JP2003523639A - 電子装置 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
-
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- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
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Abstract
(57)【要約】
本発明による電子装置１０は第１のインダクタ１２および第１のキャパシタ１１を有する。キャパシタ１１は第１の導電層３内の第1のキャパシタ電極２１、誘電体２６および第２の導電層７内の第２のキャパシタ電極２５を備える。導電層７は第１のインダクタ１２およびビア１３を有する。ＲＦ装置において高周波で使用され、低域の共振周波数を得るために、導電層３の上へ投影された輪郭がキャパシタ電極２１の内側にあるようなキャパシタ電極２５を有す。エッチングによるキャパシタ１１の容量における低減は、同じエッチングによるインダクタ１２のインダクタンスの上昇に対してレベルアウト（leveled out）され得る。好ましくは誘電体２６は中間領域２４およびエッジ領域２２、２３を有する。誘電体は、中間領域２４内において誘電材料層５を含む。誘電体は、エッジ領域２２、２３において誘電材料層５および電気的絶縁材料層４を含む。
Description
【０００１】
本発明は、第１および第２のキャパシタ電極を有する第１のコイル、および誘
電性を有する第１のキャパシタを備えた電子装置に関する。その電子装置は、第
１および第２の面を有する基板を備え、その第２の面には次のもの、即ち、第１
のキャパシタ電極が定められるパターニングされた第１の導電層と、少なくとも
部分的に誘電性を有する誘電材料層と、実質的に第１のコイルである第１のパタ
ーンおよび少なくとも第２のキャパシタ電極の一部分である第２のパターンを備
えるパターニングされた第２の導電層と、が存在する。
電性を有する第１のキャパシタを備えた電子装置に関する。その電子装置は、第
１および第２の面を有する基板を備え、その第２の面には次のもの、即ち、第１
のキャパシタ電極が定められるパターニングされた第１の導電層と、少なくとも
部分的に誘電性を有する誘電材料層と、実質的に第１のコイルである第１のパタ
ーンおよび少なくとも第２のキャパシタ電極の一部分である第２のパターンを備
えるパターニングされた第２の導電層と、が存在する。
【０００２】
このような装置は、M.de Samber と L.Tegelaersによる、Philips Journal of
Research,51(1998)の389−410により公知である。その公知の装置はＬＣフィル
タである。その基板は、第２の面においてＳｉＯ２の電気的絶縁面を有するシリ
コンを備える。第２の導電層はアルミニウムおよび金から構成され得る。この層
がアルミニウムを含むとした場合、この層はスパッタリング、および続いてエッ
チングをすることによって形成される。金を含むパターニングされた第２の導電
層は、レジスト層が金の薄膜上に形成されることによって製造される。そのレジ
スト層はフォトリソグラフィによって形成され、金は電気化学的に成長せられる
。
Research,51(1998)の389−410により公知である。その公知の装置はＬＣフィル
タである。その基板は、第２の面においてＳｉＯ２の電気的絶縁面を有するシリ
コンを備える。第２の導電層はアルミニウムおよび金から構成され得る。この層
がアルミニウムを含むとした場合、この層はスパッタリング、および続いてエッ
チングをすることによって形成される。金を含むパターニングされた第２の導電
層は、レジスト層が金の薄膜上に形成されることによって製造される。そのレジ
スト層はフォトリソグラフィによって形成され、金は電気化学的に成長せられる
。
【０００３】
公知の装置の欠点は、ＬＣフィルタがその装置の製造における制御できない工
程（step）に依存したエラー範囲（margin of error）を有する共振周波数を有
することである。このエラー範囲は、装置を高周波に適用するには大き過ぎる。
程（step）に依存したエラー範囲（margin of error）を有する共振周波数を有
することである。このエラー範囲は、装置を高周波に適用するには大き過ぎる。
【０００４】
本発明の第１の目的は、上記した段落において記載したように、高周波におい
て装置に適用できるように充分に小さいエラー範囲の共振周波数を有する電子装
置を提供することである。
て装置に適用できるように充分に小さいエラー範囲の共振周波数を有する電子装
置を提供することである。
【０００５】
本発明の目的は、誘電体が中間領域およびエッジ領域を基板の第２の面に対し
て平行に有し、その誘電体が中間領域においてよりもエッジ領域において、より
厚い誘電体の厚さ（greater dielectric thickness）を有し、第１の導電層上へ
垂直方向から投影された第２のキャパシタ電極の射影が少なくとも部分的に第１
のキャパシタ電極の内側にあることによって達成される。
て平行に有し、その誘電体が中間領域においてよりもエッジ領域において、より
厚い誘電体の厚さ（greater dielectric thickness）を有し、第１の導電層上へ
垂直方向から投影された第２のキャパシタ電極の射影が少なくとも部分的に第１
のキャパシタ電極の内側にあることによって達成される。
【０００６】
第１番目のオーダー（the first order）の共振周波数は、コイルの存在によ
るインダクタンスおよびキャパシタの存在による容量に同等に強く依存する。よ
り厚い誘電体の厚さ（誘電率（dielectric constant）に対する層の厚さの比率
として定義される）により、装置の製造における制御性の悪い工程によるインダ
クタンスの上昇が、製造におけるその同一工程において容量の低下によって補わ
れる。制御性の悪い工程は、通常、第２の導電層のパターニングである。この第
２の導電層は比較的厚いことが好ましいからである。このパターニングは、例え
ば、ウェットまたはドライエッチングによって行われ、若しくは、パターンが電
気化学的に成長せられるプロセスにおいて行われる。同様の補償は、インダクタ
ンスが低下すれば起こり、それによりキャパシタンスが上昇する。
るインダクタンスおよびキャパシタの存在による容量に同等に強く依存する。よ
り厚い誘電体の厚さ（誘電率（dielectric constant）に対する層の厚さの比率
として定義される）により、装置の製造における制御性の悪い工程によるインダ
クタンスの上昇が、製造におけるその同一工程において容量の低下によって補わ
れる。制御性の悪い工程は、通常、第２の導電層のパターニングである。この第
２の導電層は比較的厚いことが好ましいからである。このパターニングは、例え
ば、ウェットまたはドライエッチングによって行われ、若しくは、パターンが電
気化学的に成長せられるプロセスにおいて行われる。同様の補償は、インダクタ
ンスが低下すれば起こり、それによりキャパシタンスが上昇する。
【０００７】
容量が変化する場合には、第１の導電層上へ垂直方向から投影された第２のキ
ャパシタ電極の射影が少なくとも部分的に第１のキャパシタ電極の内側にあるこ
とが必要である。その垂直方向からの射影は、全体が第１のキャパシタ電極の内
側にあることは必ずしも必要ではなく、第１のコイルのような第２の電極から装
置の他の部分への導電性の接続が第２の導電層に存在してもよい。その補償も、
垂直方向からの射影が部分的にだけ第１のキャパシタ電極の内側にあることを要
する。好ましくは、中間領域における誘電体の厚さに対するエッジ領域における
誘電体の厚さの比率は3から20の間である。
ャパシタ電極の射影が少なくとも部分的に第１のキャパシタ電極の内側にあるこ
とが必要である。その垂直方向からの射影は、全体が第１のキャパシタ電極の内
側にあることは必ずしも必要ではなく、第１のコイルのような第２の電極から装
置の他の部分への導電性の接続が第２の導電層に存在してもよい。その補償も、
垂直方向からの射影が部分的にだけ第１のキャパシタ電極の内側にあることを要
する。好ましくは、中間領域における誘電体の厚さに対するエッジ領域における
誘電体の厚さの比率は3から20の間である。
【０００８】
その結果、装置の共振周波数は、その装置の製造におけるエラー範囲によって
影響されない。ＬＣフィルタだけでなく、例えば、コイルとキャパシタとを備え
た集積回路などの装置は、100ＭＨz以上の周波数で動作する携帯電話のようなＲ
Ｆ無線通信装置における用途にも適用することができる。本発明による電子装置
を高周波用の製品に使用することによって、その装置がより正確な帯域（bandwi
dth）の周波数に適用され得るようになる。このように、高周波用の製品は、よ
り良い性能を有する。それは、また、2000ＭＨzを超える周波数のような非常に
高い周波数を用いることを可能にする。
影響されない。ＬＣフィルタだけでなく、例えば、コイルとキャパシタとを備え
た集積回路などの装置は、100ＭＨz以上の周波数で動作する携帯電話のようなＲ
Ｆ無線通信装置における用途にも適用することができる。本発明による電子装置
を高周波用の製品に使用することによって、その装置がより正確な帯域（bandwi
dth）の周波数に適用され得るようになる。このように、高周波用の製品は、よ
り良い性能を有する。それは、また、2000ＭＨzを超える周波数のような非常に
高い周波数を用いることを可能にする。
【０００９】
好適な実施の形態としては、中間領域の誘電体が誘電材料の層から形成され、
エッジ領域の誘電体が誘電材料の層および電気的絶縁材料の層から形成される。
エッジ領域の誘電体が誘電材料の層および電気的絶縁材料の層から形成される。
【００１０】
エッジ領域と中間領域との間の誘電体の厚さの相違は、エッジ領域における誘
電体材料層と電気的絶縁材料層との組合せにより、誘電材料の層のみが存在して
いた場合よりも大きくなる。
電体材料層と電気的絶縁材料層との組合せにより、誘電材料の層のみが存在して
いた場合よりも大きくなる。
【００１１】
本発明による装置の他の実施の形態によれば、パターニングされた中間導電層
が誘電材料層と電気的絶縁材料層との間に存在し、その中間導電層において、第
２の導電層の第２のパターンに電気的にコンタクトし、このパターンに関連して
第２のキャパシタ電極を形成する平面状導電線（planar conductor track）が定
められており、並びに、その中間層上へ垂直方向から投影された前述の第２のパ
ターンの射影が少なくとも部分的にその導電線の外側にある。
が誘電材料層と電気的絶縁材料層との間に存在し、その中間導電層において、第
２の導電層の第２のパターンに電気的にコンタクトし、このパターンに関連して
第２のキャパシタ電極を形成する平面状導電線（planar conductor track）が定
められており、並びに、その中間層上へ垂直方向から投影された前述の第２のパ
ターンの射影が少なくとも部分的にその導電線の外側にある。
【００１２】
本実施の形態によれば、誘電体材料層は電気的絶縁材料層と第１の導電層との
間に存在する。これは、誘電体層および中間層が連続して堆積されること、およ
びこれらの層の間の境界表面がエッチング方法によって影響しないこと、という
利点を有する。中間層は電気的絶縁材料層をエッチングする際のエッチングスト
ップ層として作用し、電気的絶縁材料層は、一部がその中間層上に存在し、一部
が誘電材料層の上に存在する。
間に存在する。これは、誘電体層および中間層が連続して堆積されること、およ
びこれらの層の間の境界表面がエッチング方法によって影響しないこと、という
利点を有する。中間層は電気的絶縁材料層をエッチングする際のエッチングスト
ップ層として作用し、電気的絶縁材料層は、一部がその中間層上に存在し、一部
が誘電材料層の上に存在する。
【００１３】
本実施の形態の特別な変形例としては、誘電材料層および電気的絶縁材料層が
部分的に第１のキャパシタの外側に存在せず、第１および第２の導電層の間に電
気的接続が存在する。このような接続はビアとして知られている。本変形例は、
製造方法において付加的な工程がなくとも製造することができるという利点があ
る。中間層が存在せず、第１のキャパシタの外側にある電気的絶縁層のエッチン
グは、誘電材料層も同時に除去する。次に、続く第２の導電層の堆積がビアを完
成する。
部分的に第１のキャパシタの外側に存在せず、第１および第２の導電層の間に電
気的接続が存在する。このような接続はビアとして知られている。本変形例は、
製造方法において付加的な工程がなくとも製造することができるという利点があ
る。中間層が存在せず、第１のキャパシタの外側にある電気的絶縁層のエッチン
グは、誘電材料層も同時に除去する。次に、続く第２の導電層の堆積がビアを完
成する。
【００１４】
さらに、第２の導電層は5μｍより厚いことが好ましい。第1のコイルのロスが
そのような厚さの場合において小さい。好ましくは、第２の導電層はアルミニウ
ムを含む。この材料はスパッタリングによって容易に形成され、ウェットエッチ
ングによって容易にパターニングされることができる。この場合には、アンダエ
ッチングが起こり、そのアンダエッチングによって、第１のキャパシタの容量が
低下し、一方で第１のコイルのインダクタンスを上昇させる。さらに、アルミニ
ウムは良好な導電性を有する。このことは、コイルにとってだけでなく、第２の
導電層内で好ましくは定められる導電線（conductor track）や相互接続にとっ
ても重要である。
そのような厚さの場合において小さい。好ましくは、第２の導電層はアルミニウ
ムを含む。この材料はスパッタリングによって容易に形成され、ウェットエッチ
ングによって容易にパターニングされることができる。この場合には、アンダエ
ッチングが起こり、そのアンダエッチングによって、第１のキャパシタの容量が
低下し、一方で第１のコイルのインダクタンスを上昇させる。さらに、アルミニ
ウムは良好な導電性を有する。このことは、コイルにとってだけでなく、第２の
導電層内で好ましくは定められる導電線（conductor track）や相互接続にとっ
ても重要である。
【００１５】
第１の導電層は、例えば、アルミニウム、ドーピングされたポリ（3,4-エチレ
ンダイオキシ）チオフェン（doped poly(3,4-ethylenedioxy)thiophene）、ポリ
アニリン（polyaniline）、ニッケル、銅、金、プラチナまたはドーピングされ
たシリコンを含む。
ンダイオキシ）チオフェン（doped poly(3,4-ethylenedioxy)thiophene）、ポリ
アニリン（polyaniline）、ニッケル、銅、金、プラチナまたはドーピングされ
たシリコンを含む。
【００１６】
基板の材料は、多くの材料から選択され得る。その例として、ガラス、アルミ
ナ、ポリイミドおよびシリコンがある。好ましくは、第２の面がシリコン酸化物
に酸化されている高オーミックのシリコンが、高周波用の製品のために選択され
る。
ナ、ポリイミドおよびシリコンがある。好ましくは、第２の面がシリコン酸化物
に酸化されている高オーミックのシリコンが、高周波用の製品のために選択され
る。
【００１７】
好ましくは、誘電材料は、高い誘電率を有する材料である。その例としては、
シリコン窒化物、それに代えて、チタン酸バリウム（barium titanate）および
ニオブ酸バリウム（barium niobate）、酸化チタン、並びにポリビニルフェノー
ル(polyvinylphenol)がある。好ましくは、電気的絶縁材料は、シリコン酸化物
、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene）などの低誘電率を有す
る材料である。電気的絶縁材料は、フォトリソグラフィによってパターニングさ
れることができる。
シリコン窒化物、それに代えて、チタン酸バリウム（barium titanate）および
ニオブ酸バリウム（barium niobate）、酸化チタン、並びにポリビニルフェノー
ル(polyvinylphenol)がある。好ましくは、電気的絶縁材料は、シリコン酸化物
、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene）などの低誘電率を有す
る材料である。電気的絶縁材料は、フォトリソグラフィによってパターニングさ
れることができる。
【００１８】
本発明のこれらのおよび他の特徴は添付図面を参照してより詳細に説明される
。
。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１のＬＣフィルタ１０は、第１の面４１と、第１のキャパシタ電極２１を定
めＮｉを含む第１の導電層３が在る第２の面４２とを有するＡｌ２Ｏ３を含む基
板１を備える。第１の導電層３には、ビア１３を（それによって、特に、第１の
コイル１２を）Ｕ字型電気的コンタクト１４へ接続させる導電線２７が存在する
。誘電体２６は、第１のキャパシタ１１の第１のキャパシタ電極上に存在する。
キャパシタ１１のエッジ領域２２および２３において、誘電体２６は0.01から0.
2μｍの厚さの誘電材料層５と0.1から0.8μｍの厚さの電気的絶縁材料層４とを
有する。誘電体２６は、キャパシタ１１の中間領域２４に誘電体材料層５を有す
る。その誘電材料はＢａＮｄＴｉＯ３である。電気的絶縁材料はＳｉＯｘ（１≦
ｘ≦２）である。Ａｌを含む第２の導電層７は誘電材料層５の上に存在する。第
１のキャパシタ１１の第２のキャパシタ電極２５、第１のコイル１２および垂直
相互接続領域（ビア）１３は、4から7μｍの厚さを有する第２の導電層７内にお
いて定められる。第１のコイル１２は第１のパターンであり、第２のキャパシタ
電極は第２のパターンである。第１の導電層３上へ垂直方向から投影された第２
のキャパシタ電極２５の射影は、第１の電極２１の範囲内にある。エッチングに
よって第２の導電層７に孔３１、３２および３３を形成する際のアンダエッチン
グによって、第２のキャパシタ電極２５の表面領域が減少し、従って、その第１
のキャパシタ１１の容量値も低下する。同時に、第１のコイル１２のインダクタ
ンス値は上昇する。第２の導電層７は保護層８によって被覆されている。
めＮｉを含む第１の導電層３が在る第２の面４２とを有するＡｌ２Ｏ３を含む基
板１を備える。第１の導電層３には、ビア１３を（それによって、特に、第１の
コイル１２を）Ｕ字型電気的コンタクト１４へ接続させる導電線２７が存在する
。誘電体２６は、第１のキャパシタ１１の第１のキャパシタ電極上に存在する。
キャパシタ１１のエッジ領域２２および２３において、誘電体２６は0.01から0.
2μｍの厚さの誘電材料層５と0.1から0.8μｍの厚さの電気的絶縁材料層４とを
有する。誘電体２６は、キャパシタ１１の中間領域２４に誘電体材料層５を有す
る。その誘電材料はＢａＮｄＴｉＯ３である。電気的絶縁材料はＳｉＯｘ（１≦
ｘ≦２）である。Ａｌを含む第２の導電層７は誘電材料層５の上に存在する。第
１のキャパシタ１１の第２のキャパシタ電極２５、第１のコイル１２および垂直
相互接続領域（ビア）１３は、4から7μｍの厚さを有する第２の導電層７内にお
いて定められる。第１のコイル１２は第１のパターンであり、第２のキャパシタ
電極は第２のパターンである。第１の導電層３上へ垂直方向から投影された第２
のキャパシタ電極２５の射影は、第１の電極２１の範囲内にある。エッチングに
よって第２の導電層７に孔３１、３２および３３を形成する際のアンダエッチン
グによって、第２のキャパシタ電極２５の表面領域が減少し、従って、その第１
のキャパシタ１１の容量値も低下する。同時に、第１のコイル１２のインダクタ
ンス値は上昇する。第２の導電層７は保護層８によって被覆されている。
【００２０】
（第２の実施の形態）
図２において、電子装置１０は、第１の面４１と第２の面４２とを有するシリ
コンを含む基板１を備える。第２の面４２において、基板１が、シリコン酸化物
を含む電気的絶縁層２によって被覆されている。Ａｌを含む第１の電気的導電層
３は、その内で第１のキャパシタ１１の第１のキャパシタ電極２１を定め、層２
の上に存在する。ビア１３の領域が除去される誘電体材料層５が第１の導電層３
上に存在する。その誘電体材料層５は、ＳｉＮｘ（0.5≦ｘ≦2）を含み、キャパ
シタ１１の中間領域２４における誘電体２６を構成している。エッジ領域２２お
よび２３において、誘電体２６は、誘電材料層２５だけでなく、電気的絶縁材料
層４、例えば、ＳｉＯｘ（1≦ｘ≦2）も有する。Ａｌを含む中間層６は、誘電材
料層５の上に存在し、電気的絶縁材料層４によって部分的に被覆されている。導
電線２８は中間層６内で定められている。第２の導電層７のＡｌを含む第２のパ
ターン２９は、この導電線２８と電気的に接触する。導電線２８および第２のパ
ターン２９はともに、第1のキャパシタ１１の第２のキャパシタ電極２５を形成
する。第２の導電層７は、さらに、第１のパターンとして第１のコイル１２、ビ
ア１３および相互接続１４を含み、保護層８によって被覆されている。中間層６
へ垂直方向から投射した第２のパターン２９の射影は、部分的に導電線２８の外
側にある。第１の導電層３へ垂直方向から投影された第２のパターン２９の射影
は、第１のキャパシタ電極２１の外側、即ち、相互接続１４の領域に、部分的に
ある。この相互接続１４は、第２のキャパシタ電極２５を装置１１０の他の部分
へ接続するために必要である。従って、第１の導電層３へ垂直方向から投影され
た第２のキャパシタ電極２５の射影は、少なくとも第１のキャパシタ電極２１の
内側にある。
コンを含む基板１を備える。第２の面４２において、基板１が、シリコン酸化物
を含む電気的絶縁層２によって被覆されている。Ａｌを含む第１の電気的導電層
３は、その内で第１のキャパシタ１１の第１のキャパシタ電極２１を定め、層２
の上に存在する。ビア１３の領域が除去される誘電体材料層５が第１の導電層３
上に存在する。その誘電体材料層５は、ＳｉＮｘ（0.5≦ｘ≦2）を含み、キャパ
シタ１１の中間領域２４における誘電体２６を構成している。エッジ領域２２お
よび２３において、誘電体２６は、誘電材料層２５だけでなく、電気的絶縁材料
層４、例えば、ＳｉＯｘ（1≦ｘ≦2）も有する。Ａｌを含む中間層６は、誘電材
料層５の上に存在し、電気的絶縁材料層４によって部分的に被覆されている。導
電線２８は中間層６内で定められている。第２の導電層７のＡｌを含む第２のパ
ターン２９は、この導電線２８と電気的に接触する。導電線２８および第２のパ
ターン２９はともに、第1のキャパシタ１１の第２のキャパシタ電極２５を形成
する。第２の導電層７は、さらに、第１のパターンとして第１のコイル１２、ビ
ア１３および相互接続１４を含み、保護層８によって被覆されている。中間層６
へ垂直方向から投射した第２のパターン２９の射影は、部分的に導電線２８の外
側にある。第１の導電層３へ垂直方向から投影された第２のパターン２９の射影
は、第１のキャパシタ電極２１の外側、即ち、相互接続１４の領域に、部分的に
ある。この相互接続１４は、第２のキャパシタ電極２５を装置１１０の他の部分
へ接続するために必要である。従って、第１の導電層３へ垂直方向から投影され
た第２のキャパシタ電極２５の射影は、少なくとも第１のキャパシタ電極２１の
内側にある。
【図１】
本発明に従った装置の第１の実施の形態の模式的側断面図。
【図２】
本発明に従った装置の第２の実施の形態の模式的側断面図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ジョゼフ、ティー．エム．バン、ビーク
オランダ国5656、アーアー、アインドーフ
ェン、プロフ．ホルストラーン、６
Ｆターム(参考） 5E082 BB01 BB05 DD08 EE24 FG22
PP09
5F038 AC05 AC15 AZ04 EZ20
5J024 AA01 DA04
Claims (7)
- 【請求項１】 第１のコイルと、第１および第２のキャパシタ電極並びに誘電体を有する第１
のキャパシタと、第１および第２の面を有する基板とを備え、 該基板の前記第２の面には、 前記第１のキャパシタ電極が定められるパターニングされた第１の導電層と、 前記誘電体内に少なくとも構成されている誘電体材料層と、 実質的に前記第１のコイルである第１のパターンおよび前記第２のキャパシタ
電極の少なくとも一部分である第２のパターンを含むパターニングされた第２の
導電層と、が設けられ、 前記誘電体は、前記基板の前記第２の面に対して平行にエッジ領域および中間
領域を有し、 前記誘電体は、前記中間領域内においてよりも前記エッジ領域において誘電体
の厚みが厚く、 前記第１の導電層上へ投影された前記第２のキャパシタ電極の射影が少なくと
も部分的に前記第１のキャパシタ電極内にあることを特徴とする電子装置。 - 【請求項２】 前記中間領域における前記誘電体は、誘電材料層から形成されており、 前記エッジ領域における前記誘電体は、前記誘電材料層および電気的絶縁材料
層から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気装置。 - 【請求項３】 パターニングされた導電性の中間層が前記誘電体材料層と前記電気的絶縁材料
層との間に存在し、その中間層において、前記第２の導電層の前記第２のパター
ンと電気的にコンタクトし前記第２のパターンに関連して前記第２のキャパシタ
電極を形成する平面状導電線が定められ、 前記中間層へ投影された前記第２のパターンの射影が少なくとも部分的に前記
導電線の外側にあることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。 - 【請求項４】 前記誘電体材料層および前記電気的絶縁材料層は、部分的に前記第１のキャパ
シタの外側に存在せず、 電気的接続は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に存在することを
特徴とする請求項３に記載の電子装置。 - 【請求項５】 前記第２の導電層は、5μｍよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の電子
装置。 - 【請求項６】 前記第２の導電層はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項1に記載の電
子装置。 - 【請求項７】 高周波用の製品に使用されることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
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