ信号が出力されると、内部クロック及び外部クロックの供給が停止され、消費電力を低減することができる。
【0084】
なお、‘H’状態のストップ信号STが出力されていない場合において、NAND回路Z1から‘L’状態の選択信号SELが出力されると(外部クロックOCLKが動作クロックMCLKとして選択される)、NOR回路Z5は、‘L’状態の信号を水晶発振回路11に出力し、水晶発振回路11は、発振動作を行わない。
【0085】
次に本発明の第4の実施の形態について説明する。
図9は、本発明の第4の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。図に示すマイクロコンピュータ50は、第1の実施の形態のマイクロコンピュータ10に対し、PLL回路15の接続位置が異なっている。第1の実施の形態と同じものには同じ番号を付し、説明は省略する。
【0086】
マイクロコンピュータ50では、水晶発振回路11から出力される内部クロックICLKは、PLL回路15に入力される。また、水晶発振回路11から出力される内部クロックICLKは、クロック制御回路16に入力される。
【0087】
PLL回路15は、水晶発振回路11から出力される内部クロックICLKの周波数を逓倍し、選択回路14の端子Aに出力する。
すなわち、内部クロックICLKのみ逓倍されるように、PLL回路15を水晶発振回路11と選択回路14の間に接続することによって、外部クロックOCLKはPLL回路15によって逓倍されない。よって、高速な外部クロックでCPU17を動作させる場合や、外部クロックで高速動作試験を行う場合、外部クロックは、PLL回路15によって逓倍されないので、PLL回路15のロック時間を低減でき、CPU17の立ち上がり時間の短縮、又は高速動試験の時間を短縮することができる。
【0088】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、記憶回路は、外部クロック及び使用情報信号が入力される入力端子の使用情報信号を保持して選択回路に出力する。選択回路は、使用情報信号の状態に応じて、内部クロック又は外部クロックを出力する。よって、使用情報信号が記憶回路にて記憶された後は、入力端子に外部クロックを入力することができ、入力端子を外部クロック及び使用情報信号を入力する端子として兼用でき、端子数の増加を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明する原理図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。
【図3】マイクロコンピュータの各部における信号のタイミングチャートを示す図である。
【図4】D−フリップフロップ回路を用いた場合のマイクロコンピュータの回路構成図である。
【図5】D−FF回路を用いた場合の各部における信号のタイミングチャートである。
【図6】本発明の第2の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。
【図7】リセット信号と内部クロックのタイミングチャートを示す図で、(a)は、記憶回路におけるタイミングチャート、(b)はD−FF回路におけるタイミングチャートを示す。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。
【図9】本発明の第4の実施の形態に係るマイクロコンピュータの回路構成図である。
【図10】従来の半導体装置の水晶発振回路を示す。
【図11】水晶発振端子にインバータ回路を接続した半導体装置の構成図である。
【符号の説明】
1 半導体装置
2,11 水晶発振回路
3,12,13 記憶回路
4,14 選択回路
10,20 マイクロコンピュータ
12a,13a D−FF回路
15 PLL回路
16 クロック制御回路
17 CPU
Q1,Q2 FETトランジスタ
Z1 NAND回路
Z2 インバータ回路
Z3 NAND回路
Z4 シュミットトリガー回路
Z5 NOR回路
Z6 AND回路
IN 入力端子
RST リセット端子
X0,X1 水晶発振端子
M1/CLK モード/外部クロック端子
M2 モード端子
Claims (6)
- 内部クロック又は外部クロックに同期して動作する半導体装置において、
外付けされる水晶発振子の振動周波数に基づいた内部クロックを発生する水晶発振回路と、
外部クロックの使用情報を示す使用情報信号及び前記外部クロックが入力される入力端子と、
リセット信号が入力されたときの前記使用情報信号の状態を保持して出力する記憶回路と、
前記使用情報信号の状態に応じて前記内部クロック又は前記外部クロックの一方を出力する選択回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記水晶発振回路は、前記内部クロックの発生を制御する制御回路を有し、前記使用情報信号に応じて前記内部クロックの発生を停止することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記使用情報信号が前記外部クロックの使用を示す使用情報である場合に前記内部クロックの発生を停止することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 内部から発生するクロック停止信号に応じて、前記外部クロックの入力を遮断する遮断回路を有し、
前記水晶発振回路は、前記クロック停止信号に応じて前記内部クロックの発生を停止する制御回路を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記水晶発振回路から出力される前記内部クロックを逓倍して前記選択回路に出力するフェイズロックループ回路を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記入力端子には前記リセット信号が入力されているときに前記使用情報信号が入力され、続いて前記外部クロックが入力されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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