JP2004040769A - バイアス電流制御回路を含む電力増幅器 - Google Patents

Abstract

【課題】チップの大きさ及び電力消費をほとんど増加させない移動通信端末機用バイアス電流制御回路を含む電力増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】移動通信端末機用電力増幅器は、増幅用トランジスタＱ１、バイアス回路１０１及びバイアス電流制御回路１０３を含み、増幅用トランジスタＱ１は前記移動通信端末機の出力信号を生成し、バイアス回路１０１はバイアス用トランジスタＱ２，Ｑ３を含み、増幅用トランジスタＱ１をバイアスするバイアス電流を出力し、バイアス電流制御回路１０３は制御信号に応じてバイアス電流を調節することにより増幅用トランジスタの動作電流を制御し、前記制御信号は、前記移動通信端末機の前記出力信号の電力レベルにより定められる。本発明によるバイアス電流制御回路１０３は、出力電力レベルが低い時、増幅用トランジスタのバイアス電流及び動作電流を減少させることにより、結果的に電力付加効率を向上させる。
【選択図】　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電力増幅器に関し、より詳しくは、本発明は増幅器の動作電流を効果的に減少させることにより、電力付加効率（ｐｏｗｅｒ　ａｄｄｅｄ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ：ＰＡＥ）を向上させることのできるバイアス電流制御回路を含む電力増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、電力増幅器は無線通信端末機において、電力を多く消費する部品の１つである。図１及び２は、通常的なＣＤＭＡ無線通信端末機に用いられる従来の電力増幅器モジュールを示す。
【０００３】
図１の電力増幅器は、増幅回路にバイアス回路１０１が加えられた構造を有する。増幅回路は、エミッタが接地されている増幅用トランジスタＱ１と、一端部にはＶｃｃが供給され、他端部はＱ１のコレクタに連結されているインダクタＬと、Ｑ１のコレクタとＲＦ＿ＯＵＴ端子との間にある出力コンデンサＣｏと、ＲＦ＿ＩＮ端子とＱ１のベースとの間にある入力コンデンサＣｉとを含む。
【０００４】
バイアス回路１０１は、電流ミラー（ｃｕｒｒｅｎｔ　ｍｉｒｒｏｒ）構造を有し、バイアス用トランジスタＱ２及びＱ３、抵抗Ｒｂｉａｓ、Ｒ２及びＲ３を含む。Ｑ２のコレクタには基準電圧Ｖｒｅｆが供給され、Ｑ３のエミッタは接地されており、Ｒｂｉａｓの一端部にはＶｒｅｆが供給され、Ｒｂｉａｓの他端部はＱ２のベース及びＱ３のコレクタに連結されており、Ｒ２の一端部はＱ３のベースに連結されており、Ｒ２の他端部はＱ２のエミッタに連結されており、Ｒ３の一端部はＣｉとＱ１のベースとの間のノードに連結されており、Ｒ３の他端部はＱ２のエミッタに連結されている。
【０００５】
図２の電力増幅器は、図１の増幅回路にバイアス回路１０２が加えられた構造を有する。バイアス回路１０２は電流ミラー構造を有し、バイアス用トランジスタＱｂｉａｓと、エミッタベースダイオード（コレクタとベースが連結されているバイポーラトランジスタ）Ｄ１及びＤ２と、抵抗Ｒｂｉａｓとを含む。ＱｂｉａｓのコレクタにはＶｒｅｆが供給され、Ｄ１のアノードはＱｂｉａｓのベースに連結されており、Ｄ２のアノードはＤ１のカソードに連結されており、Ｄ２のカソードは接地されており、Ｒｂｉａｓの一端部にはＶｒｅｆが供給され、Ｒｂｉａｓの他端部はＤ１のアノードに連結されている。
【０００６】
図１及び図２を参照すれば、Ｖｒｅｆが一定の値を有する時、Ｑ１のバイアス電流（Ｑ１のベース電流のＤＣ成分）Ｉ_Ｂは、出力電力に関わらず固定される。換言すれば、バイアス回路１０１または１０２が出力電力に関わらず一定のバイアス電流を供給することにより、Ｑ１の動作電流になる静止電流、即ちＱ１のコレクタ電流のＤＣ成分Ｉ_Ｃも一定になる。
【０００７】
最大出力電力は、このような電力増幅器の最も重要な性能特性のうちの１つである。しかし、このような電力増幅器は、最大出力電力（例えば、２８ｄＢｍ）で動作する場合が少なく、主に低出力レベル（例えば、１６ｄＢｍ以下）で動作する。従って、ＣＤＭＡ電力増幅器の電力付加効率（ｐｏｗｅｒ　ａｄｄｅｄ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ：ＰＡＥ）を増加させるためには、低出力レベルで動作電流が減少するように動作電流を制御する必要がある。
【０００８】
バイアスを制御する回路を付加してＰＡＥを増加させる多様の方法が知られている。例えば、Ｔ．　Ｓａｔｏ　ｅｔ　ａｌ．，“Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ　ＲＦ　ｐｏｗｅｒ　ｍｏｄｕｌｅ　ｕｓｉｎｇ　ａｕｔｏｍａｔｉｃ　ｂｉａｓ　ｃｏｎｔｒｏｌ（ＡＢＣ）ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　ＰＣＳ　ＣＤＭＡ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”、ＩＥＥＥ　ＭＴＴ−Ｓ　Ｉｎｔ．　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｓｉｍｐ．　Ｄｉｇ．，　１９９８、ｐｐ．２０１−２０４には、Ｖｒｅｆを調節して低出力レベルでバイアス電流を減少させるＡＢＣ（ａｕｔｏｍａｔｉｃ　ｂｉａｓ　ｃｏｎｔｒｏｌ）システムが提示されている。しかし、ＡＢＣシステムは、電力増幅器が内蔵されているＭＭＩＣ（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）とは別に付加的なＡＢＣチップを必要とするため、電力増幅器モジュールの大きさは増加するようになる。
【０００９】
他の例として、包絡線検波（ｅｎｖｅｌｏｐｅ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）に基づき、動的電源電圧及び電流を調節する方式が提案されており、これはｄｃ−ｄｃコンバータ、包絡線検波器及びカップラのような付加的な構成要素が必要である（例えば、Ｍ．　Ｒａｎｊａｎ　ｅｔａｌ．，“Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｐｏｗｅｒ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ　ｗｉｔｈ　ｄｉｇｉｔａｌｌｙ−ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｐｏｗｅｒ　ｓｕｐｐｌｙｖｏｌｔａｇｅ　ｆｏｒ　ｈｉｇｈ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ａｎｄ　ｈｉｇｈ　ｌｉｎｅａｒｉｔｙ”，　ＩＥＥＥ　ＭＴＴ−Ｓ　Ｉｎｔ．　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｓｉｍｐ．　Ｄｉｇ．，　２０００，　ｐｐ．　４９３−４９６、及びＹａｎｇ　Ｋｙｏｕｎｇｈｏｏｎ　ｅｔ　ａｌ．，“Ｈｉｇｈ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｃｌａｓｓ−Ａ　ｐｏｗｅｒ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｄｕａｌ−ｂｉａｓ−ｃｏｎｔｒｏｌ　ｓｃｈｅｍｅ”，　ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｔｈｅｏｒｙ　Ｔｅｃｈ．，　ｖｏｌ．　４７，　ｐｐ．　１４２６−１４３２，　Ａｕｇ．　１９９９参照）。しかし、このような構成の場合、その構成要素の大きさ及び複雑性のため、付加的な構成要素（即ち、ｄｃ−ｄｃコンバータ、包絡線検波器及びカップラ）をＭＭＩＣ内に電力増幅器とともに集積するのは難しい。
【００１０】
前述のように、ＣＤＭＡ電力増幅器のバイアスを制御する従来技術は、チップの大きさ及び電力消費を増加させる付加的な要素が必要であるという問題点を有している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、チップの大きさ及び電力消費をほとんど増加させない移動通信端末機用バイアス電流制御回路を含む電力増幅器モジュールを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
このような目的を実現するために、本発明による移動通信端末機用電力増幅器は、増幅用トランジスタ、バイアス回路及びバイアス電流制御回路を含み、増幅用トランジスタは前記移動通信端末機の出力信号を生成し、バイアス回路はバイアス用トランジスタを含み、増幅用トランジスタをバイアスするバイアス電流を出力し、バイアス電流制御回路は制御信号に応じてバイアス電流を調節することにより増幅用トランジスタの動作電流を制御し、前記制御信号は前記移動通信端末機の前記出力信号の電力レベルにより定められる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図３には本発明による電力増幅器が示されており、図１の電力増幅器に本発明の第１実施例によるバイアス電流制御回路１０３が付加されている。
バイアス電流制御回路１０３は、電流ミラー構造を有し、制御用トランジスタＱ４、補助トランジスタＱ５及び抵抗Ｒｍｏｄｅ１、Ｒｍｏｄｅ２を含む。Ｑ４のコレクタはＲ１とＱ３との間のノードに連結されており、Ｑ５のエミッタは接地されており、Ｒｍｏｄｅ１の一端部には制御電圧Ｖｍｏｄｅが供給され、Ｒｍｏｄｅ１の他端部はＱ４のベース及びＱ５のコレクタに連結されており、Ｒｍｏｄｅ２の一端部はＱ４のエミッタ及びＱ５のベースに連結されており、Ｒｍｏｄｅ２の他端部は接地されている。Ｑ４のコレクタは、Ｒ１とＱ３のコレクタとの間のノードに連結されることにより、バイアス回路１０１に新しい電流経路を付加することと同様の役割をする。バイアス回路１０１からバイアス電流制御回路１０３に流れるバイパス電流Ｉ_Ｑ４は、Ｖｍｏｄｅ、Ｒｍｏｄｅ１及びＲｍｏｄｅ２により定められる。
【００１４】
制御電圧Ｖｍｏｄｅは、通常的なＣＤＭＡ移動通信端末機に内蔵されているモバイルステーションモデム（ｍｏｂｉｌｅ　ｓｔａｔｉｏｎ　ｍｏｄｅｍ：ＭＳＭ）チップにより供給されるので、制御電圧Ｖｍｏｄｅをバイアス電流制御回路１０３に供給するための付加的な回路は必要ではない。例えば、図５及び６に示すＶｍｏｄｅは出力電力Ｐｏｕｔが１６ｄＢｍより高い時（高出力電力モード）にはロー（ｌｏｗ）、即ち約０Ｖ〜０．４５Ｖであり、出力電力Ｐｏｕｔが１６ｄＢｍ以下である時（低出力モード）にはハイ（ｈｉｇｈ）、即ち約２．８５Ｖ〜３．３Ｖである。
【００１５】
Ｐｏｕｔが高出力電力モードになる時、Ｖｍｏｄｅはロジックロー（約０Ｖ〜０．４５Ｖ）になるので、トランジスタＱ４及びＱ５はオフ（ＯＦＦ）になる。この場合、バイアス回路１０１からバイアス電流制御回路１０３に電流が流れないので、図３の電力増幅器は図１に示す従来の電力増幅器と等価になる。
【００１６】
Ｐｏｕｔが低出力電力モードになる時、Ｖｍｏｄｅはロジックハイ（約２．８５Ｖ〜３．３Ｖ）になるので、トランジスタＱ４及びＱ５はオン（ｏｎ）になる。この場合、バイアス電流制御回路１０３がバイアス回路１０１から電流Ｉ_Ｑ４を引っ張ることにより、抵抗Ｒ１を通じて流れる電流Ｉ_Ｒ１が増加し、Ｒ１の両端間の電圧降下が大きくなる。従って、Ｑ２のベース電位が下降することにより、Ｑ２のベースに印加される電流が減少し、結果的にＩ_Ｂ及びＩ_Ｃが減少する。
【００１７】
図４には本発明による電力増幅器が示されており、図２の電力増幅器に本発明の第１実施例によるバイアス電流制御回路１０３が付加されている。図４のバイアス電流制御回路１０３は、図３のバイアス電流制御回路１０３と同一である。図示のように、Ｑ４のコレクタは、ＲｂｉａｓとＤ１との間のノードに連結されている。後述のように、図４の電力増幅器は、図３の電力増幅器と同様の方式で作動する。
【００１８】
Ｐｏｕｔが高出力になる時、Ｖｍｏｄｅはロー電圧（約０Ｖ〜０．４５Ｖ）を印加するので、トランジスタＱ４及びＱ５はオフになる。この場合、バイアス回路１０２からバイアス電流制御回路１０３に電流が流れないので、図４に示す電力増幅器は図２に示す従来の電力増幅器と等価になる。
【００１９】
Ｐｏｕｔが低出力になる時、Ｖｍｏｄｅはハイ電圧（約２．８５Ｖ〜３．３Ｖ）を印加するので、トランジスタＱ４及びＱ５はオンになる。この場合、バイアス電流制御回路１０３がバイアス回路１０２から電流Ｉ_Ｑ４を引っ張ることにより、抵抗Ｒｂｉａｓを通じて流れる電流Ｉ_Ｒが増加し、Ｒｂｉａｓの両端間の電圧降下が大きくなる。従って、Ｑｂｉａｓのベース電位が降下することにより、Ｑｂｉａｓのベースに印加される電流が減少し、結果的にＩ_Ｂ及びＩ_Ｃが減少する。
【００２０】
図７には、本発明による電力増幅器が図示されており、図１の電力増幅器に本発明の第２実施例によるバイアス電流制御回路１０４が付加されている。
【００２１】
バイアス電流制御回路１０４は電流ミラー構造を有し、制御用トランジスタＱ６、エミッタベースダイオードＤ３及びＤ４、並びに抵抗Ｒｍｏｄｅ３及びＲｍｏｄｅ４を含む。Ｑ６のコレクタはＲ１とＱ３との間に連結されており、Ｄ３のアノードはＱ６のベースに連結されており、Ｄ４のアノードはＤ３のカソードに連結されており、Ｄ４のカソードは接地されており、Ｒｍｏｄｅ３の一端部には制御電圧Ｖｍｏｄｅが供給され、Ｒｍｏｄｅ３の他端部はＱ６のベース及びＤ３のアノードに連結されており、Ｒｍｏｄｅ４の一端部はＱ６のエミッタに連結されており、Ｒｍｏｄｅ４の他端部は接地されている。Ｑ６のコレクタはＲ１とＱ３のコレクタとの間のノードに連結されることにより、バイアス回路１０１に新しい電流経路を付加したのと同じ役割をする。バイアス回路１０１からバイアス電流制御回路１０４に流れる電流Ｉ_Ｑ６は、Ｖｍｏｄｅ、Ｒｍｏｄｅ３及びＲｍｏｄｅ４により定められる。
【００２２】
図３の電力増幅器と同様に、Ｐｏｕｔが高出力で、Ｖｍｏｄｅがロー（約０Ｖ〜０．４５Ｖ）である時、トランジスタＱ６はオフになる。この場合、バイアス回路１０１からバイアス電流制御回路１０４に電流が流れないので、図７の電力増幅器は図１に示す従来の電力増幅器と等価になる。
【００２３】
同様に、低出力電力モードではＶｍｏｄｅがハイ（約２．８５Ｖ〜３．３Ｖ）になるので、トランジスタＱ６はオンになる。この場合、バイアス電流制御回路１０４がバイアス回路１０１から電流Ｉ_Ｑ６を引っ張ることにより、抵抗Ｒ１を通じて流れる電流Ｉ_Ｒ１が増加し、Ｒ１の両端間の電圧降下が大きくなる。従って、Ｑ２のベース電位が下降することにより、Ｑ２のベースに印加される電流が減少し、結果的にＩ_Ｂ及びＩ_Ｃが減少する。
【００２４】
図８には、本発明による電力増幅器が図示されており、図２の電力増幅器に本発明の第２実施例によるバイアス電流制御回路１０４が付加されている。図８のバイアス電流制御回路１０４は、図７のバイアス電流制御回路１０４と同じである。図８において、Ｑ６のコレクタはＲｂｉａｓとＤ１との間のノードに連結されている。後述のように、図８の電力増幅器は図７の電力増幅器と同じ方式で作動する。
【００２５】
Ｖｍｏｄｅがロー（約０Ｖ〜０．４５Ｖ）である時、トランジスタＱ６はオフになる。この場合、バイアス回路１０２からバイアス電流制御回路１０４に電流が流れないので、高出力電力モードが維持される間、図８の電力増幅器は図２に示す従来の電力増幅と等価になる。
【００２６】
Ｖｍｏｄｅがハイ（約２．８５Ｖ〜３．３Ｖ）である時、トランジスタＱ６はオンになる。この場合、バイアス電流制御回路１０４がバイアス回路１０２から電流Ｉ_Ｑ６を引っ張ることにより、抵抗Ｒｂｉａｓを通じて流れる電流Ｉ_Ｒが増加し、Ｒｂｉａｓの両端間の電圧降下が大きくなる。従って、Ｑｂｉａｓのベース電位が降下することにより、Ｑｂｉａｓのベースに印加される電流が減少し、結果的に低出力電力モードではＩ_Ｂ及びＩ_Ｃが減少する。
【００２７】
前述のように、本発明はバイアス電流制御回路を含む電力増幅器を提供し、前記バイアス電流制御回路は出力電力レベルが低い時、増幅用トランジスタのバイアス電流及び動作電流を減少させることにより、結果的にＰＡＥを向上させる。本発明によるバイアス電流制御回路は、２つの抵抗及び２〜３個のトランジスタのみを用いて具現することができるので、チップの大きさ及び電力消費をあまり増加させず、通常的なＭＭＩＣチップ内に電力増幅器とともに集積することができる。
【００２８】
図９は、本発明によるバイアス電流制御回路を含むＭＭＩＣ電力増幅器のＰＡＥを示すグラフである。このグラフにおいて、ＰＡＥは出力電力が１６ｄＢｍである時１．３倍増加する。
【００２９】
通常的なＭＳＭチップにより印加される制御電圧Ｖｍｏｄｅは、高出力電力モード（または低出力電力モード）が維持される間にも一定の値を維持するのではなく、０．４５Ｖの範囲内で変動する。Ｑ１の静止電流は、このような変動により影響をあまり受けないのが好ましい。実験によると、本発明による電力増幅器において、Ｖｍｏｄｅが０．４５Ｖの範囲内で変動する時、Ｉ_Ｃの変動幅は１．５ｍＡ以下の小さい値を有する。
【００３０】
制御電圧Ｖｍｏｄｅは、前述とは異なる方式で設定することができる。例えば、移動通信端末機の構成により、低出力電力モードである時Ｖｍｏｄｅがロジックローになり、高出力電力モードである時Ｖｍｏｄｅがロジックハイになるように設定することができる。ロジックロー及びロジックハイ電圧範囲も前述した実施例での０Ｖ〜０．４５Ｖ及び２．８５Ｖ〜３．３Ｖとは相違するように設定することができる。同様に、低出力電力モードと高出力電力モードとの間の境界値も必ずしも１６ｄＢｍである必要はなく、他の値を有することもできる。出力電力の最大値も２８ｄＢｍと異なる値を有することもできる。
【００３１】
例えば、Ｖｍｏｄｅ端子にインバータを付加するか、バイアス電流制御回路にＰ型トランジスタを用いるなどの変更は、該当技術分野における当業者にとって本発明の前述した実施例から容易に想到することができる。
【００３２】
上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３３】
【発明の効果】
従って、本発明はバイアス電流制御回路を含む電力増幅器を提供し、前記バイアス電流制御回路は出力電力レベルが低い時、増幅用トランジスタのバイアス電流及び動作電流を減少させることにより、結果的にＰＡＥを向上させる。本発明によるバイアス電流制御回路は、２つの抵抗及び２〜３個のトランジスタのみを用いて具現することができるので、チップの大きさ及び電力消費をあまり増加させず、通常的なＭＭＩＣチップ内に電力増幅器とともに集積することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】増幅用トランジスタＱ１にバイアス電流Ｉ_Ｂを印加するバイアス回路１０１を含む従来の電力増幅器を示す回路図である。
【図２】増幅用トランジスタＱ１にバイアス電流Ｉ_Ｂを印加するバイアス回路１０２を含む他の従来の電力増幅器を示す回路図である。
【図３】本発明による第１実施例によるバイアス電流制御回路１０３を含む電力増幅器を示す回路図である。
【図４】本発明による第１実施例によるバイアス電流制御回路１０３を含む電力増幅器を示す回路図である。
【図５】本発明による電力増幅器の静止電流Ｉ_Ｃを出力電力Ｐｏｕｔに対する関数で示すグラフである。
【図６】本発明による電力増幅器の制御電圧Ｖｍｏｄｅを出力電力Ｐｏｕｔに対する関数で示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施例によるバイアス電流制御回路１０４を含む電力増幅器を示す回路図である。
【図８】本発明の第２実施例によるバイアス電流制御回路１０４を含む電力増幅器を示す回路図である。
【図９】本発明によるＰＡＥ向上を説明するグラフである。
【符号の説明】
１０１、１０２…バイアス回路　１０３、１０４…バイアス電流制御回路

Claims (9)

1. 移動通信端末機用電力増幅器であって、
   前記移動通信端末機の出力信号を生成する増幅用トランジスタと、
   バイアス用トランジスタを含み、前記増幅用トランジスタをバイアスするバイアス電流を出力するバイアス回路と、
   制御信号に応じて前記バイアス電流を調整し、前記増幅用トランジスタの動作電流を制御するバイアス電流制御回路とを含み、
   前記制御信号は、前記移動通信端末機の前記出力信号の電力レベルにより定められることを特徴とする移動通信端末機用電力増幅器。
2. 前記バイアス電流制御回路は、電流ミラー構造を有することを特徴とする請求項１に記載の移動通信端末機用電力増幅器。
3. 前記バイアス電流制御回路は、前記制御信号に応じて前記バイアス回路からバイパス電流を引っ張ることにより、前記バイアス電流を減少させる手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の移動通信端末機用電力増幅器。
4. 前記移動通信端末機は高出力電力モード及び低出力電力モードのうち１つのモードで動作し、
   前記バイアス電流は前記移動通信端末機が前記低出力電力モードにある時、減少することを特徴とする請求項３に記載の移動通信端末機用電力増幅器。
5. 前記制御信号は、前記移動通信端末機が高出力電力モードにある時、第１論理レベルであり、前記移動通信端末機が低出力電力モードにある時、第２論理レベルであることを特徴とする請求項４に記載の移動通信端末機用電力増幅器。
6. 前記バイパス電流を引っ張る前記手段は制御用トランジスタを含み、
   前記制御用トランジスタは、前記制御信号が前記第１論理レベルである時にはオフされ、前記制御信号が前記第２論理レベルである時にはオンされることにより、前記バイパス電流が前記制御用トランジスタを通じて流れるようにすることを特徴とする請求項５に記載の移動通信端末機用電力増幅器。
7. 前記制御信号は、前記低出力電力モードでロジックハイであり、前記高出力電力モードでロジックローであることを特徴とする請求項６に記載の移動通信端末機用電力増幅器。
8. 前記バイアス電流制御回路は、補助トランジスタ、第１抵抗及び第２抵抗をさらに含み、
   前記補助トランジスタのエミッタは接地されており、
   前記第１抵抗の第１端部には前記制御信号が供給され、前記第１抵抗の第２端部は前記制御用トランジスタのベースと前記補助トランジスタのコレクタとの間のノードに連結されており、
   前記第２抵抗の第１端部は前記制御用トランジスタのエミッタと前記補助トランジスタのベースとの間のノードに連結されており、前記第２抵抗の第２端部は接地されていることを特徴とする請求項７に記載の移動通信端末機用電力増幅器。
9. 前記バイアス電流制御回路は第１ダイオード、第２ダイオード、第１抵抗及び第２抵抗をさらに含み、
   前記第１ダイオード及び前記第２ダイオードは、カソード及びアノードを含み、バイポーラ接合トランジスタのコレクタとベースを連結することで具現され、前記第２ダイオードのカソードは接地されており、前記第２ダイオードのアノードは前記第１ダイオードのカソードに連結されており、
   前記第１抵抗の第１端部には前記制御信号が供給され、前記第１抵抗の第２端部は前記制御用トランジスタのベースと前記第１ダイオードのアノードとの間のノードに連結されており、
   前記第２抵抗の第１端部は前記制御用トランジスタのエミッタに連結されており、前記第２抵抗の第２端部は接地されていることを特徴とする請求項７に記載の移動通信端末機用電力増幅器。

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