JP2004025302A - 鋳造過程用に合金溶湯を調製するための方法および装置 - Google Patents

鋳造過程用に合金溶湯を調製するための方法および装置 Download PDF

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Abstract

【課題】合金溶湯を鋳型に入れる前に結晶核の極力細かくて均一な分布が溶湯の体積にわたって存在するように合金溶湯を調製する。
【解決手段】鋳造過程用に溶湯を調製するために、溶湯は融点より上の温度で晶析槽に入れられ、この晶析槽は融点より下の温度に加熱されている。この溶湯に晶析槽内で合金が粉末態様で添加され、溶湯は晶析槽の内部で電気力および/または磁気力によって動かされる。溶湯と粉末が晶析槽内で互いに混合される。溶湯が噴流として晶析槽に入れられ、この晶析槽が2つの電極の間を延びており、この電極に電圧が印加される。溶湯を入れたのち溶湯と電極との間でアークが点弧される。
【選択図】  図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、鋳造過程用に合金溶湯を調製するための方法および装置に関する。
たとえば、溶湯が半凝固状態にされ、かつその体積にわたって分布した結晶核を含む。
【0002】
【従来の技術】
半凝固合金の製造は例えばJ.−P. Gabathuler、J. Erlingの論文「チクソキャ スティング:最新の成形部材製造方法(Thixocasting: ein moderndes Verfahrenzur Herstellung von Formbauteilen)」により公知であり、この論文は199 4年5月27日付会議録「輸送・交通における軽量部材としてのアルミニウム(Aluminium als Leichtbaustoff in Transport und Verkehr)」、ETH Zurich、6 3〜77頁に収録されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、合金溶湯を鋳型に入れる前に結晶核の極力細かくて均一な分布が溶湯の体積にわたって存在するように合金溶湯を調製することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
この課題は、合金の融点より上の温度を有する溶湯が、融点以下の温度に加熱された晶析槽に入れられ、晶析槽内のこの溶湯に合金が粉末として添加され、電気力および/または磁気力を利用して溶湯と粉末が晶析槽内で互いに混合されることによって解決される。
【0005】
特に、溶湯によって直ちに包み込まれる合金粉末粒子は、電気力および/または磁気力によって溶湯の内部に均一に分布する結晶核を形成する。
【0006】
本発明の有利な構成では、溶湯が噴流として晶析槽に入れられ、この晶析槽が2つの電極の間を延びており、この電極に電圧が印加される。いわゆるピンチ効果に基づいて噴流は狭められて押し潰され、噴流は流入中に既に部分的に個々の液滴に分解される。こうして晶析槽は緻密な噴流で満たされるのでなく、分散した噴流で満たされる。それとともに溶湯体積の面がかなり高まり、脱気も起きる。
【0007】
溶湯が完全に晶析槽に流入したなら、溶湯噴流が消え、次に電気の流れも中断される。さらに分散を達成しかつ電場も発生するために、次に本発明の他の構成において、溶湯を入れたのち溶湯と電極との間でアークが点弧される。
【0008】
さらに、晶析槽内にある溶湯の完全混合を促進させかつ結晶核を細かく分布させるために、晶析槽内に磁場が形成される。磁場と電場が溶湯およびそのなかにある粒子にさまざまに作用し、混合効果が促進される。
【0009】
本発明の他の構成では、負圧下に置かれた晶析槽内に溶湯が吸い込まれる。晶析槽内に真空を発生することによってさらに、溶湯からなる流入噴流がさらに分散して個々の滴に分解することが達成される。これによっても結晶核の形成が促進される。
【0010】
本発明の他の構成では、保護ガスを供給しながら溶湯が晶析槽に供給される。
特に保護ガスが加圧下に供給されるとき、このプロセスは一層改善される。さらに保護ガスは、後続の鋳造過程に不利な影響を及ぼし得る合金と雰囲気との化学反応を防止する。
【0011】
この方法を実施するための装置において、溶湯用入口と粉末態様の合金用の入口とを備えた晶析槽が設けられ、この晶析槽が加熱装置を有し、かつその底および入口の領域に、電圧源に接続された電極を備えている。
【0012】
本発明のその他の特徴および利点は、図面に示した実施形態についての以下の説明から明らかとなる。
【0013】
【発明の実施の形態】
炉10内で金属合金、例えばAlSi9の溶湯11が、この合金の融点よりも上の温度に保たれる。炉10は空密に閉鎖され、吸引装置12によって真空下に保たれる。
【0014】
炉10は鋳造管路13を介して晶析槽14に接続されている。晶析槽14は非導電材料製のシリンダ15からなり、この材料は熱伝導率が0.20〜1.5W/mkである。シリンダ15が上側を蓋16で閉鎖されており、この蓋はやはり非導電材料からなる。蓋に管路13が続いている。このため蓋は導電材料からなる入口部材17に結合されている。入口部材17は円錐状に拡張した入口穴を有する。蓋16に続く吸引管路18が吸引装置19に接続されている。蓋16がさらに注入嵌管20を備えており、この注入嵌管を通して合金は粉末態様で晶析槽14に装入することができる。
【0015】
晶析槽14の底として役立つピストン21はやはり非導電材料からなる。ピストン21は晶析槽14に続くシリンダ22内で案内されており、このシリンダは図示しない流出穴を備えている。晶析槽14のシリンダ15はその底領域に電極23を備えている。既に触れたように、入口部材17は導電材料からなる。電極23と入口部材17との間に電圧源24が配置されており、電圧源の電圧は、また特にその電流の強さも、調節装置25によって調節可能である。
【0016】
好ましくは電気式の加熱装置26が晶析槽14に付設されており、この加熱装置は好ましくは調整可能であり、晶析槽14を予選択可能な温度に加熱しかつこの温度に保つ。さらに晶析槽14に磁気コイル27が付設されており、この磁気コイルで晶析槽14のシリンダ15の内部に磁場が生成可能である。
【0017】
鋳造通路13が仕切弁28を装備しており、この仕切弁を介して炉19と晶析槽14との間の接続は開放し遮断することができる。鋳造通路13に続く供給管路29を介して保護ガス、例えばアルゴンはゲージ圧で供給することができる。
【0018】
溶湯を調製するためにまず最初に溶湯11が炉10に注入される。炉10は吸引装置12によって0.5mbar〜3mbarの真空にされる。晶析槽14は加熱装置26によって、当該合金の融点よりも3%〜50%低い温度に加熱される。晶析槽14内で吸引装置19によって発生される真空は炉10内の真空よりも高い。
【0019】
仕切弁28が開くや、溶湯11が晶析槽14に吸い込まれる。保護ガスは管路29を介して供給される。吸引作用に基づいて合金も粉末態様で入口嵌管20を介して吸引される。粉末は溶湯内に閉じ込められて分布する。
【0020】
電極23と入口嵌管17に電圧が印加され、溶湯の噴流内を電気が流れ、電流値は10A未満である。極力均一に分散した混合物を得るために、磁気コイル27によって晶析槽14の内部に磁場が生成され、この磁場が溶湯の半径方向運動を生じる。
【0021】
全溶湯が晶析槽に流入したのち、まず最初に電気回路が中断される。いまや電圧が150V〜400Vの値に高められ、アークが点弧され、強さ1300Aまでの電流がこのアーク内を流れることができる。指向性晶出を防止するために、磁気コイル27で生成される電磁場は変更され、例えば充填方向で連続的に高められる。
【0022】
こうして溶湯が調製されたのち、ピストン21が下げられ、溶湯はシリンダおよびその湯口を介して流出し、好適な仕方でさらに処理される。その際、公知のあらゆる鋳造法を応用することができる。
【0023】
変更実施形態では、電極23がピストン21に一体化されており、このピストンが晶析槽14の底を形成する。
【0024】
図2の実施例では、電圧源24が晶析槽14のシリンダ15の2つの電極30、31に接続されている。第2の接続は鋳造通路13で行われる。この実施形態ではピストン21が溶湯の注入中連続的に下降し、次に電極30、31が順次投入され、ピストン運動でスイッチ32、33を介して電極は入切される。
【0025】
図3の実施例では、晶析槽14内で調製された溶湯が保管または輸送容器34に移され、そのなかで調製状態で保たれる。この容器34が吸引装置35を備えており、容器に負圧を印加することができる。この容器は加熱装置36と磁気コイル37とを備えている。同様にこの容器は電極38を備えている。容器34の両方の正面壁はピストン39、40によって形成される。容器34は賦形に利用することもできる。
【0026】
図4に示すノモグラムで熱動力学的経過は予測できる。図示したノモグラムは合金AlSi9Cuに妥当する。約125μm〜約400μmの粒径で添加さ れる粉末合金の量は量パーセンテージで示してある。温度差ΔT[℃]は鋳造温度と合金融点との間の差である。ノモグラム範囲A内にある量の粉末合金が添加されると、これは溶湯温度の低下をもたらすだけである。こうして溶湯は半凝固状態にされ、粉末粒子が結晶核を形成することはない。しかしノモグラム範囲Bが達成されるほどの量の粉末合金が添加されると、粉末粒子は付加的非溶融結晶核として働く。ノモグラム範囲C内の粉末粒子が添加されると、両方の過程、すなわち過熱温度の低下と非溶融粒子のゆえの核形成が、並行して経過する。
【0027】
異なる合金には当然に異なるノモグラムを作成しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図1】炉に直接接続された本発明による装置の略断面図である。
【図2】本発明による装置の変更実施形態を示す。
【図3】調製された溶湯を引き取るための補助装置を備えた本発明による装置を示す。
【図4】熱動力学的経過を予測するためのノモグラムを示す。
【符号の説明】
10 炉
11 溶湯
12 吸引装置
13 鋳造管路
14 晶析槽
15 シリンダ
16 蓋
17 入口部材
18 吸引管路
19 吸引装置
20 注入嵌管
21 ピストン
22 シリンダ
23 電極
24 電圧源
25 調節装置
26 加熱装置
27 磁器コイル
28 仕切弁
29 供給管路
30、31 電極
34 輸送容器
35 吸引装置
36 加熱装置
37 磁器コイル
39、40 ピストン

Claims (10)

  1. 鋳造過程用に合金溶湯を調製するための方法であって、溶湯が半凝固状態にされ、かつその体積にわたって分布した結晶核を含み、合金の融点より上の温度を有する溶湯が、融点以下の温度に加熱された晶析槽に入れられ、晶析槽内のこの溶湯に合金が粉末として添加され、電気力および/または磁気力を利用して溶湯と粉末が晶析槽内で互いに混合されることを特徴とする方法。
  2. 溶湯が噴流として晶析槽に入れられ、この晶析槽が2つの電極の間を延びており、この電極に電圧が印加されることを特徴とする、請求項1記載の方法。
  3. 溶湯を入れたのち溶湯と電極との間でアークが点弧されることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
  4. 晶析槽内に磁場が形成されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載の方法。
  5. 負圧下に置かれた晶析槽内に溶湯が吸い込まれることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項記載の方法。
  6. 保護ガスを供給しながら溶湯が晶析槽に供給されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項記載の方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載された方法を実施するための装置であって、溶湯用入口(17)と粉末態様の合金用の入口(20)とを備えた晶析槽(14)が設けられており、この晶析槽が加熱装置(26)を有し、かつその底および入口の領域に、電圧源(24)に接続された電極(17、23;17、30、31)を備えていることを特徴とする装置。
  8. 晶析槽(14)が、負圧を発生するための手段(19)に接続されていることを特徴とする、請求項7記載の装置。
  9. 晶析槽(14)が、その内部で有効な磁場を発生するための手段(27)を備えていることを特徴とする、請求項7または8記載の装置。
  10. 晶析槽(14)が管路(13)を介して炉(10)に接続されており、この管路が保護ガス用供給接続部(29)を備えていることを特徴とする、請求項7〜9のいずれか1項記載の装置。
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