JP2004014985A - 半導体基板の熱処理用縦型ボート - Google Patents
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Abstract
【課題】高温熱処理に使用しても半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートを提供する。
【解決手段】3本支柱を有する半導体基板の熱処理用縦型ボートにおいて、半導体基板を支持する3本の支柱は、多数の支持溝が設けられた直方体で形成され、かつ、各々の支柱が正三角形の各頂点に位置するように配設され、3本の支柱のうち半導体基板を搭載するための搭載口を形成する2個の支柱は、この2個の支柱を結ぶ正三角形の1辺に対して同一方向乃至内側を向いている半導体基板の熱処理用縦型ボートである。
【選択図】 図1
【解決手段】3本支柱を有する半導体基板の熱処理用縦型ボートにおいて、半導体基板を支持する3本の支柱は、多数の支持溝が設けられた直方体で形成され、かつ、各々の支柱が正三角形の各頂点に位置するように配設され、3本の支柱のうち半導体基板を搭載するための搭載口を形成する2個の支柱は、この2個の支柱を結ぶ正三角形の1辺に対して同一方向乃至内側を向いている半導体基板の熱処理用縦型ボートである。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は熱処理用縦型ボートに係わり、特に半導体基板を支持する支柱の配設位置を改良した熱処理用縦型ボートに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板を高温処理する縦型高温炉において、炉内に半導体基板を搭載する支持治具として、支持溝が多数設けられた3本または4本の支柱を、上取付板および下取付板に取り付けた熱処理用縦型ボートが用いられている。半導体基板の大口径化に伴ない、半導体基板に発生するスリップ転位を抑制する目的で、支柱を3本とする場合が多い。その支柱の配置は、半導体基板の出し入れ時の移載し易さのため、一方向側の支柱間隔を広く取る構造が一般に採用されている。
【0003】
図4に示すように、一方向側の支柱間隔を広くした従来の3本の縦型ボート10は、支柱11および溝12が半導体基板を搭載するための搭載口13より外側方向を向いているため、半導体基板の荷重によるモーメントは実線矢印のように搭載口13の外方向に向く。このとき、図5のように支柱11は、搭載口13の内方向に塑性変形を起こし易くなる。このため、半導体基板の搭載枚数が制限され、また、支柱11の寿命が短くなる。このようなことは、1100℃以上の高温処理で著しく、シリカガラスもしくはシリコン製の縦型ボートに対して顕著な現象である。この現象は半導体基板の大口径化に伴なう荷重の増加により一層顕著になり、特に直径300mmのシリコン基板の熱処理用の縦型ボートに対して改善が要求されていた。
【0004】
また、特開平11−40659号公報には、3本支柱の従来例として、その図6に半導体ウェーハを支持するために同一円周上に配された3つの支持面を有する構造の縦型ボートの記載があるが、スリップ防止の為に円弧状に突出させた形状となっており、垂直方向の支持部27は搭載口28の外方向にあるので、上記従来の3本支柱の縦型ボートと同様に支柱が塑性変形を起こし易い問題がある。
【0005】
さらに、上記公報には、半導体ウェーハを支持するために同一円周上に配された4つの支持面を有し、この4つの支持面中、半導体ウェーハの搭載口側に設けられた2つの支持面と、後側の支持面のいずれか1つを結んで構成される2つの三角形の面積が同一であり、かつこれら2つの三角形の各々の面積が、半導体ウェーハに内接する正三角形の84%以上となる半導体ウェーハの熱処理用縦型ボートが記載されている。この公報記載の半導体ウェーハの熱処理用縦型ボートは、半導体ウェーハの荷重による内部応力によって発生するスリップを防止でき、しかも搬送装置によって半導体ウェーハを自動移送し得るが、各支柱が均等角度を有して配設されていないので、搭載口側の支柱に大きな荷重がかかるため当該支柱が変形する場合があり、また、4本の支柱を用いるため、3本の支柱の縦型ボートに比べて高価になる問題点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、高温熱処理に使用しても半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートが要望されていた。
【0007】
本発明は上述した事情を考慮してなされたもので、高温熱処理に使用してもシリコン半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の1つの態様によれば、多数の半導体基板が3本の支柱に多数設けられた支持溝の支持面によって支持されて搭載され高温処理に用いられる半導体基板の熱処理用縦型ボートにおいて、半導体基板を支持する3本の支柱は、多数の支持溝が設けられた直方体で形成され、かつ、各々の支柱が正三角形の各頂点に位置するように配設され、前記3本の支柱のうち半導体基板を搭載するための搭載口を形成する2個の支柱は、この2個の支柱を結ぶ前記正三角形の1辺に対して同一方向乃至内側を向いていることを特徴とする半導体基板の熱処理用縦型ボートが提供される。これにより、高温熱処理に使用しても半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートが実現される。
【0009】
好適な一例では、搭載口に対向する2個の支柱は、ともに正三角形の中心点に向いている。これにより、半導体基板の重量により支柱にかかるモーメントは、半導体基板の中心部に向き、支柱の上端が取り付けられた上取付板を介して、各支柱に働く力は相殺され、支柱が高温に加熱されていても塑性変形が防止される。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態について添付図面を参照して説明する。
【0011】
図1は本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの概念図であり、図2はその縦断面図である。
【0012】
図1および図2に示すように、熱処理用縦型ボート1は、高純度で耐熱性に優れたシリコン製であり、円板形状の基板2と、この基板2に120°の角度を有して正三角状に配設された3本の支柱3(3a、3b、3c)と、この3本の支柱3の上端に設けられた上取付板4とからなっている。
【0013】
上記熱処理用縦型ボート1は、シリコン製に限らず、高純度で耐熱性に優れた材質であるシリカガラス、炭化珪素などであってもよい。
【0014】
また、上記3本のうち支柱3a、3bは、各々同一形状を有し、その断面が長方形状をなす直方体で、多数の半導体基板が支持される支持面3a1、3b1を有する多数の支持溝3a2、3b2が設けられており、半導体基板搭載用の搭載口5が形成されるように120°の角度を有し、さらに、この2個の支柱3a、3bを結ぶ正三角形Tの1辺に対して同一方向乃至内側を向いて、例えば、図1に示すように、正三角形の中心Cに向かって配設されている。
【0015】
また、支柱3cは、その断面が支柱3a、3bの断面の長方形状よりも長辺が短い長方形状を有する直方体であり、多数の支持面3c1を有する多数の支持溝3c2が設けられており、搭載口5に対向し、その先端部3c3は、他の支柱3a、3bの先端部3a3、3b3と同じ円C1上に位置するように、わずかに正三角形Tの中心C方向に入り込んだ状態で配設されている。
【0016】
なお、符号6は脚部である。
【0017】
次に本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートを用いた半導体基板の熱処理について説明する。
【0018】
図1に示すように、多数の半導体基板Wを、搭載口5から太実線矢印のように挿入し、支柱3a、3b、3cに各々設けられた支持面3a1、3b1、3c1で支持することにより、順に搭載する。しかる後、半導体基板Wが搭載された熱処理用縦型ボート1を炉芯管に収納した後、この炉芯管を加熱炉に入れ、高温で加熱し、熱処理を行う。
【0019】
このような熱処理工程において、半導体基板Wを支柱3に設けられた長方形状の支持面3a1、3b1、3c1により支持するので、半導体基板Wにスリップの発生がなく、また、半導体基板Wの重量により支柱3にかかるモーメントは、細実線矢印のように半導体基板Wの中心部に向き、支柱3の上端が取り付けられた上取付板4を介して、各支柱3に働く力は相殺され、支柱3が高温に加熱されていても塑性変形を起こすことがない。
【0020】
これにより、搭載半導体基板の枚数を増加することができ、また、支柱の変形が防止できるため、縦型ボートの長寿命化を図ることができる。さらに、3本支柱の縦型ボートであっても、変形を防止できるので、4本支柱の縦型ボートに比べて支柱数を減じることができて安価である。
【0021】
また、本発明に係わる熱処理用縦型ボートの変形例について説明する。
【0022】
本変形例は、上記実施形態が図1に示すように搭載口に対向する2個の支柱は、ともに正三角形の中心点に向いているのに対して、2個の支柱がこの支柱を結ぶ正三角形の1辺に対して同一方向を向いている縦型ボートである。
【0023】
例えば、図3に示すように、本変形例の熱処理用縦型ボート1Aは、支柱3A(3Aa、3Ab、3Ac)が、下取付板2Aに正三角形状に配設されており、また、2個の支柱3Aa、3Abを結ぶ正三角形TAの1辺に対して同一方向を向いており、さらに、支柱3Aa、3Ab間には搭載口4Aが形成されている。上記正三角形は上記実施形態に比べて、反搭載口(支柱3Ac)側に偏倚しており、従って、支柱3Aa、3Abと図3中の水平な直径DAとの距離LAが図1の実施形態に比べて短くなっている。
【0024】
これにより、熱処理工程において、スリップの発生がなく、また、半導体基板の重量により支柱3Aにかかるモーメントは、半導体基板Wの中心部に向き、支柱3の上端が取り付けられた上取付板(図示せず)を介して、各支柱3Aに働く力は相殺され、支柱3Aが高温に加熱されていても塑性変形を起すことがない。
【0025】
これにより、搭載半導体基板の枚数を増加することができ、また、支柱の変形が防止できるため、縦型ボートの長寿命化を図ることができる。さらに、3本支柱の縦型ボートであっても、変形を防止できるので、4本支柱の縦型ボートに比べて支柱数を減じることができて安価である。
【0026】
【実施例】
図1に示すような本発明に係わるシリコン単結晶製熱処理用縦型ボートを用いて、シリコンウェーハの熱処理を行い、図5に示すような支柱の変形量を測定し、従来例と比較した。
【0027】
(条件) 雰囲気はArガス100%、シリコンウェーハの直径300mm、シリコンウェーハの総重量17.8kg、最高到達温度1200℃、最高温度保持時間は1時間
(結果) 実施例では支柱に曲がりは発生しなかったが、従来例では5mmの変形が生じることがわかった。
【0028】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートによれば、高温熱処理に使用しても半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態の概念図。
【図2】本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態の縦断面図。
【図3】本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態の変形例の概念図。
【図4】従来の半導体基板の熱処理用縦型ボートの概念図。
【図5】従来の半導体基板の熱処理用縦型ボートの使用状態の概念図。
【符号の説明】
1 熱処理用縦型ボート
2 下取付板
3(3a、3b、3c) 支柱
3a1、3b1、3c1支持面
3a2、3b2、3c2支持溝
3a3、3b3、3c3先端部
4 上取付板
5 搭載口
6 脚部
【発明の属する技術分野】
本発明は熱処理用縦型ボートに係わり、特に半導体基板を支持する支柱の配設位置を改良した熱処理用縦型ボートに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板を高温処理する縦型高温炉において、炉内に半導体基板を搭載する支持治具として、支持溝が多数設けられた3本または4本の支柱を、上取付板および下取付板に取り付けた熱処理用縦型ボートが用いられている。半導体基板の大口径化に伴ない、半導体基板に発生するスリップ転位を抑制する目的で、支柱を3本とする場合が多い。その支柱の配置は、半導体基板の出し入れ時の移載し易さのため、一方向側の支柱間隔を広く取る構造が一般に採用されている。
【0003】
図4に示すように、一方向側の支柱間隔を広くした従来の3本の縦型ボート10は、支柱11および溝12が半導体基板を搭載するための搭載口13より外側方向を向いているため、半導体基板の荷重によるモーメントは実線矢印のように搭載口13の外方向に向く。このとき、図5のように支柱11は、搭載口13の内方向に塑性変形を起こし易くなる。このため、半導体基板の搭載枚数が制限され、また、支柱11の寿命が短くなる。このようなことは、1100℃以上の高温処理で著しく、シリカガラスもしくはシリコン製の縦型ボートに対して顕著な現象である。この現象は半導体基板の大口径化に伴なう荷重の増加により一層顕著になり、特に直径300mmのシリコン基板の熱処理用の縦型ボートに対して改善が要求されていた。
【0004】
また、特開平11−40659号公報には、3本支柱の従来例として、その図6に半導体ウェーハを支持するために同一円周上に配された3つの支持面を有する構造の縦型ボートの記載があるが、スリップ防止の為に円弧状に突出させた形状となっており、垂直方向の支持部27は搭載口28の外方向にあるので、上記従来の3本支柱の縦型ボートと同様に支柱が塑性変形を起こし易い問題がある。
【0005】
さらに、上記公報には、半導体ウェーハを支持するために同一円周上に配された4つの支持面を有し、この4つの支持面中、半導体ウェーハの搭載口側に設けられた2つの支持面と、後側の支持面のいずれか1つを結んで構成される2つの三角形の面積が同一であり、かつこれら2つの三角形の各々の面積が、半導体ウェーハに内接する正三角形の84%以上となる半導体ウェーハの熱処理用縦型ボートが記載されている。この公報記載の半導体ウェーハの熱処理用縦型ボートは、半導体ウェーハの荷重による内部応力によって発生するスリップを防止でき、しかも搬送装置によって半導体ウェーハを自動移送し得るが、各支柱が均等角度を有して配設されていないので、搭載口側の支柱に大きな荷重がかかるため当該支柱が変形する場合があり、また、4本の支柱を用いるため、3本の支柱の縦型ボートに比べて高価になる問題点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、高温熱処理に使用しても半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートが要望されていた。
【0007】
本発明は上述した事情を考慮してなされたもので、高温熱処理に使用してもシリコン半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の1つの態様によれば、多数の半導体基板が3本の支柱に多数設けられた支持溝の支持面によって支持されて搭載され高温処理に用いられる半導体基板の熱処理用縦型ボートにおいて、半導体基板を支持する3本の支柱は、多数の支持溝が設けられた直方体で形成され、かつ、各々の支柱が正三角形の各頂点に位置するように配設され、前記3本の支柱のうち半導体基板を搭載するための搭載口を形成する2個の支柱は、この2個の支柱を結ぶ前記正三角形の1辺に対して同一方向乃至内側を向いていることを特徴とする半導体基板の熱処理用縦型ボートが提供される。これにより、高温熱処理に使用しても半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートが実現される。
【0009】
好適な一例では、搭載口に対向する2個の支柱は、ともに正三角形の中心点に向いている。これにより、半導体基板の重量により支柱にかかるモーメントは、半導体基板の中心部に向き、支柱の上端が取り付けられた上取付板を介して、各支柱に働く力は相殺され、支柱が高温に加熱されていても塑性変形が防止される。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態について添付図面を参照して説明する。
【0011】
図1は本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの概念図であり、図2はその縦断面図である。
【0012】
図1および図2に示すように、熱処理用縦型ボート1は、高純度で耐熱性に優れたシリコン製であり、円板形状の基板2と、この基板2に120°の角度を有して正三角状に配設された3本の支柱3(3a、3b、3c)と、この3本の支柱3の上端に設けられた上取付板4とからなっている。
【0013】
上記熱処理用縦型ボート1は、シリコン製に限らず、高純度で耐熱性に優れた材質であるシリカガラス、炭化珪素などであってもよい。
【0014】
また、上記3本のうち支柱3a、3bは、各々同一形状を有し、その断面が長方形状をなす直方体で、多数の半導体基板が支持される支持面3a1、3b1を有する多数の支持溝3a2、3b2が設けられており、半導体基板搭載用の搭載口5が形成されるように120°の角度を有し、さらに、この2個の支柱3a、3bを結ぶ正三角形Tの1辺に対して同一方向乃至内側を向いて、例えば、図1に示すように、正三角形の中心Cに向かって配設されている。
【0015】
また、支柱3cは、その断面が支柱3a、3bの断面の長方形状よりも長辺が短い長方形状を有する直方体であり、多数の支持面3c1を有する多数の支持溝3c2が設けられており、搭載口5に対向し、その先端部3c3は、他の支柱3a、3bの先端部3a3、3b3と同じ円C1上に位置するように、わずかに正三角形Tの中心C方向に入り込んだ状態で配設されている。
【0016】
なお、符号6は脚部である。
【0017】
次に本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートを用いた半導体基板の熱処理について説明する。
【0018】
図1に示すように、多数の半導体基板Wを、搭載口5から太実線矢印のように挿入し、支柱3a、3b、3cに各々設けられた支持面3a1、3b1、3c1で支持することにより、順に搭載する。しかる後、半導体基板Wが搭載された熱処理用縦型ボート1を炉芯管に収納した後、この炉芯管を加熱炉に入れ、高温で加熱し、熱処理を行う。
【0019】
このような熱処理工程において、半導体基板Wを支柱3に設けられた長方形状の支持面3a1、3b1、3c1により支持するので、半導体基板Wにスリップの発生がなく、また、半導体基板Wの重量により支柱3にかかるモーメントは、細実線矢印のように半導体基板Wの中心部に向き、支柱3の上端が取り付けられた上取付板4を介して、各支柱3に働く力は相殺され、支柱3が高温に加熱されていても塑性変形を起こすことがない。
【0020】
これにより、搭載半導体基板の枚数を増加することができ、また、支柱の変形が防止できるため、縦型ボートの長寿命化を図ることができる。さらに、3本支柱の縦型ボートであっても、変形を防止できるので、4本支柱の縦型ボートに比べて支柱数を減じることができて安価である。
【0021】
また、本発明に係わる熱処理用縦型ボートの変形例について説明する。
【0022】
本変形例は、上記実施形態が図1に示すように搭載口に対向する2個の支柱は、ともに正三角形の中心点に向いているのに対して、2個の支柱がこの支柱を結ぶ正三角形の1辺に対して同一方向を向いている縦型ボートである。
【0023】
例えば、図3に示すように、本変形例の熱処理用縦型ボート1Aは、支柱3A(3Aa、3Ab、3Ac)が、下取付板2Aに正三角形状に配設されており、また、2個の支柱3Aa、3Abを結ぶ正三角形TAの1辺に対して同一方向を向いており、さらに、支柱3Aa、3Ab間には搭載口4Aが形成されている。上記正三角形は上記実施形態に比べて、反搭載口(支柱3Ac)側に偏倚しており、従って、支柱3Aa、3Abと図3中の水平な直径DAとの距離LAが図1の実施形態に比べて短くなっている。
【0024】
これにより、熱処理工程において、スリップの発生がなく、また、半導体基板の重量により支柱3Aにかかるモーメントは、半導体基板Wの中心部に向き、支柱3の上端が取り付けられた上取付板(図示せず)を介して、各支柱3Aに働く力は相殺され、支柱3Aが高温に加熱されていても塑性変形を起すことがない。
【0025】
これにより、搭載半導体基板の枚数を増加することができ、また、支柱の変形が防止できるため、縦型ボートの長寿命化を図ることができる。さらに、3本支柱の縦型ボートであっても、変形を防止できるので、4本支柱の縦型ボートに比べて支柱数を減じることができて安価である。
【0026】
【実施例】
図1に示すような本発明に係わるシリコン単結晶製熱処理用縦型ボートを用いて、シリコンウェーハの熱処理を行い、図5に示すような支柱の変形量を測定し、従来例と比較した。
【0027】
(条件) 雰囲気はArガス100%、シリコンウェーハの直径300mm、シリコンウェーハの総重量17.8kg、最高到達温度1200℃、最高温度保持時間は1時間
(結果) 実施例では支柱に曲がりは発生しなかったが、従来例では5mmの変形が生じることがわかった。
【0028】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートによれば、高温熱処理に使用しても半導体基板にスリップの発生がなく、また、支柱の変形がなくて長寿命であり、さらに、安価な半導体基板の熱処理用縦型ボートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態の概念図。
【図2】本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態の縦断面図。
【図3】本発明に係わる半導体基板の熱処理用縦型ボートの実施形態の変形例の概念図。
【図4】従来の半導体基板の熱処理用縦型ボートの概念図。
【図5】従来の半導体基板の熱処理用縦型ボートの使用状態の概念図。
【符号の説明】
1 熱処理用縦型ボート
2 下取付板
3(3a、3b、3c) 支柱
3a1、3b1、3c1支持面
3a2、3b2、3c2支持溝
3a3、3b3、3c3先端部
4 上取付板
5 搭載口
6 脚部
Claims (2)
- 多数の半導体基板が3本の支柱に多数設けられた支持溝の支持面によって支持されて搭載され高温処理に用いられる半導体基板の熱処理用縦型ボートにおいて、半導体基板を支持する3本の支柱は、多数の支持溝が設けられた直方体で形成され、かつ、各々の支柱が正三角形の各頂点に位置するように配設され、前記3本の支柱のうち半導体基板を搭載するための搭載口を形成する2個の支柱は、この2個の支柱を結ぶ前記正三角形の1辺に対して同一方向乃至内側を向いていることを特徴とする半導体基板の熱処理用縦型ボート。
- 請求項1に記載の半導体基板の熱処理用縦型ボートにおいて、搭載口に対向する2個の支柱は、ともに正三角形の中心点に向いていることを特徴とする半導体基板の熱処理用縦型ボート。
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---|---|---|---|
JP2002169842A JP2004014985A (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 半導体基板の熱処理用縦型ボート |
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JP2002169842A JP2004014985A (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 半導体基板の熱処理用縦型ボート |
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JP2004014985A true JP2004014985A (ja) | 2004-01-15 |
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ID=30436286
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7033168B1 (en) | 2005-01-24 | 2006-04-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer boat for a vertical furnace |
WO2022137851A1 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 株式会社Sumco | 縦型熱処理炉用熱処理ボートおよび半導体ウェーハの熱処理方法 |
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2002
- 2002-06-11 JP JP2002169842A patent/JP2004014985A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7033168B1 (en) | 2005-01-24 | 2006-04-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer boat for a vertical furnace |
WO2022137851A1 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 株式会社Sumco | 縦型熱処理炉用熱処理ボートおよび半導体ウェーハの熱処理方法 |
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