JPH06212312A - 均一な合金を製造するための方法および装置 - Google Patents

均一な合金を製造するための方法および装置

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JPH06212312A
JPH06212312A JP4313781A JP31378192A JPH06212312A JP H06212312 A JPH06212312 A JP H06212312A JP 4313781 A JP4313781 A JP 4313781A JP 31378192 A JP31378192 A JP 31378192A JP H06212312 A JPH06212312 A JP H06212312A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 不混和な金属の均一な合金を鋳造する。 【構成】 クリスタライザ10ならびにホモジナイザ2
0を有する装置において、融解物を通して直流を流すフ
ィーダ32、36を設けて電場を生成し、電磁石を設け
て磁場を生成し、電場と磁場が互いに交差し、その相互
作用により重力の効果を修正して合金成分の中立平衡を
実現する。冷却剤の噴流をクリスタライザの選択された
領域に向けることのできるノズル46を設け、融解物を
凝固させ、合金融解物の凝固部分をクリスタライザ10
から引き出す引き出し手段42、42' を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、不混和な金属から均一
な合金を製造する方法に関するものである。
【0002】本発明はまた、その方法を実行するための
装置に関するものである。
【0003】
【従来の技術】そのような合金として Al-Pb、Zn-Pb 、
Vi-Ga や他の複合物を挙げることができるが、それらの
合金は機械ならびに電気産業、そして航空産業にとって
大きな関心となっている。通常の状況においては、これ
らの組み合わせでは合金ができないと考えられている。
なぜなら、それらの組み合わせを構成する金属の密度の
違いが大きいため、凝固の際に溶離沈澱が生じ、重い方
の金属が鋳型の底に沈澱してしまうからである。
【0004】この問題を克服しようとして多くの試みが
なされたが、手始めとして(少なくとも理論的には)最
も簡単な方法、すなわち宇宙の宇宙船や軌道ステーショ
ン上で、無重力の状態においてこれらの合金を製造する
ことが試みられた。この方法は良い結果を生み出したも
のの、少なくとも現在のところ、実験規模以上の量につ
いては明らかに実行不可能である。
【0005】他の方法としては、沈澱粒子の高速冷却、
超音波での粉砕を利用するもの、粉末−冶金的手順を用
いるもの、微粒子を製造する造粒装置を用い、微粒子は
更にプレスし、シート状にロールをかけるものがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】これらならびに類似の
方法はすべて、複雑で高価な装置や多段階技術を必要と
するという重大な弱点を有している。それらの方法はま
た、均一で、微粉末状のまた分散相の含有の多い合金を
製造することができない。更に、均一で高品質な合金を
再製可能な仕方で製造することができない。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの目的は本
質的に単純で、複雑高価な装置を必要とすることなく、
均一で、分散相の微粉末状の割合が高く、均一に質が高
く、再製可能な品質の合金を製造する方法を提供するこ
とである。
【0008】これを達成するために、本発明は、不混和
な金属から合金を造る方法で、その合金の成分を、少な
くとも分子溶体を形成するのに必要な温度まで、るつぼ
で加熱することにより溶解し、その溶解した成分をホモ
ジナイザ・クリスタライザ・ユニットに注ぎ;それら成
分が完全に均質化されるまで上記温度を保ち;融解物
に、直流電流により生成される所定の強さの電場と所定
の強さの磁場を、電場ならびに磁場が互いに交差する方
向にして同時にかけ、それにより、一方ではその融解物
を撹拌・均質化し、他方では上記成分に働く重力の力を
修正し;交差した電場ならびに磁場を維持しながら融解
物をその凝固温度まで所定の率で冷却する;というステ
ップを含む方法を提供する。
【0009】本発明は更に、不混和な金属からなる均一
な合金を連続的に鋳造する装置であって、次のもの、す
なわち:2端を有し、それら金属から調整された融解物
を充填することのできるクリスタライザ(晶出装置)手
段;そのクリスタライザ手段に組み込まれ、それに連絡
されたホモジナイザ手段;前記クリスタライザ手段のど
ちらか一方の端に配置され、そのクリスタライザ手段の
中の融解物を通して直流電流を流し、あらかじめ定める
ことのできる強さの電場をそこに生成するためのフィー
ダ手段(給電手段);前記クリスタライザ手段をまたい
で磁極片を有し、あらかじめ定めることのできる強さの
磁場をそこに生成するようにされた少なくとも一つの電
磁石;前記融解物を所定の時間内に凝固させるように、
前記クリスタライザ手段の選択された部位に冷却剤の噴
流を向けるためのノズル手段、ならびに前記合金融解物
の凝固部分を前記クリスタライザ手段から抽出するため
の引き出し手段;を備えた装置であり、前記電場および
前記磁場が互いに交差し、融解物を通る前記直流電流に
より生成される電場と、前記少なくとも一つの電磁石の
相互作用により重力の効果が修正され、前記合金の成分
の中立な平衡が実現され、そのようにして前記合金を構
成する金属のうちの重い方が重力によって溶離沈澱する
のを防止する、鋳造装置を提供する。
【0010】本発明のより十分な理解のために、以下に
おいて、図を参照しながら好適な実施例のあるものと関
連づけて本発明を説明する。
【0011】図に詳細に言及するにあたり、示された詳
細は例示のためのものであり、本発明の好適な実施例を
例証する目的のためだけのものであり、発明の原理なら
びに概念的側面の最も有用で容易に理解できる説明と考
えられるものを提供するという目的で提出されているこ
とを強調しておく。これに関連し、発明の基本的な理解
のために必要な以上に詳しく発明の構造上の詳細を示す
ことは意図されていない。図と共に説明を考慮すれば、
実施に際してさまざまな形態で本発明を具体化できるこ
とが当業者には明らかである。
【0012】
【実施例】本発明の方法は、融解塊において成分の中立
な平衡を生じさせることに基礎を置いているが、それは
互いに交差する電場と磁場の相互作用により実現され
る。それらの場に関するパラメータは関係する合金成分
のそれぞれの密度ならびに電率に適するようにあらかじ
め計算され、各成分に作用する力(重力的−ρg、そし
て電磁的 jB)の総計がそれぞれ等しい、あるいはほ
ぼ等しいという基本条件が達成されるようにする。すな
わち:
【0013】
【数5】
【0014】但し、 ρm 、ρp = それぞれ、マトリックスならびに分散成
分の密度 g = 重力加速度 B = 磁気誘導 である。
【0015】以下、本発明の方法の実施例をステップ毎
に詳細に説明する。
【0016】a.合金の成分をるつぼで融解し、るつぼ
の内容物を加熱する高周波誘導コイルで激しく混合しな
がら、分子溶体の形成に必要な(即ち、結晶点以上の)
温度まで加熱する。
【0017】b.融解物は次いで、(以下に詳しく説明
する)ホモジナイザ・クリスタライザ・ユニットに注が
れ、そこにおいて、第一段階として、ホモジナイザを囲
む高周波誘導コイル等の熱源を用いて温度を同じレベル
に保つことにより、るつぼにおいて開始された均一化を
継続し、強化する。同時に、融解物は直流電流により生
成された電場およびそれに対し互いに交差する磁場の相
互作用に曝され、それにより、強力な混合渦巻が生成さ
れるだけでなく、力のベクトルは重力の効果を修正し、
前記の場のパラメータを適切な値に維持することによ
り、合金成分の中立平衡の環境下で結晶化が生じるよう
にすることができる。
【0018】これら電場および磁場のパラメータは次の
式で決定される:
【0019】
【数6】
【0020】但し、 E = 融解物に加えられる電場の強さ(V/m) B = 磁気誘導(そのベクトルはEベクトルに対
し垂直である)(T) ρm 、σm = マトリックス成分のそれぞれ密度および
電気電導率 ρp 、σp = 分散成分のそれぞれ密度および電気電導
率 g = 重力加速度 である。
【0021】上記式で計算されたEBの値の符号がマイ
ナスである場合(ρm <ρp 、σp<σm の場合)、中
立平衡の条件を達成するために電磁力は重力の力に対し
反対方向に作用しなければならず、符号がプラスの場合
(ρm >ρp 、σp >σm )には電磁力が重力に対して
同じ方向に(co-directionally)作用しなければならな
い。
【0022】c.電場および磁場を維持しながら、完全
に均一化された融解物を凝固温度まで冷却するが、それ
は、分散した混在物の粒径は分散相の粒子凝析の速度に
依存し、それは次いで、物質の熱物理学的(thermo-phy
sical)性質によってのみ決定されることを考慮に入れて
行なわれる。それで、分散相の粒径の平均が所定の値を
超えないようにするため、冷却は次の関係式に従って実
行される:
【0023】
【数7】
【0024】但し、 d = 分散相粒子の平均粒径、(μm) n = 3≦n≦30 sec/μm に等しい経験的な
係数 v = 融解物の冷却率、(度/秒) Tcm = 成分が分子溶体の状態にある温度(℃) Tkp = 融解物の晶出(結晶化)温度(℃) である。
【0025】成分の溶離沈澱は直流電流により生成され
る磁場の作用(分散相の粒子に影響を及ぼす)の結果と
して生じるかもしれない。この有害な効果を防ぐため
に、融解物を横断する電流の平均密度は鋳塊の大きさ、
融解物の冷却時間および融解物中の分散成分粒子の体積
比に対応して次の相関式に従って選択される:
【0026】
【数8】
【0027】但し、 j = 融解物を横断する電流の平均密度、(A/
2 ) a = ベクトルEおよびBに垂直な方向での凝固
鋳塊の大きさ、(m) Wo = 融解物における分散成分の体積比(<1) tc = 融解物の冷却時間、最初の注入からマトリ
ックス成分の凝固までの経過時間 である。
【0028】類推的に言えば、冷却時に溶離現象の発生
を防ぎ、付加的な対流の発生による分散相の粒子の拡大
を防ぐため、融解物を横断する電流の平均密度と磁気誘
導の値の間の正確な関係は次の相関式により維持されな
ければならない:
【0029】
【数9】
【0030】但し、ΔjおよびΔBは、凝固しつつある
融解物におけるそれぞれjおよびBの最適値からの偏差
である。
【0031】〔例〕2種類の不混和な金属、Al および
Pb の融解物で Pb を5ないし25重量%含有するもの
を一つの一連の実験で用いた。これらの成分は、それら
の機械的・物理学的な性質の違いを考慮して選択された
ものであり、製造される鋳塊のマクロならびにミクロの
構造の観察を容易なものとする。
【0032】上記に説明された方法ステップを更に以下
に説明する装置を用いて、磁場および電場のパラメータ
を式(1)および(3)に従って設定し、冷却 regim
を式(2)に従って設定して実施した。
【0033】それで、分散相の平均粒径がd=10μm
(Tcm=1040℃;Tkp=658 ℃;n=10 sec/μm)
を超えない合金を製造するために、必要な冷却率はv≧
4℃/sec である。結果として、磁気誘導の値としてB
=0.3 Tを用いることにより、電流密度の値は、(3)
を考慮して(1)により設定され、j=3.3・105A/m2
あった。
【0034】冷却段階の間、jおよびBの実際の値が監
視され、式(4)から計算された評価値に比べて、磁場
に関しては±5%、電流に関しては±8%の偏差が観察
された。
【0035】実験の結果により支持されたこととして、
前記条件に厳密につき従うことにより、融解物のサンプ
ルは、鋳塊の体積全体にわたって鉛含量のパーセント分
布が等しく(12%)、アルミニウム中に混在する鉛の
分散は等しかった。平均粒径は金属組織学的標本により
決定されたが、9μmであった。
【0036】製造されたAl-12%Pb合金における粒径の分
布は図1のヒストグラムに示されており、その標本のミ
クロの構造は図2に示されている。
【0037】実験において、電磁処理ならびに加熱処理
の所定のパラメータの精度が明細書に定義された要求を
満たすことができなかった場合には、鋳塊の体積全体に
わたって鉛粒子の分布は均一ではなく、粒径は所定の値
から乖離していた。
【0038】本発明の方法は連続鋳造だけでなくバッチ
あるいは単品の鋳造にも用いることができることに注目
すべきである。
【0039】図3ないし5に描かれた装置は連続鋳造の
ために設計されたものであり、上記方法と結び付けて説
明された原理を実施するものである。
【0040】図3の長手方向断面図には、合金成分を融
解するためのるつぼ2、るつぼ2を取り囲む高周波誘導
コイル4、融解物の出口として機能する放出口(spout)
6、そして流出を制御する弁状のシャッター8が示され
ている。るつぼ2は装置に密着して取り付けられた一体
の要素としてもよいが、装置の残りの部分とは独立に搭
載される別個のユニットであってもよい。
【0041】るつぼ2の下にはクリスタライザ10が示
されており、これはこの実施例では、断面が実質的に長
方形の伸長し、水平方向に向いた、内部が中空の構造を
しており(図5参照)、耐熱性の非腐食性の材質、例え
ばグラファイト、でできている。クリスタライザ10は
両端が開いている。クリスタライザの内壁が電気的に非
導電性の材質でコートされているのは有利である。
【0042】クリスタライザ10には、るつぼ2と実質
的に一直線に並んで上方孔12と下方孔14が設けられ
ている。上方孔12と下方孔14はそれぞれ上方スリー
ブ16および下方カップ18と一直線に並んでおり、上
方スリーブ16と下方カップ18はクリスタライザ10
にフランジで取り付けられており、一緒になってホモジ
ナイザ容器20を構成している(図3および図5)。ス
リーブ16およびカップ18の両方に誘導コイル22が
熱源として設けられている。
【0043】クリスタライザ10およびホモジナイザ2
0は二つの電磁石の極24、24'と26、26' 、な
らびにそれぞれの磁極片28、28' と30、30' の
間に位置しているが、複雑さを避けるためにそのヨー
ク、励磁コイル等は示されていない。磁極片28、2
8' および30、30' は、ホモジナイザ20の全高に
わたるものであるが、傾斜エッジを有し(図3の破
線)、それらにより磁極片28、28' と30、30'
の間の中央部分に比較的狭い隙間が画定されている。こ
の隙間は磁極片の上端および下端に向かって広がってお
り、電磁石にスイッチが入れられると各磁極片の間に形
成される磁場Bの形を定め、それに三つの要素Bx 、B
y ならびにBz を付与している。
【0044】類推的に言えば、ホモジナイザ20内にお
ける電束線jの「膨らみ(ballooning)」により要素j
x およびjz が生成される。磁気的ならびに電気的要素
の相互作用の結果、渦巻31が現われ、それにより融解
物がxz、zy、zy平面で移動し、均一性ならびに分
散成分粒子のマトリックス成分中における分布の均一が
増大する。
【0045】本発明の方法と結び付けて説明したよう
に、重力の効果を修正する力は磁場と電場の相互作用に
依存している。磁場Bならびにそれを生成する手段につ
いてこれまで論じた。電場Eは、電束線jにより示され
ているが、直流を融解物を通してクリスタライザ10に
沿って通すことにより生成される。このために、二つの
電流フィーダが設けられる。すなわち、直流源34に恒
久的に接続され、クリスタライザ10の左端の開口を栓
として塞ぐ、左側の恒久的静止フィーダ32と、初めに
クリスタライザ10の右端を栓塞する可動始動フィーダ
36である。直流源34との接続はブラシ型の接点38
により実現され、その接点38は引き出しローラ42の
ジャーナル40に当接し、引き出しローラ42はフィー
ダ36に圧接している。接点は他の設計でもよいことは
明らかである。電流フィーダ32、36と融解物との間
の確実な接触は、フィーダの融解物に面する端部に設け
られた切り取り、すなわちT字スロット状の凹所44に
より確実なものとされている。これら凹所はプロセスの
開始時に融解金属により満たされており、凝固時に金属
は収縮し、そのようにして十分な接触圧力を生じさせ
る。
【0046】ここで再び、本発明の装置が連続鋳造のた
めに設計されていることに言及しなければならない。こ
れは、二つの合金のパートナー金属の固体片が適切な重
量比で連続的にるつぼ2において融解され、ホモジナイ
ザ20に注ぎ込まれ、凝固合金が連続的にクリスタライ
ザ10から取り出されることを意味する。方法との関連
で既に説明したように、凝固は水スプレーノズル46に
より得られる制御された冷却により実現される。
【0047】凝固が開始されると、引き出しローラ4
2、42' は回転を開始し、始動フィーダ36引き出
し、それと共に、フィーダ36に強固に連結した鋳造合
金の既に凝固した端部48を引き出す。フィーダ36の
端部がローラ42、42' を通過して引き出されるとす
ぐに、電流フィーダならびに引き出し手段としての役割
は合金の凝固部分に取って替わられ、それが今度は引き
出しローラのペア42、42' と電気的ならびに摩擦的
に接触する。
【0048】製造される棒の断面は、勿論、クリスタラ
イザ10の出口断面により決定される。
【0049】当業者には本発明が前述の例示的な実施例
に限定されず、その趣旨あるいは本質的な特徴から逸脱
することなく他の特定の形態で実施できることが明らか
であろう。それで本実施例はすべての点で例示的なもの
であって、限定的なものではなく、発明の範囲はこれま
での記載ではなく、添付の特許請求の範囲によって示さ
れ、すべての特許請求の範囲に均等な意味および範囲内
の変更は特許請求の範囲に含まれることが意図されてい
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】アルミニウム−鉛合金(Al-12%Pb)における鉛
粒子の粒径の分布を示す図である。
【図2】前記合金のミクロ構造を示す図である(x 400
)。
【図3】本発明の装置の長手方向断面図である。
【図4】図3の装置のるつぼを取り除いた平面図であ
る。
【図5】図3のIII −III に沿った断面図である。
【符号の説明】
2 るつぼ 4 高周波誘導コイル 10 クリスタライザ 20 ホモジナイザ 24 電磁石の極 24' 電磁石の極 26 電磁石の極 26' 電磁石の極 32 フィーダ 36 フィーダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルマン・ブラノベル イスラエル国、84965 オメル、ハダル・ ストリート3

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不混和な金属から均一な合金を製造する
    ための方法であって、次のステップ、すなわち:前記合
    金の成分をるつぼにおいて少なくとも分子溶体を形成す
    るのに必要な温度にまで加熱することにより融解し、融
    解した該成分をホモジナイザ・クリスタライザ・ユニッ
    トに注ぎ込み;前記温度を少なくとも前記成分が完全に
    均一化されるまで維持し;融解物に直流電流により生成
    される所定の強さの電場と所定の強さの磁場で、互いに
    交差する向きの電場と磁場を同時にかけ、それにより一
    方では該融解物を撹拌し均一化し、他方では前記成分に
    作用する重力の効果を修正し;そして、前記の交差した
    電場および磁場を維持しながら前記融解物を所定の率で
    その凝固温度まで冷却する;ことからなる均一な合金を
    製造するための方法。
  2. 【請求項2】 前記冷却プロセスならびに前記凝固プロ
    セスの両方が連続プロセスであり、前記合金の別々の成
    分が連続的に前記るつぼに導入され、凝固した合金が連
    続的に前記クリスタライザから取り出されることを特徴
    とする、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記電場ならびに前記磁場のパラメータ
    が次の式: 【数1】 但し、 E = 融解物に加えられる電場の強さ(V/m) B = 磁気誘導(そのベクトルはEベクトルに対
    し垂直である)(T) ρm 、σm = マトリックス成分のそれぞれ密度および
    電気電導率 ρp 、σp = 分散成分のそれぞれ密度および電気電導
    率 g = 重力加速度 により決定されることを特徴とする、請求項1記載の方
    法。
  4. 【請求項4】 前記冷却率が次の式: 【数2】 但し、 d = 分散相粒子の平均粒径、(μm) n = 3≦n≦30 秒/μm に等しい経験的
    な係数 v = 融解物の冷却率、(度/秒) Tcm = 成分が分子溶体の状態にある温度(℃) Tkp = 融解物の晶出温度(℃) により決定されることを特徴とする、請求項1記載の方
    法。
  5. 【請求項5】 前記融解物を通して流れることにより前
    記電場を生成する電流の平均密度が次の式: 【数3】 但し、 j = 融解物を横断する電流の平均密度、(A/
    2 ) a = ベクトルEおよびBに垂直な方向での凝固
    鋳塊の大きさ、(m) Wo = 融解物における分散成分の体積比(<1) tc = 融解物の冷却時間、最初の注入からマトリ
    ックス成分の凝固までの経過時間 により決定されることを特徴とする、請求項1記載の方
    法。
  6. 【請求項6】 前記融解物における平均電流密度と磁場
    の相関の正確さが次の式: 【数4】 但し、 ΔjおよびΔBは、凝固しつつある融解物におけるそれ
    ぞれjおよびBの最適値からの偏差により維持されるこ
    とを特徴とする、請求項1記載の装置。
  7. 【請求項7】 不混和な金属からなる均一な合金を連続
    的に鋳造するための装置であって:二端を有し、前記金
    属から得られた融解物を満たすことのできるクリスタラ
    イザ手段;前記クリスタライザ手段に組み込まれ、それ
    に連絡するホモジナイザ手段;前記クリスタライザ手段
    の一方の端部に位置し、該クリスタライザ手段中の融解
    物を通して直流を流すことにより、あらかじめ定めるこ
    とのできる強さの電場をそこに生成するためのフィーダ
    手段;前記クリスタライザ手段をまたぐ磁極片を有し、
    あらかじめ定めことのできる強さの磁場を生成するよう
    にした少なくとも一つの電磁石;前記融解物をあらかじ
    め定めることのできる時間間隔内に凝固させるために、
    冷却剤の噴流を前記クリスタライザ手段の選択された領
    域に向けるようにしたノズル手段;そして、 前記合金の凝固部分を前記クリスタライザ手段から抽出
    するための引き出し手段;を有し、 前記電場ならびに前記磁場は互いに交差し、前記融解物
    を通して流れる直流により生成される電場と前記少なく
    とも一つの電磁石により生成される磁場の相互作用によ
    り重力の効果を修正し、前記合金の成分の中立な平衡を
    生じさせ、そのようにして該合金を構成する金属のうち
    重い方の金属の重力による溶離沈澱を防止するようにし
    た、均一な合金を製造するための装置。
  8. 【請求項8】 前記クリスタライザ手段は水平に設置さ
    れ、少なくとも一つの開口端を有する伸長した管の形態
    であることを特徴とする、請求項7記載の装置。
  9. 【請求項9】 前記ホモジナイザ手段が、頂部が開口し
    た容器の形態であって、前記クリスタライザ手段の長手
    方向に対し実質的に直角な方向に該クリスタライザ手段
    を横断する形態であることを特徴とする、請求項7記載
    の装置。
  10. 【請求項10】 前記クリスタライザ手段が二つの開口
    端を有することを特徴とする、請求項8記載の装置。
  11. 【請求項11】 二つの電磁石を有し、各電磁石が前記
    ホモジナイザ手段に関して実質的に対称な二つの磁極片
    を有することを特徴とする、請求項7記載の装置。
  12. 【請求項12】 前記フィーダ手段のうちの一つが恒久
    的、静止的であって、前記クリスタライザ手段の端部の
    一つを栓塞し、該フィーダ手段の他の一つが前記引き出
    し手段の作用を受けるようにされた始動フィーダである
    ことを特徴とする、請求項7記載の装置。
  13. 【請求項13】 前記引き出し手段が一組のローラの形
    態であり、そのうちの少なくとも一つがモータにより駆
    動され、始動時に前記始動フィーダが該一組のローラの
    間でしっかりと押圧され、それにより該始動フィーダが
    線形に駆動され、前記融解物の凝固の後に前記合金を前
    記クリスタライザ手段から抽出することを特徴とする、
    請求項7記載の装置。
  14. 【請求項14】 前記フィーダ手段の融解物に面した端
    部に融解物が入り込み、そこにおいて凝固するための切
    り取り凹所が設けられていることを特徴とする、請求項
    12記載の装置。
  15. 【請求項15】 後に前記合金を形成する別々の金属を
    融解するためのるつぼを更に有し、該るつぼが、前記ホ
    モジナイザ手段の上に搭載され、弁手段により制御可能
    な流出口を有することを特徴とする、請求項7記載の装
    置。
  16. 【請求項16】 前記るつぼならびに前記ホモジナイザ
    手段の双方が高周波誘導コイルの形態の加熱手段を有す
    ることを特徴とする、請求項15記載の装置。
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