JP2003536084A - 電子ビームによって誘導されるｘ線微量分析を使用した薄膜の厚さ測定 - Google Patents

電子ビームによって誘導されるｘ線微量分析を使用した薄膜の厚さ測定

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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 薄膜スタックを含む半導体素子からＸ線を放射させるビーム発生器４００を備えたＸ線微量分析システムが提供される。荷電粒子ビームは、半導体素子上の薄膜スタック３３０のうちの少なくとも２枚の層を貫くことによって、これらの層をテストして良い。Ｘ線は、特定のエネルギレベルを有したＸ線光子を検出する複数のＸ線検出器５００を使用して検出される。Ｘ線は、次いで、半導体素子の特性を分析するために使用される。複数のＸ線検出器５００のそれぞれは、波長分散型システム（ＷＤＳ）の検出器であって良い。本発明は、また、半導体素子上の薄膜スタック特性を測定するための方法を提供する。この測定方法は、電子ビームを半導体素子に向けて方向付けることによって、電子ビームが少なくとも１枚の導体薄膜層と１枚の裏打ち層とを貫くようにする動作と、特定のエネルギレベルを有したＸ線光子を検出する複数のＸ線検出器を使用して、半導体素子から放射されるＸ線を検出する動作と、を含む。本発明は、また、本発明による試験システムによって収集されたデータを使用して薄膜スタックの特性を決定する方法およびコンピュータ可読媒体を提供する。方法およびコンピュータ読み取り可能媒体は、薄膜スタック特性を推定した１組の値を選択すること、薄膜スタックをモデル化した方程式を推定値を使用して解くことによって、予測データを生成すること、予測データと生データとの差が一定の許容誤差より大きい場合に、新しく１組の薄膜スタック推定特性値を選択すること、を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、Ｘ線微量分析に関し、特に、Ｘ線分析を適用して半導体素
子上の薄膜スタックを測定することに関する。
【０００２】
【発明の背景】
一般に、半導体製造業は、半導体材料の中に回路を集積させる非常に複雑な技
術を含んでいる。回路集積の大規模化および半導体素子の小型化が原因で、半導
体の製造工程は、プロセス欠陥を生じやすい傾向がある。したがって、品質管理
を維持するためには、テスト手続きが重要である。このテスト手続きは、製造工
程の重要な部分を占める不可欠な手続きであるので、半導体産業は、より正確で
且つより効率的なテスト手続きを、常に求め続けている。
【０００３】 半導体製造の重要な特徴の１つは、複数の導体層および裏打ち層が形成される
点にある。各導体層は、電子信号が半導体素子の中を伝わる経路である金属トレ
ースを含んでいる。各導体層は、誘電材料層および裏打ち層によって、それぞれ
隔てられる。誘電材料層は、通常は二酸化ケイ素であり、導体層間を電気的に絶
縁する。各導体層の一部は、「プラグ」と称される電気経路によって、他の導体
層の一部に接続されている。裏打ち層は、各導体層と各誘電材料層との間に形成
されており、導体材料が誘電材料層の中に拡散するのを阻止する。裏打ち層は、
下層である誘電体の中に導体層が拡散し、隣接する導体層との間で短絡を生じる
のを阻止する。このような短絡の発生は、当然ながら、半導体の性能にとって好
ましくないことが多い。特に、半導体素子で使用される一般的な導体材料である
銅は、非常に勢いよく二酸化シリコンの中に拡散する。導体層および裏打ち層の
厚さと組成とは、極めて狭い誤差範囲で形成されなくてはならない。したがって
、これらの層の特性をテストできるシステムが、非常に重要である。
【０００４】 薄膜スタック特性を測定する現行の方法としては、４点プローブ試験システム
、過電流試験、蛍光Ｘ線試験、光誘導表面弾性波試験、ならびに１つのエネルギ
分散型検出器（ＥＤＳ）および／または１つの波長分散型検出器（ＷＤＳ）を使
用したＸ線顕微鏡検査技術が含まれる。
【０００５】 これらの方法は、あいにく、有用性を制約するデメリットをそれぞれが有する
。例えば、４点プローブ試験システムは、試料の破壊を要する。過電流試験は、
薄膜スタックの厚さを分析することが困難であり、また、半導体素子上の対象領
域よりも大きいスポットサイズを有する。また、蛍光Ｘ線試験も、大きいスポッ
トサイズによって制約される。蛍光Ｘ線は、薄膜スタックの様々な厚さを識別す
ることが困難であるので、測定結果は一般に不正確であり、時間も長くかかる。
生産量の最大化という目標を達成するためには、増大する製造速度に試験速度の
足並みを揃えさせる必要がある。光によって誘導される表面弾性波方法は、銅層
すなわち半導体で一般に使用される導体である銅の厚さを分析することが困難で
あるという、具体的な問題を抱えている。これらの具体的な問題に加えて、上述
した方法は、一般に、複数の層を有した薄膜スタックの特性を正確に測定するこ
とができない。
【０００６】 ＥＤＳシステムは、Ｗｏｏｄらによる米国特許第４，６７５，８８９号に記載
されており、本文献は、引用によって本明細書に組み込まれるものとする。ＥＤ
Ｓシステムは、一般に、広いエネルギ範囲に渡ってＸ線光子を収集し、カウント
することができる。特定のエネルギレベルにある光子数のピークは、材料ごとに
異なるものと予想される。ＥＤＳシステムは、１枚の薄膜を測定するには十分で
あるが、複数枚の薄膜（例えば導体層およびその下層である裏打ち層）を測定す
る場合は上手く機能しない。ＥＤＳシステムは、関連の信号対雑音比が比較的小
さいので、正確に測定されないまたは全く検出されないピークが、一部または全
部存在する。例えば、ある特定の材料のときのＸ線光子の数が、互いに少量だけ
隔てられた２つのエネルギレベルにおいてピークを有すると予想される場合は、
これら２つのピークは、これらの両ピークのエネルギレベルを含んだ１つのエネ
ルギ範囲内に集められることが多い。また、ピークの１つが他のピークよりも大
幅に小さい場合は、大きいピークのみが検出される。ＷＤＳ検出器を利用したシ
ステムは、特定のエネルギレベルを有したＸ線光子を検出する。ＷＤＳシステム
の欠点は、検出したいＸ線光子のエネルギレベルが異なるごとに、１つのＷＤＳ
検出器を再構成しなければならない点にある。この場合は、サンプルの種類ごと
に、そしてもし所望されるならば、各サンプルに固有な様々な放射レベルごとに
、ＷＤＳを再構成しなければならないので、集積回路の薄膜スタックの試験工程
が、低速化される。
【０００７】 現時点では、高精度且つ高スループット且つ小スポットサイズの非破壊的な方
法によってパターン半導体ウエハをテストできる満足な方法は、まだ存在しない
。半導体製造業において高生産量の目標を達成するためには、薄膜スタックをテ
ストできる上記特徴を有したシステムが、望ましいと考えられる。
【０００８】
【発明の概要】
したがって、本発明は、薄膜スタック内の１枚またはそれ以上の層の組成およ
び／または厚さを高い精度で効率的に測定することができる、非破壊的な半導体
試験システムを提供する。本発明は、概して、試験用のサンプルからＸ線放射を
誘導するメカニズムを含んでいる。試験用のサンプルは、導体層、絶縁層、およ
び裏打ち層など、複数の層を有して良い。具体的な一実施形態では、半導体素子
上の１枚またはそれ以上の薄膜からＸ線を放射させるために、荷電粒子線が使用
される。荷電粒子線は、薄膜スタックのうちの少なくとも２枚の薄膜層（例えば
１枚の導体層と１枚の裏打ち層）を貫くので、貫かれたこれらの層の中では、Ｘ
線が生成される。Ｘ線の少なくとも一部は、１つまたはそれ以上の特定のエネル
ギレベルを有したＸ線光子をそれぞれ検出する１つまたはそれ以上のＸ線検出器
を使用して検出される。Ｘ線は、次いで分析されて良く、貫かれた層の組成およ
び厚さなどの特性が決定される。
【０００９】 １実施形態では、集積回路上の薄膜スタック特性を測定するための装置が開示
される。この装置は、電子ビームを集積回路に向けて方向付けることによって、
電子ビームが集積回路の少なくとも導体薄膜層と裏打ち薄膜層とを貫くように構
成される、電子ビーム発生器を含む。電子ビームは、こうして、集積回路からＸ
線を放射させる。この装置は、さらに、集積回路上に配置され、集積回路から放
射されるＸ線の少なくとも一部を検出する、複数のＸ線検出器を含む。複数のＸ
線検出器は、それぞれ波長分散型システム（ＷＤＳ）検出器であることが好まし
い。この実施形態の精度は、比較的高い（すなわち０．５％である）ようである
。
【００１０】 本発明のもう１つの態様は、半導体素子上の薄膜スタック特性を測定するため
の方法に関する。電子ビームは、少なくとも導体薄膜層と裏打ち層とを貫くよう
に、半導体素子に向かって方向付けられる。素子から放射されるＸ線の少なくと
も一部は、特定のエネルギレベルを有したＸ線光子を検出する複数のＸ線検出器
によって検出される。好ましい１実施形態では、複数のＸ線検出器は、それぞれ
ＷＤＳ検出器である。各ＷＤＳの反射面は、所定のエネルギレベルにあるＸ線の
焦点が各ＷＤＳ内のセンサに合わせられるように配置される。つまり、各ＷＤＳ
は、特定のエネルギレベルにあるＸ線を検出するように構成される。さらに別の
態様では、検出されたＸ線から得られたデータが集められ、分析される。本発明
は、また、上述した方法を実施するためのコンピュータコードを含んだコンピュ
ータ読み取り可能媒体を提供する。
【００１１】 代替の方法の実施形態およびコンピュータ読み取り可能媒体の実施形態では、
薄膜スタックの少なくとも１つの属性が、その薄膜スタックに関連した生データ
（例えば、計測されたＸ線カウント数）を使用して決定される。１組の薄膜スタ
ック特性値（例えば導体層ならびに裏打ち層の厚さおよび／または組成）が選択
され、選択されたこの１組の薄膜スタック特性値は、薄膜スタックをモデル化し
た方程式を解いて予測データ（例えば１つまたはそれ以上の特定のエネルギレベ
ルにおけるＸ線の予測カウント数）を生成するために使用される。予測データと
生データとの差が、一定の許容誤差より大きい場合は、新しい１組の薄膜スタッ
ク特性値が選択される。予測データと生データとの差が、許容誤差より小さい場
合は、選択されたその組の特性値は、実際の特性値を十分正確に測定したものと
考えられる。具体的な１実施形態では、生データおよび予測データは、特定のエ
ネルギレベルにあるＸ線のカウント値を表しており、薄膜スタック特性値は、薄
膜スタック内の薄膜層の厚さおよび組成の値を表している。
【００１２】 本発明の原理を例示した添付図面との関連で行う以下の詳細な説明から、本発
明の上述したおよびその他の特徴および利点がさらに詳しく示される。
【００１３】 本発明および本発明のさらなる利点は、添付した図面との関連のもとで行われ
る以下の説明を参照することによって、最も良く理解される。
【００１４】 ［発明の詳細な説明］ 以下では、添付の図面に示したいくつかの具体的な実施形態を参照にしつつ、
本発明が詳細に説明される。以下の説明では、本発明の徹底的な理解を促すため
に、多くの項目を特定している。しかしながら、当業者には明らかなように、本
発明は、これらの項目の一部または全部を特定しなくても実施できる。そのほか
、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程の説明は省略
した。
【００１５】 Ｘ線顕微鏡検査は、概して、サンプルに関連した電磁スペクトルのＸ線領域を
分析し、そのサンプルに関する情報を得ることを含む。電磁スペクトルのＸ線領
域は、１．０×１０17Ｈｚから１．０×１０21Ｈｚの範囲の周波数を含む。Ｘ線
顕微鏡検査は、試料からＸ線光子を放射させるのに十分なエネルギを有した荷電
粒子を試料にぶつけることによって実施される。半導体素子の導体層の組成およ
び厚さは、１つまたはそれ以上のエネルギレベルにある放出光子をカウントする
ことによって決定して良い。材料の組成を決定できるのは、このような材料から
放出されるＸ線光子の具体的なエネルギレベルが、材料の組成に関連しているた
めである。例えば、導体層の厚さは、固有なエネルギ放出レベルの前後にあるＸ
線光子の数を積分することによって決定して良い。この積分値は、導体層の厚さ
に正比例する。金属層の実際の厚さは、次いで、測定される各材料に固有な校正
係数をカウントデータに加えることによって決定して良い。薄膜スタック内の層
の組成および厚さを決定するための手続きは、図７から図１０までを参照にしな
がら、以下でさらに説明される。
【００１６】 図１および図２Ａ，２Ｂは、Ｘ線光子が試料からどのように放射されるかを、
本発明の１実施形態にしたがって示している。図１は、試料１２の表面に衝突す
る電子などの荷電粒子１０を示している。荷電粒子は、試料１２の原子と衝突す
ることによって、試料１２からＸ線光子１４を放出させて良い。図２Ａ，２Ｂは
、この衝突を原子レベルで示している。図２Ａは、試料１２の原子１６を示して
いる。原子１６は、原子核１８を有し、異なる離散距離だけ離れた電子核にある
複数の電子２０によって、その周りを取り囲まれている。とある電子核は、その
電子核から電子を排除するために必要なエネルギと等しい結合エネルギレベルを
有する。電子核の結合エネルギレベルは、その電子核までの原子核からの距離に
反比例する。ある原子のうちで最も内側の電子核は、Ｋ核と称され、最も大きい
結合エネルギを関連付けられている。図２Ａでは、Ｋ核２４の中にＫ核電子２２
が配置されている。Ｋ核より外側の２つの核はＬ核およびＭ核であり、原子核１
８から最も遠いのはＭ核である。
【００１７】 図２Ａは、また、試料１２の中の原子１６に衝突する荷電粒子１０も示してい
る。粒子１０のエネルギレベルがＫ核２４の結合エネルギレベルより大きい場合
は、粒子１０の全エネルギが原子１６によって吸収され、Ｋ核２４の電子の１つ
が原子１６から放出される。図２Ａに示したように、Ｋ核の電子２２は、原子１
６による粒子１０の吸収後に原子１６から放出される。
【００１８】 Ｋ核２４に空位があると、原子１６は、エネルギ状態が高く不安定になる。最
も確実な安定化メカニズムは、結合エネルギレベルがより低い電子核の中に配置
された電子によって、Ｋ核２４の空位を満たすことである。図２Ｂに示したよう
に、Ｋ核２４の中の空位は、原子核１８からの距離がＫ核２４よりも遠いＬ核２
８の中のＬ核電子２６によって満たされて良い。Ｌ核の電子２６がＫ核２４の空
位を満たすとき、原子１６からは、エネルギ（ＮK−ＮL）とともにＸ線光子１４
が放出される。ここで、ＮKおよびＮLは、それぞれＫ核およびＬ核の結合エネル
ギである。Ｌ核２８の中に空位があるイオン化原子１６は、安定度が高くエネル
ギ状態も低い。
【００１９】 薄膜スタックからのＸ線の放出は、薄膜スタックの組成および厚さの値に依存
するので、上述されたＸ線放出理論は、薄膜スタック内の薄膜の組成および厚さ
を決定するために利用して良い。つまり、各材料には、それぞれの原子核構成が
関連付けられている。また、各核の結合エネルギレベルは、材料の種類によって
異なる。例えば、第１の材料は、第２の材料と異なるエネルギレベルのＸ線を放
出する。つまり、各材料には、Ｘ線の放出が予想されるＸ線エネルギピークがそ
れぞれ関連付けられている。したがって、未知の材料の組成は、その未知の材料
のＸ線エネルギピークを既知の材料のエネルギピークと比較することによって決
定して良い。一致した場合は、その未知の材料は、突き合わされた材料と同じ組
成を有するものと判断される。
【００２０】 図３は、電子ビームによって誘導されるＸ線微量分析システムを利用したシス
テムを、本発明の１実施形態にしたがって示している。図３に示されたシステム
は、荷電粒子線を試料３３０に向けて方向付けるビーム発生器４００を含んでい
る。このシステムの代表的なスポットサイズは、直径が約１０ミクロンである。
しかしながら、スポットサイズは、直径が１〜１００ミクロンの範囲に渡って良
い。試料３３０は、層の厚さおよび組成の測定が望まれる複数層の半導体ウエハ
である。Ｘ線検出器５００は、試料３３０から放出されたＸ線光子を集める目的
で、試料３３０の上方に配置されている。各Ｘ線検出器は、分析ユニット３２０
に結合されている。分析ユニット３２０は、Ｘ線検出器５００によって集められ
たデータを分析し、個々の層に関する有用な情報を生成するように構成可能であ
る。分析ユニット３２０は、ワークステーションなどの任意の適切な処理システ
ムまたは計算機システムの形態をとって良い。
【００２１】 ビーム発生器４００は、試料に向けて荷電粒子を方向付ける任意の適切な機器
であって良く、方向付けられた荷電粒子は、試験用のサンプルからＸ線を放射さ
せる。発生器４００は、集積回路上の薄膜スタックのうちの少なくとも２枚の層
を貫くのに十分なエネルギで、荷電粒子を発射させることができる。例えば、ビ
ーム発生器４００によって貫かれる薄膜スタックの２枚の層は、１枚の導体層と
１枚の裏打ち層とであって良い。粒子は、導体層および裏打ち層の実質全部を貫
いて、これらの層の幅全体からＸ線を放射させることが好ましい。その結果とし
て、貫かれた層の厚さ全体をもとにしたＸ線測定が実施される。例えば、ビーム
発生器４００は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の形態をとって良い。図４は、代表
的な走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を図示している。図示されたように、ＳＥＭシ
ステム４００は、電子ビーム４０１を生成し、試料４２４上の対象領域に向けて
電子ビーム４０１を実質的に方向付ける、電子ビーム発生器（４０２から４１６
まで）を含んでいる。また、ＳＥＭシステム４００は、試料４２４から放出され
た荷電粒子４０５（二次電子および／または後方散乱電子）を検出するように構
成された検出器４２６も含んでいる。
【００２２】 図に示したように、電子ビーム発生器は、電子源ユニット４０２と、アライメ
ント八極子４０６と、静電プレデフレクタ４０８と、可変アパチャ４１０と、ウ
ィーンフィルタ４１４と、対物磁気レンズ４１６と、を含んでいる。電子源ユニ
ット４０２は、電子を生成して放出させるのに適した任意の形態で実現して良い
。例えば、電子源ユニット４０２は、加熱されたフィラメントの形態をとること
によって、フィラメント内の電子を励起させ、励起された電子をフィラメントか
ら放出させて良い。八極子４０６は、特定のガンレンズ電圧が選択された後にビ
ームを調整するように構成される。つまり、ビームは、アパチャ４１０に対する
再調整のために、場合によっては移動させる必要がある。
【００２３】 アパチャ４１０は、ビームの方向付けを行うための穴を形成する。下方の四極
子４０８は、アライメントによる機械的な不具合を補正するために含まれて良い
。つまり、下方の四極子４０８は、ビームが通らなければならないＳＥＭの通り
穴のうちの任意の未調整の通り穴に対してビームアライメントを調整するために
使用される。対物磁気レンズ４１６は、ビームをサンプルに向けて加速するため
のメカニズムを提供する。最後に、ウィーンフィルタ４１４は、二次電子を検出
器４２６に向かって偏向させる。
【００２４】 試料すなわちサンプル３３０は、一定の測定が望まれる様々な形態をとって良
い。具体的に言うと、電子ビームによって誘導されるＸ線微量分析システムは、
半導体ウエハまたは磁気録音ヘッドなどの様々な薄膜素子の薄膜特性を測定する
ために使用して良い。図示された実施形態では、試料３３０は、半導体材料の基
板上に交互に形成された導体層３４０と、誘電体層３６０と、裏打ち層３５０と
を含んでいる。ウエハ３３０は、半導体素子内において素子（例えばトランジス
タおよびコンデンサ）同士を結合させる複数の導体層３４０を含んでいる。各導
体層３４０の一部は、一般に、「プラグ」３７０と称される接続経路を通じて、
隣接する導体層３４０の一部に結合される。導体層の厚さは、一般に、約１０，
０００オングストロームである。また、各導体層３４０は、誘電材料層３６０に
よって隔てられている。例として二酸化ケイ素が挙げられる誘電材料は、各導体
層３４０を電気的に絶縁することによって、望ましくない短絡が生じるのを阻止
する。製造工程が開始するとき、導体層の初期の厚さは、１，０００オングスト
ロームである。製造工程の最中に、材料が追加されて導体層を形成するので、導
体層の厚さは、約１０，０００オングストロームになる。試験システムの実現形
態によっては、導体層の初期および最終の厚さが測定される場合もある。
【００２５】 銅などの導体は、隣接する誘電体層３６０の中へと容易に拡散し得るので、導
体層３４０と誘電体層３６０との間には、薄い裏打ち層３５０が形成される。裏
打ち層３５０は、各導体層３４０が誘電体層の中に拡散し、隣接する導体層との
間で短絡を生じるのを阻止する。このような短絡は、半導体素子の適切な動作に
悪影響を及ぼす恐れがある。隣接する導体層の中への導体層の拡散を阻止するた
めには、任意の適切な裏打ち層を利用して良い。例えば、タンタルまたは窒化タ
ンタルの裏打ち層を使用して良い。裏打ち層は、３００オングストロームなどの
任意の適切な厚さを有して良い。導体層および裏打ち層の形成は、半導体素子の
動作に影響を及ぼすので、厳密にモニタされる。本発明による微量分析システム
は、半導体ウエハの少なくとも１枚の導体層３４０と少なくとも１枚の裏打ち層
３５０とを、有利に測定することができる。
【００２６】 特定のエネルギレベルにあるＸ線の測定は、任意の適切な検出器を利用して行
って良い。図５は、本発明の１実施形態にしたがって、波長分散型システム（Ｗ
ＤＳ）Ｘ線検出器を示した断面図である。各Ｘ線検出器５００は、アパチャ５３
５を有したハウジング５３０を含んでいる。ハウジングおよびアパチャは、好ま
しいが任意でもあるので、本発明による技術を実施するために必ずしも必要では
ない。電子ビーム５４５は、薄膜素子５５５（すなわち半導体ウエハ）上の焦点
５５０に向けて方向付けられる。電子ビーム５４５は、焦点５５０から光子５４
０を放射させる。アパチャ５３５は、限られた量の光子５４０を各検出器５００
に入射させる。検出器５００に入射する各光子は、経路に沿って凹状反射面５１
０に向かって進行する。反射面５１０は、一部の光子をセンサ５２０に向かって
方向付ける。反射面５１０の設計および配置は、特定のエネルギレベルを有した
光子のみがセンサ５２０に向かって方向付けられるようになされる。薄膜特性の
決定工程を促進するためには、ある材料に特有なエネルギレベルを有した光子の
みを方向付けるように、反射面５１０が配置されても良い。特定のエネルギレベ
ルを有した光子のみを検出することによって、検出器５００は、高い信号対雑音
比を得ることができる。なお、反射面は、センサに向けて光子を方向付けること
ができるブラッグ反射器またはクリスタルであって良い。
【００２７】 図６には、ＷＤＳ Ｘ線検出器５００’のもう１つの好ましい１実施形態の断
面が示されている。検出器５００’は、焦点５５０から放射される光子５４０を
獲得するコリメータ５６０を有しており、このコリメータ５６０は、自身の反射
面を介することによって、光子５４０を実質的に平行な複数の経路に沿って進行
させる。コリメータ５６０は、一般に、金属箔材料から形成される。光子５４０
は、次いで、実質的に平坦な反射面５６５で反射されるので、今度は、センサ５
２０に向かって複数の平行な経路に沿って進行する。検出器５００と同様に、検
出器５００’の中の反射面５６５もやはり、ブラッグ反射器またはクリスタルで
あって良い。
【００２８】 検出器５００，５００’の一般要素を含んだデバイスとして代表的なのは、波
長分散型システム（ＷＤＳ）である。複数のＷＤＳ検出器を利用することによっ
て、測定される試料の薄膜スタック中に存在すると予想される材料ごとに、１つ
またはそれ以上の光子ピークが検出されて良い。つまり、薄膜スタック内の１つ
またはそれ以上の材料に固有な放出レベルが測定されて良い。また、１つまたは
それ以上の個々の検出器が、各材料に固有な様々な放出レベルを検出するための
専用の検出器であっても良い。例えば、２つのＷＤＳ検出器が、銅材料に関連す
る２つのピークを検出するための専用の検出器であって良い。前述したように、
各材料は、Ｋ核、Ｌ核、またはＭ核からの電子の欠落が原因で放出される光子に
固有な複数の放出レベルを有する。複数のＷＤＳ検出器を使用することによって
、試験システムは、複数の薄膜層のそれぞれに関する情報を得ることができる。
【００２９】 もう１つのタイプの検出器であるエネルギ分散型システム（ＥＤＳ）は、広い
エネルギスペクトルに渡って光子を収集する。ＥＤＳは、より広範囲の信号を収
集することができる。したがって、ＥＤＳ検出器は、固有な光子エネルギの前後
のエネルギを有した光子も収集する。したがって、ＥＤＳ検出器の信号対雑音比
は小さくなる。
【００３０】 図示された実施形態の試験システムは、精度が０．５％未満の測定値を得るこ
とができる。また、電子ビームの電流が約１．０×１０-5アンペアまで増大した
ときには、薄膜スタックの厚さの測定は、２秒以内に行うことが可能である。し
たがって、この試験システムによって、スループット率の高い正確な試験が可能
になる。
【００３１】 図７は、半導体ウエハ上の薄膜スタック特性を測定する方法に関し、特定の１
実現形態を示したフローチャートである。先ず、動作６１０では、電子ビーム４
００のパラメータが設定される。電子ビームの電流および電圧などのパラメータ
は、電子ビームが少なくとも１枚の導体層と１枚の裏打ち層とを貫くのに十分な
着陸エネルギ（a landing energy）を有するように設定される。着陸エネルギは
、ビームが試料に当たるときのエネルギとして定義される。ビームの電流および
電圧だけでなく、電子ビームの走査パターンも、試料３３０上の電荷分布に影響
を及ぼし、ひいては、試験手続きの最中にどのように情報が集められるかにも影
響を及ぼす可能性がある。図８Ａ，８Ｂに示したような図は、電子ビーム４００
のエネルギレベルを所望の層を貫けるレベルに決定するために使用して良い。こ
れらの図は、当業者が容易に入手できる周知のものである。図８Ａは、電子ビー
ムが貫く深さと電子ビームのエネルギレベルとの関係を示している。図８Ｂは、
電子ビームのエネルギレベルが一定であるときの、電子ビームが貫く深さと元素
の原子数との関係を示している。代表的な電子ビームのエネルギレベルは、１５
から３０ＫｅＶの範囲である。
【００３２】 ビームのパラメータが、試料の種類に応じて設定された後は、動作６２０にお
いて、各ＷＤＳ Ｘ線検出器５００が、その試料内の層から放射される光子を検
出するように設定される。つまり、検出器５００は、特定のＸ線エネルギレベル
を有した光子を検出するように設定される。理想としては、分析される薄膜スタ
ック内の各材料に固有なＸ線エネルギ放出レベルに相当するエネルギレベルの光
子を検出するように、１つのＷＤＳ５００が設定される。また、複数の検出器５
００が、１材料の複数のＸ線エネルギを検出するように設定されることによって
、その特定の材料に固有な複数の放出レベルが、それぞれ検出されても良い。１
材料の各放出レベルは、各電子核（すなわちＫ核、Ｌ核、Ｍ核など）から電子が
欠落した結果として放出される光子を表している。ＷＤＳは、反射面５１０を特
定の角度に向け、所望のエネルギレベルの前後に集まったＸ線光子のみをセンサ
５２０に向かって方向付けることによって、特定の放出レベルに対応するように
設定される。こうして、センサ５２０は、分析を目的とした光子の収集を行うこ
とが可能になる。検出器によって収集される情報は、各検出器５００に接続され
た処理システム３２０に伝送されて良い。処理システム３２０は、次いで、所望
の分析を実施する。
【００３３】 電子ビーム４００およびＸ線検出器５００が適切に設定された後は、動作６３
０において、電子ビームプローブ４００が起動され、半導体ウエハに電子ビーム
が衝突する。電子ビームは、少なくとも１枚の導体層と１枚の裏打ち層とを貫く
ことによって、貫かれたこれらの層からＸ線光子を放射させる。各層から放射さ
れるＸ線光子は、各層に関する情報を得るために使用される。動作６４０では、
これらのＸ線が、Ｘ線検出器５００によって検出される。固有な各放出エネルギ
レベルにあるＸ線の数が、それぞれカウントされる。カウントされたＸ線の数は
、その特定の放出レベルのカウント値として表される。図９および図１０は、銅
（Ｃｕ）のＫ核からの放出レベルおよびタンタル（Ｔａ）のＬ核からの放出レベ
ルに対応するカウント値を、それぞれ示している。なお、Ｃｕ層はＴａ層の上に
形成されている。各層のカウント値は、Ｃｕ層の厚さとの関係のもとで示されて
いる。図９では、Ｃｕ層の厚さが増すにつれて、Ｃｕのカウント値も増大するこ
とがわかる。反対に、図１０では、Ｃｕ層の厚さが増すにつれて、Ｔａのカウン
ト値は減少することがわかる。これは、生成されるＸ線光子の数が、Ｃｕ層の増
大にともなって減少するからである。Ｃｕ層の厚さが増すにつれて、Ｔａ層から
形成されるＸ線光子の数が減少するのは、Ｃｕ層の厚さが増すにつれて、電子ビ
ームによって貫かれるＴａ層の深さが減少するからである。
【００３４】 収集されたＸ線からのデータは、動作６５０において、処理システム３２０に
よって保存される。次いで、動作６６０において、データが分析される。特定の
エネルギレベルでのＸ線放射に基づいて、薄膜スタックの特性を決定するために
は、任意の適切な分析技術を使用して良い。例えば、回帰ルーチンが使用されて
良い。薄膜スタック特性を決定する手続き６００は、回帰ルーチンを通して導体
層の特性が取得されたときに完了される。収集されたデータの分析には、代わり
に別の方法を使用しても良い。例えば、一連の校正測定を行った後に、校正点間
の測定地点を補間技術によって得ても良い。
【００３５】 図１１は、特定の薄膜スタック特性値を決定する手続き１０００を示したフロ
ーチャートである。一般に、手続き１０００は、所望の結果が得られるまで特定
の計算動作が繰り返される回帰技術である。これらの動作は、薄膜スタック層か
らのＸ線放出をモデル化した方程式に、厚さおよび組成値などの薄膜スタック推
定特性値を代入することによって、その薄膜スタックに関する予測データ（カウ
ント値）を生成することを含む。つまり、Ｘ線の放出結果が計算されるのは、薄
膜スタック推定特性値を代入される薄膜スタックのためである。各種の薄膜スタ
ック推定値は、結果として得られる予測データ値が、Ｘ線顕微鏡検査システムか
ら実際に得られたデータと厳密に一致するまで、モデリング方程式に繰り返し代
入される。
【００３６】 特定の薄膜スタックモデルに関するＸ線放出の予測値を繰り返し生成し、測定
された生データとこのような予測値とを一致させるためには、任意の適切な回帰
技術が利用されて良い。例えば、周知であるモンテカルロ回帰技術が利用されて
良い。モンテカルロ技術は、上述した方程式のように計算が複雑な方程式を解く
際に有用である。使用可能な回帰技術のもう１つの例は、φ−ρ−Ζモデルであ
る。また、薄膜スタックをφ−ρ−Zモデルで自動的にモデル化するいくつかの
ソフトウェアアプリケーションが使用可能である。例えば、フランスのＳａｍｘ
Ｇｕｙａｎ Ｃｏｕｒｔから入手可能なＳｔｒａｔａｇｅｍや、ＮＩＳＴ（Na
tional Institute of Standard and Technology）から入手可能なＣｉｔｚａｆ
などの、ソフトウェアパッケージが使用されて良い。Ｘ線放出に関連したパラメ
ータは、測定された生データとともに、ソフトウェアに入力される。ソフトウェ
アは、次いで、モデル方程式を使用して予測データを生成し、予測データが生デ
ータと一致するまでこれを繰り返す。この特定のソフトウェアアプリケーション
では、パラメータは、生データと、薄膜組成、薄膜厚さ、電子ビームの着陸エネ
ルギ、ビーム電流、離陸角度、および検出器効率の開始推定値と、を含んでいる
。予測データ値（例えば薄膜スタックモデルからの出力）が、生データ値と厳密
に一致する場合は、その薄膜スタック推定特性値は、薄膜スタックの実際の特性
値を良く推定していると考えられる。この方法が、実際の試料の特性値を正確に
予測するための精度は、当然ながら、モデリング方程式の能力による制約を受け
る。
【００３７】 図１１に示したように、例えば動作１０１０では、先ず、Ｘ線顕微鏡検査シス
テムから生データが取得される。動作１０２０では、モデリング方程式に代入さ
れる第１組の薄膜スタック推定特性値が選択される。動作１０３０では、推定特
性値にしたがって方程式が解かれ、１組の予測データ値が生成される。動作１０
４０では、生データと予測データとが比較される。予測データと生データとの差
が、一定の許容誤差より小さい場合は、薄膜スタック推定特性値は、薄膜スタッ
クの実際の特性値に対して許容可能な推定値である。しかしながら、予測データ
と生データとの差が許容誤差より大きい場合は、新しく別の組の薄膜スタック推
定特性値が選択される。回帰動作（すなわち１０２０，１０３０，１０４０）は
、動作１０５０で表されるように、データ値の差が推定許容誤差より小さくなる
まで繰り返される。薄膜スタック特性値に対して許容可能な推定値であるための
許容誤差は、約０．５％に等しいまたは約０．５％未満であることが望ましい。
【００３８】 以上、いくつかの好ましい実施形態の観点から本発明を説明したが、本発明の
範囲に含まれる範囲において、変更形態、置換形態、等価形態などが構成される
。また、本発明の方法および装置を実現する代替の方法は、数多く存在すること
が可能である。したがって、添付した特許請求の範囲は、このような全ての変更
形態、置換形態、および等価形態を、本発明の真の趣旨および範囲に含まれるも
のとして含むものと解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 試料に入射するＸ線光子と、その結果として試料材料によって放
出されるＸ線光子と、を示した図である。
【図２Ａ】 図１のＸ線光子が試料の原子に衝突し、その結果として原子の
最も内側にあるＫ電子核から電子が放出される様子を示した図である。
【図２Ｂ】 図２Ａに示した試料の原子のＬ電子核にある電子が、Ｋ電子核
に形成された空位を満たし、それと同時に二次的なＸ線光子が放出される様子を
示した図である。
【図３】 電子ビームによって誘導されるＸ線微量分析システムを、本発明
の一実施形態にしたがって示した図である。
【図４】 代表的な走査型電子顕微鏡を、本発明の１実施形態にしたがって
示した図である。
【図５】 図３の波長分散型システム（ＷＤＳ）Ｘ線検出器を、本発明の１
実施形態にしたがって示した断面図である。
【図６】 ＷＤＳ Ｘ線検出器のもう１つの好ましい１実施形態を示した断
面図である。
【図７】 半導体ウエハ上の薄膜スタック特性を測定するための手続きを、
本発明の１実施形態にしたがって示したフローチャートである。
【図８Ａ】 電子ビームが貫く深さを電子ビームのエネルギレベルとの関係
において示したグラフである。
【図８Ｂ】 電子ビームのエネルギレベルが一定であるときに、電子ビーム
が貫く深さが元素の原子数によってどのように変動するかを示したグラフである
。
【図９】 銅層のＫ核放出レベルから検出されるカウント数を、銅層の厚さ
の増加との関係において示したグラフである。
【図１０】 タンタル層のＫ核放出レベルから検出されるカウント数を、タ
ンタル層の上に形成された銅層の厚さの増加との関係において示したグラフであ
る。
【図１１】 薄膜スタック特性値を決定するための手続きを、本発明の１実
施形態にしたがって示したフローチャートである。
【符号の説明】
１０…荷電粒子 １２…試料 １４…Ｘ線光子 １６…原子 １８…原子核 ２０…電子 ２２…Ｋ核電子 ２４…Ｋ核 ２６…Ｌ核電子 ２８…Ｌ核 ３２０…分析ユニット ３３０…試料 ３４０…導体層 ３５０…裏打ち層 ３６０…誘電体層 ３７０…プラグ ４００…ビーム発生器 ４０１…電子ビーム ４０２…電子源ユニット ４０６…アライメント八極子 ４０８…静電プレデフレクタ ４１０…可変アパチャ ４１４…ウィーンフィルタ ４１６…対物磁気レンズ ４０５…荷電粒子 ４２４…試料 ４２６…検出器 ５００…Ｘ線検出器 ５００’…ＷＤＳ Ｘ線検出器 ５１０…凹状反射面 ５２０…センサ ５３０…ハウジング ５３５…アパチャ ５４０…光子 ５４５…電子ビーム ５５０…焦点 ５５５…薄膜素子 ５６０…コリメータ ５６５…平坦な反射面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＪＰ Ｆターム(参考） 2F067 AA27 BB01 BB04 BB16 CC17 DD05 DD07 HH06 HH15 JJ03 KK02 LL18 RR32 RR33 2G001 AA03 BA05 BA07 BA15 CA01 DA02 DA06 EA01 KA01 KA11 KA20 LA11 MA05 NA13 NA15 SA02 4M106 AA01 AA11 BA02 CB21 DH25 DH33 DJ17 DJ18 DJ20 DJ21 5C033 NN04 PP01 PP02 PP04 PP06 【要約の続き】 る方法およびコンピュータ可読媒体を提供する。方法お よびコンピュータ読み取り可能媒体は、薄膜スタック特 性を推定した１組の値を選択すること、薄膜スタックを モデル化した方程式を推定値を使用して解くことによっ て、予測データを生成すること、予測データと生データ との差が一定の許容誤差より大きい場合に、新しく１組 の薄膜スタック推定特性値を選択すること、を含む。

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 試料の薄膜スタック特性を測定するための装置であって、 前記荷電粒子ビームが前記薄膜スタックのうちの少なくとも２枚の層を貫くよ
    うに前記試料に向けて荷電粒子ビームを方向付けることが可能であるビーム発生
    器であって、前記荷電粒子ビームは前記試料からＸ線を放射させる、ビーム発生
    器と、 前記試料から放射される前記Ｘ線の少なくとも一部を検出するために、 前記試料の上方に配置される、第１のＸ線検出器と を備える装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の装置であって、 前記第１のＸ線検出器は、特定のエネルギレベルにあるＸ線を検出するように
    構成される、装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の装置であって、 前記第１のＸ線検出器は波長分散型システムである、装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の装置であって、 前記波長分散型システムは、反射面とセンサとを含んでおり、前記反射面は、
    所定のエネルギレベルにあるＸ線を前記センサに向けて方向付けるように構成さ
    れる、装置。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の装置であって、さらに、 第２のＸ線検出器を備え、前記第１および第２のＸ線検出器は波長分散型シス
    テムである、装置。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の装置であって、 前記荷電粒子ビームによって貫かれる前記少なくとも２枚の層の内の２層は、
    導体薄膜層および裏打ち薄膜層である、装置。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の装置であって、さらに、 前記ビーム発生器と前記第１のＸ線検出器とに接続されたプロセッサを備える
    装置。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の装置であって、 前記プロセッサは、特定のエネルギレベルにあるＸ線を検出するように前記第
    １のＸ線検出器を制御するように構成される、装置。
  9. 【請求項９】 請求項７に記載の装置であって、 前記プロセッサは、前記試料に向けて方向付けられた前記荷電粒子ビームが、
    前記試料のうちの少なくとも導体薄膜層と裏打ち薄膜層とを貫くように、前記ビ
    ーム発生器を制御するように構成される、装置。
  10. 【請求項１０】 試料の薄膜スタック特性を測定するための装置であって、 前記荷電粒子ビームが前記薄膜スタックのうちの少なくとも２枚の層を貫くよ
    うに前記試料に向けて荷電粒子ビームを方向付けること構成が可能であるビーム
    発生器であって、前記荷電粒子ビームは前記試料からＸ線を放射させる、ビーム
    発生器と、 前記試料の上方に配置されることによって、前記試料から放射される前記Ｘ線
    の少なくとも一部を検出し、特定のエネルギレベルを有したＸ線を検出するよう
    にそれぞれが構成された、少なくとも２つのＸ線検出器と を備える装置。
  11. 【請求項１１】 試料上の薄膜スタックの少なくとも１つの特性を測定する
    ための方法であって、 前記荷電粒子ビームが前記薄膜スタックのうちの少なくとも２枚の層を貫くよ
    うに、前記試料に向けて荷電粒子ビームを方向付け、前記荷電粒子ビームは前記
    試料からＸ線を放射させ、 前記試料の上方に配置された第１のＸ線検出器を使用して、前記試料から放射
    されるＸ線の少なくとも一部を検出する測定方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の測定方法であって、さらに、 特定のエネルギレベルにあるＸ線を検出するように、前記第１のＸ線検出器を
    構成する測定方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の測定方法であって、 前記第１のＸ線検出器は波長分散型システムである、測定方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の測定方法であって、さらに、 前記波長分散型システムに含まれる反射面を、所定のエネルギレベルにあるＸ
    線が前記波長分散型システムに含まれるセンサに向けて方向付けられる方向に配
    置する測定方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１１に記載の測定方法であって、さらに、 前記試料から放射される前記Ｘ線の少なくとも一部を、第２のＸ線検出器を使
    用して検出し、前記第１および第２のＸ線検出器は波長分散型システムである、
    測定方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１１に記載の測定方法であって、さらに、 荷電粒子ビームエネルギと、前記荷電粒子ビームが生成される荷電粒子ビーム
    電流と、を選択する測定方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１１に記載の測定方法であって、さらに、 前記検出されたＸ線から得られるデータを収集し、 前記データを分析し、薄膜スタック特性を決定する 測定方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１１に記載の測定方法であって、 前記荷電粒子ビームによって貫かれる前記少なくとも２層の内の２層は、導体
    薄膜層および裏打ち薄膜層である、測定方法。
  19. 【請求項１９】 試料上の薄膜スタックの少なくとも１つの特性を測定する
    ためのコンピュータコードを備えるコンピュータ読み取り可能媒体であって、 荷電粒子ビームエネルギと、荷電粒子ビームが生成される荷電粒子ビーム電流
    と、を選択し、 前記試料に向けて方向付けられることによって、前記薄膜スタックのうちの少
    なくとも２層を貫いて、前記試料からＸ線を放射させるように、前記荷電粒子ビ
    ームを制御し、 前記試料から放射される前記Ｘ線の少なくとも一部を検出するようにそれぞれ
    構成された少なくとも２つのＸ線検出器からデータを受信し、 前記データを分析し、１つまたはそれ以上の薄膜スタック特性を決定する コンピュータ読み取り可能媒体。
  20. 【請求項２０】 請求項１９に記載のコンピュータ読み取り可能媒体であっ
    て、 前記荷電粒子ビームによって貫かれる前記少なくとも２層の内の２層は、導体
    薄膜層および裏打ち薄膜層である、コンピュータ読み取り可能媒体。
  21. 【請求項２１】 試料の薄膜スタック特性値を決定する方法であって、 前記試料から放射されるＸ線を検出する波長分散型システムから、前記薄膜ス
    タック特性値に関する生データを取得し、 １組の薄膜スタック推定特性値を選択し、 前記１組の薄膜スタック推定特性値を使用し、薄膜スタックの構成をモデル化
    した方程式を解くことによって、予測データを取得し、 前記予測データを前記生データと比較し、 前記予測データと前記生データとの差が、所定の許容誤差より大きい場合に、
    新しく１組の薄膜スタック推定特性値を選択し、 前記予測データと前記生データとの差が、前記所定の許容誤差より大きい場合
    に、前記新しい１組の薄膜スタック推定特性値を使用し、前記薄膜スタック構成
    をモデル化した方程式を解くことによって、新しく１組の予測データを取得する
    方法。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載の、薄膜スタック特性値を決定する方法
    であって、さらに、 前記予測データと前記生データとの差が、前記所定の許容誤差に等しいまたは
    それより小さい場合に、前記１組の薄膜スタック推定特性値を記録する方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２１に記載の、薄膜スタック特性値を決定する方法
    であって、 前記生データおよび前記予測データは、特定のエネルギレベルを有したＸ線の
    カウント値を表しており、前記カウント値は、一定期間に渡って前記波長分散型
    システムによって受信されたＸ線の総数である、方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２１に記載の、薄膜スタック特性値を決定する方法
    であって、 前記薄膜スタック推定特性値は、前記薄膜スタックのうちの少なくとも２層の
    厚さおよび組成を表している、方法。
  25. 【請求項２５】 請求項２４に記載の、薄膜スタック特性値を決定する方法
    であって、 前記薄膜スタックのうちの前記少なくとも２層の内の２層は、導体層および裏
    打ち層である、方法。
  26. 【請求項２６】 試料の薄膜スタック特性値を決定するためのコンピュータ
    コードを備えるコンピュータ読み取り可能媒体であって、 前記試料から放射されるＸ線を検出する波長分散型システムから、前記薄膜ス
    タック特性値に関する生データを取得し、 １組の薄膜スタック推定特性値を選択し、 前記１組の薄膜スタック推定特性値を使用し、薄膜スタックの構成をモデル化
    した方程式を解くことによって、予測データを取得し、 前記予測データを前記生データと比較し、 前記予測データと前記生データとの差が、所定の許容誤差より大きい場合に、
    新しく１組の薄膜スタック推定特性値を選択し、 前記予測データと前記生データとの差が、前記所定の許容誤差より大きい場合
    に、前記新しい１組の薄膜スタック推定特性値を使用し、前記薄膜スタック構成
    をモデル化した方程式を解くことによって、新しく１組の予測データを取得する
    コンピュータ読み取り可能媒体。
  27. 【請求項２７】 請求項２６に記載のコンピュータ読み取り可能媒体であっ
    て、さらに、 前記予測データと前記生データとの差が、前記所定の許容誤差に等しいまたは
    それより小さい場合に、前記１組の薄膜スタック推定特性値を記録するコンピュ
    ータ読み取り可能媒体。
  28. 【請求項２８】 請求項２６に記載のコンピュータ読み取り可能媒体であっ
    て、 前記生データおよび前記予測データは、特定のエネルギレベルを有したＸ線の
    カウント値を表しており、前記カウント値は、一定期間に渡って前記波長分散型
    システムによって受信されたＸ線の総数である、コンピュータ読み取り可能媒体
    。
  29. 【請求項２９】 請求項２６に記載のコンピュータ読み取り可能媒体であっ
    て、 前記薄膜スタック推定特性値は、前記薄膜スタックのうちの少なくとも２枚の
    層の厚さおよび組成を表している、コンピュータ読み取り可能媒体。
  30. 【請求項３０】 請求項２９に記載のコンピュータ読み取り可能媒体であっ
    て、 前記薄膜スタックのうちの前記少なくとも２層の内の２層は、導体層および裏
    打ち層である、コンピュータ読み取り可能媒体。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006058034A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Jeol Ltd 電子プローブｘ線分析における定量分析
JPWO2004061428A1 (ja) * 2002-12-27 2006-05-18 日本政策投資銀行 空孔または粒子サイズ分布測定装置
KR101008337B1 (ko) 2008-11-27 2011-01-14 연세대학교 산학협력단 박막 특성의 모델링 방법
WO2012153462A1 (ja) * 2011-05-10 2012-11-15 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハのｓｏｉ層の膜厚測定方法
JP2012234942A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びプリント配線板の導体層の測定方法
WO2017043942A1 (ko) * 2015-09-10 2017-03-16 케이맥(주) 입체 시편을 분석하는 방법

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
FR2837931B1 (fr) * 2002-03-29 2004-12-10 Cameca Dispositif de mesure de l'emission de rayons x produite par un objet soumis a un faisceau d'electrons
US20050282300A1 (en) * 2002-05-29 2005-12-22 Xradia, Inc. Back-end-of-line metallization inspection and metrology microscopy system and method using x-ray fluorescence
US7132652B1 (en) 2003-03-25 2006-11-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Automatic classification of defects using pattern recognition applied to X-ray spectra
US7046019B1 (en) * 2005-01-12 2006-05-16 Kla-Tencor Technologies Corporation Direct non contact measurement
US7220964B1 (en) * 2005-05-18 2007-05-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Film thickness and composition measurement via auger electron spectroscopy and electron probe microanalysis
US7166838B1 (en) 2005-05-23 2007-01-23 Kla-Tencor Technologies Corporation X-ray imaging for patterned film measurement
US7358494B1 (en) * 2005-06-15 2008-04-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Material composition analysis system and method
JP4723362B2 (ja) * 2005-11-29 2011-07-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光学式検査装置及びその方法
US8804897B2 (en) * 2006-07-21 2014-08-12 Areva Inc. Integrated method to analyze crystals in deposits
JP5216739B2 (ja) * 2009-10-15 2013-06-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、及び膜厚測定方法
WO2011159264A1 (en) 2010-06-15 2011-12-22 Sedat Canli A thickness determination method
DE102010056321B9 (de) * 2010-12-27 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahlmikroskop
US9046475B2 (en) * 2011-05-19 2015-06-02 Applied Materials Israel, Ltd. High electron energy based overlay error measurement methods and systems
US8569692B1 (en) * 2012-12-13 2013-10-29 Applied Materials, Inc. Measurement system with thickness calculation and method of operation thereof
US10152654B2 (en) 2014-02-20 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology for image based overlay measurements
US10203202B2 (en) * 2014-04-07 2019-02-12 John Weber Schultz Non-contact determination of coating thickness
US10352876B2 (en) 2014-05-09 2019-07-16 KLA—Tencor Corporation Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements
US9696268B2 (en) 2014-10-27 2017-07-04 Kla-Tencor Corporation Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus
ES2779419T3 (es) * 2015-07-09 2020-08-17 Te Connectivity Germany Gmbh Dispositivo para producir un parche de una capa sobre un sustrato y medir el espesor del parche, y método para medir un espesor de un parche de una estructura de capa sobre un sustrato
US10359377B2 (en) 2016-04-22 2019-07-23 Kla-Tencor Corporation Beam shaping slit for small spot size transmission small angle X-ray scatterometry
US10775323B2 (en) 2016-10-18 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Full beam metrology for X-ray scatterometry systems
US10481111B2 (en) 2016-10-21 2019-11-19 Kla-Tencor Corporation Calibration of a small angle X-ray scatterometry based metrology system
US10859518B2 (en) 2017-01-03 2020-12-08 Kla-Tencor Corporation X-ray zoom lens for small angle x-ray scatterometry
US10767978B2 (en) 2017-04-14 2020-09-08 Kla-Tencor Corporation Transmission small-angle X-ray scattering metrology system
US11073487B2 (en) 2017-05-11 2021-07-27 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for characterization of an x-ray beam with high spatial resolution
US10727142B2 (en) 2017-05-30 2020-07-28 Kla-Tencor Corporation Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry
US11333621B2 (en) 2017-07-11 2022-05-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction
US10983227B2 (en) 2017-08-14 2021-04-20 Kla-Tencor Corporation On-device metrology using target decomposition
US11317500B2 (en) 2017-08-30 2022-04-26 Kla-Tencor Corporation Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology
US10748736B2 (en) 2017-10-18 2020-08-18 Kla-Tencor Corporation Liquid metal rotating anode X-ray source for semiconductor metrology
US10959318B2 (en) 2018-01-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator
US10816486B2 (en) 2018-03-28 2020-10-27 Kla-Tencor Corporation Multilayer targets for calibration and alignment of X-ray based measurement systems
US11079222B2 (en) * 2019-01-30 2021-08-03 Ndc Technologies Inc. Radiation-based thickness gauge
US11990380B2 (en) 2019-04-19 2024-05-21 Kla Corporation Methods and systems for combining x-ray metrology data sets to improve parameter estimation
US11259394B2 (en) 2019-11-01 2022-02-22 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target
US11272607B2 (en) 2019-11-01 2022-03-08 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target
US11610297B2 (en) 2019-12-02 2023-03-21 Kla Corporation Tomography based semiconductor measurements using simplified models
US11520321B2 (en) 2019-12-02 2022-12-06 Kla Corporation Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization
US11719652B2 (en) 2020-02-04 2023-08-08 Kla Corporation Semiconductor metrology and inspection based on an x-ray source with an electron emitter array
US11513085B2 (en) 2020-02-20 2022-11-29 Kla Corporation Measurement and control of wafer tilt for x-ray based metrology
US11143604B1 (en) 2020-04-06 2021-10-12 Kla Corporation Soft x-ray optics with improved filtering
US11530913B2 (en) 2020-09-24 2022-12-20 Kla Corporation Methods and systems for determining quality of semiconductor measurements
US12085515B2 (en) 2021-08-25 2024-09-10 Kla Corporation Methods and systems for selecting wafer locations to characterize cross-wafer variations based on high-throughput measurement signals
US12019030B2 (en) 2022-01-18 2024-06-25 Kla Corporation Methods and systems for targeted monitoring of semiconductor measurement quality
US11955308B1 (en) 2022-09-22 2024-04-09 Kla Corporation Water cooled, air bearing based rotating anode x-ray illumination source

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58196446A (ja) * 1982-05-11 1983-11-15 Jeol Ltd Ｘ線マイクロアナライザ−を用いた分析方法
JPS60135850A (ja) * 1983-12-26 1985-07-19 Shimadzu Corp 状態マツプ方法及びその装置
JPS63172947A (ja) * 1987-01-10 1988-07-16 Jeol Ltd Ｘ線マイクロアナライザにおける分光結晶自動選択方法
JPS6417369A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Jeol Ltd Spectrum display unit in x-ray microanalyzer and the like
JPH01219550A (ja) * 1988-02-27 1989-09-01 Shimadzu Corp Ｘ線分光分析における検量線作成方法
JPH03226664A (ja) * 1990-01-31 1991-10-07 Shimadzu Corp Ｘ線分析法による多層膜定量法
JPH04249741A (ja) * 1990-12-29 1992-09-04 Shimadzu Corp 薄膜で覆われた試料のｘ線分光分析方法
JPH06267485A (ja) * 1993-03-16 1994-09-22 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JPH0763714A (ja) * 1993-08-28 1995-03-10 Shimadzu Corp 粒状試料のｘ線による定量分析方法
JPH10213479A (ja) * 1997-01-29 1998-08-11 Hitachi Ltd 試料分析装置
JPH11330187A (ja) * 1998-05-19 1999-11-30 Shimadzu Corp インプロセス薄膜分析装置
JP2000338065A (ja) * 1999-03-19 2000-12-08 Nippon Light Metal Co Ltd モンテカルロシミュレーションを用いたｅｐｍａ分析法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51119289A (en) * 1974-11-29 1976-10-19 Agency Of Ind Science & Technol Method of determining the heterogenous sample of micro-particles
US4162528A (en) * 1976-05-18 1979-07-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated X-ray-fluorescence measurement of thin film thicknesses
EP0053620B1 (en) 1980-06-11 1986-10-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Method and apparatus for material analysis
JPS5758300U (ja) 1980-09-22 1982-04-06
US4472825A (en) 1982-05-26 1984-09-18 U.S. Philips Corporation Double crystal X-ray spectrometer
US4962516A (en) * 1985-06-11 1990-10-09 Shimadzu Corporation Method and apparatus for state analysis
US4675889A (en) 1985-07-08 1987-06-23 Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. Multiple wavelength X-ray dispersive devices and method of making the devices
USH589H (en) * 1987-04-23 1989-02-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Measurement of film thickness of integrated circuits
US4777364A (en) 1987-06-15 1988-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Defect detection and thickness mapping of the passivation layer(s) of integrated circuits
US4959848A (en) 1987-12-16 1990-09-25 Axic Inc. Apparatus for the measurement of the thickness and concentration of elements in thin films by means of X-ray analysis
JPH0744967Y2 (ja) 1988-11-17 1995-10-11 セイコー電子工業株式会社 蛍光ｘ線膜厚計
JP2842879B2 (ja) 1989-01-06 1999-01-06 株式会社日立製作所 表面分析方法および装置
JP2922940B2 (ja) 1989-11-22 1999-07-26 株式会社日立製作所 エネルギ分散形ｘ線分析装置
US5210414A (en) * 1991-03-29 1993-05-11 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Differential surface composition analysis by multiple-voltage electron beam X-ray spectroscopy
JPH0581700U (ja) 1992-04-07 1993-11-05 セイコー電子工業株式会社 蛍光ｘ線膜厚測定装置
JP2777505B2 (ja) 1992-07-29 1998-07-16 株式会社日立製作所 自動分析電子顕微鏡および分析評価方法
US5877498A (en) * 1992-09-28 1999-03-02 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for X-ray analyses
US5594246A (en) * 1994-04-11 1997-01-14 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for x-ray analyses
GB2289833B (en) 1994-05-24 1998-04-22 Mitsubishi Electric Corp Method and apparatus for evaluating thin-film multilayer structure
US5485499A (en) 1994-08-05 1996-01-16 Moxtek, Inc. High throughput reflectivity and resolution x-ray dispersive and reflective structures for the 100 eV to 5000 eV energy range and method of making the devices
JP3461208B2 (ja) 1994-09-16 2003-10-27 株式会社堀場製作所 試料に含まれる物質の同定方法および分布測定方法
US5656812A (en) 1995-07-21 1997-08-12 Jeol Ltd. Electron probe microanalyzer and X-ray analysis using same
US5777336A (en) 1995-10-03 1998-07-07 The Regents Of The University Of California Broadband high resolution X-ray spectral analyzer
US5657363A (en) 1995-10-10 1997-08-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining the thickness and elemental composition of a thin film using radioisotopic X-ray fluorescence (RXRF)
US5705878A (en) 1995-11-29 1998-01-06 Lewis; Aaron Flat scanning stage for scanned probe microscopy
US5703361A (en) * 1996-04-30 1997-12-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Circuit scanning device and method
JP3607023B2 (ja) 1996-05-10 2005-01-05 株式会社堀場製作所 Ｘ線定量分析装置および方法
US5754620A (en) 1996-09-13 1998-05-19 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for characterizing particles embedded within a thin film configured upon a semiconductor wafer
US5892809A (en) 1997-09-10 1999-04-06 Wittry; David B. Simplified system for local excitation by monochromatic x-rays
WO1999038171A1 (en) * 1998-01-27 1999-07-29 Noran Instruments, Inc. Wavelength dispersive x-ray spectrometer with x-ray collimator optic for increased sensitivity over a wide x-ray energy range
US6353222B1 (en) 1998-09-03 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Determining defect depth and contour information in wafer structures using multiple SEM images
JP3889187B2 (ja) * 1999-09-09 2007-03-07 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析方法およびその装置
US6351516B1 (en) * 1999-12-14 2002-02-26 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Detection of voids in semiconductor wafer processing

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58196446A (ja) * 1982-05-11 1983-11-15 Jeol Ltd Ｘ線マイクロアナライザ−を用いた分析方法
JPS60135850A (ja) * 1983-12-26 1985-07-19 Shimadzu Corp 状態マツプ方法及びその装置
JPS63172947A (ja) * 1987-01-10 1988-07-16 Jeol Ltd Ｘ線マイクロアナライザにおける分光結晶自動選択方法
JPS6417369A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Jeol Ltd Spectrum display unit in x-ray microanalyzer and the like
JPH01219550A (ja) * 1988-02-27 1989-09-01 Shimadzu Corp Ｘ線分光分析における検量線作成方法
JPH03226664A (ja) * 1990-01-31 1991-10-07 Shimadzu Corp Ｘ線分析法による多層膜定量法
JPH04249741A (ja) * 1990-12-29 1992-09-04 Shimadzu Corp 薄膜で覆われた試料のｘ線分光分析方法
JPH06267485A (ja) * 1993-03-16 1994-09-22 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JPH0763714A (ja) * 1993-08-28 1995-03-10 Shimadzu Corp 粒状試料のｘ線による定量分析方法
JPH10213479A (ja) * 1997-01-29 1998-08-11 Hitachi Ltd 試料分析装置
JPH11330187A (ja) * 1998-05-19 1999-11-30 Shimadzu Corp インプロセス薄膜分析装置
JP2000338065A (ja) * 1999-03-19 2000-12-08 Nippon Light Metal Co Ltd モンテカルロシミュレーションを用いたｅｐｍａ分析法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2004061428A1 (ja) * 2002-12-27 2006-05-18 日本政策投資銀行 空孔または粒子サイズ分布測定装置
JP4557253B2 (ja) * 2002-12-27 2010-10-06 株式会社リガク 空孔または粒子サイズ分布測定装置
JP2006058034A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Jeol Ltd 電子プローブｘ線分析における定量分析
JP4498855B2 (ja) * 2004-08-17 2010-07-07 日本電子株式会社 定量分析方法及び定量分析装置
KR101008337B1 (ko) 2008-11-27 2011-01-14 연세대학교 산학협력단 박막 특성의 모델링 방법
JP2012234942A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びプリント配線板の導体層の測定方法
WO2012153462A1 (ja) * 2011-05-10 2012-11-15 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハのｓｏｉ層の膜厚測定方法
JP2012237602A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｏｉウェーハのｓｏｉ層の膜厚測定方法
US8981291B2 (en) 2011-05-10 2015-03-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for measuring film thickness of SOI layer of SOI wafer
WO2017043942A1 (ko) * 2015-09-10 2017-03-16 케이맥(주) 입체 시편을 분석하는 방법
KR101753146B1 (ko) 2015-09-10 2017-07-19 케이맥(주) 입체 시편을 분석하는 방법

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