JP2020127152A - 電流制御回路及び電力増幅回路 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、第1の実施の形態について説明するが、第1の実施の形態の理解を容易にするため、先に比較例について説明する。
図1は、比較例の電力増幅回路の構成を示す図である。電力増幅回路100は、電力増幅器10と、バイアス回路20と、制御IC(Integrated Circuit:集積回路)110と、を含む。
=β・Ib1
=β(IeC+Ib) ・・・(1)
(2)トランジスタ24のコレクタ電流IeCの電流値は固定値であるので、トランジスタ24のコレクタ電位が低下する。トランジスタ24のコレクタ電位が低下すると、トランジスタ24の電流増幅率βが低下する。
(3)電流増幅率βの低下により、点162において、トランジスタ11のバイアス電流Ib1に制限がかかり始める。但し、「バラツキ」に対応する部分で、トランジスタ11のバイアス電流Ib1には、急激な制限はかからない。
(4)バイアス電流Ibiasの内の、トランジスタ24のベース電流Ibの割合が増加する。換言すると、バイアス電流Ibiasの内の、ダイオード22及び23に流れる電流の割合が減少する。つまり、ダイオード22及び23に流れる電流が減少するとともに、トランジスタ24のベース電流Ibが増加する。バイアス電流Ibiasの内の多くはダイオード22及び23に流れているが、トランジスタ11のバイアス電流Ib1に制限がかかった時は、ダイオード22及び23に流れる電流が減少し、トランジスタ24のベース電流Ibが増加する。
(5)ダイオード22及び23に流れる電流が減少すると、ダイオード22及び23での電圧が減少する。すると、トランジスタ24はバイアス電流Ibiasだけで動作し、トランジスタ11のバイアス電流Ib1に緩やかに制限がかかる。
図3は、第1の実施の形態の電力増幅回路の構成を示す図である。電力増幅回路1は、比較例の電力増幅回路100(図1参照)と比較して、制御IC110に代えて、制御IC30を含む。
図5は、第2の実施の形態の電力増幅回路の構成を示す図である。電力増幅回路1Aは、第1の実施の形態の電力増幅回路1(図3参照)と比較して、制御IC30に代えて、制御IC30Aを含む。
図6は、第3の実施の形態の電力増幅回路の構成を示す図である。電力増幅回路1Bは、第1の実施の形態の電力増幅回路1(図3参照)と比較して、制御IC30に代えて、制御IC30Bを含む。
図7は、第4の実施の形態の電力増幅回路の構成を示す図である。電力増幅回路1Cは、第1の実施の形態の電力増幅回路1(図3参照)と比較して、制御IC30に代えて、制御IC30Cを含む。
10 電力増幅器
11、24、42、43 トランジスタ
20 バイアス回路
21、25、33c、44 抵抗
22、23 ダイオード
30、30A、30B、30C、110 制御IC
31 ディジタル制御部
31a 設定テーブル
32 定電流回路
33、33A バイアス供給回路
33a 基準電圧出力部
33b 電流供給部
33d 電圧供給部
34 定電圧源
40、40C 電流制御回路
41 オペアンプ
Claims (6)
- 電力増幅器にバイアス電流を出力するバイアス回路内の第1トランジスタのベース−コレクタ間の電圧に応じて、前記第1トランジスタのベース電流を制御する、
電流制御回路。 - 請求項1に記載の電流制御回路であって、
前記第1トランジスタのベース−コレクタ間の電圧に応じた信号を出力する第1回路と、
前記信号に応じて、前記第1トランジスタのベースと基準電位との間を電気的に導通する第2回路と、
を含む、
電流制御回路。 - 請求項2に記載の電流制御回路であって、
前記第1回路は、
非反転入力端子に前記第1トランジスタのベース電位が入力され、反転入力端子に前記第1トランジスタのコレクタ電位が入力されるオペアンプであり、
前記第2回路は、
ドレインが前記第1トランジスタのベースに電気的に接続され、ゲートに前記オペアンプの出力信号が入力され、ソースが基準電位に電気的に接続された第2トランジスタである、
電流制御回路。 - 請求項2に記載の電流制御回路であって、
前記第1回路は、
非反転入力端子に前記第1トランジスタのベース電位が入力され、反転入力端子に前記第1トランジスタのコレクタ電位が入力されるオペアンプであり、
前記第2回路は、
ドレインが、入力される基準電圧に応じた電圧を前記第1トランジスタのベースに出力する電圧供給回路の入力端子に電気的に接続され、ゲートに前記オペアンプの出力信号が入力され、ソースが基準電位に電気的に接続された第2トランジスタである、
電流制御回路。 - 請求項2に記載の電流制御回路であって、
前記第1回路は、
非反転入力端子に、定電圧源から出力される定電圧が入力され、反転入力端子に前記第1トランジスタのコレクタ電位が入力されるオペアンプであり、
前記第2回路は、
ドレインが前記第1トランジスタのベースに電気的に接続され、ゲートに前記オペアンプの出力信号が入力され、ソースが基準電位に電気的に接続された第2トランジスタである、
電流制御回路。 - 高周波信号を増幅する電力増幅器と、
前記電力増幅器にバイアス電流を出力する第1トランジスタを含む、バイアス回路と、
前記第1トランジスタのベース−コレクタ間の電圧に応じて、前記第1トランジスタのベース電流を制御する、電流制御回路と、
を含む、
電力増幅回路。
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