JP2003523153A - ビデオセンサチップの回路 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
本発明はビデオセンサチップの回路に関する。これによればマトリックス状に配置された光感応画素(ピクセル)が設けられており、各画素はホトトランジスタを有し、このホトトランジスタの出力光電流は対数的に増幅され、電圧信号として評価回路へ供給される。この場合、画素(12)および各画素(12)に割り当てられた増幅器(22)は1つの共通のコンポーネントにモノリシックに集積されている。その際に増幅器(22)はビデオセンサチップの光感応面(14)の外側に配置されている。
Description
【0001】
本発明は請求項1の上位概念に記載の構成を備えた回路に関する。
【0002】
従来の技術
請求項1の上位概念に記載のビデオチップは公知である。この回路にはマトリ
ックス状に配置された光感応画素(ピクセル)が含まれており、これらのピクセ
ルによってビデオセンサチップの光感応領域が規定される。画素の各々はホトト
ランジスタを有しており、これは個々のホトトランジスタに作用する明るさに依
存して光電流を供給する。明るさの変化によってそれに比例した光電流の変化が
生じる。
ックス状に配置された光感応画素(ピクセル)が含まれており、これらのピクセ
ルによってビデオセンサチップの光感応領域が規定される。画素の各々はホトト
ランジスタを有しており、これは個々のホトトランジスタに作用する明るさに依
存して光電流を供給する。明るさの変化によってそれに比例した光電流の変化が
生じる。
【0003】
画素のこの出力光電流を対数的に増幅し、電圧信号として評価回路へ供給する
ことが知られている。この種のビデオセンサチップはたとえば DE 42 09 536 C2
に記載されている。ただし対数特性曲線をもつ公知のビデオセンサチップの場
合、かなり広い光感応面積が必要とされるという欠点がある。これは寄生容量を
成すものであり、ホトトランジスタの電流がその弱い反転すなわち弱反転動作モ
ードにおいてかなり小さいとき、照射強度が弱い場合に明/暗の移行が生じると
、寄生容量の放電に起因して電圧出力のセッティングタイムないしはレスポンス
タイムが長くなる。
ことが知られている。この種のビデオセンサチップはたとえば DE 42 09 536 C2
に記載されている。ただし対数特性曲線をもつ公知のビデオセンサチップの場
合、かなり広い光感応面積が必要とされるという欠点がある。これは寄生容量を
成すものであり、ホトトランジスタの電流がその弱い反転すなわち弱反転動作モ
ードにおいてかなり小さいとき、照射強度が弱い場合に明/暗の移行が生じると
、寄生容量の放電に起因して電圧出力のセッティングタイムないしはレスポンス
タイムが長くなる。
【0004】
これによりいわゆるスミヤ作用が引き起こされ、これは画像繰り返し周波数が
高いときに殊に不都合である。
高いときに殊に不都合である。
【0005】
発明の利点
これに対し請求項1の特徴部分に記載の構成を備えた本発明による回路装置に
より得られる利点とは、光感応面積がかなり小さく、そのため寄生容量が小さく
て済み、スミヤ作用を伴うことなく高い画像繰り返し周波数で駆動可能なビデオ
センサチップを簡単に提供できることである。
より得られる利点とは、光感応面積がかなり小さく、そのため寄生容量が小さく
て済み、スミヤ作用を伴うことなく高い画像繰り返し周波数で駆動可能なビデオ
センサチップを簡単に提供できることである。
【0006】
画素および各画素に割り当てられた増幅器が1つの共通のコンポーネント内に
モノリシックに集積されており、この増幅器がビデオセンサチップの光感応面の
外側に配置されていることにより、光感応面に必要とされる所要面積を集積され
た光感応画素の配置部分に制限することができる一方、割り当てられた増幅器を
(光感応領域の外側に位置する)モノリシックに集積されたコンポーネントの別
の部分に設けることができる。
モノリシックに集積されており、この増幅器がビデオセンサチップの光感応面の
外側に配置されていることにより、光感応面に必要とされる所要面積を集積され
た光感応画素の配置部分に制限することができる一方、割り当てられた増幅器を
(光感応領域の外側に位置する)モノリシックに集積されたコンポーネントの別
の部分に設けることができる。
【0007】
たとえば本発明の有利な実施形態によれば、増幅器は画素マトリックスの行ご
とおよび/または列ごとにスイッチオン可能なスイッチング手段を介して各画素
と接続されており、これによって有利には、かなり小さく抑えられた光感応領域
内に配置された画素をランダムにアドレッシングできるようになる。割り当てら
れた増幅器は光感応画素の出力信号を読み出す際、設計に従い行ごとおよび/ま
たは列ごとに接続される。それらの増幅器は画素(マトリックス)の外側に配置
されているので、それらを1次元でモノリシック集積コンポーネントに実装する
ことができる。これによりチップ面積が著しく節約されるようになる。
とおよび/または列ごとにスイッチオン可能なスイッチング手段を介して各画素
と接続されており、これによって有利には、かなり小さく抑えられた光感応領域
内に配置された画素をランダムにアドレッシングできるようになる。割り当てら
れた増幅器は光感応画素の出力信号を読み出す際、設計に従い行ごとおよび/ま
たは列ごとに接続される。それらの増幅器は画素(マトリックス)の外側に配置
されているので、それらを1次元でモノリシック集積コンポーネントに実装する
ことができる。これによりチップ面積が著しく節約されるようになる。
【0008】
さらに有利には画素マトリックスの行ごとおよび/または列ごとに、1つの増
幅器を行および/または列のすべての画素のために付加接続可能である。これに
より有利には、ビデオセンサチップの電流消費が抑えられる。それというのも光
感応画素自体は付加的な電流供給を必要としないし、行および/または列ごとに
それぞれ1つの増幅器だけしか電流供給を必要としないからである。
幅器を行および/または列のすべての画素のために付加接続可能である。これに
より有利には、ビデオセンサチップの電流消費が抑えられる。それというのも光
感応画素自体は付加的な電流供給を必要としないし、行および/または列ごとに
それぞれ1つの増幅器だけしか電流供給を必要としないからである。
【0009】
本発明の別の有利な実施形態によれば、増幅器はトランスインピーダンス(tr
ansimpedance)増幅器として接続されている。増幅器をこのように構成すること
によりインピーダンス増幅器による周知の電圧変換が利用され、その際、出力イ
ンピーダンスはトランスインピーダンス増幅器のフィードバック区間により、殊
にそのフィードバック抵抗により決定される。
ansimpedance)増幅器として接続されている。増幅器をこのように構成すること
によりインピーダンス増幅器による周知の電圧変換が利用され、その際、出力イ
ンピーダンスはトランスインピーダンス増幅器のフィードバック区間により、殊
にそのフィードバック抵抗により決定される。
【0010】
このような構成により、2光感応画素の光電流をそれに比例した電圧に変換で
きるようになり、その際、光電流がセンサ平面(ここでは小さいセンサ平面)の
寄生容量によって積分されることはない。
きるようになり、その際、光電流がセンサ平面(ここでは小さいセンサ平面)の
寄生容量によって積分されることはない。
【0011】
本発明のさらに有利な実施形態によれば、トランスインピーダンス増幅器のフ
ィードバック区間は弱い反転で動作するトランジスタにより形成されており、こ
の場合、有利には各光感応画素にこのような反転動作するトランジスタが割り当
てられており、これは個々の光感応画素といっしょに増幅器に付加接続可能であ
る。これにより、増幅器の入力信号すなわち光電流つまりは光電流に比例する明
るさと、増幅器の出力信号すなわち増幅器の出力側における電圧変位との間で対
数変換が行われるようになる。したがってフィードバック抵抗として接続された
トランジスタにより、線形の電流電圧変換ではなく対数変換が実現され、そのた
めいっそうひろい明るさの範囲をカバーできる。さらにこれにより、画素の光学
的セットリングタイムが短いという利点が損なわれることなく、高い出力ダイナ
ミックひいては高いコントラスト感度を保証することができる。このようにして
スミヤ作用を伴わずに著しく高い画像繰り返し周波数を実現できる。
ィードバック区間は弱い反転で動作するトランジスタにより形成されており、こ
の場合、有利には各光感応画素にこのような反転動作するトランジスタが割り当
てられており、これは個々の光感応画素といっしょに増幅器に付加接続可能であ
る。これにより、増幅器の入力信号すなわち光電流つまりは光電流に比例する明
るさと、増幅器の出力信号すなわち増幅器の出力側における電圧変位との間で対
数変換が行われるようになる。したがってフィードバック抵抗として接続された
トランジスタにより、線形の電流電圧変換ではなく対数変換が実現され、そのた
めいっそうひろい明るさの範囲をカバーできる。さらにこれにより、画素の光学
的セットリングタイムが短いという利点が損なわれることなく、高い出力ダイナ
ミックひいては高いコントラスト感度を保証することができる。このようにして
スミヤ作用を伴わずに著しく高い画像繰り返し周波数を実現できる。
【0012】
従属請求項には本発明の有利な実施形態が示されている。
【0013】
図面
次に、添付の図面を参照しながら実施例に基づき本発明について詳しく説明す
る。
る。
【0014】
図1は、第1の実施例による画素の回路を示す図である。
【0015】
図2は、第2の実施例による画素の回路を示す図である。
【0016】
図3は、図2による回路の特性図である。
【0017】
図4は、図1および図2による回路の別の特性図である。
【0018】
図5は、第3の実施例による画素の回路を示す図である。
【0019】
実施例の説明
図1には、全体は描かれていないビデオセンサチップにおける光感応画素(ピ
クセル)12の回路が示されている。ビデオセンサチップには、マトリクス状に
配置された複数の画素12が含まれている。
クセル)12の回路が示されている。ビデオセンサチップには、マトリクス状に
配置された複数の画素12が含まれている。
【0020】
画素12はそれら全体としてビデオセンサチップの光感応面を成しており、そ
れらの画素12各々は固有の部分平面14を形成している(破線で描かれた領域
の内側)。
れらの画素12各々は固有の部分平面14を形成している(破線で描かれた領域
の内側)。
【0021】
画素12はホトトランジスタ16を有している。ホトトランジスタ16のソー
ス端子はスイッチング手段20の第1のスイッチング接点18を介して、トラン
スインピーダンス増幅器22の反転入力側と接続されている。トランスインピー
ダンス増幅器22の非反転入力側には基準電圧Uref1 が加わる。さらにホ
トトランジスタ16のソース端子はフィードバック分岐24を介して、トランス
インピーダンス増幅器22の出力側26と接続されている。フィードバック区間
24内には、スイッチング手段20のスイッチング接点28と抵抗として接続さ
れたトランジスタ30とが配置されている。ホトトランジスタ16のドレイン端
子はトランジスタ32,34と接続されている。さらに画素12にはトランジス
タ36,38から成るカレントミラー回路が設けられており、これらのトランジ
スタはホトトランジスタ16のゲート端子と接続されている。
ス端子はスイッチング手段20の第1のスイッチング接点18を介して、トラン
スインピーダンス増幅器22の反転入力側と接続されている。トランスインピー
ダンス増幅器22の非反転入力側には基準電圧Uref1 が加わる。さらにホ
トトランジスタ16のソース端子はフィードバック分岐24を介して、トランス
インピーダンス増幅器22の出力側26と接続されている。フィードバック区間
24内には、スイッチング手段20のスイッチング接点28と抵抗として接続さ
れたトランジスタ30とが配置されている。ホトトランジスタ16のドレイン端
子はトランジスタ32,34と接続されている。さらに画素12にはトランジス
タ36,38から成るカレントミラー回路が設けられており、これらのトランジ
スタはホトトランジスタ16のゲート端子と接続されている。
【0022】
図1に示されている回路10は以下の機能をもつ:
ホトトランジスタ16に光37が当射されると光電流Iphoto が生成さ
れる。この光電流Iphoto は光37の明るさに正比例する。行デコーダお
よび/または列デコーダを介してスイッチング手段20が操作される。1つの相
応の制御パルスによりたとえば、ビデオセンサチップの画素12のマトリックス
全体のうち1つの行に配置された画素12におけるすべてのスイッチング手段2
0が制御される。これによりスイッチング接点18,28が閉じられる。このよ
うにして閉じられたフィードバック分岐24内に位置するトランジスタ30は電
流Iphoto を受け取り、それをトランスインピーダンス増幅器22の出力
側における出力電圧Uout に変換する。トランジスタ30は弱反転動作モー
ドではたらくので、光電流Iphoto と出力電圧Uout との間において対
数変換が行われることになる。
れる。この光電流Iphoto は光37の明るさに正比例する。行デコーダお
よび/または列デコーダを介してスイッチング手段20が操作される。1つの相
応の制御パルスによりたとえば、ビデオセンサチップの画素12のマトリックス
全体のうち1つの行に配置された画素12におけるすべてのスイッチング手段2
0が制御される。これによりスイッチング接点18,28が閉じられる。このよ
うにして閉じられたフィードバック分岐24内に位置するトランジスタ30は電
流Iphoto を受け取り、それをトランスインピーダンス増幅器22の出力
側における出力電圧Uout に変換する。トランジスタ30は弱反転動作モー
ドではたらくので、光電流Iphoto と出力電圧Uout との間において対
数変換が行われることになる。
【0023】
スイッチング接点18,28が同時に閉じられたことによる負帰還の増幅作用
は光電流Iphoto にしか作用を及ぼさない。それというのもホトトランジ
スタ16のソース電圧は変化しないからである。ここではイマジナルアースもし
くは仮想接地の原理がはたらく。全体としてわかるのは、トランスインピーダン
ス増幅器22は電流電圧変換器としてはたらくことであり、その際、増幅器22
の出力インピーダンスは抵抗として接続されたトランジスタ30をもつフィード
バック分岐24によって決まり、(抵抗として接続されている)トランジスタ3
0によってトランスインピーダンスが実現される。光37の明るさの変化により
光電流Iphoto はそれに比例して変化し、その結果、それに応じて変化し
た出力電圧Uout の電圧変位が出力側26に短い反応時間で生じる。画素1
2内部において寄生容量に光電流Iphoto が加わらないので、そのような
寄生容量の充放電過程が電流電圧変換に影響を及ぼすことはない。フィードバッ
ク分岐24内に配置されたトランジスタ30によって対数変換が実現されるので
、高い出力ダイナミクスつまりは回路10の高いコントラスト感度が得られるよ
うになる。
は光電流Iphoto にしか作用を及ぼさない。それというのもホトトランジ
スタ16のソース電圧は変化しないからである。ここではイマジナルアースもし
くは仮想接地の原理がはたらく。全体としてわかるのは、トランスインピーダン
ス増幅器22は電流電圧変換器としてはたらくことであり、その際、増幅器22
の出力インピーダンスは抵抗として接続されたトランジスタ30をもつフィード
バック分岐24によって決まり、(抵抗として接続されている)トランジスタ3
0によってトランスインピーダンスが実現される。光37の明るさの変化により
光電流Iphoto はそれに比例して変化し、その結果、それに応じて変化し
た出力電圧Uout の電圧変位が出力側26に短い反応時間で生じる。画素1
2内部において寄生容量に光電流Iphoto が加わらないので、そのような
寄生容量の充放電過程が電流電圧変換に影響を及ぼすことはない。フィードバッ
ク分岐24内に配置されたトランジスタ30によって対数変換が実現されるので
、高い出力ダイナミクスつまりは回路10の高いコントラスト感度が得られるよ
うになる。
【0024】
トランジスタ32,34を介してホトトランジスタ16の動作点を調節するこ
とができる。これはホトトランジスタ16が弱反転動作モードに常に保持される
ようにして調節される。トランジスタ36を介して回路10の電圧安定化が行わ
れる。この場合、カレントミラーのトランジスタ36,38は次のように設計さ
れている。すなわち、たとえトランジスタ38に電流Idet が流れて強い反
転すなわち強反転動作モードにあったとしても、トランジスタ36は弱反転動作
モードに必ず保持されるように設計されている。このような設計仕様によりホト
トランジスタ16のゲート端子に一定の電位が生じるので、ホトトランジスタ1
6とトランジスタ32を介したフィードバックははたらかなくなる。
とができる。これはホトトランジスタ16が弱反転動作モードに常に保持される
ようにして調節される。トランジスタ36を介して回路10の電圧安定化が行わ
れる。この場合、カレントミラーのトランジスタ36,38は次のように設計さ
れている。すなわち、たとえトランジスタ38に電流Idet が流れて強い反
転すなわち強反転動作モードにあったとしても、トランジスタ36は弱反転動作
モードに必ず保持されるように設計されている。このような設計仕様によりホト
トランジスタ16のゲート端子に一定の電位が生じるので、ホトトランジスタ1
6とトランジスタ32を介したフィードバックははたらかなくなる。
【0025】
図2には、図1に対し変形された回路10の実施形態が示されており、ここで
は同じ部分には同じ参照符号が付されており、それらについては繰り返し説明は
しない。トランジスタ36,38から成るカレントミラー回路の設計仕様により
ホトトランジスタ16のゲート端子に一定の電圧が生じるので、図2に示されて
いるようにトランジスタ36,38から成るカレントミラー回路を、ホトトラン
ジスタ16のゲート端子に加わる基準電圧Uref2 と置き換えることができ
る。基準電圧Uref2 はここでは、ホトトランジスタ16が弱反転動作モー
ドに常に保持されるよう選定されている。これによりトランジスタ32,36,
38の形成が不要となる。これにより回路10の構造が殊に画素12の領域にお
いて簡単になる。
は同じ部分には同じ参照符号が付されており、それらについては繰り返し説明は
しない。トランジスタ36,38から成るカレントミラー回路の設計仕様により
ホトトランジスタ16のゲート端子に一定の電圧が生じるので、図2に示されて
いるようにトランジスタ36,38から成るカレントミラー回路を、ホトトラン
ジスタ16のゲート端子に加わる基準電圧Uref2 と置き換えることができ
る。基準電圧Uref2 はここでは、ホトトランジスタ16が弱反転動作モー
ドに常に保持されるよう選定されている。これによりトランジスタ32,36,
38の形成が不要となる。これにより回路10の構造が殊に画素12の領域にお
いて簡単になる。
【0026】
図3には回路10の特性曲線が示されており、その際、出力電圧Uout が
対数で表された光電流Iphoto に対して示されている。ここに示されてい
るように、出力信号Uout はほぼ直線的な経過特性となる。
対数で表された光電流Iphoto に対して示されている。ここに示されてい
るように、出力信号Uout はほぼ直線的な経過特性となる。
【0027】
図4には、光電流Iphoto と出力電圧Uout との関係が時間軸t上に
示されている。これによれば、コントラストが強いとき(明から暗になるとき)
および照射強度の弱い領域でのコントラストのとき(暗から僅かな暗になるとき
)に出力電圧Uout が急激に応答していることから、遅れのない跳躍的応答
の生じていることがわかる。跳躍的応答の遅延時間は最も不利な状況で0.4m
sである。破線でライン40が書き込まれており、これは光電流Iphoto
が0.1pAのときの出力電圧Uout ここでは1.6Vに対応している。こ
の一定の光電流Iphoto 0.1pAから出発して、それ相応に明るさが変
化することに起因して生じるそれに比例した光電流Iphoto がそれに対応
した跳躍的応答とともに示されている。これはトランスインピーダンス増幅器2
2の差分入力であるため、光電流Iphoto が高くなると出力電圧Uout
の絶対値が小さくなり、これは基準電圧Uref1 に対し差が大きいことに相
応する。
示されている。これによれば、コントラストが強いとき(明から暗になるとき)
および照射強度の弱い領域でのコントラストのとき(暗から僅かな暗になるとき
)に出力電圧Uout が急激に応答していることから、遅れのない跳躍的応答
の生じていることがわかる。跳躍的応答の遅延時間は最も不利な状況で0.4m
sである。破線でライン40が書き込まれており、これは光電流Iphoto
が0.1pAのときの出力電圧Uout ここでは1.6Vに対応している。こ
の一定の光電流Iphoto 0.1pAから出発して、それ相応に明るさが変
化することに起因して生じるそれに比例した光電流Iphoto がそれに対応
した跳躍的応答とともに示されている。これはトランスインピーダンス増幅器2
2の差分入力であるため、光電流Iphoto が高くなると出力電圧Uout
の絶対値が小さくなり、これは基準電圧Uref1 に対し差が大きいことに相
応する。
【0028】
図5にはさらに別の変形回路が示されており、ここでも図1および図2と同じ
部分には同じ参照符号が付されており、それらについては繰り返しては説明しな
い。ここに描かれている変形回路によればホトトランジスタ16のゲート端子は
、フィードバック区間44を介して増幅器出力側42と接続されている。このフ
ィードバック区間44には、スイッチング手段20のさらに別のスイッチング接
点46が接続されている。これによれば、抵抗として接続されたトランジスタ3
0を介したフィードバック区間24と同時にフィードバック区間44も閉じられ
、ホトトランジスタ16のゲート端子には光電流に依存する電圧電位が増幅器2
2の出力側42を介して加えられる。この場合、電圧電位は光電流Iphoto に依存するので、ホトトランジスタ16の動作は弱反転動作モードに保持され
る。これにより回路10の安定性がさらに高まり、いわゆるスミヤ作用がなおい
っそう低減される。
部分には同じ参照符号が付されており、それらについては繰り返しては説明しな
い。ここに描かれている変形回路によればホトトランジスタ16のゲート端子は
、フィードバック区間44を介して増幅器出力側42と接続されている。このフ
ィードバック区間44には、スイッチング手段20のさらに別のスイッチング接
点46が接続されている。これによれば、抵抗として接続されたトランジスタ3
0を介したフィードバック区間24と同時にフィードバック区間44も閉じられ
、ホトトランジスタ16のゲート端子には光電流に依存する電圧電位が増幅器2
2の出力側42を介して加えられる。この場合、電圧電位は光電流Iphoto に依存するので、ホトトランジスタ16の動作は弱反転動作モードに保持され
る。これにより回路10の安定性がさらに高まり、いわゆるスミヤ作用がなおい
っそう低減される。
【0029】
図5には破線で別の実施形態が示されている。これによればフィードバック区
間44に、弱反転で動作するトランジスタ30の代わりに強反転で動作するトラ
ンジスタ50を挿入接続することができる。これはスイッチング手段20のスイ
ッチング接点48を介して制御可能である。このような回路構成によれば、場合
によっては望まれる線形の変換を実現することができる。
間44に、弱反転で動作するトランジスタ30の代わりに強反転で動作するトラ
ンジスタ50を挿入接続することができる。これはスイッチング手段20のスイ
ッチング接点48を介して制御可能である。このような回路構成によれば、場合
によっては望まれる線形の変換を実現することができる。
【図1】
第1の実施例による画素の回路を示す図である。
【図2】
第2の実施例による画素の回路を示す図である。
【図3】
図2による回路の特性図である。
【図4】
図1および図2による回路の別の特性図である。
【図5】
第3の実施例による画素の回路を示す図である。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成14年3月26日(2002.3.26)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ローラン コシャール
スイス国 モルジェ アヴニュ ア−アン
ドレ 7
Fターム(参考) 4M118 AA02 AA10 AB01 BA14 CA02
DD09 DD10 FA06
5C024 CX13 CY47 GX04 GX16 HX01
HX40
Claims (11)
- 【請求項1】 マトリックス状に配置された光感応画素(ピクセル)が設け
られており、 各画素は1つのホトトランジスタを有しており、該ホトトランジスタの出力光
電流は対数的に増幅され電圧信号として評価回路へ導かれる、 ビデオセンサチップの回路において、 画素(12)および各画素(12)に割り当てられた増幅器(22)が1つの
共通のコンポーネント内にモノリシックに集積されており、 前記増幅器(22)はビデオセンサチップの光感応面(14)の外側に配置さ
れていることを特徴とする、 ビデオセンサチップの回路。 - 【請求項2】 前記増幅器(22)は、行ごとおよび/または列ごとにマト
リックスに付加接続可能なスイッチング手段(20)を介して画素(12)と接
続されている、請求項1記載の回路。 - 【請求項3】 行ごとおよび/または列ごとに、1つの増幅器(22)を行
および/または列のすべての画素(12)のために付加接続可能である、請求項
1または2記載の回路。 - 【請求項4】 前記増幅器(22)はトランスインピーダンス増幅器として
接続されている、請求項1から3のいずれか1項記載の回路。 - 【請求項5】 トランスインピーダンス増幅器(22)のフィードバック区
間(24)は弱い反転で動作するトランジスタ(30)により形成されている、
請求項1から4のいずれか1項記載の回路。 - 【請求項6】 前記トランジスタ(30)は光感応面(14)内に配置され
ており、各画素(12)といっしょに前記増幅器(22)に付加接続可能である
、請求項5記載の回路。 - 【請求項7】 前記ホトトランジスタ(16)は一定のゲート電圧で駆動さ
れる、請求項1から6のいずれか1項記載の回路。 - 【請求項8】 前記ホトトランジスタ(16)のゲート端子はトランジスタ
(36,38)から成るカレントミラー回路と接続されている、請求項7記載の
回路。 - 【請求項9】 前記ホトトランジスタ(16)のゲート端子は一定の基準電
圧源(Uref)と接続されている、請求項7記載の回路。 - 【請求項10】 前記ホトトランジスタ(16)のゲート端子は、フィード
バック分岐(44)を介して増幅器(22)の出力側(42)と接続されていて
、該ホトトランジスタ(16)のゲート電圧は光電流に依存する、請求項7記載
の回路。 - 【請求項11】 前記フィードバック分岐(44)はスイッチング手段(2
0)のスイッチング接点(46)を有する、請求項10記載の回路。
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DE10007689A DE10007689A1 (de) | 2000-02-19 | 2000-02-19 | Schaltungsanordnung eines Video-Sensor-Chips |
PCT/DE2001/000553 WO2001061990A1 (de) | 2000-02-19 | 2001-02-14 | Schaltungsanordnung eines video-sensor-chips |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (7)
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---|---|
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EP (1) | EP1262061B1 (ja) |
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KR (1) | KR20020077911A (ja) |
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WO2006072848A1 (en) * | 2005-01-06 | 2006-07-13 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Pixel implemented current amplifier |
US7796830B2 (en) * | 2006-08-15 | 2010-09-14 | Nokia Corporation | Adaptive contrast optimization of digital color images |
JP2014132712A (ja) * | 2013-01-07 | 2014-07-17 | Ricoh Co Ltd | 光電変換装置及び画像生成装置 |
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---|---|---|---|---|
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FR2638042A1 (fr) * | 1988-10-14 | 1990-04-20 | Thomson Csf | Procede pour reduire la remanence d'un phototransistor, notamment de type nipin |
FR2638286B1 (fr) * | 1988-10-25 | 1990-12-07 | Thomson Csf | Dispositif photosensible du type a amplification du signal au niveau des points photosensibles |
EP0739039A3 (en) * | 1995-04-18 | 1998-03-04 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Pixel structure, image sensor using such pixel, structure and corresponding peripheric circuitry |
EP0823970B1 (en) * | 1995-04-28 | 2001-11-21 | Gyula Domjan | Method and apparatus for analysis of an object |
US5546055A (en) * | 1995-08-24 | 1996-08-13 | Dallas Semiconductor Corp. | Crystal oscillator bias stabilizer |
DE69805555T2 (de) * | 1997-02-10 | 2003-01-16 | Fillfactory N.V., Mechelen | Verfahren zur Erzeugung eines Auslegesignals einer auf CMOS basierender Pixelstruktur und eine solche auf CMOS basierender Pixelstruktur |
US6188211B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Current-efficient low-drop-out voltage regulator with improved load regulation and frequency response |
-
2000
- 2000-02-19 DE DE10007689A patent/DE10007689A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-02-14 EP EP01913631A patent/EP1262061B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-14 JP JP2001560124A patent/JP2003523153A/ja active Pending
- 2001-02-14 KR KR1020027010725A patent/KR20020077911A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-02-14 DE DE50100685T patent/DE50100685D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 US US10/204,648 patent/US20030160882A1/en not_active Abandoned
- 2001-02-14 WO PCT/DE2001/000553 patent/WO2001061990A1/de not_active Application Discontinuation
- 2001-02-16 TW TW090103511A patent/TW564635B/zh active
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DE10007689A1 (de) | 2001-08-23 |
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