CN111525900A - 电流控制电路以及功率放大电路 - Google Patents

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Abstract

本发明能够以高精度控制功率放大器的工作电流。电流控制电路根据对功率放大器输出偏置电流的偏置电路内的第一晶体管的基极‑集电极间的电压，控制第一晶体管的基极电流。电流控制电路包含：第一电路，输出与第一晶体管的基极‑集电极间的电压相应的信号；以及第二电路，根据信号，使第一晶体管的基极与基准电位之间电导通。

Description

电流控制电路以及功率放大电路
技术领域
本发明涉及电流控制电路以及功率放大电路。
背景技术
已知有如下技术，即，通过抑制功率放大器的工作电流(集电极电流)，从而谋求功率放大器的保护。
在下述的专利文献1记载的高频功率放大器中，在最终级的输入端子以及输出端子分别连接有第一检测电路以及第二检测电路。由各检测电路检测的检测信号输入到差动放大器。比较器对差动放大器的输出信号和基准电压进行比较。基极偏置电路根据比较器的输出信号，对最终级输出偏置电流。由此，专利文献1的高频功率放大器通过根据负载阻抗的变动来抑制最终级的工作电流，从而防止最终级的损坏。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-271517号公报
在专利文献1记载的高频功率放大器监视输入输出的电压振幅，抑制相对于电压振幅的损坏。因此，专利文献1的高频功率放大器只监视输入输出的电压振幅，并不监视电流，因此对电流的精度低。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，能够以高精度对功率放大器的工作电流进行控制。
用于解决课题的技术方案
本发明的一个方面的电流控制电路根据对功率放大器输出偏置电流的偏置电路内的第一晶体管的基极-集电极间的电压，对第一晶体管的基极电流进行控制。
本发明的一个方面的功率放大电路包含：功率放大器，对高频信号进行放大；偏置电路，包含对功率放大器输出偏置电流的第一晶体管；以及电流控制电路，根据第一晶体管的基极-集电极间的电压，对第一晶体管的基极电流进行控制。
发明效果
根据本发明，能够以高精度对功率放大器的工作电流进行控制。
附图说明
图1是示出比较例的功率放大电路的结构的图。
图2是示出比较例的功率放大电路的电路仿真结果的图。
图3是示出第一实施方式的功率放大电路的结构的图。
图4是示出第一实施方式的功率放大电路的电路仿真结果的图。
图5是示出第二实施方式的功率放大电路的结构的图。
图6是示出第三实施方式的功率放大电路的结构的图。
图7是示出第四实施方式的功率放大电路的结构的图。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、100：功率放大电路，10：功率放大器，11、24、42、43：晶体管，20：偏置电路，21、25、33c、44：电阻，22、23：二极管，30、30A、30B、30C、110：控制IC，31：数字控制部，31a：设定表，32：恒定电流电路，33、33A：偏置供给电路，33a：基准电压输出部，33b：电流供给部，33d：电压供给部，34：恒定电压源，40、40C：电流控制电路，41：运算放大器。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的电流控制电路以及功率放大电路的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不被该实施方式所限定。各实施方式为例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在第二实施方式以后，省略关于与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式逐次提及。
<第一实施方式>
以下，对第一实施方式进行说明，为了使第一实施方式容易理解，先对比较例进行说明。
(比较例)
图1是示出比较例的功率放大电路的结构的图。功率放大电路100包含功率放大器10、偏置电路20、以及控制IC(Integrated Circuit：集成电路)110。
功率放大器10包含晶体管11。虽然在本公开中，关于晶体管，例示了异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor：HBT)，但是本公开并不限定于此。例如，也可以是场效应晶体管(Field Effect Transistor：FET)。晶体管也可以是将多个单位晶体管(也称为“指(finger)”)以电方式进行并联连接的、多指晶体管。所谓单位晶体管，是指构成晶体管的最小限度的结构。
晶体管11的发射极与基准电位电连接。虽然关于基准电位，例示了接地电位，但是本公开并不限定于此。晶体管11的基极与电容器C的一端电连接。在电容器C的另一端被输入高频输入信号RFin。电容器C是只使交流信号通过而阻隔直流信号的DC阻隔电容器。
在晶体管11的基极，从偏置电路20被输入偏置电流Ib1。晶体管11的集电极经由扼流电感器L与电源电位Vcc电连接。在晶体管11的集电极流过作为工作电流的集电极电流Icc。
扼流电感器L承担不使交流功率通过的功能。扼流电感器L设为相对于高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频带具有充分高的阻抗的扼流电感器。也就是说，设在考虑高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频带时，扼流电感器L的阻抗能够忽略。此外，扼流电感器L抑制高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout向电源电路的泄漏。
晶体管11从集电极输出放大后的高频输出信号RFout。
偏置电路20包含电阻21以及25、二极管22以及23、和晶体管24。
在电阻21的一端，从控制IC110被输入偏置电流Ibias。另外，在电阻21的一端，也可以代替偏置电流Ibias而被供给恒定电压。
电阻21的另一端，与二极管22的阳极电连接。另外，在本公开中，二极管也可以是集电极以及基极被电连接(被二极管连接)的晶体管。
在二极管22的阴极电连接二极管23的阳极。二极管23的阴极与基准电位电连接。
二极管22的阳极的电位相当于二极管22以及23的电压下降量。也就是说，相当于两个二极管的量的电压下降。
晶体管24的基极与电阻21的另一端以及二极管22的阳极电连接。在晶体管24的基极经由电阻21被供给基极电流Ib。基极电流Ib的电流值是从偏置电流Ibias的电流值减去了流到二极管22以及23的电流的电流值的值。晶体管24的基极电位变得与二极管22的阳极的电位相同。
在晶体管24的集电极，从控制IC110被输入集电极电流IeC。
晶体管24的发射极经由电阻25与晶体管11的基极电连接。因此，晶体管24作为发射极输出的发射极跟踪器电路而进行工作。因此，晶体管11的基极的电位保持为恒定。晶体管24将偏置电流Ib1从发射极输出到晶体管11的基极。
控制IC110包含控制部111和恒定电流源112以及113。控制部111包含设定表111a。在设定表111a设定有用于将晶体管11的集电极电流Icc的电流值抑制为所希望的电流值以下的、集电极电流IeC以及偏置电流Ibias的设定值。
控制部111根据输入的控制信号S从设定表111a之中读取设定值。然后，控制部111根据设定值将控制信号S1输出到恒定电流源112，并将控制信号S2输出到恒定电流源113。
恒定电流源112电连接在电源电位Vbatt与晶体管24的集电极之间。而且，恒定电流源112将与控制信号S1相应的集电极电流IeC输出到晶体管24的集电极。
恒定电流源113电连接在电源电位Vbatt与电阻21的一端之间。而且，恒定电流源113将与控制信号S2相应的偏置电流Ibias输出到电阻21的一端。
若将晶体管11的电流放大率设为β(＝hFE)，则晶体管11的集电极电流Icc可用如下的式(1)表示。
Icc＝β·1b1
＝β(1eC+1b)…(1)
控制IC110通过输出与控制信号S相应的集电极电流IeC以及偏置电流Ibias(≈Ib)，从而能够将晶体管11的集电极电流Icc的电流值抑制为所希望的电流值以下。由此，能够抑制晶体管11以及电源的过电流，能够抑制晶体管11以及电源受到损坏。
图2是示出比较例的功率放大电路的电路仿真结果的图。详细地，图2是示出高频输入信号RFin(dBm)与晶体管11的集电极电流Icc(安培(A))的关系的图。
线151是示出丝毫不抑制集电极电流Icc的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。线152是示出将集电极电流Icc抑制为1.6安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。
线153是示出将集电极电流Icc抑制为1.4安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。线154是示出将集电极电流Icc抑制为1.2安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。线155是示出将集电极电流Icc抑制为1.0安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。
以下，以将集电极电流Icc抑制为1.4安培以下的情况(线153的情况)为例进行说明。
在将集电极电流Icc抑制为1.4安培以下的情况下，理想地，集电极电流Icc优选沿着以下的轨迹前进。即，优选地，从点161(RFin≈-15dBm、Icc≈0.6安培)至线151与表示1.4安培的线165交叉的点163为止，集电极电流Icc沿着线151前进，在点163以后，集电极电流Icc沿着线165(1.4安培)前进。
然而，实际上，从点161至点162(RFin≈-1.3dBm、Icc≈1.02安培)为止，集电极电流Icc沿着线151前进，但是在点162以后，直至点164为止，集电极电流Icc平缓地上升。其理由如下。
若偏置电流Ib1增加并接近集电极电流IeC，则晶体管24的集电极电位下降。而且，若变成Ib1≈IeC，则晶体管24的集电极电位变得与晶体管24的基极电位相同。若偏置电流Ib1进一步增加，则晶体管24的集电极电位变得比晶体管24的基极电位低。若这样，则在晶体管24的基极-集电极间的pn结施加正向的电压。因此，晶体管24的基极电流Ib的一部分从基极流到发射极，并且晶体管24的基极电流Ib的另一部分从基极经由集电极流到发射极。
也就是说，在图2中，线153上的点162至点164的、晶体管11的集电极电流Icc的增加的量并不是起因于晶体管24的集电极电流IeC，而是起因于晶体管24的基极电流Ib。
在本公开中，将晶体管11的集电极电流Icc的理想的轨迹(点162→点163→点164)与实际的轨迹(线153上的点162→点164)之间的差分称为“偏差”。
起因于晶体管24的基极电流Ib的原理如下。
(1)若高频输入信号RFin的功率增加且晶体管11的集电极电流Icc增加，则晶体管11的偏置电流Ib1增加。
(2)因为晶体管24的集电极电流IeC的电流值为固定值，所以晶体管24的集电极电位下降。若晶体管24的集电极电位下降，则晶体管24的电流放大率β下降。
(3)由于电流放大率β的下降，在点162处，开始对晶体管11的偏置电流Ib1施加限制。但是，在与“偏差”对应的部分，不对晶体管11的偏置电流Ib1施加急剧的限制。
(4)偏置电流Ibias中的、晶体管24的基极电流Ib的比例增加。换言之，偏置电流Ibias中的、流到二极管22以及23的电流的比例减少。也就是说，流到二极管22以及23的电流减少，并且晶体管24的基极电流Ib增加。偏置电流Ibias中的大部分流到二极管22以及23，但是在对晶体管11的偏置电流Ib1施加了限制时，流到二极管22以及23的电流减少，晶体管24的基极电流Ib增加。
(5)若流到二极管22以及23的电流减少，则二极管22以及23中的电压减少。这样，晶体管24仅以偏置电流Ibias进行工作，对晶体管11的偏置电流Ib1缓慢地施加限制。
考虑到上述的情况，在将晶体管11的集电极电流Icc的最终的上限值抑制为1.4安培的情况下，需要将晶体管24的集电极电流IeC的设定值设为远低于1.4安培的程度(例如，设为点162的1.02安培左右)。
像这样，在功率放大电路100中，晶体管11的集电极电流Icc的控制比晶体管24的集电极电流IeC的控制更大地依赖晶体管24的基极电流Ib的控制。这是因为，根据式(1)，为了以高精度对晶体管11的集电极电流Icc进行控制，需要对晶体管24的集电极电流IeC和晶体管24的基极电流Ib进行控制。晶体管24的集电极电流IeC的全部流到晶体管24的发射极。因此，晶体管24的集电极电流IeC容易控制。另一方面，偏置电流Ibias的大部分流到二极管22以及23，一部分经由晶体管24的基极流到晶体管24的发射极。因此，对作为偏置电流Ibias的一部分的、晶体管24的基极电流Ib进行控制并不容易。由此，在功率放大电路100中，“偏差”大。因此，功率放大电路100不能以高精度对晶体管11的集电极电流Icc进行控制。
(第一实施方式)
图3是示出第一实施方式的功率放大电路的结构的图。功率放大电路1与比较例的功率放大电路100(参照图1)相比较，代替控制IC110而包含控制IC30。
功率放大器10以及偏置电路20的电路结构与比较例相同，因此省略说明。偏置电路20内的晶体管24对应于本公开的“第一晶体管”。
功率放大器10、偏置电路20以及控制IC30可以是一个模块，也可以是独立的模块。
功率放大器10对从前级的电路输入的无线频率的高频输入信号RFin进行放大。然后，功率放大器10将放大后的高频输出信号RFout输出到后级的电路。关于前级的电路，可例示对调制信号的功率进行调整的发送功率控制电路，但是本公开并不限定于此。关于后级的电路，可例示进行对高频输出信号RFout的滤波等并发送到天线的前端电路，但是本公开并不限定于此。
关于高频输入信号RFin以及高频输出信号RFout的频率，可例示几百MHz(兆赫)至几十GHz(千兆赫)左右，但是本公开并不限定于此。
虽然在本公开中将功率放大器的级数设为一级，但是并不限定于此。功率放大器也可以是多级。在功率放大器为多级的情况下，最终级的功率最大。因此，功率放大器10优选设为最终级(功率级)。
控制IC30包含数字控制部31、恒定电流电路32、偏置供给电路33、以及电流控制电路40。
数字控制部31包含设定表31a。在设定表31a设定了用于将晶体管11的集电极电流Icc的电流值抑制为所希望的电流值以下的设定值。
数字控制部31根据输入的控制信号S从设定表31a之中读取设定值。然后，数字控制部31根据设定值将控制信号S1输出到恒定电流电路32，并将控制信号S2输出到偏置供给电路33。
恒定电流电路32将与控制信号S1相应的集电极电流IeC输出到晶体管24的集电极。
偏置供给电路33包含基准电压输出部33a和电流供给部33b。
基准电压输出部33a将基准电压Vref输出到电流供给部33b。电流供给部33b根据控制信号S2而基于基准电压Vref将偏置电流Ibias输出到电阻21的一端。
电流控制电路40包含运算放大器41和N沟道型的晶体管42。电流控制电路40根据晶体管24的基极-集电极间的电压来抑制晶体管24的基极电流。另外，在将N沟道型的晶体管42置换为P沟道型晶体管的情况下，能够通过将运算放大器41的非反转输入和反转输入的连接关系颠倒来实现。
运算放大器41的反转输入端子与晶体管24的集电极电连接。运算放大器41的非反转输入端子与电阻21的一端电连接。运算放大器41的输出端子与晶体管42的栅极电连接。也就是说，运算放大器41将与晶体管24的基极-集电极间电压相应的信号输出到晶体管42的栅极。也就是说，运算放大器41的反转输入端子与晶体管24的集电极连接，运算放大器41的反转输入端子与晶体管24的基极连接，反转输入端子和非反转输入端子为虚拟短路，因此成为对基极-集电极的电位进行监视的形式。若是存在基极-集电极的电位的情况，则在晶体管42的栅极被供给电压，晶体管24导通，由此恒定电流电路32被短路，在晶体管24的集电极不被供给电流，因此进行电流限制。
运算放大器41对应于本公开的“第一电路”。第一电路并不限定于运算放大器，只要是差动放大器即可。其中，运算放大器的输入阻抗非常大，因此适合于在不对晶体管24的基极电位以及集电极电位造成影响的情况下检测基极-集电极间电压。因此，第一电路优选设为运算放大器。
晶体管42的源极与基准电位电连接。晶体管42的漏极与电阻21的一端电连接。
晶体管42对应于本公开的“第二电路”以及“第二晶体管”。
图4是示出第一实施方式的功率放大电路的电路仿真结果的图。详细地，图4是示出高频输入信号RFin(dBm)与晶体管11的集电极电流Icc(安培)的关系的图。
线172是示出将集电极电流Icc抑制为1.6安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。线173是示出将集电极电流Icc抑制为1.4安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。
线174是示出将集电极电流Icc抑制为1.2安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。线175是示出将集电极电流Icc抑制为1.0安培以下的情况下的、高频输入信号RFin与晶体管11的集电极电流Icc的关系的线。
以下，以将集电极电流Icc抑制为1.4安培以下的情况(线173的情况)为例进行说明。
在第一实施方式中，从点161到点182(RFin≈2dBm、Icc≈1.36安培)，集电极电流Icc沿着线151前进，在点182以后，集电极电流Icc大致沿着线165到达至点164。其理由如下。
若偏置电流Ib1增加并接近集电极电流IeC，则晶体管24的集电极电位下降。而且，若变成Ib1≈IeC，则晶体管24的集电极电位变得与晶体管24的基极电位相同。若偏置电流Ib1进一步增加，则晶体管24的集电极电位变得比晶体管24的基极电位低。若这样，则运算放大器41将正电位的信号输出到晶体管42的栅极。由此，晶体管42的漏极-源极路径电导通。也就是说，电阻21的一端与基准电位之间经由晶体管42的导通电阻电导通。因此，偏置电流Ibias的一部分经由晶体管42的导通电阻流到基准电位。由此，电流控制电路40通过抑制偏置电流Ibias的增加、抑制晶体管24的基极电流Ib的增加、控制晶体管11的偏置电流Ib1，从而能够控制晶体管11的集电极电流Icc。
此外，从电位的观点出发，也能够视为，晶体管24的基极电位通过经由晶体管42的导通电阻与基准电位电连接而被抑制。也就是说，也能够认为，电流控制电路40将晶体管24的基极电位抑制为集电极电位以下。由此，电流控制电路40能够抑制晶体管24的基极电流Ib的一部分从基极经由集电极流到发射极。
考虑到上述的情况，在将晶体管11的集电极电流Icc的最终的上限值抑制为1.4安培的情况下，能够将晶体管24的集电极电流IeC的设定值(在设定表31a内设定)设为接近1.4安培的值(例如，设为点182的1.36安培左右)。
像这样，功率放大电路1能够抑制晶体管11的集电极电流Icc对晶体管24的基极电流Ib的依赖。由此，功率放大电路1能够抑制“偏差”。因此，功率放大电路1能够以高精度对晶体管11的集电极电流Icc进行控制。
<第二实施方式>
图5是示出第二实施方式的功率放大电路的结构的图。功率放大电路1A与第一实施方式的功率放大电路1(参照图3)相比较，代替控制IC30而包含控制IC30A。
功率放大器10以及偏置电路20的电路结构与第一实施方式相同，因此省略说明。
控制IC30A与第一实施方式的控制IC30相比较，代替偏置供给电路33而包含偏置供给电路33A。
偏置供给电路33A包含基准电压输出部33a、电阻33c、以及电压供给部33d。另外，也可以代替电阻33C而为具有电阻分量的元件。
电压供给部33d对应于本公开的“电压供给电路”。
基准电压输出部33a将与控制信号S2相应的基准电压Vref输出到电阻33c的一端。电阻33c的另一端与电压供给部33d电连接。电压供给部33d将与基准电压Vref相应的偏置电压Vbias输出到电阻21的一端。
晶体管42的漏极与电阻33c的另一端电连接。
对电流控制电路40的工作进行说明。若偏置电流Ib1增加并接近集电极电流IeC，则晶体管24的集电极电位下降。若偏置电流Ib1进一步增加，则晶体管24的集电极电位变得比偏置电压Vbias低。若这样，则运算放大器41将正电位的信号输出到晶体管42的栅极。由此，晶体管42成为导通状态，晶体管42的漏极-源极路径电导通。也就是说，电阻33c的另一端与基准电位之间经由晶体管42的导通电阻电导通。因此，输入到电压供给部33d的电压成为用电阻33c以及晶体管42的导通电阻对基准电压Vref进行了分压的电压。由此，从电压供给部33d输出的偏置电压Vbias下降。因此，电流控制电路40通过抑制偏置电压Vbias，从而抑制施加于晶体管24的基极的电压，通过抑制晶体管24的基极电流Ib，从而控制晶体管11的集电极电流Icc。
功率放大电路1A达到与功率放大电路1同样的效果。
<第三实施方式>
图6是示出第三实施方式的功率放大电路的结构的图。功率放大电路1B与第一实施方式的功率放大电路1(参照图3)相比较，代替控制IC30而包含控制IC30B。
功率放大器10以及偏置电路20的电路结构与第一实施方式相同，因此省略说明。
控制IC30B与第一实施方式的控制IC30相比较，还包含恒定电压源34。
恒定电压源34将恒定电压V1输出到运算放大器41的非反转输入端子。因此，运算放大器41将与恒定电压V1与晶体管24的集电极之间的电压相应的信号输出到晶体管42的栅极。
对电流控制电路40的工作进行说明。若偏置电流Ib1增加并接近集电极电流IeC，则晶体管24的集电极电位下降。若偏置电流Ib1进一步增加，则晶体管24的集电极电位变得比恒定电压V1低。若这样，则运算放大器41将正电位的信号输出到晶体管42的栅极。由此，晶体管42的漏极-源极路径电导通。也就是说，电阻21的一端与基准电位之间经由晶体管42的导通电阻电导通。因此，偏置电流Ibias的一部分经由晶体管42的导通电阻流到基准电位。由此，电流控制电路40能够抑制晶体管24的基极电流Ib的增加。
此外，从电位的观点出发，也能够视为，晶体管24的基极电位通过经由晶体管42的导通电阻与基准电位电连接而被抑制。也就是说，也能够认为，电流控制电路40将晶体管24的基极电位抑制为集电极电位以下。由此，电流控制电路40能够抑制晶体管24的基极电流Ib的一部分从基极经由集电极流到发射极。
功率放大电路1B达到与功率放大电路1同样的效果。
根据作为发射极跟踪器电路的偏置电路20的特性等，设计者能够设定任意的恒定电压V1。效果、精度没有大的差别，即使恒定电压V1产生偏差，对效果的影响也少。
在功率放大器10进行工作时，高频信号等传播到恒定电流电路32的输出端子(输出集电极电流IeC的端子)、电流供给部33b的输出端子(输出偏置电流Ibias的端子)。此外，在将恒定电流电路32的输出端子以及电流供给部33b的输出端子电连接于运算放大器41时，恒定电流电路32以及电流供给部33b和运算放大器41被布置在靠近的地方。因此，在第一实施方式的功率放大电路1中，在运算放大器41的非反转输入端子与电阻21的一端之间，有可能被架设载有电噪声的长的布线。但是，在第二实施方式的功率放大电路1B中，在运算放大器41的非反转输入端子电连接恒定电压源34。因此，第二实施方式的功率放大电路1B具有减少噪声的影响的效果。
<第四实施方式>
图7是示出第四实施方式的功率放大电路的结构的图。功率放大电路1C与第一实施方式的功率放大电路1(参照图3)相比较，代替控制IC30而包含控制IC30C。
功率放大器10以及偏置电路20的电路结构与第一实施方式相同，因此省略说明。
控制IC30C与第一实施方式的控制IC30相比较，代替电流控制电路40而包含电流控制电路40C。
电流控制电路40C包含P沟道型的晶体管43和电阻44。
晶体管43的源极与电阻21的一端电连接。晶体管43的栅极与晶体管24的集电极电连接。晶体管43的漏极与电阻44的一端电连接。电阻44的另一端与基准电位电连接。电阻44起到使晶体管43的栅极电位向比基准电位靠正电位侧偏移的作用。
对电流控制电路40C的工作进行说明。若偏置电流Ib1增加并接近集电极电流IeC，则晶体管24的集电极电位下降。而且，若变成Ib1≈IeC，则晶体管24的集电极电位变得与晶体管24的基极电位相同。若偏置电流Ib1进一步增加，则晶体管24的集电极电位变得比晶体管24的基极电位低。若这样，则晶体管43的栅极电位变得比源极电位低，因此晶体管43的源极-漏极路径电导通。也就是说，电阻21的一端与电阻44的一端之间经由晶体管43的导通电阻电导通。因此，偏置电流Ibias的一部分经由晶体管43的导通电阻以及电阻44流到基准电位。由此，电流控制电路40C通过抑制偏置电流Ibias的增加、抑制晶体管24的基极电流Ib的增加、控制晶体管11的偏置电流Ib1，从而能够控制晶体管11的集电极电流Icc。另外，电阻44也可以置换为具有电阻分量的元件。
此外，从电位的观点出发，也能够视为，晶体管24的基极电位被晶体管43的导通电阻以及电阻44所抑制。也就是说，也能够认为，电流控制电路40C将晶体管24的基极电位抑制为集电极电位以下。由此，电流控制电路40C能够抑制晶体管24的基极电流Ib的一部分从基极经由集电极流到发射极。
功率放大电路1C达到与功率放大电路1同样的效果。
另外，上述的实施方式用于使发明容易理解，并非用于对本发明进行限定解释。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更/改良，并且本发明还包含其等价物。

Claims (6)

1.一种电流控制电路，其中，
根据对功率放大器输出偏置电流的偏置电路内的第一晶体管的基极-集电极间的电压，控制所述第一晶体管的基极电流。
2.根据权利要求1所述的电流控制电路，其中，包含：
第一电路，输出与所述第一晶体管的基极-集电极间的电压相应的信号；以及
第二电路，根据所述信号，使所述第一晶体管的基极与基准电位之间电导通。
3.根据权利要求2所述的电流控制电路，其中，
所述第一电路是运算放大器，在非反转输入端子被输入所述第一晶体管的基极电位，在反转输入端子被输入所述第一晶体管的集电极电位，
所述第二电路是第二晶体管，漏极与所述第一晶体管的基极电连接，在栅极被输入所述运算放大器的输出信号，源极与基准电位电连接。
4.根据权利要求2所述的电流控制电路，其中，
所述第一电路是运算放大器，在非反转输入端子被输入所述第一晶体管的基极电位，在反转输入端子被输入所述第一晶体管的集电极电位，
所述第二电路是第二晶体管，漏极与将与输入的基准电压相应的电压输出到所述第一晶体管的基极的电压供给电路的输入端子电连接，在栅极被输入所述运算放大器的输出信号，源极与基准电位电连接。
5.根据权利要求2所述的电流控制电路，其中，
所述第一电路是运算放大器，在非反转输入端子被输入从恒定电压源输出的恒定电压，在反转输入端子被输入所述第一晶体管的集电极电位，
所述第二电路是第二晶体管，漏极与所述第一晶体管的基极电连接，在栅极被输入所述运算放大器的输出信号，源极与基准电位电连接。
6.一种功率放大电路，包含：
功率放大器，对高频信号进行放大；
偏置电路，包含对所述功率放大器输出偏置电流的第一晶体管；以及
电流控制电路，根据所述第一晶体管的基极-集电极间的电压，控制所述第一晶体管的基极电流。
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