JP2003535841A - シクロヘキサノンオキシムの製造法 - Google Patents
シクロヘキサノンオキシムの製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
ホスフェート含有水性反応媒体がヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンからシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンへ、そしてもとのヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンへ循環されるところのシクロヘキサノンオキシムの製造法であって、該ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにおいて水素によるナイトレートの接触還元によってヒドロキシルアンモニウムが形成され、該シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンにおいて有機溶媒の存在下でヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムが形成されるところの方法において、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度が１．０モル／リットルより高いことを特徴とする方法。
Description
【０００１】
本発明は、ホスフェート含有水性反応媒体が、ヒドロキシルアンモニウム合成
ゾーンからシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンへ、そしてもとのヒドロキシル
アンモニウム合成ゾーンへ循環されるところのシクロヘキサノンオキシムの製造
法であって、該ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにおいて水素によるナイト
レートの接触還元によってヒドロキシルアンモニウムが形成され、該シクロヘキ
サノンオキシム合成ゾーンにおいて有機溶媒の存在下でヒドロキシルアンモニウ
ムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムが形成されるとこ
ろの方法に関する。
ゾーンからシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンへ、そしてもとのヒドロキシル
アンモニウム合成ゾーンへ循環されるところのシクロヘキサノンオキシムの製造
法であって、該ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにおいて水素によるナイト
レートの接触還元によってヒドロキシルアンモニウムが形成され、該シクロヘキ
サノンオキシム合成ゾーンにおいて有機溶媒の存在下でヒドロキシルアンモニウ
ムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムが形成されるとこ
ろの方法に関する。
【０００２】
そのような方法は、米国特許第３，９９７，６０７号から公知である。該特許
は、緩衝する酸または酸性の塩、例えばホスフェート緩衝剤を含む緩衝化した水
性反応媒体が、硝酸イオンが分子状水素によって接触還元されてヒドロキシルア
ンモニウムにされるところのヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンと、シクロヘ
キサノンがシクロヘキサノンオキシムに転化されるところのオキシム化ゾーンと
の間で連続的に再循環されるところのシクロヘキサノンオキシムの製造法を記載
している。上記水性反応媒体は、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンに移る前
に、硝酸の添加よって、またはその場合に硝酸がインシチュー（in situ）形成
されるところの水性反応媒体中での３価窒素を含む気体の吸収によって、必要と
される硝酸イオンで豊富にされ得る。ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにお
いてヒドロキシルアンモニウムで豊富にされた後、水性反応媒体はオキシム合成
ゾーンに移され、そこで、ヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応
して、対応するオキシムを形成する。オキシムは次いで、ヒドロキシルアンモニ
ウム合成ゾーンに再循環されるところの水性反応媒体から分離され得る。
は、緩衝する酸または酸性の塩、例えばホスフェート緩衝剤を含む緩衝化した水
性反応媒体が、硝酸イオンが分子状水素によって接触還元されてヒドロキシルア
ンモニウムにされるところのヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンと、シクロヘ
キサノンがシクロヘキサノンオキシムに転化されるところのオキシム化ゾーンと
の間で連続的に再循環されるところのシクロヘキサノンオキシムの製造法を記載
している。上記水性反応媒体は、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンに移る前
に、硝酸の添加よって、またはその場合に硝酸がインシチュー（in situ）形成
されるところの水性反応媒体中での３価窒素を含む気体の吸収によって、必要と
される硝酸イオンで豊富にされ得る。ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにお
いてヒドロキシルアンモニウムで豊富にされた後、水性反応媒体はオキシム合成
ゾーンに移され、そこで、ヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応
して、対応するオキシムを形成する。オキシムは次いで、ヒドロキシルアンモニ
ウム合成ゾーンに再循環されるところの水性反応媒体から分離され得る。
【０００３】
そのプロセス中に生じる正味の化学反応は、以下の反応式によって表せられ得
る。
る。
【０００４】
１） ヒドロキシルアンモニウムの製造
【化１】
【０００５】
２） オキシムの製造
【化２】
【０００６】
３） 生成したオキシムの除去後に硝酸イオン源の消耗を埋め合わせるためのＨ
ＮＯ3の供給
ＮＯ3の供給
【化３】
【０００７】
米国特許第３，９９７，６０７号では、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーン
を出る水性反応媒体が、未転化のヒドロキシルアンモニウムを含む。水性反応媒
体中に存在するヒドロキシルアンモニウムは、水性反応媒体が、３価窒素を含む
気体の存在下、高められた温度で熱処理に付されると、分解し得る。米国特許第
３，９９７，６０７号の方法では、水性反応媒体から有機汚染物質を除去するた
めに熱処理が行われる。
を出る水性反応媒体が、未転化のヒドロキシルアンモニウムを含む。水性反応媒
体中に存在するヒドロキシルアンモニウムは、水性反応媒体が、３価窒素を含む
気体の存在下、高められた温度で熱処理に付されると、分解し得る。米国特許第
３，９９７，６０７号の方法では、水性反応媒体から有機汚染物質を除去するた
めに熱処理が行われる。
【０００８】
再循環法では、未転化の反応体を再循環することがしばしば可能であり、その
場合、不完全な転化によって反応体の損失が生じることはない。しかし、米国特
許第３，９９７，６０７号に記載された熱処理を行わなくても、シクロヘキサノ
ンオキシム合成ゾーンからヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンへ再循環される
ところの水性反応媒体中でヒドロキシルアンモニウムの分解が生じることが分か
った。その分解は、特に、水性反応媒体への硝酸の添加の後、または水性反応媒
体中での３価窒素を含む気体の吸収による硝酸の形成中に生じることが分かる。
場合、不完全な転化によって反応体の損失が生じることはない。しかし、米国特
許第３，９９７，６０７号に記載された熱処理を行わなくても、シクロヘキサノ
ンオキシム合成ゾーンからヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンへ再循環される
ところの水性反応媒体中でヒドロキシルアンモニウムの分解が生じることが分か
った。その分解は、特に、水性反応媒体への硝酸の添加の後、または水性反応媒
体中での３価窒素を含む気体の吸収による硝酸の形成中に生じることが分かる。
【０００９】
本発明者らは、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで形成されるヒドロキシ
ルアンモニウムの量に対する、分解によって失われるヒドロキシルアンモニウム
の量が、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキ
シルアンモニウム濃度を高めることによって低下されることを見出した。
ルアンモニウムの量に対する、分解によって失われるヒドロキシルアンモニウム
の量が、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキ
シルアンモニウム濃度を高めることによって低下されることを見出した。
【００１０】
したがって、本発明は、ホスフェート含有水性反応媒体がヒドロキシルアンモ
ニウム合成ゾーンからシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンへ、そしてもとのヒ
ドロキシルアンモニウム合成ゾーンへ循環されるところのシクロヘキサノンオキ
シムの製造法であって、該ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにおいて水素に
よるナイトレートの接触還元によってヒドロキシルアンモニウムが形成され、該
シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンにおいて有機溶媒の存在下でヒドロキシル
アンモニウムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムが形成
されるところの方法において、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性
反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度が１．０モル／リットルより高いこ
とを特徴とする方法を提供する。
ニウム合成ゾーンからシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンへ、そしてもとのヒ
ドロキシルアンモニウム合成ゾーンへ循環されるところのシクロヘキサノンオキ
シムの製造法であって、該ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにおいて水素に
よるナイトレートの接触還元によってヒドロキシルアンモニウムが形成され、該
シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンにおいて有機溶媒の存在下でヒドロキシル
アンモニウムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムが形成
されるところの方法において、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性
反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度が１．０モル／リットルより高いこ
とを特徴とする方法を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明によれば、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで形成されるヒドロキ
シルアンモニウムの量（およびシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンで形成され
るシクロヘキサノンオキシムの量）に対して、ごく少量のヒドロキシルアンモニ
ウムが分解によって失われる。さらに、ヒドロキシルアンモニウムのシクロヘキ
サノンオキシムへの高い転化率が達成され得る。
シルアンモニウムの量（およびシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンで形成され
るシクロヘキサノンオキシムの量）に対して、ごく少量のヒドロキシルアンモニ
ウムが分解によって失われる。さらに、ヒドロキシルアンモニウムのシクロヘキ
サノンオキシムへの高い転化率が達成され得る。
【００１２】
本発明によれば、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中
のヒドロキシルアンモニウム濃度が１．０モル／リットルより高い。好ましくは
、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルア
ンモニウム濃度は、１．１モル／リットルより高く、より好ましくは１．２モル
／リットルより高く、さらに好ましくは１．４モル／リットルより高く、特に１
．６モル／リットルより高い。シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性
反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度を高めることは、ヒドロキシルアン
モニウム合成ゾーンで形成されるヒドロキシルアンモニウムの量（およびシクロ
ヘキサノンオキシム合成ゾーンで形成されるシクロヘキサノンオキシムの量）に
対する、分解によって失われるヒドロキシルアンモニウムの量が低下されるとい
う利点を有する。さらに、ヒドロキシルアンモニウムの転化率が高められる。シ
クロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の高められたヒドロキ
シルアンモニウム濃度は例えば、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーン中での滞
在時間を長くすることにより、および／またはヒドロキシルアンモニウム合成ゾ
ーンに入る水性反応媒体中のナイトレート濃度を高めることにより達成され得る
。シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルア
ンモニウム濃度の特定の上限はない。一般に、シクロヘキサノンオキシム合成ゾ
ーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度は２．５モル／リッ
トルより小さい。
のヒドロキシルアンモニウム濃度が１．０モル／リットルより高い。好ましくは
、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルア
ンモニウム濃度は、１．１モル／リットルより高く、より好ましくは１．２モル
／リットルより高く、さらに好ましくは１．４モル／リットルより高く、特に１
．６モル／リットルより高い。シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性
反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度を高めることは、ヒドロキシルアン
モニウム合成ゾーンで形成されるヒドロキシルアンモニウムの量（およびシクロ
ヘキサノンオキシム合成ゾーンで形成されるシクロヘキサノンオキシムの量）に
対する、分解によって失われるヒドロキシルアンモニウムの量が低下されるとい
う利点を有する。さらに、ヒドロキシルアンモニウムの転化率が高められる。シ
クロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の高められたヒドロキ
シルアンモニウム濃度は例えば、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーン中での滞
在時間を長くすることにより、および／またはヒドロキシルアンモニウム合成ゾ
ーンに入る水性反応媒体中のナイトレート濃度を高めることにより達成され得る
。シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルア
ンモニウム濃度の特定の上限はない。一般に、シクロヘキサノンオキシム合成ゾ
ーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度は２．５モル／リッ
トルより小さい。
【００１３】
好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中のヒ
ドロキシルアンモニウム濃度が０．１モル／リットル未満、より好ましくは０．
０８モル／リットル未満、特に０．０５モル／リットル未満である。シクロヘキ
サノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃
度は一般に、０．００５モル／リットルより高く、特に０．０１モル／リットル
より高い。好ましくは、ヒドロキシルアンモニウムの転化率が９０％より高く、
より好ましくは９５％より高い。本明細書で使用されるとき、転化率は、（ｃ（
ＮＨ3ＯＨ+）in−ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）out）／ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）in（ｘ１００％）
として定義される。ここで、ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）inはシクロヘキサノンオキシム合
成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度を表し、ｃ（Ｎ
Ｈ3ＯＨ+）outはシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中の
ヒドロキシルアンモニウム濃度を表す。
ドロキシルアンモニウム濃度が０．１モル／リットル未満、より好ましくは０．
０８モル／リットル未満、特に０．０５モル／リットル未満である。シクロヘキ
サノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃
度は一般に、０．００５モル／リットルより高く、特に０．０１モル／リットル
より高い。好ましくは、ヒドロキシルアンモニウムの転化率が９０％より高く、
より好ましくは９５％より高い。本明細書で使用されるとき、転化率は、（ｃ（
ＮＨ3ＯＨ+）in−ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）out）／ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）in（ｘ１００％）
として定義される。ここで、ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）inはシクロヘキサノンオキシム合
成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム濃度を表し、ｃ（Ｎ
Ｈ3ＯＨ+）outはシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中の
ヒドロキシルアンモニウム濃度を表す。
【００１４】
シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンでは、ヒドロキシルアンモニウムが有機
溶媒の存在下でシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムを形成
する。典型的には、有機溶媒およびシクロヘキサノンがシクロヘキサノンオキシ
ム合成ゾーンに供給され、有機溶媒およびシクロヘキサノンオキシムを含む有機
媒体がシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンから抜き出される。好ましくは、水
性反応媒体と、シクロヘキサノンおよび有機溶媒を含む流れとを、向流で接触さ
せる。適する方法は、例えば、英国特許第１，１３８，７５０号に記載されてい
る。公知の型の向流反応器、例えば充填物を満たしたパルスカラムまたは回転デ
ィスク反応器が使用され得る。また、撹拌器を備えた多数（例えば３〜６）の直
列に連結した反応器（これらの反応器の各々には、液体−液体分離器をも備えら
れている）を含む系を使用することもできる。シクロヘキサノンおよびシクロヘ
キサノンオキシムが溶解され得るあらゆる有機溶媒、例えばアルコール、ケトン
、エステル、エーテル、炭化水素、およびこれらの混合物が使用され得る。好ま
しくは、有機溶媒は、２０℃で０．１重量％未満の水溶解度を有する。好ましく
は、有機溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルシクロペンタン、シク
ロヘキサンおよびそれらの混合物から成る群から選択される。最も好ましくは、
有機溶媒がトルエンである。好ましくは、シクロヘキサノンが有機溶媒に溶解さ
れる。
溶媒の存在下でシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムを形成
する。典型的には、有機溶媒およびシクロヘキサノンがシクロヘキサノンオキシ
ム合成ゾーンに供給され、有機溶媒およびシクロヘキサノンオキシムを含む有機
媒体がシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンから抜き出される。好ましくは、水
性反応媒体と、シクロヘキサノンおよび有機溶媒を含む流れとを、向流で接触さ
せる。適する方法は、例えば、英国特許第１，１３８，７５０号に記載されてい
る。公知の型の向流反応器、例えば充填物を満たしたパルスカラムまたは回転デ
ィスク反応器が使用され得る。また、撹拌器を備えた多数（例えば３〜６）の直
列に連結した反応器（これらの反応器の各々には、液体−液体分離器をも備えら
れている）を含む系を使用することもできる。シクロヘキサノンおよびシクロヘ
キサノンオキシムが溶解され得るあらゆる有機溶媒、例えばアルコール、ケトン
、エステル、エーテル、炭化水素、およびこれらの混合物が使用され得る。好ま
しくは、有機溶媒は、２０℃で０．１重量％未満の水溶解度を有する。好ましく
は、有機溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルシクロペンタン、シク
ロヘキサンおよびそれらの混合物から成る群から選択される。最も好ましくは、
有機溶媒がトルエンである。好ましくは、シクロヘキサノンが有機溶媒に溶解さ
れる。
【００１５】
シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る有機媒体中のシクロヘキサノンオ
キシムの濃度の特定の下限はない。一般に、シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンを出る有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃度は、５重量％より高い。好
ましくは、オキシム合成ゾーンを出る有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃
度は、２５重量％より高く、より好ましくは３０重量％より高く、特に３５重量
％より高く、さらには３８重量％より高い。オキシム合成ゾーンを出る有機媒体
中のシクロヘキサノン濃度を高めることは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンからシクロヘキサノンオキシムの高められた量を分離する有効な方法である。
一般に、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る有機媒体中のシクロヘキサ
ノンオキシム濃度は、９５重量％より低く、好ましくは８０重量％より低く、よ
り好ましくは６０重量％より低い。有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃度
は全て、シクロヘキサノンオキシムと有機溶媒との合計重量に対して示される。
キシムの濃度の特定の下限はない。一般に、シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンを出る有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃度は、５重量％より高い。好
ましくは、オキシム合成ゾーンを出る有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃
度は、２５重量％より高く、より好ましくは３０重量％より高く、特に３５重量
％より高く、さらには３８重量％より高い。オキシム合成ゾーンを出る有機媒体
中のシクロヘキサノン濃度を高めることは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンからシクロヘキサノンオキシムの高められた量を分離する有効な方法である。
一般に、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る有機媒体中のシクロヘキサ
ノンオキシム濃度は、９５重量％より低く、好ましくは８０重量％より低く、よ
り好ましくは６０重量％より低い。有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃度
は全て、シクロヘキサノンオキシムと有機溶媒との合計重量に対して示される。
【００１６】
シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンは、４０〜１５０℃の範囲の温度で、大
気圧、大気圧より下、または高められた圧力、好ましくは０．０５〜０．５ＭＰ
ａ、より好ましくは０．１〜０．２ＭＰａ、最も好ましくは０．１〜０．１５Ｍ
Ｐａで運転され得る。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る
水性反応媒体が、１〜６、より好ましくは１．５〜４のｐＨを有する。
気圧、大気圧より下、または高められた圧力、好ましくは０．０５〜０．５ＭＰ
ａ、より好ましくは０．１〜０．２ＭＰａ、最も好ましくは０．１〜０．１５Ｍ
Ｐａで運転され得る。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る
水性反応媒体が、１〜６、より好ましくは１．５〜４のｐＨを有する。
【００１７】
好ましい実施態様では、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンが、水性反応媒体
と、シクロヘキサノンおよび有機溶媒を含む流れとを向流で接触させることによ
りヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノン
オキシムを形成するところの反応ゾーン、および水性反応媒体および有機溶媒を
、好ましくは向流で、接触させるところの抽出ゾーンを含み、ここでシクロヘキ
サノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体が反応ゾーンに供給され、反応ゾ
ーンを出る水性反応媒体が抽出ゾーンに供給される。この実施態様は、触媒の活
性に悪影響を及ぼすところの有機残渣、特にシクロヘキサノンおよびシクロヘキ
サノンオキシムが、反応ゾーンを出る水性反応媒体から分離されるという利点を
有する。好ましくは、シクロヘキサノンが、反応ゾーンと抽出ゾーンとの間でオ
キシム合成ゾーンに供給される。好ましくは、抽出ゾーンを出る有機溶媒が反応
ゾーンに供給される。好ましくは、シクロヘキサノンが、抽出ゾーンに入る有機
溶媒中でシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給される。公知の型の抽出器
、例えば抽出カラム、または撹拌器を備えた、所望により直列に連結した１以上
の反応器（これらの反応器の各々には、液体−液体分離器をも備えられている）
が使用され得る。好ましくは、充填物が満たされたパルスカラムが使用される。
反応ゾーンおよび抽出ゾーンは好ましくは、４０〜１５０℃の範囲の温度および
大気圧、大気圧より下、または高められた圧力、好ましくは０．０５〜０．５Ｍ
Ｐａ、より好ましくは０．１〜０．２ＭＰａ、最も好ましくは０．１〜０．１５
ＭＰａで運転される。公知の型の抽出器、例えば抽出カラム、好ましくは充填物
を満たしたパルスカラム、または撹拌器を備えた、所望により直列に連結した１
以上の反応器（これらの反応器の各々には、液体−液体分離器をも備えられてい
る）が使用され得る。好ましくは、有機溶媒が２０℃で０．１重量％未満の水溶
解度を有する。好ましくは、有機溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチ
ルシクロペンタン、シクロヘキサンおよびそれらの混合物から成る群から選択さ
れる。最も好ましくは、有機溶媒がトルエンである。反応ゾーンおよび抽出ゾー
ンの運転条件は、必ずしも同じではない。好ましくは、反応ゾーンおよび抽出ゾ
ーンで同じ溶媒が使用される。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンを出る水性反応媒体中のシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノンオキシムの
合計含量が、０．２重量％（２０００ｐｐｍ）より下、好ましくは０．１重量％
より下、より好ましくは０．０５重量％より下、特に０．０２重量％より下、さ
らには０．０１重量％より下、最も好ましくは０．００５重量％より下である（
水性反応媒体の重量に対する）。
と、シクロヘキサノンおよび有機溶媒を含む流れとを向流で接触させることによ
りヒドロキシルアンモニウムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノン
オキシムを形成するところの反応ゾーン、および水性反応媒体および有機溶媒を
、好ましくは向流で、接触させるところの抽出ゾーンを含み、ここでシクロヘキ
サノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体が反応ゾーンに供給され、反応ゾ
ーンを出る水性反応媒体が抽出ゾーンに供給される。この実施態様は、触媒の活
性に悪影響を及ぼすところの有機残渣、特にシクロヘキサノンおよびシクロヘキ
サノンオキシムが、反応ゾーンを出る水性反応媒体から分離されるという利点を
有する。好ましくは、シクロヘキサノンが、反応ゾーンと抽出ゾーンとの間でオ
キシム合成ゾーンに供給される。好ましくは、抽出ゾーンを出る有機溶媒が反応
ゾーンに供給される。好ましくは、シクロヘキサノンが、抽出ゾーンに入る有機
溶媒中でシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給される。公知の型の抽出器
、例えば抽出カラム、または撹拌器を備えた、所望により直列に連結した１以上
の反応器（これらの反応器の各々には、液体−液体分離器をも備えられている）
が使用され得る。好ましくは、充填物が満たされたパルスカラムが使用される。
反応ゾーンおよび抽出ゾーンは好ましくは、４０〜１５０℃の範囲の温度および
大気圧、大気圧より下、または高められた圧力、好ましくは０．０５〜０．５Ｍ
Ｐａ、より好ましくは０．１〜０．２ＭＰａ、最も好ましくは０．１〜０．１５
ＭＰａで運転される。公知の型の抽出器、例えば抽出カラム、好ましくは充填物
を満たしたパルスカラム、または撹拌器を備えた、所望により直列に連結した１
以上の反応器（これらの反応器の各々には、液体−液体分離器をも備えられてい
る）が使用され得る。好ましくは、有機溶媒が２０℃で０．１重量％未満の水溶
解度を有する。好ましくは、有機溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチ
ルシクロペンタン、シクロヘキサンおよびそれらの混合物から成る群から選択さ
れる。最も好ましくは、有機溶媒がトルエンである。反応ゾーンおよび抽出ゾー
ンの運転条件は、必ずしも同じではない。好ましくは、反応ゾーンおよび抽出ゾ
ーンで同じ溶媒が使用される。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンを出る水性反応媒体中のシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノンオキシムの
合計含量が、０．２重量％（２０００ｐｐｍ）より下、好ましくは０．１重量％
より下、より好ましくは０．０５重量％より下、特に０．０２重量％より下、さ
らには０．０１重量％より下、最も好ましくは０．００５重量％より下である（
水性反応媒体の重量に対する）。
【００１８】
好ましくは、有機汚染物質、特にシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノンオ
キシムの量を低下させるために、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水
性反応媒体が、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンに入る前に１以上の分離工
程に付される。好ましくは、有機汚染物質の更なる低下を達成するために、シク
ロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出るまたは抽出ゾーンを出る水性反応媒体が
ストリッピングに付される。米国特許第３，９４０，４４２号に記載されている
ストリッピング法が例えば使用され得る。好ましくは、ヒドロキシルアンモニウ
ム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノン
オキシムの合計含量が、０．０２重量％（２００ｐｐｍ）以下、より好ましくは
０．００５重量％以下、特に０．００２重量％以下、さらには０．００１重量％
以下、最も好ましくは０．０００２重量％以下である（水性反応媒体の重量に対
する）。
キシムの量を低下させるために、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水
性反応媒体が、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンに入る前に１以上の分離工
程に付される。好ましくは、有機汚染物質の更なる低下を達成するために、シク
ロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出るまたは抽出ゾーンを出る水性反応媒体が
ストリッピングに付される。米国特許第３，９４０，４４２号に記載されている
ストリッピング法が例えば使用され得る。好ましくは、ヒドロキシルアンモニウ
ム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノン
オキシムの合計含量が、０．０２重量％（２００ｐｐｍ）以下、より好ましくは
０．００５重量％以下、特に０．００２重量％以下、さらには０．００１重量％
以下、最も好ましくは０．０００２重量％以下である（水性反応媒体の重量に対
する）。
【００１９】
本発明者らは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の
ヒドロキシルアンモニウム濃度の増加が、 シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンを出る水性反応媒体中の有機汚染物質、特にシクロヘキサノンおよびシクロヘ
キサノンオキシムの濃度の増加を生じ得ることを見出した。これらの有機汚染物
質は、例えば、上記した分離プロセスの１以上を使用することにより分離され得
る。
ヒドロキシルアンモニウム濃度の増加が、 シクロヘキサノンオキシム合成ゾー
ンを出る水性反応媒体中の有機汚染物質、特にシクロヘキサノンおよびシクロヘ
キサノンオキシムの濃度の増加を生じ得ることを見出した。これらの有機汚染物
質は、例えば、上記した分離プロセスの１以上を使用することにより分離され得
る。
【００２０】
本発明者らは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の
高められたホスフェート濃度が、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンからヒド
ロキシルアンモニウム合成ゾーンへ再循環されるところの水性反応媒体中の有機
汚染物質の濃度を低下させることを見出した。一般に、シクロヘキサノンオキシ
ム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のホスフェート濃度は、２．０モル／リット
ルより高く、好ましくは２．５モル／リットルより高く、より好ましくは３．０
モル／リットルより高く、特に３．３モル／リットルより高く、さらには３．５
モル／リットルより高く、最も好ましくは３．７モル／リットルより高い。ホス
フェート濃度を高めることは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性
反応媒体中の有機汚染物質の濃度に対するヒドロキシルアンモニウムの高められ
た濃度の効果が軽減されまたは回避されるという利点を有する。好ましくは、ホ
スフェート濃度は、結晶が生じないように選択され、それは特に、温度および水
性反応媒体中の他の成分の濃度に依存する。一般に、シクロヘキサノンオキシム
合成ゾーンに入る水性反応媒体中のホスフェート濃度が８モル／リットル未満で
あり、好ましくは５モル／リットル未満であり、より好ましくは４．５モル／リ
ットル未満である。本明細書で使用されるとき、ホスフェート濃度は、それらが
存在する形状にかかわらず、全てのホスフェートの合計濃度を示し、モル／１リ
ットルの水性反応媒体で表される。好ましくは、ホスフェートは、ＰＯ4 3-、Ｈ
ＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -、Ｈ3ＰＯ4、またはＰＯ4 3-、ＨＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -の塩、
および／またはそれらの組み合わせとして存在する。好ましくは、シクロヘキサ
ノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体において、ｃ（ホスフェート）／ｃ
（ＮＨ3ＯＨ+）比が２．０より高く、より好ましくは２．１より高く、特に２．
２より高く、さらには２．３より高い。ここでｃ（ホスフェート）はホスフェー
ト濃度（モル／リットル）を表し、ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）はヒドロキシルアンモニウ
ム濃度（モル／リットル）を表す。高められた比は、更なる同等の環境下でヒド
ロキシルアンモニウム合成ゾーンに入る有機汚染物質の量の低下をもたらすので
、有利である。上記比の特定の上限はない。比が高すぎると、経済的な点から、
上記方法はあまり魅力的でなくなり得る。一般に、ｃ（ホスフェート）／ｃ（Ｎ
Ｈ3ＯＨ+）比は、１０未満である。
高められたホスフェート濃度が、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンからヒド
ロキシルアンモニウム合成ゾーンへ再循環されるところの水性反応媒体中の有機
汚染物質の濃度を低下させることを見出した。一般に、シクロヘキサノンオキシ
ム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のホスフェート濃度は、２．０モル／リット
ルより高く、好ましくは２．５モル／リットルより高く、より好ましくは３．０
モル／リットルより高く、特に３．３モル／リットルより高く、さらには３．５
モル／リットルより高く、最も好ましくは３．７モル／リットルより高い。ホス
フェート濃度を高めることは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性
反応媒体中の有機汚染物質の濃度に対するヒドロキシルアンモニウムの高められ
た濃度の効果が軽減されまたは回避されるという利点を有する。好ましくは、ホ
スフェート濃度は、結晶が生じないように選択され、それは特に、温度および水
性反応媒体中の他の成分の濃度に依存する。一般に、シクロヘキサノンオキシム
合成ゾーンに入る水性反応媒体中のホスフェート濃度が８モル／リットル未満で
あり、好ましくは５モル／リットル未満であり、より好ましくは４．５モル／リ
ットル未満である。本明細書で使用されるとき、ホスフェート濃度は、それらが
存在する形状にかかわらず、全てのホスフェートの合計濃度を示し、モル／１リ
ットルの水性反応媒体で表される。好ましくは、ホスフェートは、ＰＯ4 3-、Ｈ
ＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -、Ｈ3ＰＯ4、またはＰＯ4 3-、ＨＰＯ4 2-、Ｈ2ＰＯ4 -の塩、
および／またはそれらの組み合わせとして存在する。好ましくは、シクロヘキサ
ノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体において、ｃ（ホスフェート）／ｃ
（ＮＨ3ＯＨ+）比が２．０より高く、より好ましくは２．１より高く、特に２．
２より高く、さらには２．３より高い。ここでｃ（ホスフェート）はホスフェー
ト濃度（モル／リットル）を表し、ｃ（ＮＨ3ＯＨ+）はヒドロキシルアンモニウ
ム濃度（モル／リットル）を表す。高められた比は、更なる同等の環境下でヒド
ロキシルアンモニウム合成ゾーンに入る有機汚染物質の量の低下をもたらすので
、有利である。上記比の特定の上限はない。比が高すぎると、経済的な点から、
上記方法はあまり魅力的でなくなり得る。一般に、ｃ（ホスフェート）／ｃ（Ｎ
Ｈ3ＯＨ+）比は、１０未満である。
【００２１】
本発明者らは、（単位時間当たりにシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供
給されるヒドロキシルアンモニウム）／（単位時間当たりにシクロヘキサノンオ
キシム合成ゾーンに供給されるシクロヘキサノン）の低下されたモル比が、ヒド
ロキシルアンモニウム合成ゾーンを出る水性反応媒体中の有機汚染物質の濃度の
低下をもたらすことを見出した。好ましくは、比ｆh／ｆcが１．００未満である
。ここで、ｆhは単位時間当たりにシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給
されるヒドロキシルアンモニウムのモル量（モル／単位時間）を表し、ｆcは単
位時間当たりにシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給されるシクロヘキサ
ノンのモル量（モル／単位時間）を表す。
給されるヒドロキシルアンモニウム）／（単位時間当たりにシクロヘキサノンオ
キシム合成ゾーンに供給されるシクロヘキサノン）の低下されたモル比が、ヒド
ロキシルアンモニウム合成ゾーンを出る水性反応媒体中の有機汚染物質の濃度の
低下をもたらすことを見出した。好ましくは、比ｆh／ｆcが１．００未満である
。ここで、ｆhは単位時間当たりにシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給
されるヒドロキシルアンモニウムのモル量（モル／単位時間）を表し、ｆcは単
位時間当たりにシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給されるシクロヘキサ
ノンのモル量（モル／単位時間）を表す。
【００２２】
好ましくは、比ｆh／ｆc＜０．９９であり、より好ましくは０．９８未満であ
り、特に０．９７未満、さらには０．９６未満である。その比を低下させること
は、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中の有機汚染物質
濃度に対する高められたヒドロキシルアンモニウム濃度の効果が軽減されまたは
回避されるという利点を有する。これらの低下された比は、シクロヘキサノンオ
キシム合成ゾーンからヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンへ再循環される水性
反応媒体中の有機汚染物質の濃度の更なる低下をもたらす。比ｆh／ｆcの特定の
下限はない。一般に、ｆh／ｆc＞０．５であり、好ましくはｆh／ｆc＞０．７、
より好ましくはｆh／ｆc＞０．８である。望ましい比ｆh／ｆcは種々の方法で得
られ得る。例えば、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給されるシクロヘ
キサノンの流速をシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体の流
速に対して高めることによりその比を低下させることができる。また、シクロヘ
キサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム
濃度を低下させることによりその比を低下させることも可能である。
り、特に０．９７未満、さらには０．９６未満である。その比を低下させること
は、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中の有機汚染物質
濃度に対する高められたヒドロキシルアンモニウム濃度の効果が軽減されまたは
回避されるという利点を有する。これらの低下された比は、シクロヘキサノンオ
キシム合成ゾーンからヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンへ再循環される水性
反応媒体中の有機汚染物質の濃度の更なる低下をもたらす。比ｆh／ｆcの特定の
下限はない。一般に、ｆh／ｆc＞０．５であり、好ましくはｆh／ｆc＞０．７、
より好ましくはｆh／ｆc＞０．８である。望ましい比ｆh／ｆcは種々の方法で得
られ得る。例えば、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給されるシクロヘ
キサノンの流速をシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体の流
速に対して高めることによりその比を低下させることができる。また、シクロヘ
キサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム
濃度を低下させることによりその比を低下させることも可能である。
【００２３】
一般に、水性反応媒体は、酸性の緩衝化した反応媒体である。水性反応媒体は
、例えばヒドロキシルアンモニウムの合成において副生物として生成される、ア
ンモニウム（ＮＨ4 +）を含み得る。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成
ゾーンに入る水性反応媒体において、ｃ（ＮＨ4 +）／ｃ（ホスフェート）比が０
．１〜３、より好ましくは０．２〜２、最も好ましくは０．５〜１．５である。
ここでｃ（ＮＨ4 +）はＮＨ4 +濃度（モル／リットル）を表し、ｃ（ホスフェート
）はホスフェート濃度（モル／リットル）を表す。
、例えばヒドロキシルアンモニウムの合成において副生物として生成される、ア
ンモニウム（ＮＨ4 +）を含み得る。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成
ゾーンに入る水性反応媒体において、ｃ（ＮＨ4 +）／ｃ（ホスフェート）比が０
．１〜３、より好ましくは０．２〜２、最も好ましくは０．５〜１．５である。
ここでｃ（ＮＨ4 +）はＮＨ4 +濃度（モル／リットル）を表し、ｃ（ホスフェート
）はホスフェート濃度（モル／リットル）を表す。
【００２４】
一般に、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体は、ナイト
レート（ＮＯ3 -）を含む。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに
入る水性反応媒体において、ｃ（ＮＯ3 -）／ｃ（ホスフェート）が０．０５〜１
、より好ましくは０．１〜０．５である。ここでｃ（ＮＯ3 -）はＮＯ3 -濃度（モ
ル／リットル）を表し、ｃ（ホスフェート）はホスフェート濃度（モル／リット
ル）を表す。
レート（ＮＯ3 -）を含む。好ましくは、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに
入る水性反応媒体において、ｃ（ＮＯ3 -）／ｃ（ホスフェート）が０．０５〜１
、より好ましくは０．１〜０．５である。ここでｃ（ＮＯ3 -）はＮＯ3 -濃度（モ
ル／リットル）を表し、ｃ（ホスフェート）はホスフェート濃度（モル／リット
ル）を表す。
【００２５】
ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンでは、ナイトレートを水素で接触還元す
ることによってヒドロキシルアンモニウムが形成される。ヒドロキシルアンモニ
ウム合成ゾーンは、２０〜１００℃、好ましくは３０〜９０℃、より好ましくは
４０〜６５℃の範囲の温度、および大気圧、大気圧より下、または高められた圧
力、好ましくは０．１〜５ＭＰａ、より好ましくは０．３〜３ＭＰａ、特に０．
５〜２ＭＰａ（水素分圧）で運転され得る。好ましくは、ヒドロキシルアンモニ
ウム合成ゾーンのｐＨが０．５〜６、より好ましくは１〜４である。このゾーン
で使用される触媒は一般に、担体および触媒の合計重量に対して、１〜２５重量
％、好ましくは５〜１５重量％の貴金属の範囲で存在する。好ましくは、触媒が
、パラジウム含有触媒、例えば、担体（例えば炭素またはアルミナ担体）上に存
在するパラジウムまたはパラジウム−白金触媒である。一般に、触媒は、ヒドロ
キシルアンモニウム反応器容器中の全液体重量に対して０．２〜５重量％の量で
、 ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーン中に存在する。
ることによってヒドロキシルアンモニウムが形成される。ヒドロキシルアンモニ
ウム合成ゾーンは、２０〜１００℃、好ましくは３０〜９０℃、より好ましくは
４０〜６５℃の範囲の温度、および大気圧、大気圧より下、または高められた圧
力、好ましくは０．１〜５ＭＰａ、より好ましくは０．３〜３ＭＰａ、特に０．
５〜２ＭＰａ（水素分圧）で運転され得る。好ましくは、ヒドロキシルアンモニ
ウム合成ゾーンのｐＨが０．５〜６、より好ましくは１〜４である。このゾーン
で使用される触媒は一般に、担体および触媒の合計重量に対して、１〜２５重量
％、好ましくは５〜１５重量％の貴金属の範囲で存在する。好ましくは、触媒が
、パラジウム含有触媒、例えば、担体（例えば炭素またはアルミナ担体）上に存
在するパラジウムまたはパラジウム−白金触媒である。一般に、触媒は、ヒドロ
キシルアンモニウム反応器容器中の全液体重量に対して０．２〜５重量％の量で
、 ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーン中に存在する。
【００２６】
図１を参照すると、Ａは、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンを表す。反応
ゾーンＢおよび抽出ゾーンＣを含むシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンが使用
される。触媒を含むゾーンＡにライン１を介して水素が供給される。未反応水素
は、ライン２を介して、他の気体と共に排出される。水性反応媒体、特にホスフ
ェートを含む水性反応媒体が、ライン１５を通ってゾーンＡに供給され、ヒドロ
キシルアンモニウム合成ゾーンでヒドロキシルアンモニウム（および副生物とし
てのアンモニウムも）が豊富にされた後、ライン３を介して、反応ゾーンＢに送
られる。ゾーンＡからゾーンＢへ送られる水性反応媒体中のヒドロキシルアンモ
ニウム濃度は１．０モル／リットルより高い。転化されるべきシクロヘキサノン
は、有機溶媒中で、ライン４を介して反応ゾーンＢへ供給される。シクロヘキサ
ノンは、ライン７を介して有機溶媒中に導入される。製造され、有機溶媒中に溶
解されたシクロヘキサノンオキシムの最大部分が、ライン５を介して系から除去
される。
ゾーンＢおよび抽出ゾーンＣを含むシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンが使用
される。触媒を含むゾーンＡにライン１を介して水素が供給される。未反応水素
は、ライン２を介して、他の気体と共に排出される。水性反応媒体、特にホスフ
ェートを含む水性反応媒体が、ライン１５を通ってゾーンＡに供給され、ヒドロ
キシルアンモニウム合成ゾーンでヒドロキシルアンモニウム（および副生物とし
てのアンモニウムも）が豊富にされた後、ライン３を介して、反応ゾーンＢに送
られる。ゾーンＡからゾーンＢへ送られる水性反応媒体中のヒドロキシルアンモ
ニウム濃度は１．０モル／リットルより高い。転化されるべきシクロヘキサノン
は、有機溶媒中で、ライン４を介して反応ゾーンＢへ供給される。シクロヘキサ
ノンは、ライン７を介して有機溶媒中に導入される。製造され、有機溶媒中に溶
解されたシクロヘキサノンオキシムの最大部分が、ライン５を介して系から除去
される。
【００２７】
反応ゾーンＢを出た後、水性反応媒体は、ライン６を介して抽出ゾーンＣへ送
られる。反応ゾーンＢを出た後、水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム含
量は、反応によって減少され、少量のシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノン
オキシム汚染物質を含む。有機溶媒は、ライン９を通って抽出ゾーンＣに入る。
抽出ゾーンＣ内で、さらにシクロヘキサノンオキシムが水性反応媒体から除去さ
れ、ライン８を通って有機溶媒中でゾーンＣの外に運ばれる。抽出ゾーンＣでは
、水性反応媒体中の残留有機汚染物質（シクロヘキサノン＋シクロヘキサノンオ
キシム）が減少される。
られる。反応ゾーンＢを出た後、水性反応媒体中のヒドロキシルアンモニウム含
量は、反応によって減少され、少量のシクロヘキサノンおよびシクロヘキサノン
オキシム汚染物質を含む。有機溶媒は、ライン９を通って抽出ゾーンＣに入る。
抽出ゾーンＣ内で、さらにシクロヘキサノンオキシムが水性反応媒体から除去さ
れ、ライン８を通って有機溶媒中でゾーンＣの外に運ばれる。抽出ゾーンＣでは
、水性反応媒体中の残留有機汚染物質（シクロヘキサノン＋シクロヘキサノンオ
キシム）が減少される。
【００２８】
水性反応媒体は、ライン１０を通って抽出ゾーンＣを出る。ライン１０は、水性
反応媒体を分離運転、ストリッピングカラムＤに送る。このカラムでは、シクロ
ヘキサノンオキシムがシクロヘキサノンに加水分解され、こうして生成されたシ
クロヘキサノンが、すでに存在するシクロヘキサノンと共に、ライン１１を通っ
て、他の有機物質および水と共に（例えば、共沸混合物として）排出される。系
において再循環される水性反応媒体は次いで、ライン１２を通ってゾーンＥに入
る。ゾーンＥでは、硝酸が製造される。好ましくは、ライン１３を通って供給さ
れる空気を、ライン１４を通って供給されるアンモニアおよび水性反応媒体から
の水と反応させることによって、ゾーンＥでまたはその後に、硝酸が製造される
。硝酸を製造する代わりに、硝酸を水性反応媒体に直接供給することも可能であ
る。従って、ゾーンＥにおいて無機媒体中でナイトレートレベルが高められる。
ゾーンＥでは、アンモニウムイオン、例えば、ヒドロキシルアンモニウムの合成
において副生物として生成されるアンモニウムイオンが、酸化窒素を含む気体に
よって転化され得る。しかし、アンモニウムイオンの除去のための他の方法も使
用され得る。次いで、水性反応媒体は、ライン１５を介してヒドロキシルアンモ
ニウム合成ゾーンＡに戻ることによりサイクルを完了する。上記プロセスは連続
して行われる。
反応媒体を分離運転、ストリッピングカラムＤに送る。このカラムでは、シクロ
ヘキサノンオキシムがシクロヘキサノンに加水分解され、こうして生成されたシ
クロヘキサノンが、すでに存在するシクロヘキサノンと共に、ライン１１を通っ
て、他の有機物質および水と共に（例えば、共沸混合物として）排出される。系
において再循環される水性反応媒体は次いで、ライン１２を通ってゾーンＥに入
る。ゾーンＥでは、硝酸が製造される。好ましくは、ライン１３を通って供給さ
れる空気を、ライン１４を通って供給されるアンモニアおよび水性反応媒体から
の水と反応させることによって、ゾーンＥでまたはその後に、硝酸が製造される
。硝酸を製造する代わりに、硝酸を水性反応媒体に直接供給することも可能であ
る。従って、ゾーンＥにおいて無機媒体中でナイトレートレベルが高められる。
ゾーンＥでは、アンモニウムイオン、例えば、ヒドロキシルアンモニウムの合成
において副生物として生成されるアンモニウムイオンが、酸化窒素を含む気体に
よって転化され得る。しかし、アンモニウムイオンの除去のための他の方法も使
用され得る。次いで、水性反応媒体は、ライン１５を介してヒドロキシルアンモ
ニウム合成ゾーンＡに戻ることによりサイクルを完了する。上記プロセスは連続
して行われる。
【００２９】
以下の特定の実施例は、開示の残りを単に説明するものであり、限定するもので
はない。
はない。
【００３０】実施例１〜７
全ての実施例において、図１に示す実施態様が使用された。
【００３１】実施例１
ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンＡ（触媒（炭素上に担持された８重量％
のＰｄおよび２重量％のＰｔ）を含み、５０℃の温度で１ＭＰａの圧力（水素分
圧）で運転される）において、単位時間当たりに下記の組成を有する水性反応媒
体が製造された。 １．００モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．１４モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７４モルのＨ3ＰＯ4 １．７８モルのＮＨ4ＮＯ3 ４３．０モルのＨ2Ｏ そして、これをシクロヘキサノン（ライン７を介して供給）およびトルエン（ラ
イン９を介して供給）と共に、反応ゾーンＢ（パルス充填カラム、５５℃で運転
）に連続的に供給した。モル比ｆh／ｆcは０．９５であった。トルエンに溶解さ
れたシクロヘキサノンオキシムを含む有機媒体を、ヒドロキシルアンモニウム合
成ゾーンから抜き出した（ライン５を介して）。シクロヘキサノンオキシム濃度
は３８重量％（トルエン＋シクロヘキサノンオキシムの合計重量に対して）であ
った。ゾーンＢを出る水性反応媒体は、トルエンとともに抽出ゾーンＣ（パルス
充填カラム、７０℃で運転）に供給された。 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４７５モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、４．７５％であった。
のＰｄおよび２重量％のＰｔ）を含み、５０℃の温度で１ＭＰａの圧力（水素分
圧）で運転される）において、単位時間当たりに下記の組成を有する水性反応媒
体が製造された。 １．００モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．１４モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７４モルのＨ3ＰＯ4 １．７８モルのＮＨ4ＮＯ3 ４３．０モルのＨ2Ｏ そして、これをシクロヘキサノン（ライン７を介して供給）およびトルエン（ラ
イン９を介して供給）と共に、反応ゾーンＢ（パルス充填カラム、５５℃で運転
）に連続的に供給した。モル比ｆh／ｆcは０．９５であった。トルエンに溶解さ
れたシクロヘキサノンオキシムを含む有機媒体を、ヒドロキシルアンモニウム合
成ゾーンから抜き出した（ライン５を介して）。シクロヘキサノンオキシム濃度
は３８重量％（トルエン＋シクロヘキサノンオキシムの合計重量に対して）であ
った。ゾーンＢを出る水性反応媒体は、トルエンとともに抽出ゾーンＣ（パルス
充填カラム、７０℃で運転）に供給された。 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４７５モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、４．７５％であった。
【００３２】実施例２
本実施例では、ゾーンＡを出てゾーンＢに入る水性反応媒体が以下の組成を有
することを除いて、全ての条件が実施例１と同じであった（モル比ｆh／ｆｃお
よび有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃度を含む）。 １．２５モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．２５モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７５モルのＨ3ＰＯ4 １．７５モルのＮＨ4ＮＯ3 ４０．５モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４３８モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、３．５０％であった。
することを除いて、全ての条件が実施例１と同じであった（モル比ｆh／ｆｃお
よび有機媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃度を含む）。 １．２５モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．２５モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７５モルのＨ3ＰＯ4 １．７５モルのＮＨ4ＮＯ3 ４０．５モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４３８モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、３．５０％であった。
【００３３】実施例３
本実施例では、ゾーンＡを出てゾーンＢに入る水性反応媒体が以下の組成を有
することを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．３３モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．１８モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７１モルのＨ3ＰＯ4 １．７０モルのＮＨ4ＮＯ3 ４０．９モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４３８モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、３．３０％であった。
することを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．３３モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．１８モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７１モルのＨ3ＰＯ4 １．７０モルのＮＨ4ＮＯ3 ４０．９モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４３８モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、３．３０％であった。
【００３４】実施例４
本実施例では、ゾーンＡを出てゾーンＢに入る水性反応媒体が以下の組成を有
することを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．４４モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．１８モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７１モルのＨ3ＰＯ4 １．８６モルのＮＨ4ＮＯ3 ３９．３モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４６３モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ヒドロキシルアン
モニウム合成ゾーンＡに入る水性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認め
られなかった。ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルア
ンモニウムの量に対する、分解によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモ
ル量は、３．２２％であった。
することを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．４４モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．１８モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７１モルのＨ3ＰＯ4 １．８６モルのＮＨ4ＮＯ3 ３９．３モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０４６３モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ヒドロキシルアン
モニウム合成ゾーンＡに入る水性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認め
られなかった。ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルア
ンモニウムの量に対する、分解によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモ
ル量は、３．２２％であった。
【００３５】実施例５
本実施例では、ゾーンＡを出てゾーンＢに入る水性反応媒体が以下の組成を有す
ることを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．４８モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．６４モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．６９モルのＨ3ＰＯ4 １．４１モルのＮＨ4ＮＯ3 ３８．３モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０３７５モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、２．５４％であった。
ることを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．４８モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．６４モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．６９モルのＨ3ＰＯ4 １．４１モルのＮＨ4ＮＯ3 ３８．３モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０３７５モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、２．５４％であった。
【００３６】実施例６
本実施例では、ゾーンＡを出てゾーンＢに入る水性反応媒体が以下の組成を有
することを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．５４モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．６３モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７１モルのＨ3ＰＯ4 １．５３モルのＮＨ4ＮＯ3 ３７．２モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０１８８モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、１．２２％であった。
することを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．５４モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．６３モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７１モルのＨ3ＰＯ4 １．５３モルのＮＨ4ＮＯ3 ３７．２モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０１８８モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ゾーンＡに入る水
性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認められなかった。ヒドロキシルア
ンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解
によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモル量は、１．２２％であった。
【００３７】実施例７
本実施例では、ゾーンＡを出てゾーンＢに入る水性反応媒体が以下の組成を有す
ることを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．６３モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．６５モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７０モルのＨ3ＰＯ4 １．５１モルのＮＨ4ＮＯ3 ３６．５モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０１６３モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ヒドロキシルアン
モニウム合成ゾーンＡに入る水性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認め
られなかった。ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルア
ンモニウムの量に対する、分解によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモ
ル量は、１．００％であった。
ることを除いて、全ての条件が先の実施例と同じであった。 １．６３モルのＮＨ3ＯＨ・Ｈ2ＰＯ4 １．６５モルのＮＨ4Ｈ2ＰＯ4 ０．７０モルのＨ3ＰＯ4 １．５１モルのＮＨ4ＮＯ3 ３６．５モルのＨ2Ｏ 抽出ゾーンＣを出る水性反応媒体は、０．０１６３モル／リットルのヒドロキ
シルアンモニウムを含んでいた。硝酸プラントＥにおける３価窒素を含む気体の
吸収による硝酸のインシチュー（ｉｎ ｓｉｔｕ）生成の後、ヒドロキシルアン
モニウム合成ゾーンＡに入る水性反応媒体中にヒドロキシルアンモニウムは認め
られなかった。ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで生成したヒドロキシルア
ンモニウムの量に対する、分解によって失われたヒドロキシルアンモニウムのモ
ル量は、１．００％であった。
【００３８】
実施例１〜７の結果を表１に示す。表１には、ヒドロキシルアンモニウム合成
ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解によって失われ
たヒドロキシルアンモニウムのモル量（％）およびヒドロキシルアンモニウムの
転化率を示す。シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒ
ドロキシルアンモニウム濃度の増加が、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで
生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解によって失われたヒドロ
キシルアンモニウムのモル量の低下、およびヒドロキシルアンモニウムの転化率
の増加を生じることが分かる。
ゾーンで生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解によって失われ
たヒドロキシルアンモニウムのモル量（％）およびヒドロキシルアンモニウムの
転化率を示す。シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中のヒ
ドロキシルアンモニウム濃度の増加が、ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンで
生成したヒドロキシルアンモニウムの量に対する、分解によって失われたヒドロ
キシルアンモニウムのモル量の低下、およびヒドロキシルアンモニウムの転化率
の増加を生じることが分かる。
【００３９】
【表１】
【００４０】
本発明の特定の実施態様を上記に例示し、記載した。しかし、当業者が理解す
るように、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、種々の改変が行われ得
る。したがって、本発明の解釈は、特許請求の範囲による限定を除いて、限定さ
れるべきではない。
るように、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、種々の改変が行われ得
る。したがって、本発明の解釈は、特許請求の範囲による限定を除いて、限定さ
れるべきではない。
【００４１】
【図１】
図１は、本発明に従う方法の一実施態様の模式図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ
，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，
ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ
Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ
，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，
ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，
ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ
Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ
，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＣ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，
ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，Ｉ
Ｎ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ
，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，
ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，Ｐ
Ｌ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ
，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，
ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 オーベリング， ヘンク
オランダ国， 6181 ビーアール エルス
ルー， ブルグ． エウセンストラート
46
(72)発明者 ピット， アレックス
アメリカ合衆国， ジョージア州 30809，
エヴァンス， ウォルデン グレン コ
ート 818
(72)発明者 ピエタース， パウルス， ヨハネス，
ヤコブス
オランダ国， 6181 ケーゼット ステイ
ン， エッカーステーヘ 14
Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC59 BB11 BB31 BC35
BC37 BD70 BE02 BE04 BE21
BW18
Claims (11)
- 【請求項１】 ホスフェート含有水性反応媒体がヒドロキシルアンモニウム合
成ゾーンからシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンへ、そしてもとのヒドロキシ
ルアンモニウム合成ゾーンへ循環されるところのシクロヘキサノンオキシムの製
造法であって、該ヒドロキシルアンモニウム合成ゾーンにおいて水素によるナイ
トレートの接触還元によってヒドロキシルアンモニウムが形成され、該シクロヘ
キサノンオキシム合成ゾーンにおいて有機溶媒の存在下でヒドロキシルアンモニ
ウムがシクロヘキサノンと反応されてシクロヘキサノンオキシムが形成されると
ころの方法において、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体
中のヒドロキシルアンモニウム濃度が１．０モル／リットルより高いことを特徴
とする方法。 - 【請求項２】 ヒドロキシルアンモニウム、ホスフェートおよびナイトレート
を含む水性反応媒体がシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに供給され、該ゾー
ンでヒドロキシルアンモニウムが有機溶媒の存在下でシクロヘキサノンと反応さ
れてシクロヘキサノンオキシムを形成するところのシクロヘキサノンオキシムの
製造法において、シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の
ヒドロキシルアンモニウム濃度が１．０モル／リットルより高いことを特徴とす
る方法。 - 【請求項３】 シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の
ヒドロキシルアンモニウム濃度が１．２モル／リットルより高いことを特徴とす
る請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の
ヒドロキシルアンモニウム濃度が１．４モル／リットルより高いことを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンに入る水性反応媒体中の
ヒドロキシルアンモニウム濃度が１．６モル／リットルより高いことを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 水性反応媒体と、シクロヘキサノンおよび有機溶媒を含む流れ
とを向流で接触させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の方法
。 - 【請求項７】 有機溶媒およびシクロヘキサノンがシクロヘキサノンオキシム
合成ゾーンに供給され、そして有機溶媒およびシクロヘキサノンオキシムを含む
有機媒体がシクロヘキサノンオキシム合成ゾーンから抜き出され、ここで、有機
媒体中のシクロヘキサノンオキシム濃度が５重量％より高いことを特徴とする請
求項１〜６のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項８】 シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る有機媒体中のシク
ロヘキサノンオキシム濃度が２５重量％より高いことを特徴とする請求項７記載
の方法。 - 【請求項９】 有機溶媒が、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルシクロペ
ンタン、シクロヘキサンおよびそれらの混合物から成る群から選択されることを
特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１０】 シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中
のヒドロキシルアンモニウム濃度が０．１モル／リットル未満であることを特徴
とする請求項１〜９のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１１】 シクロヘキサノンオキシム合成ゾーンを出る水性反応媒体中
のヒドロキシルアンモニウム濃度が０．０１〜０．０５モル／リットルであるこ
とを特徴とする請求項１０記載の方法。
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