JP2004022382A - セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造、セラミックサセプターの支持部材、セラミックサセプターの支持構造を形成する方法、および加圧治具 - Google Patents
セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造、セラミックサセプターの支持部材、セラミックサセプターの支持構造を形成する方法、および加圧治具 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004022382A JP2004022382A JP2002176741A JP2002176741A JP2004022382A JP 2004022382 A JP2004022382 A JP 2004022382A JP 2002176741 A JP2002176741 A JP 2002176741A JP 2002176741 A JP2002176741 A JP 2002176741A JP 2004022382 A JP2004022382 A JP 2004022382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- width
- support member
- susceptor
- ceramic susceptor
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
【解決手段】加熱されるセラミックサセプター1A、このセラミックサセプター1Aの背面に接合されているセラミックス製の支持部材3、およびこの支持部材3を固定しているチャンバー9を備えているセラミックサセプターの取付構造13であって、支持部材3が、本体部分3a、セラミックサセプター1Aに対する接合面5、および接合面5と反対側の端面3fを有しており、接合面5の外側輪郭の幅D1が端面3fの外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ接合面5の内側輪郭の幅E1が端面3fの内側輪郭の幅E2よりも大きい。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造、セラミックサセプターの支持部材、セラミックサセプターの支持構造を形成する方法、および加圧治具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造用途等においては、例えば窒化アルミニウム製のセラミックヒーターをチャンバーの内側壁面へと取り付ける必要がある。このため、セラミック板製の筒状の支持部材の一端をセラミックヒーターの接合面へと取り付け、この支持部材の他端をチャンバーの内側壁面へと取り付けることが行われている。支持部材は、アルミナ、窒化アルミニウム等の耐熱性のセラミック板によって形成されている。支持部材とチャンバーとの間はOリングによって気密に封止する。これによって、支持部材の内側空間とチャンバーの内部空間とを気密に封止し、チャンバーの内部空間のガスがチャンバーの外部へと漏れないようにする。
【0003】しかし、筒状の支持部材をセラミックヒーターの接合面(背面)に接合し、セラミックヒーターを昇温させると、セラミックヒーターと支持部材との接合面に微細なクラックが発生したり、これによる気体のリークが生ずる可能性がある。この問題を解決するために、本出願人は、特願2000−58349号(特開2001−250858号公報)において、蛇腹状の支持部材をセラミックヒーターに対して接合することを開示した。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、室温から高温まで昇温させるような過酷な条件下において、セラミックヒーターと支持部材との接合部分における熱応力を低減し、クラックを防止できるような設計を検討していた。この過程で、ヒーターと支持部材との接合部分の外壁面に、一体の連続的な湾曲面を設けることが、接合部分における熱応力を低減する上で有効であることを見いだし、更に具体的な設計を検討していた。
【0005】しかし、この検討の過程において、新たに次の問題点が生ずることを見いだした。即ち、セラミックヒーターと支持部材との接合後に、サセプターと支持部材との接合面に接合不良が残留する傾向が見られた。このような接合不良が残留すると、サセプターを高温に加熱し、サセプターと支持部材との接合部分に熱応力が加わったときに、接合部分にクラックが発生する原因となる。このため、接合不良の残留する製品は不良品となるため、製造歩留りが低下する。
【0006】本発明の課題は、セラミックサセプターと支持部材との接合部分における熱応力を低減でき、かつ接合面における接合不良を抑制でき、微細なクラックや気体リークを生じにくいような支持構造を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、加熱されるセラミックサセプター、このセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材、およびこの支持部材を固定しているチャンバーを備えているセラミックサセプターの取付構造であって、支持部材が、本体部分、セラミックサセプターに対する接合面、および接合面と反対側の端面を有しており、接合面の外側輪郭の幅D1が端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ接合面の内側輪郭の幅E1が端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする。
【0008】また、本発明は、加熱されるセラミックサセプター、およびこのセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材を備えているセラミックサセプターの支持構造であって、支持部材が、本体部分、セラミックサセプターに対する接合面、および接合面と反対側の端面を有しており、接合面の外側輪郭の幅D1が前記端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ接合面の内側輪郭の幅E1が端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする。
【0009】また、本発明は、加熱されるセラミックサセプターの背面に接合されるべきセラミックス製の支持部材であって、本体部分、セラミックサセプターに対する接合面、および接合面と反対側の端面を有しており、接合面の外側輪郭の幅D1が端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ接合面の内側輪郭の幅E1が端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする。
【0010】発明者は、リング状に設けられた接合面における接合不良は、特に接合面の外周領域に発生していることを明らかにした。支持部材の本体部分を押圧することにより接合面をセラミックサセプターに接合するため、接合面の外周領域には圧力がかかりにくいためと考えられる。そこで、外周領域における接合不良を改善するため、支持部材の本体部分よりも外側から接合面を押圧することを想到した。接合面における幅D1を端面におけるD2よりも大きくし、本体部分よりも外側に接合面を設け、本体部分の外側に加圧治具を設置した。加圧治具をセラミックサセプターに向けて押圧することにより、接合面の外周領域もセラミックサセプターに対して強く接合させることができた。
【0011】しかし、今度は接合面の内周領域において接合不良が発生した。これは、幅D1を大きくしたことにより、接合面の幅が大きくなったことに起因すると予想された。そこで、接合面の幅を狭くした。すなわち、接合面の内側輪郭の幅E1を端面の内側輪郭の幅E2よりも大きくした。これにより、内側領域においても、接合面とセラミックサセプターとを強く接合させることができた。
【0012】さらに、幅E1を幅D2よりも大きくすることによって、接合面の全面を均等に押圧できるようになった。
【0013】このように、上記構造によれば、接合面の全面が均等に強く接合されているので、セラミックサセプターと支持部材との接合部分における熱応力を低減でき、かつ、接合面における接合不良を抑制できる。この結果、サセプターを高温において動作させたり、あるいはサセプターを急速昇温したりするような過酷な条件下においても、サセプターと支持部材との接合部分に微細なクラックや気体リークを生じにくい。
【0014】また、本発明は、加熱されるセラミックサセプター、およびこのセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材を備えているセラミックサセプターの支持構造を形成する方法であって、支持部材が、本体部分、セラミックサセプターに対する接合面、および接合面と反対側の端面を有しており、セラミックサセプターと支持部材とを接合する工程を有しており、この工程においてセラミックサセプターと接合された支持部材の接合面の外側輪郭の幅D1が端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ接合面の内側輪郭の幅E1が端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする。
【0015】また、本発明は、加熱されるセラミックサセプター、およびこのセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材を備えているセラミックサセプターの支持構造を形成するときに用いる加圧治具であって、支持部材が、本体部分、およびセラミックサセプターに対する接合面、および接合面から本体部分に向けて延びる接合部を有しており、接合面の外側輪郭の幅D1が端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ接合面の内側輪郭の幅E1が端面の内側輪郭の幅E2よりも大きく、加圧治具は、支持部材の本体部分の外側に設置されるものであり、支持部材の接合部をセラミックサセプターに向けて押圧する押圧面を有することを特徴とする。
【0016】上記の加圧治具は、支持部材の本体部分の外側に設置される押圧面を備えている。したがって、上記の加圧治具を利用することによって、接合面の外周領域にも効率的に圧力を加えることができ、接合面の全面に均等に圧力を加えることができる。したがって、セラミックサセプターと支持部材との接合部分における熱応力を低減でき、かつ、接合面における接合不良の少ない、セラミックサセプターの支持構造を形成することができる。
【0017】以下、適宜図面を参照しつつ、本発明について更に説明する。
【0018】好適な実施形態においては、支持部材が接合面から本体部分に向けて延びる接合部をさらに有していてもよい。
【0019】また、好適な実施形態においては、前記接合部が内側湾曲面を有していてもよい。また、好適な実施形態においては、前記接合部が外側湾曲面を有していてもよい。
【0020】図1は、本発明の一実施形態に係る取付構造を概略的に示す断面図である。図2は、サセプター1Aと支持部材3との接合面を示す拡大図である。略平板状のセラミックサセプター1Aと、サセプター1Aの背面に接合された支持部材3とによって支持構造12が構成されている。また、セラミックサセプター1A、支持部材3、および支持部材3に接続されたチャンバー9によって取付構造13が構成されている。サセプター1Aは、略平板状の基体2と、基体2内に埋設された抵抗発熱体8と、抵抗発熱体8に接続された端子7を備えている。サセプターの基体2は、平坦な加熱面2aと、加熱面2aの反対側の背面2bとを有している。
【0021】支持部材3は略円筒形状をなしており、本体部分3a、サセプター1Aと接合する接合面5、接合面5から本体部分3aに向けて延びる接合部4、およびチャンバー9側のフランジ部3eを備えている。
【0022】支持部材3のフランジ部3eの端面3fが、チャンバー9の内壁面9bに対して固定されている。この結果、チャンバー9の開口9aと支持部材3の内側空間10とが連通し、支持部材3の内側空間10がチャンバー9の内部空間11に対して気密に封止される。端子8に対して、例えば棒状の電力供給手段6が接続されている。
【0023】接合部4は、内壁面3gに連続して設けられた内側湾曲面4g、および外壁面3hに連続して設けられた外側湾曲面4hを有している。そして、支持部材3とサセプター1Aとは、リング形状の接合面5と2eとにおいて接合されている。
【0024】好適な実施形態においては、前記セラミックサセプターと前記支持部材とが加圧状態で接合されていてもよい。
【0025】本実施の形態においては、接合部4が基体2の方向に押圧されて接合面5と2eとが接合される。図3は、サセプター1Aと支持部材3とを接合している状態を概略的に示す断面図である。接合部4は加圧治具20と接触すべき接触面4kを有している。
【0026】加圧治具20は、接触面4kに接触して、接触面4kを基体2の方向に押圧する押圧面20d、押圧面20dから延びる本体部分20h、および加圧機30に接続された端面20aを備えている。加圧機30から加圧治具20に圧力Aが加えられると、加圧治具20の押圧面20dを介して接触面4kが押圧されて接合面5と2eとが接合される。接合面5と2eとが接合されたのちに、切断面4mに沿って切断され、接触面4kを含む切断部4nが除去されて支持構造12が形成される。
【0027】図3に示すように、加圧治具20は、支持部材3の本体部分3aの外側において接合面5に対向する位置に接触して、接合面5を押圧する。加圧治具20をサセプター1Aに向けて押圧することにより、接合面5の外周領域もサセプター1Aに対して強く接合させることができる。
【0028】加圧治具20は本体部分3aよりも外側に設置されるので、本体部分3aよりも外側に接合面5を設ける必要がある。この観点から、接合面5における幅D1を端面3fにおける幅D2よりも大きくする。
【0029】また、幅D1を大きくしたことにより、接合面5の幅が大きくなると接合面5の内周領域において接合不良が発生する。そこで、接合不良を防止する観点から、接合面5の幅が狭いことが好ましい。すなわち、接合面5の内側輪郭の幅E1を端面3fの内側輪郭の幅E2よりも大くすることによって、接合面の幅を小さくし、接合不良が生じにくいようにした。
【0030】これにより、内側領域においても、接合面5とサセプター1Aとを強く接合させることができた。
【0031】接合不良を防止する観点から、幅D1の幅D2に対する比率D1/D2は、1.02以上であることが好ましく、1.05以上であることがさらに好ましい。幅D1と幅D2の差は、1mm以上であることが好ましく、3mm以上であることがさらに好ましい。
【0032】ここで、接合面の幅または端面の幅とは、接合面または端面の各外側輪郭、あるいは内側輪郭に仮想的な対角線を記入した場合の、その対角線の長さを意味している。従って、接合面または端面の外側輪郭が円形である場合には、幅D1、幅D2は、外側輪郭の直径である。接合面または端面の外側輪郭が楕円形である場合には、幅D1、幅D2は、外側輪郭の長径である。接合面または端面の外側輪郭が多角形である場合には、幅D1、幅D2は、多角形の対角線長さの最大値である。
【0033】接合面または端面の内側輪郭が円形である場合には、幅E1、幅E2は、内側輪郭の直径である。接合面または端面の内側輪郭が楕円形である場合には、幅E1、幅E2は、内側輪郭の長径である。接合面または端面の内側輪郭が多角形である場合には、幅E1、幅E2は、多角形の対角線長さの最大値である。接合不良を抑制するという観点から、幅E1の幅E2に対する比率E1/E2は、1.02以上であることが好ましく、1.05以上であることがさらに好ましい。また、(E1−E2)は1mm以上であることが好ましく、3mm以上であることがさらに好ましい。
【0034】また、好適な実施形態においては、幅E1が幅D2以上であった方がよい。
【0035】接合面5と2eとを接合する場合に、本体部分3aの外側から接合面5が押圧される。このとき接合面5の全面が押圧されることが好ましい。この観点から、(E1−D2)は0.5mm以上であることが好ましく、1mm以上であることがさらに好ましい。
【0036】セラミックサセプター1Aの肉厚Tは、サセプター1Aと支持部材3との接合部分の熱応力を低減するという観点から、50mm以下であることが好ましい。また、サセプター1Aに、取り扱い上充分な機械的強度を与えるという観点からは、サセプター1Aの肉厚は3mm以上であることが好ましい。
【0037】支持部材3の肉厚tを15mm以下とすることによって、サセプター1Aからチャンバー9側への熱の移動を抑制でき、サセプター1Aにおける局所的な温度低下やコールドスポットを防止できる。この観点からは、tを10mm以下とすることが更に好ましい。
【0038】一方、支持部材3の肉厚tが1mm未満になると、支持部材3の破壊が生じやすくなるので、tを1mm以上とすることが好ましい。支持部材3の破壊を抑制するという観点からは、tを1.5mm以上とすることが更に好ましい。
【0039】接合部4を支持部材3の軸方向に切った場合の、外側湾曲面4hの曲率半径R1が4mm以上、25mm以下であることが、接合部4の熱応力を低減する上で有効であった。
【0040】ここで、R1が小さいと、接合面5に加わる熱応力が大きくなるため、熱応力低減という観点から、外側湾曲面4hの曲率半径R1を4mm以上とする必要がある。この観点からは、外側湾曲面4hの曲率半径R1を7mm以上とすることが一層好ましい。
【0041】一方、サセプター1Aと支持部材3の接合部分の熱応力低減という観点からは、R1を大きくすることが有効であるが、R1が25mmを超えると、熱応力低減の作用効果の向上はほとんどない。
【0042】内側湾曲面4gの曲率半径R2が小さいと、接合面5に加わる熱応力が大きくなるため、R2が大きいことが好ましい。また、接合面5の幅が大きくなると接合面5に加わる熱応力が大きくなるので、接合面5の幅が狭いことが好ましい。すなわち、R2が大きいことが好ましい。これら2つの観点から、R2を2mm以上とすることが好ましい。
【0043】一方、R1と同様、R2が25mmを超えると、熱応力低減の作用効果の向上はほとんどない。
【0044】また、外側湾曲面4hは、連続的に設けられた複数の湾曲面を有していてもよい。複数の湾曲面とは、曲率中心と曲率半径との一方または双方を異にする湾曲面を意味している。
【0045】従って、湾曲部の中に平坦面、溝、段差が設けられ、平坦面、溝、段位によって2つの湾曲面が区分される場合は除外される。
【0046】ただし、湾曲面が複数設けられている場合であっても、複数の湾曲面が連続的に設けられることによって、一体の湾曲部として見ることができる場合は含まれる。例えば、曲率半径の異なる複数の湾曲面を連続的に設けることができる。また、曲率中心の異なる複数の湾曲面を連続的に設けることができる。更に,曲率半径および曲率中心の異なる複数の湾曲面を連続的に設けることができる。
【0047】例えば、図4に模式的に示す例においては、湾曲部4の外側湾曲面4hは、複数の湾曲面4qと4pとからなっており、湾曲面4qと湾曲面4pとは連続している。湾曲面4pの曲率中心はO1であり、曲率半径はR1である。湾曲面4qの曲率中心はO3であり、曲率半径はR3である。
【0048】曲率中心が異なる複数の湾曲部を連続的に設ける場合には、曲率中心間の距離を10mm以下とすることが好ましく、5mm以下とすることが更に好ましい。また、曲率半径が異なる複数の湾曲部を連続的に設ける場合には、曲率半径間の偏差を10mm以下とすることが好ましく、5mm以下とすることが更に好ましい。
【0049】また、好適な実施形態においては、内側湾曲面4gが、外側湾曲面4hと同様に連続的に設けられた複数の湾曲面を有していてもよい。この場合の、内側湾曲面4gの構成については、外側湾曲面4hと同様である。
【0050】サセプターの材質は用途に応じて選択できるので、特に限定されない。ただし、ハロゲン系腐食性ガスに対して耐蝕性を有するセラミックスが好ましく、特に窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナが好ましく、95%以上の相対密度を有する窒化アルミニウム質セラミックス、アルミナが一層好ましい。サセプター中には、抵抗発熱体、静電チャック用電極、プラズマ発生用電極などの機能性部品を埋設することができる。
【0051】「加熱されるサセプター」の加熱源は限定されず、外部の熱源(例えば赤外線ランプ)によって加熱されるサセプターと、内部の熱源(例えばサセプター内に埋設されたヒーター)によって加熱されるサセプターとの双方を含む。支持部材を構成するセラミックスの形態は限定されないが、例えば長手方向に対して厚さ方向が小さい板状物からなる。また、筒状であることが好ましい。
【0052】支持部材の材質は特に限定しないが、ハロゲン系腐食性ガスに対して耐蝕性を有するセラミックスが好ましく、特に窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナが好ましい。
【0053】サセプターと支持部材との接合方法は限定されず、固相接合、固液接合、ろう付け、ねじ止めなどの機械的締結であってよい。固液接合法は、特開平10−273370号公報に記載された方法である。
【0054】好適な実施形態においては、サセプターと支持部材とが固相接合されている。固相接合法においては、サセプターを構成するセラミックスと、支持部材を構成するセラミックスとの少なくとも一方に対して有効な焼結助剤を含有する溶液を接合面に塗布し、接合面に対して略垂直方向へと向かって圧力を加えながら、焼結温度よりも若干低い程度の温度で熱処理する。特に好ましくは、以下のようにして固相接合を行う。
【0055】(1)アルミニウム−窒素結合を有する窒化アルミニウムの前駆体化合物を、支持部材の端面とサセプター背面との間に介在させた状態で熱分解させることによって、両者を接合する。この場合において好ましくは、平板状部およびサセプターが、窒化アルミニウム質セラミックスからなる。
【0056】この前駆体化合物としては、アルミニウム−窒素結合を有する有機金属化合物または無機化合物を使用できる。これには、R3Alとアンモニアやエチレンジアミンの付加物(Rはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基)、AlH3とNH3との縮合生成物、ポリアルキルイミノアラン[(HAlNR)n]を使用できる。ポリアルキルイミノアランは、アルキルイミノアラン(HAlNR)の重合体であり、いわゆるカゴ型構造を有するもので、Rはアルキル基である。これを製造するには、アルミニウムの水素化物を、アミンやアミン塩酸塩と反応させる。Rがエチル基の場合には8量体[(HAlNR)8:Rはエチル基]が主として生成し、イソプロピル基の場合には6量体[(HAlNR)6:Rはイソプロピル基]が主として生成する。Rがメチル基であると、不溶性の高分子が生成しやすい。
【0057】アルミニウム−窒素結合を有する化合物の熱分解温度は、好ましくは1600℃以下である。接合時の雰囲気は、アルゴン等の不活性ガスやアンモニア−窒素等の還元性雰囲気が好ましく、熱分解時にアルミニウム−窒素結合を有する化合物から発生する炭素を除去するためには、アンモニア−不活性ガスの雰囲気が好ましい。
【0058】接合時には、各接合面に対して略垂直の方向に向かって加圧することが、接合強度を一層向上させる上で好ましい。加圧の効果は、実質的には0.1kg/cm2の圧力で現れる。上限は10kg/cm2である。
なお、アルミニウム−窒素結合を有する化合物に加えて、珪素−窒素結合を有する化合物をも使用できる。
【0059】(2)平板状部とサセプター背面との間に、サセプターを構成するセラミックスと支持部材を構成するセラミックスとの少なくとも一方に対して有効な焼結助剤を含む溶液を介在させ、次いで熱処理を行う。例えば、セラミックスが窒化アルミニウムまたは窒化珪素からなる場合には、イットリウム化合物、イッテルビウム化合物およびアルカリ土類元素の化合物からなる群より選ばれた一種以上の接合助剤が好ましく、イットリウム化合物が特に好ましい。
【0060】焼結助剤は、例えば塩化物、硫酸塩、リン酸塩、硝酸塩、炭酸塩が濡れやすく、ハンドリング性が良い。例えば塩化イットリウム、塩化イットリウム水和物、硫酸イットリウム、酢酸イットリウムの水溶液や、塩化イットリウム、塩化イットリウム水和物、酢酸イットリウムの水溶液を使用することが好ましい。
【0061】接合時の加熱方法としては、常圧での熱処理、ホットプレス法、プラズマ活性化焼結、レーザーによる局部加熱法を例示できる。
【0062】接合時には、各接合面に対して略垂直の方向に向かって加圧することが、接合強度を一層向上させる上で好ましい。加圧の効果は、実質的には0.1kg/cm2の圧力で現れる。上限は10kg/cm2である。
【0063】
【実施例】(実験)
接合面5の外側輪郭の幅D1、端面3fの外側輪郭の幅D2、接合面5の内側輪郭の幅E1、および端面3fの内側輪郭の幅E2の寸法の異なる支持部材3を作成し、各支持部材3の接合面について以下の実験を行った。
【0064】まず図1に示す支持構造11を作製した。サセプター1Aとしては、直径300mm、厚さ10mmの窒化アルミニウム焼結体製の円盤を使用した。支持部材3はセラミック板によって成形した。支持部材3の長さは70mmとする。支持部材3とサセプター1Aとを、図3に示すようにセットし、固相接合した。tを2.5mmとし、Tを10mmとし、R1およびR2をそれぞれ20 mm、24mmとした。接合条件は以下のとおりである。
炉内雰囲気の圧力 0.5kg/cm2G
最高温度 2000℃
最高温度での保持時間 60分間
接合時の圧力 0.5〜1.0kg/cm2
接合材 イットリウムと酢酸を主成分とする溶液
【0065】次いで、支持構造10Aを評価チャンバー内に収容し、固定用治具にセットした。チャンバー内を10Torrの窒素雰囲気にした。固定用治具に30℃の冷却水を流した。ヒーターに通電し、加熱面の温度が約600℃になるまで昇温した。昇温速度は、100℃/分とした。加熱面の温度で約600℃に到達した後に、定常運転を継続した。運転中には、通電データ、支持部材3とサセプターとの接合部分からのガスリーク量をモニターした。また、加熱面内の温度分布を放射温度計によって測定した。
【0066】次いで、加熱面の温度を600℃から室温まで低下させた。この後、サセプターおよび支持部材の外観の破損の有無を確認した。また、サセプターと支持部材との接合部分について、蛍光探傷法によって微細クラックの有無を確認した。結果を表1に示す。
【0067】
【表1】
【0068】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、セラミックサセプターと支持部材との接合部分における熱応力を低減でき、かつ接合面における接合不良を抑制でき、微細なクラックや気体リークを生じにくいような支持構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る取付構造を概略的に示す断面図である。
【図2】サセプター1Aと支持部材3との接合面を示す拡大図である。
【図3】サセプター1Aと支持部材3とを接合している状態を概略的に示す断面図である。
【図4】サセプターと支持部材との接合部分の湾曲部の形態を模式的に示す図である。
【符号の説明】
1A セラミックサセプター 2 基体 2a 加熱面 2b 背面 2e 接合面 3 支持部材 3a 直筒部(円筒部) 3e フランジ部 3f 支持部材の端面 3g 支持部材の内壁面 3h 支持部材の外壁面 4 接合部 5 接合面 9 チャンバー 10A サセプターの支持構造 D1 支持部材の接合面の外側輪郭の幅 D2 支持部材の端面の外側輪郭の幅 E1 支持部材の接合面の内側輪郭の幅 E2 支持部材の端面の内側輪郭の幅
Claims (17)
- 加熱されるセラミックサセプター、このセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材、およびこの支持部材を固定しているチャンバーを備えているセラミックサセプターの取付構造であって、
前記支持部材が、本体部分、前記セラミックサセプターに対する接合面、および前記接合面と反対側の端面を有しており、
前記接合面の外側輪郭の幅D1が前記端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ前記接合面の内側輪郭の幅E1が前記端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする、セラミックサセプターの取付構造。 - 前記支持部材が前記接合面から前記本体部分に向けて延びる接合部をさらに有していることを特徴とする、請求項1記載の取付構造。
- 前記接合部が内側湾曲面を有していることを特徴とする、請求項2記載の取付構造。
- 前記接合部が外側湾曲面を有していることを特徴とする、請求項2または3記載の取付構造。
- 前記幅E1が前記幅D2以上であることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の取付構造。
- 前記セラミックサセプターと前記支持部材とが加圧状態で接合されていることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の取付構造。
- 加熱されるセラミックサセプター、およびこのセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材を備えているセラミックサセプターの支持構造であって、
前記支持部材が、本体部分、前記セラミックサセプターに対する接合面、および前記接合面と反対側の端面を有しており、
前記接合面の外側輪郭の幅D1が前記端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ前記接合面の内側輪郭の幅E1が前記端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする、セラミックサセプターの支持構造。 - 前記支持部材が前記接合面から前記本体部分に向けて延びる接合部をさらに有していることを特徴とする、請求項7記載の支持構造。
- 前記接合部が内側湾曲面を有していることを特徴とする、請求項8記載の支持構造。
- 前記接合部が外側湾曲面を有していることを特徴とする、請求項8または9記載の支持構造。
- 前記幅E1が前記幅D2以上であることを特徴とする、請求項7〜10のいずれか一項に記載の支持構造。
- 前記セラミックサセプターと前記支持部材とが加圧状態で接合されていることを特徴とする、請求項8から11のいずれか一項に記載の支持構造。
- 加熱されるセラミックサセプターの背面に接合されるべきセラミックス製の支持部材であって、
本体部分、前記セラミックサセプターに対する接合面、および前記接合面と反対側の端面を有しており、
前記接合面の外側輪郭の幅D1が前記端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ前記接合面の内側輪郭の幅E1が前記端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする、支持部材。 - 加熱されるセラミックサセプター、およびこのセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材を備えているセラミックサセプターの支持構造を形成する方法であって、
前記支持部材が、本体部分、前記セラミックサセプターに対する接合面、および前記接合面と反対側の端面を有しており、
前記セラミックサセプターと前記支持部材とを接合する工程を有しており、この工程において前記セラミックサセプターと接合された前記支持部材の前記接合面の外側輪郭の幅D1が前記端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ前記接合面の内側輪郭の幅E1が前記端面の内側輪郭の幅E2よりも大きいことを特徴とする、セラミックサセプターの支持構造を形成する方法。 - 前記支持部材が前記接合面から前記本体部分に向けて延びる接合部をさらに有していることを特徴とする、請求項14記載の方法。
- 前記セラミックサセプターと前記支持部材とを加圧状態で接合することを特徴とする、請求項14または15記載の方法。
- 加熱されるセラミックサセプター、およびこのセラミックサセプターの背面に接合されているセラミックス製の支持部材を備えているセラミックサセプターの支持構造を形成するときに用いる加圧治具であって、
前記支持部材が、本体部分、および前記セラミックサセプターに対する接合面、および前記接合面から前記本体部分に向けて延びる接合部を有しており、
前記接合面の外側輪郭の幅D1が前記端面の外側輪郭の幅D2よりも大きく、かつ前記接合面の内側輪郭の幅E1が前記端面の内側輪郭の幅E2よりも大きく、
前記加圧治具は、前記支持部材の前記本体部分の外側に設置されるものであり、かつ前記接合部を前記セラミックサセプターに向けて押圧する押圧面を有することを特徴とする、加圧治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002176741A JP4026751B2 (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 半導体製造装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002176741A JP4026751B2 (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 半導体製造装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004022382A true JP2004022382A (ja) | 2004-01-22 |
JP4026751B2 JP4026751B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=31174964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002176741A Expired - Lifetime JP4026751B2 (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 半導体製造装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4026751B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258115A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
JP2008270197A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
US7618494B2 (en) * | 2003-08-18 | 2009-11-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate holding structure and substrate processing device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102373076B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-03-11 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 반도체 제조 장치용 부재, 그 제조법 및 성형형 |
-
2002
- 2002-06-18 JP JP2002176741A patent/JP4026751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7618494B2 (en) * | 2003-08-18 | 2009-11-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate holding structure and substrate processing device |
JP2007258115A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
JP2008270197A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-06 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
US8294069B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-10-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device for heating a wafer |
KR101345482B1 (ko) | 2007-03-28 | 2013-12-27 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 가열 장치 |
TWI426813B (zh) * | 2007-03-28 | 2014-02-11 | Ngk Insulators Ltd | 加熱裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4026751B2 (ja) | 2007-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3520074B2 (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプターの支持部材 | |
JP3447495B2 (ja) | ウエハ保持装置の給電構造 | |
JP3840990B2 (ja) | 半導体/液晶製造装置 | |
JP2010040422A (ja) | シャフト付きヒータ | |
JPH1174064A (ja) | ウエハ加熱装置 | |
JP4386606B2 (ja) | 支持装置の製造方法 | |
JP2005109169A (ja) | 基板加熱装置とその製造方法 | |
JP3771686B2 (ja) | ウエハ支持部材 | |
JP4569077B2 (ja) | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 | |
JP2001237051A (ja) | 筒状体を有するセラミックヒーター及びこれを用いた加熱装置 | |
JP4026751B2 (ja) | 半導体製造装置およびその製造方法 | |
JP3810216B2 (ja) | 試料加熱装置および処理装置並びにそれを用いた試料の処理方法 | |
JP3534738B2 (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプター用支持部材 | |
JPH09249462A (ja) | 接合体、その製造方法およびセラミックス部材用ろう材 | |
JP4282221B2 (ja) | サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 | |
JP4539035B2 (ja) | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 | |
JP4311922B2 (ja) | セラミックス接合体、ウエハ保持体及び半導体製造装置 | |
JP2005032898A (ja) | セラミックサセプターの支持構造 | |
JP3909248B2 (ja) | 試料加熱装置 | |
JP3597936B2 (ja) | ウェハ保持装置 | |
WO2020012998A1 (ja) | セラミックヒータ | |
JP4443556B2 (ja) | 試料加熱装置の製造方法 | |
JP4101425B2 (ja) | セラミックスサセプターのチャンバーへの取付構造および支持構造 | |
JP3987841B2 (ja) | ウェハ保持装置 | |
JP3941542B2 (ja) | セラミックスと金属の気密接合構造及び該構造を有する装置部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071004 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4026751 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |