JP2004014758A - Alignment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アライメントマークを備えた基板を所定の位置に位置合わせするアライメント装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子や液晶表示素子等のマイクロデバイスは、成膜処理、露光処理、及びエッチング処理等のプロセス処理を複数回繰り返し、基板(感光基板)上に複数のパターンを積層することで製造されるが、露光処理においては、既に基板に形成されているパターンに対して次に積層すべきパターンの像を精度良く重ね合わせる必要があるため、基板上のショット領域と次層のパターンを有するマスクとのアライメント(位置合わせ)処理が行われる。従来におけるアライメント処理方法に、画像処理を用いたアライメント処理方法がある。これは、マスクに形成されているマスクアライメントマークと感光基板に形成されている基板アライメントマークとのそれぞれを撮像装置(CCD)で撮像し、これらマークの撮像データを画像処理してマークの位置情報を求め、この求めた結果に基づいてマスクと感光基板とを位置合わせするものである。
【0003】
図15は、従来のアライメント装置ALJを備えた露光装置EXJの一例を示す図である。図15に示すように、アライメント装置ALJは、マスクステージMSTに支持されているマスクMのマスクアライメントマークMAに対してアライメント用検出光(アライメント光)を照射する送光部101と、マスクアライメントマークMAを介して送光部101から射出されたアライメント光を基板ステージPSTに支持されている感光基板Pの基板アライメントマークPA近傍に導くアライメント光学系102と、アライメント光を照射することによりマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAのそれぞれで発生した反射光を受光し、これらアライメントマークMA、PAの像を撮像するCCDからなる撮像装置103とを備えている。撮像装置103の撮像結果は画像処理装置104に出力される。画像処理装置104は、マスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAのそれぞれの画像を取り込み、これらの画像信号に基づいてマスクMと感光基板Pとの相対位置情報を求める。露光装置EXJは、画像処理装置104の処理結果に基づいてマスクMと感光基板Pとを相対的に位置制御した後、マスクMを露光光で照明し、マスクMに形成されているパターンを投影光学系PLを介して感光基板Pに転写する。
【0004】
図16(a)は、撮像装置103で撮像したマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAの画像を示す模式図である。また、図16(b)は、図16(a)に示す一本の走査線(撮像エリア、ウインド)SLに対応して撮像装置103が出力する画像信号の波形(信号波形VHx)の一例を示す図である。図16(a)に示すように、マスクアライメントマークMAは十字状マークであり、基板アライメントマークPAは中央に十字状の透過部を有するマークである。撮像装置103はマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAを同時に撮像し、これらアライメントマークMA、PAどうしの位置関係を観察可能である。図16(b)に示すように、信号波形VHxには、マスクアライメントマークMAの像コントラストに対応した波形部分Vmxと、基板アライメントマークPAの像コントラストに対応した波形部分Vpx1、Vpx2とが時系列的に含まれている。この例では、マスクアライメントマークMAの波形部分Vmxはマーク要素の中心部でピーク点となり、基板アライメントマークPAの波形部分Vpx1、Vpx2はそれぞれ各マーク要素のエッジ部で撮像装置103に戻らない反射光によりボトム点となっている。画像処理装置104は信号波形からアライメントマークMA、PAそれぞれの位置(中心位置)を求める。そして、露光装置EXJは、求めたアライメントマークMA、PAの位置情報からマスクMと感光基板Pとの位置関係を求め、これらが所定位置関係となるように位置補正量を求め、露光処理を行うようになっている。
【0005】
ところで、マークの撮像状態はマークを形成する材質やマークの形状によって変化しやすい。例えば、同じ形状のマークであってもマークを形成する材質や基板上に塗布された感光剤の特性によって光の反射率が変化すると、マークの撮像状態(撮像されたマークの線幅や間隔、あるいはマークの像コントラストなど)が変化する場合がある。更に、プロセス処理によってもマークの撮像状態が変化する場合がある。この場合、マークが撮像装置103で撮像されたとしても撮像状態が変化することによって画像処理装置104は撮像装置103で撮像したマークを異常マークと認識してしまう。すると、マークが撮像されたにもかかわらず、アライメントエラーが発生してアライメント処理が不能となってしまう。そのため、従来では、マーク検出をするに際し、図16(a)に示すように、マーク線幅の設計値L1に対する許容値L2を予め設定しておき、撮像されたマーク線幅が許容値L2内にあるかどうかを判断し、許容値L2内におさまっていれば、このマークを正常マークであると判断し、このマーク画像データを用いて画像処理(アライメント処理)を行っていた。
【0006】
更に、例えば感光基板PやマスクMにゴミ等が付着して信号波形VHxにノイズが乗り、撮像したマークが異常マークとして認識されてしまう場合もあるが、この場合も、図16(b)に示すように、像コントラスト(信号波形VHx)に関する閾値(コントラストスレッショルド)Thを予め設定しておき、閾値以下の信号(ノイズ成分)をカットし、閾値以上の信号波形成分をマーク画像データとして用いることで画像処理(アライメント処理)を行っていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来のアライメント装置には以下に述べる問題が生じるようになった。
マークが撮像装置103で撮像されているにもかかわらず、撮像したマーク線幅が許容値L2を越えていたり、信号波形VHxに含まれるノイズ信号が閾値Thを越えていたりする場合、アライメントエラーとなり、アライメント処理が不能となる。これは、設定した許容値L2や閾値Th(以下、許容値L2及び閾値Thをまとめて「アライメントパラメータ」と称する)が小さすぎる(厳しすぎる)ことが一因である。したがって、アライメントエラーになった際には、このアライメントパラメータを再設定し、再設定したアライメントパラメータに基づいて再度画像処理を実行することになる。ここで、画像処理(アライメント処理)を効率良く行うためには、アライメントエラーを発生させず且つアライメント精度を維持できる最適なアライメントパラメータを短時間のうちに再設定する必要がある。
【0008】
従来において、アライメントパラメータを再設定するには、アライメントエラーになった際の予め保存しておいたマーク画像データ及びこのときのアライメントパラメータを基にオペレータがアライメントエラーとなる条件(アライメントパラメータ)を検討・解析し、アライメントパラメータの再設定を行っていた。
【0009】
このように、従来においてアライメントパラメータを再設定する際には、保存しておいたデータに基づくオペレータによる検討・解析の手間や時間が必要であった。更に、検討・解析作業は、露光装置(画像処理装置)とは別の解析用コンピュータにより行われていたため、解析結果を露光装置にフィードバックするのに時間がかかり、最適なアライメントパラメータを短時間のうちに再設定することが困難であった。
【0010】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、アライメントエラーが生じた際、最適なアライメントパラメータを短時間のうちに容易に再設定できるアライメント装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、実施の形態に示す図1〜図14に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明のアライメント装置(AL)は、マーク(PA、MA)を備えた基板(P、M)を所定の位置に位置合わせするアライメント装置において、マーク(PA、MA)を撮像する撮像装置(13)と、撮像装置(13)で撮像したマーク(PA、MA)の画像データを画像処理するパラメータを設定する設定手段(15)と、設定手段(15)で設定したパラメータに基づいてマーク(PA、MA)を画像処理する画像処理装置(14)と、設定手段(15)で設定したパラメータと画像処理装置(14)で画像処理した結果とを表示する表示装置(17)とを備えることを特徴とする。
【0012】
本発明によれば、画像データを画像処理するためのパラメータと画像データの画像処理結果とを表示する表示装置を設けたので、アライメントエラーが発生した際にも、表示装置の表示情報を参照することで最適なアライメントパラメータを短時間のうちに再設定できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のアライメント装置について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明のアライメント装置ALを備えた露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図である。
図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、感光基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板ステージPSTに支持されている感光基板Pに投影する投影光学系PLと、マスクMと感光基板Pとをアライメント(位置合わせ)するアライメント装置ALとを備えている。本実施形態において、感光基板Pはガラスプレートにフォトレジスト(感光剤)を塗布したものである。
なお、以下の説明において、露光装置EXのうち投影光学系PLの光軸方向をZ軸方向とし、水平面内においてZ軸方向と直交する方向をX軸方向、X軸方向及びZ軸方向に直交する方向をY軸方向とする。また、X軸まわり、Y軸まわり、Z軸まわりのそれぞれの回転方向をθX方向、θY方向、θZ方向とする。
【0014】
照明光学系ILは、露光用光源1と、光源1から射出した光束を集光する楕円鏡2と、複数の光学素子からなる光学ユニットIUとを備えている。光源1から射出した光束は、照明光学系ILの第1偏向ミラー3aで偏向されて光学ユニットIUに入射する。光学ユニットIUは、光源1から射出し楕円鏡2で集光され第1偏向ミラー3aで偏向された光束をほぼ平行な光束に変換するインプットレンズ、インプットレンズを通過した光束をほぼ均一な照度分布の光束に調整して露光光ELに変換するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光してマスクMを均一な照度で照明するコンデンサレンズ系、リレーレンズ系など複数の光学素子により構成されている。光学ユニットIUからの露光光ELは第2偏向ミラー3bで偏向された後、マスクMを照明する。ここで、本実施形態における露光用光源1には水銀ランプが用いられ、露光光ELとしては、照明光学系IL内に配置された不図示の波長フィルタにより、露光に必要な波長であるg線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)などが用いられる。また、照明光学系IL内には、露光光ELを通過する面積を調整して露光光ELによるマスクM上における照明領域を設定するブラインド部4が設けられている。ブラインド部4はその開口面積を駆動装置4aにより可変としている。
【0015】
マスクステージMSTはマスクMを真空吸着保持する真空吸着部を備えたマスクホルダを有しており、マスクMはマスクホルダに保持される。マスクステージMST(マスクホルダ)はマスクMのパターン形成領域に対応した開口を有し、マスクステージ駆動部MSTDによりX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向に移動可能となっている。マスクステージ駆動部MSTDの駆動は制御装置CONTにより制御される。
【0016】
マスクステージMSTのX軸及びY軸方向における位置はレーザ干渉システムにより検出される。レーザ干渉システムは、マスクステージMSTのY側端部においてX軸方向に延在するY移動鏡5と、このY移動鏡5に対向する位置に設けられているYレーザ干渉計6と、マスクステージMSTのX側端部においてY軸方向に延在するX移動鏡(不図示)と、このX移動鏡に対向する位置に設けられているXレーザ干渉計(不図示)とを有している。そして、Yレーザ干渉計及びXレーザ干渉計のそれぞれがY移動鏡及びX移動鏡のそれぞれにレーザ光を照射し、その反射光に基づいてマスクステージMSTのY軸方向及びX軸方向における位置を検出する。レーザ干渉計の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはレーザ干渉計の検出結果に基づいてマスクステージ駆動部MSTDを介してマスクステージMSTを駆動し、マスクMの位置制御を行う。
【0017】
露光装置EXは、マスクステージMST(マスクホルダ)の上方に移動可能に設けられ、マスクMをマスクステージMSTに対してロード・アンロードするマスクチェンジャ7を備えている。マスクチェンジャ7に搭載されるべきマスクMはマスクライブラリ(不図示)に収容されており、マスクライブラリのマスクMは不図示の搬送装置によりマスクチェンジャ7に搭載される。ここで、本実施形態において、感光基板Pには複数層(レイヤ)の回路パターンが重ね合わせられるようにして形成されるため、マスクチェンジャ7にはそれぞれの層(レイヤ)に対応した回路パターンを有するマスクMが搭載される。露光装置EXは、これらマスクMを交換しながらパターンのそれぞれを感光基板P上で重ね合わせるようにして露光する。
【0018】
マスクMを照明した露光光ELは投影光学系PLに入射する。投影光学系PLは、マスクMの露光光ELによる照明領域に存在するパターンの像を感光基板P上に結像し、感光基板Pの特定領域(投影領域)にパターンの像を投影露光するものである。投影光学系PLを透過した露光光ELは、基板ステージPSTに保持されている感光基板P上の投影領域にマスクMの照明領域に対応したパターンの像を結像する。照明領域のマスクMのパターンは、所定の結像特性を持って感光基板Pに転写される。
【0019】
基板ステージPSTは感光基板Pを真空吸着保持する真空吸着部を備えた基板ホルダを有しており、感光基板Pは基板ホルダに保持される。基板ステージPSTは基板ステージ駆動部PSTDによりX軸、Y軸、及びZ軸方向に移動可能に設けられている。更に、基板ステージPSTはθZ方向にも移動可能に設けられているとともに、θX、θY方向にも移動可能に設けられており、感光基板Pを支持した際、感光基板Pのレベリング調整を含む位置調整を可能としている。
【0020】
基板ステージPSTのX軸及びY軸方向における位置はレーザ干渉システムにより検出される。レーザ干渉システムは、基板ステージPSTのY側端部においてX軸方向に延在するY移動鏡8と、このY移動鏡8に対向する位置に設けられているYレーザ干渉計9と、基板ステージPSTのX側端部においてY軸方向に延在するX移動鏡(不図示)と、このX移動鏡に対向する位置に設けられているXレーザ干渉計(不図示)とを有している。そして、Yレーザ干渉計及びXレーザ干渉計のそれぞれがY移動鏡及びX移動鏡のそれぞれにレーザ光を照射し、その反射光に基づいて基板ステージPSTのY軸方向及びX軸方向における位置を検出する。レーザ干渉計の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはレーザ干渉計の検出結果に基づいて基板ステージ駆動部PSTDを介して基板ステージPSTを駆動し、感光基板Pの位置制御を行う。更に、露光装置EXは、感光基板PのZ軸方向における位置を検出するフォーカス検出系(不図示)を有している。フォーカス検出系の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTはフォーカス検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動部PSTDを介して基板ステージPSTの位置制御を行う。
【0021】
次に、マスクMと感光基板Pとのアライメントを行うアライメント装置ALについて説明する。
図1に示すように、アライメント装置ALは、マスクステージMSTに支持されているマスクMのマスクアライメントマークMAに対してミラー10を介してアライメント用検出光(アライメント光)を照射する送光部11と、マスクアライメントマークMAを介して送光部11から射出されたアライメント光を基板ステージPSTに支持されている感光基板Pの基板アライメントマークPA近傍に導くアライメント光学系12と、アライメント光の照射によりマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAのそれぞれで発生した反射光を受光し、これらアライメントマークMA、PAの像を撮像するCCDからなる撮像装置13と、撮像装置13で撮像したアライメントマークMA、PAの画像データを画像処理する画像処理装置14と、画像処理装置14での画像処理に用いるアライメントパラメータ(パラメータ)を設定する設定装置(設定手段)15と、アライメント処理に関するデータを記憶する記憶装置(記憶手段)16と、設定装置15で設定されたアライメントパラメータと画像処理装置14で画像処理した結果とを表示する表示装置17とを備えている。画像処理装置14は設定装置15で設定されたアライメントパラメータに基づいて画像処理する。ここで、アライメント装置ALの動作は制御装置CONTにより制御される。また、画像処理装置14及び設定装置15はCPU(中央演算処理装置)を備えた演算装置により構成され、記憶装置16はROMやハードディスクなどにより構成され、全体としてアライメント装置用処理部SYSを構成している。表示装置17は、例えば液晶表示ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどにより構成される。アライメント光学系12は投影光学系PLとは異なるものであって、投影光学系PLの側方に複数配置されている。
【0022】
アライメント装置ALは、マスクMに設けられたマスクアライメントマークMAと、感光基板Pに設けられた基板アライメントマークPAとを検出して、マスクMと感光基板Pとを位置合わせするものである。図2(a)に示すように、マスクアライメントマークMAは十字状であり、マスクMの4隅にそれぞれ設けられている。図2(b)に示すように、基板アライメントマークPAはL字を4つ組み合わせた形状であって中央部に十字状の透過部を有しており、感光基板Pの周縁部の8箇所にそれぞれ設けられている。なお、マスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAの位置及び数は図2に示したものに限らず、適宜変更可能である。
【0023】
図1に戻って、アライメント装置ALの送光部11は露光用光源1とは別のアライメント用光源11Aを有している。アライメント用光源11Aとしては例えばハロゲンランブなどが用いられ、波長選択フィルタ11Cにより露光光ELとは異なる波長を有するアライメント光が送光部11より射出される。送光部11は複数のアライメント光学系12に対応して複数設けられており、送光部11それぞれの照射動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは送光部11(光源11A)の発光のタイミングを制御する。更に、アライメント用光源11AとマスクMとの間の光路上にはアライメントマークに照射するアライメント光の光量(照度)を調整する光量調整フィルタ11Bが設けられている。ここで、送光部11は、光透過率の異なる複数の光量調整フィルタ11B、及び透過した光の波長をそれぞれ異ならせる複数の波長選択フィルタ11Cを有しており、これらフィルタ11B、11Cのそれぞれはアライメント光の光路に対して不図示の駆動装置により進退自在に設けられている。制御装置CONTは、複数のフィルタ11B、11Cのうちから特定のフィルタ11B、11Cを選択してアライメント光の光路上に配置することにより、アライメントマークに照射するアライメント光の光量(照度)及び波長(色)を設定する。
【0024】
撮像装置13はアライメント光学系12を介した基板アライメントマークPA及びマスクアライメントマークMAの画像を撮像するものであってCCDにより構成されており、アライメント光学系12に対応して複数設けられている。撮像装置13のそれぞれは、基板アライメントマークPA及びマスクアライメントマークMAのそれぞれを介した複数のアライメント光を受光し、基板アライメントマークPA及びマスクアライメントマークMAの位置情報を2次元の画像信号として取り込む。
【0025】
図3はアライメント光学系12及び撮像装置13を含むアライメント装置ALを上方(Z方向)から見た図である。図3に示すように、本実施形態において、アライメント装置ALは2つ設けられており、アライメント装置ALは不図示の駆動装置によりY軸方向に移動可能に設けられている。そして、アライメント装置ALの移動及びマスクステージMSTに支持されているマスクMのX軸方向への移動により、アライメント装置ALによるマーク検出位置に自由度を与えている。アライメントマークを撮像する際には、例えば図3(a)に示すような第1のアライメントマーク位置にアライメント装置AL及びステージを移動した後、第1のアライメントマークの位置情報を2次元の画像信号として取り込み、次いで、図3(b)に示すような第2のアライメントマーク位置にアライメント装置AL及びステージを移動した後、第2のアライメントマークの位置情報を2次元の画像信号として取り込む。
【0026】
図4(a)は、撮像装置13が撮像したマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAの画像信号を示す模式図である。また、図4(b)は、図4(a)に示す一本の走査線(撮像エリア、ウインド)SLに対応して撮像装置13が出力する画像信号の波形(信号波形VHx)を示す図である。図4(a)に示すように、撮像装置13はマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAを同時に撮像し、これらアライメントマークMA、PAどうしの位置関係を観察可能である。図4(b)に示すように、信号波形VHxには、マスクアライメントマークMAの像コントラストに対応した波形部分Vmxと、基板アライメントマークPAの像コントラストに対応した波形部分Vpx1、Vpx2とが時系列的に含まれている。この例では、走査線SLの走査方向における像コントラスト変化の微分値が示されており、図4(a)に示すように画像信号の輝度が変化する位置x1〜x10において、図4(b)に示すように信号波形VHxの極性が変わる。撮像装置13の撮像結果は画像処理装置14に出力される。画像処理装置14はマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAのそれぞれの画像データを取り込み、これら画像データに基づいてマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAの相対位置情報を求める。そして、これらアライメントマークMA、PAの相対位置情報によりマスクMと感光基板Pとの相対位置情報が求められる。
【0027】
ここで、図2に示したように、基板アライメントマークPAは感光基板P上に設けられた代表的な数個のパターン(ショット領域)のそれぞれに付随して所定位置に形成されたものである。アライメント装置ALは、これらの基板アライメントマークPAの位置情報を検出し、得られた位置情報に対して統計処理(EGA処理)を行って感光基板P上に設定された全てのパターン(ショット領域)の位置を求める。そして、求めた位置情報と理想位置(理想格子)とに基づいてパターンのシフト、スケーリング、及びローテーションなどの像特性に関する補正量を求める。制御装置CONTは、露光処理を行うに際し、アライメント装置ALで求めた補正量に基づいて、投影光学系PLの像特性補正や、マスクステージMST及び基板ステージPSTの位置補正を行い、マスクMを露光光ELで照明し、マスクMに形成されているパターンを投影光学系PLを介して感光基板Pに露光する。
【0028】
設定装置(設定手段)15は撮像装置13で撮像したアライメントマークMA、PAの画像データを画像処理するアライメントパラメータを設定する。このアライメントパラメータは、アライメントマークの線幅の設計値L1に対する許容値L2(図4(a)参照)、アライメントマークの像コントラスト(信号波形VHx)に関する閾値(コントラストスレッショルド)Th(図4(b)参照)などを含む。
マークを形成する材質やマークの形状、あるいはプロセス処理によってマークの撮像状態(撮像されたマークの線幅や間隔、あるいはマークの像コントラストなど)が変化すると、マークが撮像装置13で撮像されたにもかかわらず、アライメント装置ALは撮像装置13で撮像したマークを異常マークと認識し、アライメントエラーを発生して画像処理不能状態(アライメント処理不能状態)となるが、撮像したマーク線幅が設定装置15で設定した許容値L2内におさまっていればこのマークを正常マークであると判断することにより、アライメント装置ALはこのマーク画像データを用いて画像処理(アライメント処理)を行うことができる。同様に、例えば感光基板PやマスクMにゴミ等が付着して信号波形VHxにノイズが乗り、撮像したマークが異常マークとして認識されてしまう場合もあるが、この場合も、画像信号のうち設定装置15で設定した閾値Th以下の信号(ノイズ成分)をカットし、閾値Th以上の信号波形成分をマーク画像データとして用いることで、アライメント装置ALは画像処理(アライメント処理)を行うことができる。設定装置15は、これら許容値L2及び閾値Thを含むアライメントパラメータを設定し、設定したアライメントパラメータを画像処理装置14に送る。画像処理装置14は設定装置15で設定したアライメントパラメータに基づいてアライメントマークMA、PAを画像処理する。
【0029】
アライメント処理はマスクMのパターンを感光基板Pに露光する毎に行われるが、このときのアライメントマークMA、PAの画像データ及びこのとき設定したアライメントパラメータなどはその都度、記憶装置16に記憶される。すなわち、画像処理する画像データ及びアライメントパラメータは感光基板P及びこの感光基板Pに積層されるパターン(レイヤ)毎に記憶装置16に記憶される。
【0030】
図5は、記憶装置16に記憶されている、アライメントマークの画像データやアライメントパラメータなどアライメント処理に関する複数の記憶データの一例を示す模式図である。図5に示すように、記憶装置16には、アライメント処理に関する複数のデータ(データ1、2、3、4、5、6…)が記憶されている。記憶装置16に記憶されている記憶データは、撮像装置13で撮像した画像データ、前記許容値L2及び閾値Thを含むアライメントパラメータ、アライメント処理に用いたアライメント光の照度及び波長データ(すなわち使用したフィルタ11B、11Cに関するデータ)などアライメント処理条件に関するプロセス情報、フォトレジストの材質や色、あるいは感光基板Pに転写されたパターンに関する基板情報、アライメントマークを形成する材質やマーク形状に関するマーク情報、画像データを処理した際の処理アルゴリズム、及びその際に求めたアライメント結果(マーク位置や線幅など)に関する処理情報などの過去の情報を含む。そして、これらデータはレイヤ毎に、すなわちアライメント処理を行うその都度に記憶されている。
【0031】
ここで、以下の説明において、レイヤ毎に記憶される上記プロセス情報、基板情報、マスク情報、及び処理情報などの各情報を総称して適宜「レイヤ情報」と称する。
したがって、記憶装置16は設定装置15で設定したアライメントパラメータと感光基板Pのレイヤ情報とを記憶している構成となっている。更に、これら記憶データは、製品単位(基板単位)、ロット単位で階層的に分類され、記憶されている。
【0032】
また、記憶装置16に記憶されている記憶データは、過去のアライメント処理においてアライメントエラーを発生したアライメントパラメータ、そのときのマーク画像データ及びレイヤ情報と、アライメントエラーが発生せずに正常にアライメント処理可能であることを確認されたアライメントパラメータ、そのときのマーク画像データ及びレイヤ情報を含んでいる。すなわち、記憶装置16には、アライメント処理における画像処理が失敗(エラー)したときの各データ、及びアライメント処理における画像処理が成功したときの各データのそれぞれが記憶されている。
【0033】
なお、記憶装置16に対する画像データ、アライメントパラメータ、及びレイヤ情報の記憶動作をレイヤ毎に行わずに、例えば、露光する感光基板の所定枚数毎(例えば10枚毎)、あるいは所定ロット数毎、あるいは所定時間毎(例えば10時間毎)に行うようにしてもよい。また、記憶装置16に対する記憶動作は、レイヤ毎(あるいは所定枚数毎、所定ロット毎など)に自動的に行うようにしてもよいし、オペレータが随時行うようにしてもよい。
【0034】
次に、上述した構成を有するアライメント装置ALを用いて、マスクMと感光基板Pとをアライメントする方法について図6のフローチャート図を参照しながら説明する。
アライメント装置ALによるアライメント処理を行うに際し、まず、制御装置CONTは、送光部11からのアライメント光照射条件を設定する(ステップS1)。
制御装置CONTは記憶装置16に記憶されている過去のアライメント処理に関するデータを参照し、現在のアライメント処理対象である感光基板Pに応じた最適なアライメント光照射条件を設定する。
ここで、送光部11は複数の光量調整フィルタ11B及び波長選択フィルタ11Cを有しており、これらフィルタ11B、11Cのそれぞれはアライメント光の光路に対して不図示の駆動装置により進退自在に設けられている。制御装置CONTは、記憶装置16に記憶されている記憶データのうちレイヤ情報の中から、現在のアライメント処理対象である感光基板Pのレイヤに一致する、あるいは相関的に最も類似するレイヤに対応する過去のプロセス情報を参照し、現在のレイヤに最適な光量(照度)及び波長(色)を有するアライメント光を送光部11より射出する。すなわち、制御装置CONTは複数の光量調整フィルタ11B及び波長選択フィルタ11Cの中から最適なフィルタを選択し、アライメント光の光路上に配置する。このとき、表示装置17は、図7に示すように、参照した過去のプロセス情報(レイヤ情報)を表示するとともに、設定されたプロセス条件を表示する。
【0035】
次いで、制御装置CONTは、ステップS1で設定した照射条件に基づいて、アライメント装置ALの送光部11より所定の光量(照度)及び波長(色)を有するアライメント光を射出する。送光部11から射出されたアライメント光はマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAを照射する(ステップS2)。
【0036】
撮像装置13は、アライメント光の照射によりマスクアライメントマークMA及び基板アライメントマークPAで発生した反射光を受光し、アライメントマークMA及び基板アライメントマークPAを撮像する(ステップS3)。
撮像装置13は撮像した画像データを画像処理装置14に出力する。また、表示装置17は撮像装置13で撮像された画像データを表示する。
【0037】
画像処理装置14は、撮像装置13で撮像したアライメントマークMA、PAの画像データの画像処理が可能かどうかを判別する(ステップS4)。
すなわち、例えば画像データのコントラストが低く、マークのエッジ部が判別できないような場合、画像処理できない。あるいは、アライメントマークの形状が異常である場合にも画像処理できない。更に、撮像装置13の計測領域内にアライメントマークが存在しない場合にも画像処理できない。画像処理装置14は、アライメントマークの画像データに基づいて画像処理可能かどうかを判別する。なお、画像処理できるかどうかの判別は、表示装置17に表示された画像データに基づいてオペレータが判別してもよい。
【0038】
ステップS4において、画像処理できないと判断した場合、制御装置CONTは、表示装置17に画像処理不能である旨を表示させ、制御装置CONTに接続されている不図示の警報装置を作動する。このとき、表示装置17には、画像処理できないと判断された画像データも表示されている。更に、表示装置17は、このときの各条件、すなわち、アライメント光の照度及び波長などのアライメント処理条件(プロセス情報)、フォトレジストの材質や色などの基板条件(基板情報)、及びアライメントマークの材質や形状に関するマーク条件(マーク情報)なども同時に表示する。
【0039】
画像データのコントラストが不十分のため画像処理できないと判断した場合、制御装置CONTは、アライメント光の照射条件の再設定を行う(ステップS11)。
例えば、送光部11からの光量が不足していてアライメントマークの画像データのコントラスト(撮像装置13の計測領域におけるマーク部分とマーク以外の部分との輝度差)が低下している場合には、制御装置CONTは、複数の光量調整フィルタ11Bのうち、光透過率の高い光量調整フィルタ11Bを選択し、この選択した光量調整フィルタ11Bをアライメント光の光路上に配置する。一方、送光部11からの光量が過剰で感光基板P(又はマスクM)からの反射光の光量が高く、撮像信号が飽和することにより画像データのコントラストが低下している場合には、制御装置CONTは、複数の光量調整フィルタ11Bのうち、光透過率の低い光量調整フィルタ11Bを選択し、この選択した光量調整フィルタ11Bをアライメント光の光路上に配置する。
【0040】
ここで、制御装置(設定手段)CONTは、光量調整フィルタ11Bを選択するに際し、記憶装置16に記憶されている過去のレイヤ情報(特にプロセス情報やマーク情報)を参照し、最適な光量調整フィルタ11Bを選定する。制御装置CONTは、画像処理できない(光量が最適でない)というエラー情報に基づいて、アライメント光(光量)の過去の設定情報と現在の設定情報とを比較し、最適なアライメント光照射条件を設定する。表示装置17はこれら過去及び現在の設定情報を表示する。
なお、送光部11からのアライメント光の光量を変える際には、光量調整フィルタを用いずに、アライメント用光源11Aのパワーを変更するようにしてもよい。また、撮像装置のシャッタスピードを変えて感度を変えるようにしてもよい。なお、この場合にはマークからの反射光が強い際にスループットを落とさないので有効である。
【0041】
また、カラーフィルタなどを製造する際には、フォトレジストに色素が含まれているカラーレジストが用いられるが、送光部11により照射されるアライメント光の波長域によっては、このアライメント光はカラーレジストに吸収されてしまい、十分な光量を有するアライメントマークからの反射光が得られない場合がある。この場合、制御装置CONTは、複数の波長選択フィルタ11Cのうち、十分な光量を有する反射光が得られる波長選択フィルタ11Cを選択し、この選択した波長選択フィルタ11Cをアライメント光の光路上に配置する。例えば、赤いカラーレジストに対しては赤色を含むアライメント光に変換可能な波長選択フィルタが、青いカラーレジストに対しては青色を含むアライメント光に変換可能な波長選択フィルタが、緑のカラーレジストに対しては緑色を含むアライメント光に変換可能な波長選択フィルタが選択される。また、これに限らず、2色のカラーレジストに対して有効なフィルタと、もう1色のカラーレジストに対して有効なフィルタとを用意しておき、フィルタを波長に合わせて選択するようにしてもよい。
【0042】
ここで、制御装置(設定手段)CONTは、波長選択フィルタ11Cを選択するに際し、記憶装置16に記憶されている過去のレイヤ情報(特にプロセス情報やマーク情報)を参照し、最適な波長選択フィルタ11Cを選定する。制御装置CONTは、画像処理できない(波長が最適でない)というエラー情報に基づいて、アライメント光(波長)の過去の設定情報と現在の設定情報とを比較し、最適なアライメント光照明条件を設定する。表示装置17はこれら過去及び現在の設定情報を表示する。
【0043】
このように、制御装置(設定手段)CONTは、感光基板Pのアライメントマークの材質や形状などマークに関するマーク条件、あるいはフォトレジストの材質や色など基板に関する基板条件に応じて、アライメント光の光量や波長といった照明条件を変更可能である。そして、制御装置CONTは、照明条件の過去の設定情報とこのときのエラー情報(例えば、光量が低すぎてエラーとなった、波長が不適なためエラーとなったなどのエラーの原因を示す情報を含む)とに基づいて、照明条件を自動的に変更設定できる。
【0044】
なお、ここではフィルタの選択を制御装置CONTが自動的に行うように説明したが、エラーが発生した際、現在のレイヤ条件(使用したフィルタやレジストの色など)と一致、あるいは類似する過去の複数のレイヤ条件を表示装置17に表示し、オペレータが表示装置17を参照してこれら複数のレイヤ条件の中から処理に用いるレイヤ条件を選択し、再設定するようにしてもよい。すなわち、表示装置17は、図8に示すように、現在及び過去の複数の設定条件(パラメータ)を明確に表示する。表示装置17が複数の設定条件を表示することにより、オペレータにレイヤ条件(パラメータ)の再設定を可能とする。
【0045】
そして、ステップS11においてアライメント光の照明条件を再設定後、ステップS2、S3の処理を行い、再設定された照明条件がステップS4において再びエラーとなった場合には、制御装置CONTは、アライメント光の照射条件の過去の設定情報とこのときのエラー情報とに基づいて再度照明条件を自動的に変更設定する。
【0046】
なお、例えばアライメントマークの形状が異常であるという理由で画像処理できないと判断したら、制御装置CONTは、この感光基板P(又はマスクM)に形成されているアライメントマーク自体が異常であると判断し、感光基板P(又はマスクM)の交換を行う。
あるいは、撮像装置13の計測領域内にアライメントマークが存在しない場合には、エラー表示がなされオペレータコールがなされる。エラー表示に対して例えば、オペレータが表示装置17を見ながら操作部を操作し、基板ステージPST(又はマスクステージMST)あるいは撮像装置13を手動で移動し、撮像装置13の計測領域内にアライメントマークが配置されるように位置調整することができる。また、アライメントマークが撮像されているがぼけている場合にはオペレータが手動でフォーカスを合わせる。
【0047】
一方、ステップS4において、画像処理可能であると判断した場合、設定装置15は、撮像装置13で撮像したアライメントマークの画像データを画像処理するためのアライメントパラメータ(許容値L2及び閾値Th)を設定する(ステップS5)。
ここで、設定装置15は、記憶装置16に記憶されている記憶データの中から、ステップS3で撮像した現在のアライメント処理対象であるレイヤのアライメントマークに一致する、あるいは相関的に最も類似する過去のアライメントマークの画像処理に用いたアライメントパラメータを参照し、現在のアライメントパラメータを設定する。表示装置17は、設定したアライメントパラメータを表示する。図9に、このときの表示装置17による表示結果の一例を示す。図9には、設定したフィルタ情報に加えて、現在のアライメントマークの設計値及びそれに対して設定された許容値L2、閾値(コントラストスレッショルド)Thに関する情報が示されている。
なお、ここでは、撮像したアライメントマークに一致(あるいは類似)する過去のアライメントマーク(マーク情報)を求め、この過去のアライメントマークに対応するアライメントパラメータを、現在のアライメント処理で用いるアライメントパラメータとして設定しているが、現在行っているプロセス条件に一致(あるいは類似)する過去のプロセス条件(レイヤ情報)を求め、このプロセス条件に対応するアライメントパラメータを、現在のアライメント処理で用いるアライメントパラメータに設定してもよい。
【0048】
画像処理装置14は、記憶装置16に記憶されている記憶データのうち画像データの中から、ステップS3で撮像した画像データに一致する、あるいは相関的に最も類似する過去の画像データ及びこれに対応するレイヤ情報を参照し、ステップS3で撮像した画像データを画像処理する際の処理アルゴリズムを設定する(ステップS6)。
【0049】
画像処理装置14は、ステップS5で設定したアライメントパラメータ、及びステップS6で設定した処理アルゴリズムに基づいて、画像データを画像処理する(ステップS7)。
【0050】
画像処理装置14は、画像処理結果を表示装置17で表示する(ステップS8)。
このとき、表示装置17は、ステップS2において設定装置15で設定したアライメントパラメータと、画像処理装置14での画像処理結果とを同時に表示する。
ここで、アライメントマークMA、PAのそれぞれは、図4を用いて説明したように、信号波形(画像の輝度)が変化する位置x1〜x10を有している。輝度が変化する位置x1〜x10において、図4(b)に示すように信号波形VHxの極性が変わる。画像処理装置14は、画像データを画像処理することにより、この極性が変化する位置x1〜x10を求める。そして、表示装置17は、図10(a)に示すように、画像処理装置14で求めた−極性の位置(高輝度から低輝度に変化する位置)を図中、黒塗り長方形で示すd1〜d5、+極性の位置(低輝度から高輝度に変化する位置)を図中、白抜きの長方形で示すb1〜b5と表示する。更に、画像処理装置14は、位置d1〜d5及びb1〜b5に基づいて、アライメントマークMA、PAのエッジ部E1〜E6の位置を求め、このエッジ部E1〜E6の位置情報に基づいて、マーク線幅及び間隔を求める。表示装置17は、図10(b)に示すように、このエッジ部E1〜E6の位置情報を表示する。このように、表示装置17は、アライメントマークMA、PAの特徴を分析した分析結果である輝度の極性が変化する位置d1〜d5、b1〜b5、あるいはエッジ部E1〜E6に関する情報をアライメントマークMA、PAの画像に合成して表示する。
【0051】
画像処理装置14は、アライメントパラメータを参照し、マーク線幅がステップS5で設定したアライメントパラメータ(許容値L2)以下であるか、ノイズ信号がステップS5で設定したアライメントパラメータ(コントラストスレッショルドTh)以下であるかどうかを判断する。すなわち、画像処理装置14は、マーク検出結果と予め設定したアライメントパラメータとを比較し、マーク検出結果がアライメントパラメータを越えたアライメントエラーであるかどうかを判別する(ステップS9)。
【0052】
ステップS9において、アライメントエラーでなく、マーク検出が正常に行われていると判断したら、画像処理装置14は、アライメントマークMAと基板アライメントマークPAとの位置ずれ量をX軸方向及びY軸方向のそれぞれに関して算出する。制御装置CONTは、画像処理装置14で算出した位置ずれ量に基づいて、マスクステージMST及び基板ステージPSTの位置補正を行い、マスクMと感光基板Pとの位置合わせ(アライメント)を行う(ステップS10)。マスクMと感光基板Pとの位置合わせをした後、制御装置CONTはマスクMを露光光ELで照明し、マスクMに形成されているパターンを投影光学系PLを介して感光基板Pに露光し、一連の処理を終了する。
【0053】
一方、ステップS9において、マークを画像処理した処理結果がアライメントエラーとなっ場合、表示装置17は、ステップS5で設定したこのときのアライメントパラメータと、このときのエラー情報とを同時に表示する(ステップS12)。
すなわち、制御装置CONTは、アライメントエラーが発生した際の画像データ、レイヤ情報、及びアライメントパラメータ(許容値L2及び閾値Th)を表示装置17に表示する。更に、表示装置17は、アライメントエラーが発生した旨を表示するとともに、制御装置CONTに接続されている不図示の警報装置を作動する。
ここで、アライメントエラーが生じた際、このアライメントエラーはアライメントパラメータ(許容値L2及び閾値Th)が厳しすぎることが原因であってその後のアライメント処理を不能とするだけであって、画像処理装置14は画像データを画像処理可能である。したがって、画像処理装置14は位置d1〜d5、b1〜b5の位置情報を求めることができる。表示装置17は、アライメントエラーが生じた際にも、アライメントマークの画像データと画像処理装置16の分析結果である位置d1〜d5、b1〜b5とを合成して表示可能である。なお、表示装置17は、アライメントエラーが生じた際には、位置d1〜d5、b1〜b5の情報を表示しない構成とされてもよい。また、アライメントパラメータに原因がある場合には、その設定されたパラメータの部分の色を変えたり、点滅させるようにすることにより、オペレータに修正を促すことが可能となる。
【0054】
更に、表示装置17は、アライメントエラーが発生した際に、現在のアライメントパラメータと、記憶装置16に記憶されている過去のアライメントパラメータとを表示する(ステップS13)。
この過去のアライメントパラメータ、すなわちアライメントパラメータの過去の設定情報は、記憶装置16に記憶されている記憶データのうちのアライメントパラメータの中から、現在のアライメント処理対象であるアライメントマーク(レイヤ)に一致する、あるいは相関的に最も類似するアライメントマークに対応する過去のアライメントパラメータである。表示装置17は、図12に示すように、現在のアライメントパラメータと、過去の複数のアライメントパラメータとを明確に表示する。設定装置15は、この過去のアライメントパラメータを参照用パラメータとして参照する。ここで、この過去のアライメントパラメータは、過去の画像処理においてエラーが発生したアライメントパラメータ、及び画像処理でエラーが発生しないことを確認されたパラメータを含む。このように、表示装置17は、画像処理装置14ので画像処理の結果に応じて、アライメントパラメータの過去の設定情報を表示する。
【0055】
設定装置15は、画像処理結果に応じてアライメントパラメータの再設定を行う(ステップS14)。
ここで、設定装置15は、アライメントエラーが発生するエラー情報に基づいて現在のアライメントパラメータ(現在の設定情報)と、過去のアライメントパラメータ(過去の設定情報)とを比較し、過去のアライメントパラメータに基づいてアライメントパラメータの再設定を行う。このとき、設定装置15は、アライメントパラメータの過去の設定情報とこのときのエラー情報(例えば、許容値L2が厳しすぎてエラーとなった、閾値Thが厳しすぎてエラーとなったなどのエラーの原因を示す情報を含む)とに基づいて、アライメントパラメータを自動的に変更設定できる。
【0056】
アライメントエラーの発生は、アライメントパラメータの設定値が厳しすぎることが一因であるため、アライメントパラメータの再設定を行う際、具体的には、許容値L2及び閾値Thを大きく(緩く)設定する。こうすることにより、アライメントマークの画像データは、画像処理装置14により正常に画像処理される。
【0057】
また、図11に別のフローチャート図を示す。図6に示したフローチャート図と異なる点は、マークを撮像し、画像処理後、エラーが発生した時点でアライメントパラメータやアライメント光照射条件を再設定するようにしている。図11のステップS15においては、アライメントエラーが発生した原因が、パラメータの設定だけによるものか、アライメント光照射条件によるものかを判別する(ステップS15)。
そして、アライメント光照射条件の再設定が必要な場合には再設定を行い、アライメント光の光量、波長、又は照射及び撮像する位置などを変更してマークを撮像する。この結果、適正なアライメント処理を行うことができるようになる。
【0058】
なお、ここではアライメントパラメータの選択を設定装置15が自動的に行うように説明したが、エラーが発生した際、図12に示すように、現在のレイヤ条件(マーク情報やアライメントパラメータ)と一致、あるいは類似する過去の複数のレイヤ条件を表示装置17に表示し、オペレータが表示装置17を参照してこれら複数のレイヤ条件の中から処理に用いるレイヤ条件を選択し、アライメントパラメータを再設定するようにしてもよい。このとき、表示装置17は、現在及び過去の複数のアライメントパラメータを明確に表示する。表示装置17が複数のアライメントパラメータを表示することにより、オペレータにアライメントパラメータの再設定を可能とする。
【0059】
そして、アライメントパラメータの再設定がされたら、ステップS6に進む。そして、ステップS7及びS8の処理を行い、ステップS9において再度アライメントエラーが生じたかどうかを判断する。ここで、アライメントエラーが発生した場合には、設定装置15は、記憶装置16に記憶されているアライメントパラメータの過去の設定情報と、このときのエラー情報とに基づいて、アライメントパラメータを自動的に更新するようになっている。なお、アライメントパラメータの更新は、所定処理基板枚数毎、あるいは所定ロット数毎などで行うことができる。
【0060】
以上説明したように、画像データを画像処理するためのアライメントパラメータと画像データの画像処理結果とを表示する表示装置17を設けたので、アライメントエラーが発生した際にも、表示装置17の表示情報を参照することで最適なアライメントパラメータを短時間のうちに再設定できる。
【0061】
また、表示装置17は、アライメントマークの特徴を分析した分析結果を画像データに合成して表示するので、マークの線幅や像コントラスト情報などを円滑に把握することができる。また、設定装置15で設定したアライメントパラメータと感光基板Pのレイヤ情報とを記憶する記憶装置16を設けたので、記憶装置16に記憶してあるこれらレイヤ情報を表示装置17で表示することにより、そのレイヤ(感光基板P)に最適なパラメータを円滑に選択することができる。
【0062】
表示装置17は、アライメントエラーが生じた際に、設定装置15で設定したアライメントパラメータとエラー情報とを同時に表示するので、この表示された情報に基づいて、オペレータあるいは制御装置CONTにより最適なアライメントパラメータの再設定を短時間のうちに円滑に行うことができる。更に、表示装置17は、記憶装置16に記憶されているアライメントパラメータの過去の設定情報を表示するので、この表示された過去の設定情報を参照用パラメータとし、参照用パラメータを参照することによりアライメントパラメータの再設定・更新を円滑に行うことができる。
【0063】
画像処理する際、例えば感光基板PやマスクMに付着しているゴミを検出してしまい、このゴミをアライメントマークとして誤認識した状態でアライメント処理及び露光処理が進行する場合が考えられる。この場合、パターンの位置ずれが生じるが、現像処理工程の後の検査工程においてパターン形状をパターン形状計測装置で計測するまでは、パターンの位置ずれが認識できないという不具合が発生する。しかしながら、撮像装置13で撮像した画像データを表示装置17で表示するようにしたので、画像処理段階でゴミの付着を認識することができ、その後の工程を円滑に行うことができる。
【0064】
なお、記憶装置16に記憶される感光基板Pに転写されたパターンに関する基板情報に、露光処理及び現像処理を施された後の感光基板Pのパターン精度(形状精度、線幅精度)に関する情報を含ませることもできる。パターン精度は、感光基板Pのパターン形状を計測可能なパターン形状計測装置により計測される。そして、表示装置17は、アライメントエラー時において過去のアライメントパラメータやレイヤ情報とともにパターン精度計測データを表示可能である。アライメントパラメータを再設定する際、パターン精度計測データを参照することにより、より一層最適なアライメントパラメータを設定できる。
【0065】
図13(a)に示すように、アライメント装置ALと、画像処理装置14、設定装置15、及び表示装置17とをネットワーク(電気通信回線)NWを介して接続するようにしてもよい。画像処理する際には、画像処理装置14がアライメント装置ALに付随する記憶装置16に記憶されているアライメントパラメータや画像データ、あるいはレイヤ情報にアクセスし、画像処理する。また、画像処理装置14で処理された結果や設定されたアライメントパラメータはネットワークNWを介してアライメント装置ALにフィードバックされる。
更に、図13(b)に示すように、複数台のアライメント装置AL(露光装置EX)をネットワークNWで接続し、それぞれのアライメント装置ALにおける画像データ、アライメントパラメータ、及びレイヤ情報を、1つの記憶装置16を介して複数台のアライメント装置ALで共有するようにしてもよい。
【0066】
なお、上記実施形態では、投影光学系PLとは別のアライメント光学系12を設け、基板アライメントマークPAをアライメント光学系12を介して撮像するように説明したが、基板アライメントマークPAを投影光学系PLを介して撮像するようにしてもよい。
【0067】
また、アライメント光学系2つ設けたものを示したが、3つ又は領域の4隅にそれぞれ位置するように4つ設けるようにしてもよい。また、アライメント光学系を移動しなくても、感光基板Pを相対的に移動してアライメントマークを検出するようにしてもよい。
【0068】
なお、上記実施形態では、複数のアライメント光学系12に対応して、アライメント用光源11Aをそれぞれ有する送光部11も複数設けられている構成であるが、アライメント用光源を1つとし、光ファイバなどのライトガイドで1つのアライメント用光源から射出したアライメント光を分岐し、分岐した光を複数のアライメント光学系12のそれぞれに入射する構成でもよい。
【0069】
なお、上記実施形態では、主にマスクと感光基板(プレート)とをアライメントするものについて説明したが、これに限らず、マスクのみ、感光基板のみのアライメントの際にも適用できることはいうまでもない。
【0070】
上記実施形態の露光装置EXとして、マスクMと感光性基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを露光する走査型の露光装置の他に、マスクMと感光性基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを露光し、感光性基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置に適用することもできる。
【0071】
露光装置EXの用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【0072】
本実施形態の露光装置EXの光源1にはハロゲンランプのみならず、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)を用いることもできる。
【0073】
投影光学系PLの倍率は、等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。
【0074】
投影光学系PLとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。
【0075】
基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【0076】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設ければよい。
【0077】
基板ステージPSTの移動により発生する反力は、特開平8−166475号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【0078】
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、特開平8−330224号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【0079】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0080】
半導体デバイスは、図14に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
【0081】
【発明の効果】
以上説明したように、画像データを画像処理するためのパラメータと画像データの画像処理結果とを表示する表示装置を設けたので、アライメントエラーが発生した際にも、表示装置の表示情報を参照することで最適なアライメントパラメータを短時間のうちに再設定できる。したがって、円滑で効率良いアライメント処理を実行できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のアライメント装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図2】アライメントマークを有するマスク及び基板を説明するための図である。
【図3】アライメント装置を上方から見た図である。
【図4】撮像装置の出力結果の一例を示す図であって、(a)はアライメントマークの画像データを示す図、(b)は信号波形を示す図である。
【図5】記憶装置に記憶されているデータの一例を示す模式図である。
【図6】本発明のアライメント装置によるアライメント方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図7】表示装置の表示結果の一例を示す図である。
【図8】表示装置の表示結果の一例を示す図である。
【図9】表示装置の表示結果の一例を示す図である。
【図10】表示装置の表示結果の一例を示す図である。
【図11】本発明のアライメント装置によるアライメント方法の他の実施形態を示すフローチャート図である。
【図12】表示装置の表示結果の一例を示す図である。
【図13】本発明のアライメント装置の他の実施例を示す図である。
【図14】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図15】従来のアライメント装置を備えた露光装置を示す図である。
【図16】従来の撮像装置の出力結果を示す図である。
【符号の説明】
11 送光部
12 アライメント光学系
13 撮像装置
14 画像処理装置
15 設定装置(設定手段)
16 記憶装置(記憶手段)
17 表示装置
AL アライメント装置
CONT 制御装置(設定手段)
EX 露光装置
M マスク(基板)
MA マスクアライメントマーク(マーク)
P 感光基板(基板)
PA 基板アライメントマーク(マーク)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an alignment device for aligning a substrate provided with an alignment mark at a predetermined position.
[0002]
[Prior art]
Microdevices such as semiconductor elements and liquid crystal display elements are manufactured by repeating a plurality of process processes such as a film forming process, an exposure process, and an etching process, and laminating a plurality of patterns on a substrate (photosensitive substrate). In the exposure process, since it is necessary to accurately overlay the image of the pattern to be laminated next on the pattern already formed on the substrate, the shot region on the substrate and the mask having the pattern of the next layer are required. An alignment (positioning) process is performed. As a conventional alignment processing method, there is an alignment processing method using image processing. In this method, an image of a mask alignment mark formed on a mask and a substrate alignment mark formed on a photosensitive substrate are taken by an image pickup device (CCD), and image data of these marks is processed to obtain position information of the marks. Is obtained, and the mask and the photosensitive substrate are aligned based on the obtained result.
[0003]
FIG. 15 is a view showing an example of an exposure apparatus EXJ provided with a conventional alignment apparatus ALJ. As shown in FIG. 15, an alignment apparatus ALJ includes a light transmitting
[0004]
FIG. 16A is a schematic diagram illustrating an image of the mask alignment mark MA and the substrate alignment mark PA captured by the
[0005]
By the way, the imaging state of a mark tends to change depending on the material of the mark and the shape of the mark. For example, even if the mark has the same shape, if the light reflectance changes due to the material forming the mark or the characteristics of the photosensitive agent applied on the substrate, the image pickup state of the mark (the line width, interval, Or the image contrast of the mark) may change. Further, the imaging state of the mark may change due to the processing. In this case, even if the mark is captured by the
[0006]
Further, for example, there is a case where dust or the like adheres to the photosensitive substrate P or the mask M and noise is added to the signal waveform VHx, and the imaged mark is recognized as an abnormal mark. In this case as well, FIG. As shown, a threshold (contrast threshold) Th relating to image contrast (signal waveform VHx) is set in advance, a signal (noise component) below the threshold is cut off, and a signal waveform component above the threshold is used as mark image data. Image processing (alignment processing).
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional alignment apparatus described above has the following problems.
An alignment error occurs when the mark line width exceeds the allowable value L2 or the noise signal included in the signal waveform VHx exceeds the threshold value Th even though the mark is captured by the
[0008]
Conventionally, in order to reset the alignment parameter, a condition (alignment parameter) at which the operator causes an alignment error is examined based on the mark image data stored in advance when the alignment error occurs and the alignment parameter at this time.・ Analyze and reset the alignment parameters.
[0009]
As described above, conventionally, when resetting the alignment parameters, the labor and time for examination and analysis by the operator based on the stored data are required. Furthermore, since the study and analysis work was performed by an analysis computer separate from the exposure apparatus (image processing apparatus), it took time to feed back the analysis results to the exposure apparatus, and the optimal alignment parameters were determined in a short time. It was difficult to reset it at home.
[0010]
The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide an alignment apparatus that can easily reset an optimal alignment parameter in a short time when an alignment error occurs.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, the present invention employs the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 14 shown in the embodiment.
An alignment apparatus (AL) of the present invention is an alignment apparatus for aligning a substrate (P, M) provided with a mark (PA, MA) at a predetermined position. ), Setting means (15) for setting parameters for image processing of image data of the marks (PA, MA) picked up by the image pickup device (13), and marks (PA) based on the parameters set by the setting means (15). , MA), and a display device (17) for displaying the parameters set by the setting means (15) and the result of the image processing by the image processing device (14). Features.
[0012]
According to the present invention, a display device for displaying a parameter for performing image processing of image data and an image processing result of the image data is provided. Therefore, even when an alignment error occurs, the display information of the display device is referred to. Thus, the optimal alignment parameters can be reset in a short time.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the alignment apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus EX provided with an alignment apparatus AL of the present invention.
In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes a mask stage MST that supports a mask M, a substrate stage PST that supports a photosensitive substrate P, and an illumination optical system that illuminates the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL. Alignment (alignment) between IL, projection optical system PL that projects an image of the pattern of mask M illuminated by exposure light EL onto photosensitive substrate P supported on substrate stage PST, and mask M and photosensitive substrate P And an alignment device AL. In this embodiment, the photosensitive substrate P is formed by applying a photoresist (photosensitive agent) to a glass plate.
In the following description, the optical axis direction of the projection optical system PL of the exposure apparatus EX is defined as a Z-axis direction, and a direction orthogonal to the Z-axis direction in a horizontal plane is orthogonal to the X-axis direction, the X-axis direction, and the Z-axis direction. The direction of the movement is defined as the Y-axis direction. The rotation directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are defined as θX direction, θY direction, and θZ direction.
[0014]
The illumination optical system IL includes an exposure light source 1, an elliptical mirror 2 for condensing a light beam emitted from the light source 1, and an optical unit IU including a plurality of optical elements. The light beam emitted from the light source 1 is deflected by the first deflecting mirror 3a of the illumination optical system IL and enters the optical unit IU. The optical unit IU includes an input lens that converts a light beam emitted from the light source 1, collected by the elliptical mirror 2, and deflected by the first deflecting mirror 3a into a substantially parallel light beam. It consists of a plurality of optical elements such as an optical integrator that adjusts to a light flux and converts it to exposure light EL, a condenser lens system that condenses the exposure light EL from the optical integrator and illuminates the mask M with uniform illuminance, and a relay lens system. Have been. The exposure light EL from the optical unit IU illuminates the mask M after being deflected by the
[0015]
The mask stage MST has a mask holder provided with a vacuum suction unit that holds the mask M by vacuum suction, and the mask M is held by the mask holder. The mask stage MST (mask holder) has an opening corresponding to the pattern formation region of the mask M, and can be moved in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the θZ direction by the mask stage driving unit MSTD. The drive of the mask stage drive section MSTD is controlled by the control device CONT.
[0016]
The position of the mask stage MST in the X-axis and Y-axis directions is detected by a laser interference system. The laser interference system includes a Y-moving
[0017]
The exposure apparatus EX is provided movably above a mask stage MST (mask holder), and includes a mask changer 7 for loading and unloading the mask M with respect to the mask stage MST. The mask M to be mounted on the mask changer 7 is stored in a mask library (not shown), and the mask M of the mask library is mounted on the mask changer 7 by a transfer device (not shown). Here, in the present embodiment, since the circuit patterns of a plurality of layers (layers) are formed on the photosensitive substrate P so as to overlap each other, the circuit patterns corresponding to the respective layers (layers) are formed on the mask changer 7. Is mounted. The exposing apparatus EX exposes each of the patterns on the photosensitive substrate P while exchanging the masks M.
[0018]
The exposure light EL illuminating the mask M enters the projection optical system PL. The projection optical system PL forms an image of a pattern existing in an illumination area of the mask M by the exposure light EL on the photosensitive substrate P, and projects and exposes the pattern image on a specific area (projection area) of the photosensitive substrate P. It is. The exposure light EL transmitted through the projection optical system PL forms an image of a pattern corresponding to the illumination area of the mask M on a projection area on the photosensitive substrate P held on the substrate stage PST. The pattern of the mask M in the illumination area is transferred to the photosensitive substrate P with predetermined image forming characteristics.
[0019]
The substrate stage PST has a substrate holder provided with a vacuum suction unit for holding the photosensitive substrate P by vacuum suction, and the photosensitive substrate P is held by the substrate holder. The substrate stage PST is provided movably in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions by a substrate stage driving unit PSTD. Further, the substrate stage PST is provided so as to be movable in the θZ direction and also movable in the θX and θY directions. When the substrate stage PST supports the photosensitive substrate P, the position includes the leveling adjustment of the photosensitive substrate P. Adjustment is possible.
[0020]
The position of the substrate stage PST in the X-axis and Y-axis directions is detected by a laser interference system. The laser interference system includes a Y-moving
[0021]
Next, an alignment apparatus AL that performs alignment between the mask M and the photosensitive substrate P will be described.
As shown in FIG. 1, the alignment apparatus AL irradiates a mask alignment mark MA of a mask M supported by a mask stage MST with a detection light for alignment (alignment light) 11 via a
[0022]
The alignment apparatus AL detects a mask alignment mark MA provided on the mask M and a substrate alignment mark PA provided on the photosensitive substrate P, and aligns the mask M with the photosensitive substrate P. As shown in FIG. 2A, the mask alignment marks MA have a cross shape and are provided at four corners of the mask M, respectively. As shown in FIG. 2B, the substrate alignment mark PA has a shape formed by combining four L-shapes, has a cross-shaped transmission portion at the center, and is provided at eight positions on the peripheral edge of the photosensitive substrate P. Each is provided. The positions and numbers of the mask alignment marks MA and the substrate alignment marks PA are not limited to those shown in FIG. 2 and can be changed as appropriate.
[0023]
Returning to FIG. 1, the
[0024]
The
[0025]
FIG. 3 is a view of the alignment device AL including the alignment
[0026]
FIG. 4A is a schematic diagram illustrating image signals of the mask alignment mark MA and the substrate alignment mark PA captured by the
[0027]
Here, as shown in FIG. 2, the substrate alignment mark PA is formed at a predetermined position in association with each of several representative patterns (shot areas) provided on the photosensitive substrate P. . The alignment apparatus AL detects the position information of these substrate alignment marks PA, performs statistical processing (EGA processing) on the obtained position information, and performs all the patterns (shot areas) set on the photosensitive substrate P. Find the position of Then, based on the obtained position information and the ideal position (ideal lattice), a correction amount relating to image characteristics such as pattern shift, scaling, and rotation is obtained. When performing the exposure processing, the control device CONT corrects the image characteristics of the projection optical system PL and the position of the mask stage MST and the substrate stage PST based on the correction amount obtained by the alignment device AL, and exposes the mask M. The light is illuminated with light EL, and the pattern formed on the mask M is exposed on the photosensitive substrate P via the projection optical system PL.
[0028]
The setting device (setting device) 15 sets alignment parameters for performing image processing on the image data of the alignment marks MA and PA captured by the
If the imaging state of the mark (such as the line width and interval of the imaged mark, or the image contrast of the mark) changes due to the material forming the mark, the shape of the mark, or the process, the mark is captured by the
[0029]
The alignment process is performed each time the pattern of the mask M is exposed on the photosensitive substrate P. At this time, the image data of the alignment marks MA and PA and the alignment parameters set at this time are stored in the
[0030]
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of a plurality of pieces of storage data related to an alignment process such as alignment mark image data and alignment parameters stored in the
[0031]
Here, in the following description, each piece of information such as the process information, the substrate information, the mask information, and the processing information stored for each layer is collectively referred to as “layer information” as appropriate.
Therefore, the
[0032]
Further, the stored data stored in the
[0033]
The image data, the alignment parameters, and the layer information are not stored in the
[0034]
Next, a method of aligning the mask M and the photosensitive substrate P using the alignment apparatus AL having the above-described configuration will be described with reference to the flowchart of FIG.
When performing the alignment process by the alignment device AL, first, the control device CONT sets the irradiation condition of the alignment light from the light transmitting unit 11 (step S1).
The control device CONT refers to the data on the past alignment processing stored in the
Here, the
[0035]
Next, the control device CONT emits alignment light having a predetermined light amount (illuminance) and wavelength (color) from the
[0036]
The
The
[0037]
The
That is, for example, when the contrast of the image data is low and the edge portion of the mark cannot be determined, image processing cannot be performed. Alternatively, image processing cannot be performed even when the shape of the alignment mark is abnormal. Further, even when the alignment mark does not exist in the measurement area of the
[0038]
If it is determined in step S4 that the image processing cannot be performed, the control device CONT causes the
[0039]
When it is determined that the image processing cannot be performed due to insufficient contrast of the image data, the control device CONT resets the irradiation condition of the alignment light (step S11).
For example, when the light amount from the
[0040]
Here, when selecting the light
When changing the light amount of the alignment light from the
[0041]
When a color filter or the like is manufactured, a color resist in which a dye is contained in a photoresist is used. However, depending on the wavelength range of the alignment light irradiated by the
[0042]
Here, when selecting the
[0043]
As described above, the control device (setting means) CONT controls the light amount of the alignment light and the light amount of the alignment light in accordance with the mark condition such as the material and shape of the alignment mark of the photosensitive substrate P or the substrate condition such as the material and color of the photoresist. Illumination conditions such as wavelength can be changed. Then, the control unit CONT sets the past setting information of the illumination condition and the error information at this time (for example, information indicating the cause of the error such as an error due to the light quantity being too low or an error due to an inappropriate wavelength). ) Can automatically change and set the lighting conditions.
[0044]
Although the control unit CONT automatically selects the filter here, when an error occurs, it matches the current layer condition (used filter, resist color, etc.) or similar past conditions. A plurality of layer conditions may be displayed on the
[0045]
Then, after resetting the illumination condition of the alignment light in step S11, the processing in steps S2 and S3 is performed. If the reset illumination condition again causes an error in step S4, the control device CONT sets the alignment light The illumination condition is automatically changed and set again based on the past setting information of the irradiation condition and error information at this time.
[0046]
If it is determined that image processing cannot be performed because the shape of the alignment mark is abnormal, for example, the control device CONT determines that the alignment mark itself formed on the photosensitive substrate P (or the mask M) is abnormal. Then, the photosensitive substrate P (or the mask M) is replaced.
Alternatively, when the alignment mark does not exist in the measurement area of the
[0047]
On the other hand, if it is determined in step S4 that image processing is possible, the setting
Here, from among the stored data stored in the
Here, a past alignment mark (mark information) matching (or similar to) the captured alignment mark is obtained, and an alignment parameter corresponding to the past alignment mark is set as an alignment parameter used in the current alignment processing. However, a past process condition (layer information) that matches (or is similar to) the current process condition is obtained, and an alignment parameter corresponding to the process condition is set as an alignment parameter used in the current alignment process. Is also good.
[0048]
The
[0049]
The
[0050]
The
At this time, the
Here, each of the alignment marks MA and PA is located at the position x where the signal waveform (image luminance) changes, as described with reference to FIG. 1 ~ X 10 have. Position x where the luminance changes 1 ~ X 10 In FIG. 4B, the polarity of the signal waveform VHx changes as shown in FIG. The
[0051]
The
[0052]
If it is determined in step S9 that the mark detection has been performed normally without an alignment error, the
[0053]
On the other hand, in step S9, if the processing result of the image processing of the mark results in an alignment error, the
That is, the control device CONT displays the image data, the layer information, and the alignment parameters (the allowable value L2 and the threshold Th) on the
Here, when an alignment error occurs, the alignment error is caused by the alignment parameters (allowable value L2 and threshold value Th) being too severe, and only makes subsequent alignment processing impossible. Can perform image processing on image data. Therefore, the
[0054]
Further, when an alignment error occurs, the
This past alignment parameter, that is, the past setting information of the alignment parameter, matches the alignment mark (layer) that is the current alignment processing target from among the alignment parameters in the storage data stored in the
[0055]
The
Here, the setting
[0056]
One cause of the alignment error is that the set value of the alignment parameter is too strict. Therefore, when resetting the alignment parameter, specifically, the allowable value L2 and the threshold Th are set to be large (loose). Thus, the image data of the alignment mark is normally processed by the
[0057]
FIG. 11 shows another flowchart. The difference from the flowchart shown in FIG. 6 is that the alignment parameters and the alignment light irradiation conditions are reset when an error occurs after the image of the mark is taken and image processing is performed. In step S15 of FIG. 11, it is determined whether the cause of the alignment error is only the parameter setting or the alignment light irradiation condition (step S15).
If resetting of the alignment light irradiation condition is necessary, the resetting is performed, and the mark is imaged by changing the light amount, wavelength, position of irradiation and imaging, and the like of the alignment light. As a result, appropriate alignment processing can be performed.
[0058]
Here, the setting
[0059]
Then, when the alignment parameters are reset, the process proceeds to step S6. Then, the processing of steps S7 and S8 is performed, and it is determined in step S9 whether an alignment error has occurred again. Here, when an alignment error occurs, the setting
[0060]
As described above, since the
[0061]
In addition, the
[0062]
When an alignment error occurs, the
[0063]
When performing image processing, for example, dust adhering to the photosensitive substrate P or the mask M may be detected, and the alignment process and the exposure process may proceed in a state where the dust is erroneously recognized as an alignment mark. In this case, a pattern displacement occurs, but a problem occurs that the pattern displacement cannot be recognized until the pattern shape is measured by the pattern shape measuring device in the inspection step after the development processing step. However, since the image data picked up by the
[0064]
In addition, the substrate information on the pattern transferred to the photosensitive substrate P stored in the
[0065]
As shown in FIG. 13A, the alignment device AL, the
Further, as shown in FIG. 13B, a plurality of alignment apparatuses AL (exposure apparatuses EX) are connected by a network NW, and the image data, alignment parameters, and layer information in each alignment apparatus AL are stored in one storage unit. A plurality of alignment devices AL may be shared via the
[0066]
In the above embodiment, the alignment
[0067]
Although two alignment optical systems are provided, three or four alignment optical systems may be provided so as to be located at four corners of the region. Further, the alignment marks may be detected by relatively moving the photosensitive substrate P without moving the alignment optical system.
[0068]
In the above embodiment, a plurality of light transmitting
[0069]
Note that, in the above-described embodiment, a description has been given mainly of an arrangement in which a mask and a photosensitive substrate (plate) are aligned. .
[0070]
As the exposure apparatus EX of the above embodiment, in addition to the scanning type exposure apparatus that exposes the pattern of the mask M by synchronously moving the mask M and the photosensitive substrate P, the mask M and the photosensitive substrate P are kept stationary. , The pattern of the mask M is exposed, and the photosensitive substrate P can be sequentially moved stepwise to apply to a step-and-repeat type exposure apparatus.
[0071]
The application of the exposure apparatus EX is not limited to a liquid crystal exposure apparatus that exposes a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, but may be, for example, an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor or a thin film magnetic head. It can be widely applied to an exposure apparatus.
[0072]
The light source 1 of the exposure apparatus EX of this embodiment includes not only a halogen lamp but also a KrF excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), 2 A laser (157 nm) can also be used.
[0073]
The magnification of the projection optical system PL may be not only an equal magnification system but also a reduction system or an enlargement system.
[0074]
When far ultraviolet rays such as an excimer laser are used as the projection optical system PL, a material that transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as the glass material, and F 2 When a laser or X-ray is used, a catadioptric or refractive optical system is used.
[0075]
When a linear motor is used for the substrate stage PST or the mask stage MST, any of an air levitation type using an air bearing and a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. Further, the stage may be of a type that moves along a guide, or may be a guideless type in which a guide is not provided.
[0076]
When a plane motor is used as a stage driving device, one of a magnet unit (permanent magnet) and an armature unit is connected to the stage, and the other of the magnet unit and the armature unit is connected to the stage moving surface side (base). May be provided.
[0077]
The reaction force generated by the movement of the substrate stage PST may be mechanically released to the floor (ground) by using a frame member as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-166475. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.
[0078]
The reaction force generated by the movement of the mask stage MST may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member as described in JP-A-8-330224. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.
[0079]
As described above, the exposure apparatus according to the embodiment of the present application allows various subsystems including each component listed in the claims of the present application to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy, It is manufactured by assembling. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electric systems to ensure these various accuracy Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems includes mechanical connection, wiring connection of an electric circuit, and piping connection of a pneumatic circuit between the various subsystems. It goes without saying that there is an assembling process for each subsystem before the assembling process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the exposure apparatus be manufactured in a clean room in which the temperature, the degree of cleanliness, and the like are controlled.
[0080]
As shown in FIG. 14, in the semiconductor device, a
[0081]
【The invention's effect】
As described above, since the display device for displaying the parameters for image processing of the image data and the image processing result of the image data is provided, even when an alignment error occurs, the display information of the display device is referred to. Thus, the optimal alignment parameters can be reset in a short time. Therefore, a smooth and efficient alignment process can be performed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus provided with an alignment apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining a mask and a substrate having an alignment mark.
FIG. 3 is a view of the alignment device as viewed from above.
4A and 4B are diagrams illustrating an example of an output result of the imaging apparatus, wherein FIG. 4A is a diagram illustrating image data of an alignment mark, and FIG. 4B is a diagram illustrating a signal waveform.
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of data stored in a storage device.
FIG. 6 is a flowchart illustrating an embodiment of an alignment method using the alignment apparatus of the present invention.
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a display result of the display device.
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a display result of the display device.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a display result of the display device.
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a display result of the display device.
FIG. 11 is a flowchart illustrating another embodiment of the alignment method using the alignment apparatus of the present invention.
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a display result of the display device.
FIG. 13 is a view showing another embodiment of the alignment apparatus of the present invention.
FIG. 14 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing process of a semiconductor device.
FIG. 15 is a view showing an exposure apparatus provided with a conventional alignment apparatus.
FIG. 16 is a diagram illustrating an output result of a conventional imaging device.
[Explanation of symbols]
11 Light transmission unit
12 Alignment optical system
13 Imaging device
14 Image processing device
15 Setting device (setting means)
16 Storage device (storage means)
17 Display device
AL alignment device
CONT control device (setting means)
EX exposure equipment
M mask (substrate)
MA Mask alignment mark (mark)
P Photosensitive substrate (substrate)
PA substrate alignment mark (mark)
Claims (9)
前記マークを撮像する撮像装置と、
前記撮像装置で撮像した前記マークの画像データを画像処理するパラメータを設定する設定手段と、
前記設定手段で設定したパラメータに基づいて前記マークを画像処理する画像処理装置と、
前記設定手段で設定したパラメータと前記画像処理装置で画像処理した結果とを表示する表示装置とを備えることを特徴とするアライメント装置。In an alignment apparatus for aligning a substrate with a mark at a predetermined position,
An imaging device for imaging the mark,
Setting means for setting parameters for performing image processing on the image data of the mark imaged by the imaging device;
An image processing apparatus that performs image processing on the mark based on parameters set by the setting unit;
An alignment device, comprising: a display device for displaying parameters set by the setting means and a result of image processing by the image processing device.
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