TW564635B - Circuit apparatus of video sensor chips - Google Patents

Circuit apparatus of video sensor chips Download PDF

Info

Publication number
TW564635B
TW564635B TW090103511A TW90103511A TW564635B TW 564635 B TW564635 B TW 564635B TW 090103511 A TW090103511 A TW 090103511A TW 90103511 A TW90103511 A TW 90103511A TW 564635 B TW564635 B TW 564635B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
amplifier
crystal
photocurrent
video sensor
Prior art date
Application number
TW090103511A
Other languages
English (en)
Inventor
Christiane Henno
Roger Bauer
Roland Cochard
Original Assignee
Bosch Gmbh Robert
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bosch Gmbh Robert filed Critical Bosch Gmbh Robert
Application granted granted Critical
Publication of TW564635B publication Critical patent/TW564635B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/14Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
    • H04N3/15Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
    • H04N3/155Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57Control of the dynamic range
    • H04N25/571Control of the dynamic range involving a non-linear response
    • H04N25/573Control of the dynamic range involving a non-linear response the logarithmic type
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3291Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564635 A7 _________ B7 五、發明說明(I ) [詳細說明] 本發明關於一種申請專利範圍第1項的引文的一種視 訊感測器晶片的切換裝置。 [發明的背景] 上述種類的視訊感測器晶片係習知者。它們包含設在 一矩陣中的光敏影像元件[圖元(Pixel)],這些光敏影像元件 定出該視訊感測器晶片的一個光敏區域。各影像元件包含 一個光電晶體,該光電晶體光電晶體依作用到各光電晶體上 的光強度而定放出一光電流。亮度改變,則光電流成比例改 變。 習知技術係將影像元件的輸出的光電流用對數方式放 大,並呈電壓信號的形式送到一評定電路。這種視訊感測器 晶片的一個例子見於德專利DE 42 09 563 C2。其缺點爲: 在這種具有視訊感測器晶片對數特性線的習知視訊感測器 晶片需要較大的光敏面。這種大的光敏面造成一種寄生電 容,且當照明強度弱時及在亮/暗-過渡區的場合由於寄生電 容放電使電壓輸出端的調整時間太長,而在其反向操作中光 電晶體的電流較小。 如此造成一種所謂的「拖尾效應」(Nachzieheffekt,英 :smearing effect),它特別是在影像重複頻度高時很不利。 [本發明的優點] 與之相較,具有申請專利範圍第1項中所述特點的本發 明的電路裝置則有一優點··可用簡單的方式提供一種視訊感 測器晶片,該視訊感測器晶片具有較小的光敏面,因此寄生電 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -—--------訂---------^ AW (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564635 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(y) 容很小,且可用高的影像重複頻度頻度操作而無拖尾效應。 把影像元件和一個與各影像元件配合的放大器用單晶方式 整合在一個共同構件中(做成單晶片積體電路),其中該放大 器設在該視訊感測器晶片的一個光敏面外,如此可很有利地 把對於該光敏面積所需要的面積需求限制到該整合的光敏 影像構件的裝置上,而該相關的放大器則可做在該單晶方式 整合的構件的另一個…位於該光敏區域外的…部段中。 如果在本發明的一種較佳設計中,該放大器經由切換手 段(它們可成列及/或成行地接到該影像元件矩陣)與該影像 元件連接,則特別可以有利地把該設在保持較小的光敏區域 中的影像元件不作選擇地定位址。在讀出光敏影像元件的 輸出信號時,相關的放大器各依設計而定,成行及/成列地切 換。由於放大器位在影像元件場(矩陣)外,且可成列及/或成 行地切換,因此它們可以用一度空間的方式做到該單晶方式 整合的構件中。如此使晶片面積大大節省。 此外,宜對於影像元件矩陣的每列及或每行有一個放大 器以供該列及或該行的所有影像元件之用。如此可有利地 使整個視訊感測器晶片的電流消耗減少因爲該光敏影像元 件本身不需額外的電流供應,且每一列及/或行只需各一個 放大器,一個電源。 在本發明另一較佳設計中,該放大器配接成電晶體阻抗 放大器(Transimpedanz_Verstarker)形式。利用這種放大器 的設計,可利用電晶體阻抗放大器的習知電壓轉換作用,其中 該輸出阻抗由該電晶體阻抗放大器的回耦(回授)路徑特 4 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 丨衣--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564635 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(》) 別是其回耦電阻而決定。 利用此種設計,可以將光敏區域的影像元件的光電流轉 變成一種成比例的電壓,而不會使該光電流經由此感測器面 (此處爲小小的感測器面)的寄生性電容而積分。 此外在本發明一較佳光敏設計中,該電晶體阻抗放大器 由一個弱反向工作的電晶體構成,其中宜有一個此種反向工 作的電晶體與各影像元件配合,且該反向工作的電晶體可隨 該各光敏影像元件一同接到該放大器。如此,在該放大器的 輸入信號(亦即該光電流或該與光電流成比例的亮度)和該 放大器的輸出信號(亦即放大器輸出端的電壓升高)之間達 成一種對數式轉換。因此,這種接成回親電阻形式的電晶體 並不作線性的電流-電壓轉換,而係作一種對數式轉換,且因 此可涵蓋較大的亮度範圍。此外,可藉此確保有很大的輸出 強度範圍及對比敏感度,而不必放棄該影像元件的短的建立 時間(Einschwingzeit,英:build-up time)的優點。如此可以 有特別高的影像重複頻度而無後吸引效應° 本發明的其他有利的設計見於其餘在申請專利範圍附 屬項中所述的特點。 [圖式的說明] 本發明在以下利用圖式詳細說明其實施例。圖式中: 第1圖係第一實施變更例的一影像元件的電路圖; 第2圖係第二實施變更例的一影像元件的電路圖; 第3圖係第2圖的電路裝置的一特性線; 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564635 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(、) 第4圖係第1及第2圖的電路裝置的其他特性線; 第5圖係第三實施變更例的一影像元件的電路圖。 [圖號說明] (10)電路裝置 (12)影像元件 (14)部分面 (16)光電晶體 (18)切換切點 (20)切換手段 (22)電晶體阻抗放大器 (24)回耦(回授)分路 (26)電晶體阻抗放大器(22)的輸出端 (28)切換接點 (30)切換手段 (32)(34)(36)(38)電晶體 . (37)光 (40)在光電流Ι—=0·1ρΑ時的輸出電壓, (42)放大器(22)的輸出端 (44)回耦路徑 (48)切換接點 (50)電晶體 [實施例的說明] 第1圖顯示一個視訊感測器晶片(整體未作圖示)的一 個光敏影像構件(圖元)(像素)(12)的一電路裝置(10)。此視 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564635 A7 B7 五、發明說明(<) 訊感測器晶片包含多數設在一矩陣中的影像元件(12)。 這些影像元件(12)整體定出該視訊感測器晶片的一個 光敏面,其中,其各個影像元件(12)構成一個本身的部分面 (14)(位在用虛線表示的區域中)。 影像元件(12)包含一個光電晶體(16)。光電晶體(16)的 源極端子經一切換手段(20)的一第一切換切點(18)與一個電 晶體阻抗放大器(22)的反相輸入端連接。在一電晶體阻抗 放大器(22)的非反相輸入端上有一參考電壓。此外該光 電晶體(16)的源極端子經一回耦(回授)分路(24)與該電晶體 阻抗放大器(22)的輸出端(26)連接。在該回耦路徑(24)中設 有該切換手段(20)的一切換接點(28)以及一個當作電阻配接 的電晶體(30)。光電晶體(16)的一個流極端子與電晶體(32) 與(34)連接。此外,該影像元件(12)包含電晶體(36)與(38)的 一個電流位面電路,該電流位面電路與光電晶體(16)的一閘 極端子連接。 < 第1圖中所示的電路裝置(10)顯示如下的功能: 當光(37)照到電晶體(16)上時,產生一股光電流ΙΡ_。。這 股光電流IP_。與光(37)的亮度成正比。經由一個列解碼器 及/或f了解碼§5將切換手段(20)動作。舉例而言,利用一^相關 的控制脈波將該視訊感測器晶片的圖元(12)的總矩陣在一 列中所設的圖元(12)的所有切換元件作控制。如此,切換接 點(18)(28)就閉路。此時,在閉路的回耦分路(24)中的電晶體 (30)接受該電流IP_。並且將之轉換成電晶體阻抗放大器(22) 的輸出端(26)的輸出電壓。電晶體在此弱反向作用的操 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564635 A7 _—______ B7 五、發明說明(b) 作狀態中工作,因此造成光電流ΙΡ_。和輸出電壓之間的 一種對數轉換。這種反耦合的放大效應…利用同時閉路的 切換接點(18)(28)…只影響該光電流]W。,因爲光電晶體(16) 的源極電壓並不改變。此處係虛擬接地(vituelle Masse)原理 的作用。總之很明顯地,電晶體阻抗放大器(22)呈電流·電 壓轉換器的方式工作,其中該放大器(22)的輸出阻抗利用該 具有電晶體(30)(它被接設當作電阻用)的回耦分路(24)決定 且該被接設當作電阻用的電晶體(30)造成該電晶體阻抗。 藉著改變光(37)的亮度使光電流IPh_成比例地改變,因此在 輸出端(26)的輸出電壓11_的Uw的電壓上升度對應地改變, 其反應時間很短。在圖元(12)內不會有寄生電容受到光電 流IP_3作用因此,這種寄生性電容的充電-或放電過程對於 該電流-電壓轉換沒有影響。利用這種設在回耦分路(24)中 的電晶體造成一種對數轉換,因此造成的輸出的高低範圍很 大,且因此該電路裝置(10)有很高的對比敏感度。 經由電晶體(32)與(34)可調整光電晶體(16)的工作點。 此工作點調整成使光電晶體(16)經常保持在此弱反向的操 作狀態。利用電晶體(36)使電路裝置(10)的電壓穩定化。在 此,該電流位面的電晶體(36)(38)的度量設計成使光電晶體 (16)經常保持在此弱反向的操作狀態,即使電晶體(38)受到電 流Iw的流過而處在強反向的一種操作狀態亦然。利用這種 度量設計在光電晶體(16)的閘極端子調設一個固定電位,因 此經由光電晶體(16)與電晶體(32)的回耦係爲不活動者。 第2圖顯示一個相對於第1圖作了改變的電路裝置的 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ί --------^---------線 0^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564635 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(rj ) 實施例,其中相同部分用相同圖號表示,且不再說明。由於藉 電晶體(36)和(38)的電流位面電路的度量設計可調設光電晶 體(16)閘極端子上的恒定電壓,因此…如第2圖所示…可將 電晶體(36)與(38)的電流位面電路利用一種位在光電晶體 (16)的閘極端子上的參考電壓取代。在此處該參考電壓 選設成使該光電晶體(16)經常保持在弱反向的操作狀態 。如此,就不需將電晶體(32)(36)(38)構造化。如此,電路裝置 (10)的構造,特別是在影像元件(12)的區域中者,可以簡化。 第3圖顯示該電路裝置(10)的一特性線,其中,輸出電壓 Uw對於光電流Uw的對數値作圖。可明顯看出輸出電壓 11_的大致呈線性的特性線走勢。 第4圖中顯示光電流IPh()t。和輸出電壓U_的變化和時 間t的關係。利用在高對比時的跳躍反應(對於「亮後隨即 暗」的反應)以及在弱照明強度的區域的對比時的反應(對 於「暗後跟著較不暗」的反應)可明顯看出,跟箸一個不延 遲的跳躍反應。在不利的情形,跳躍反應的延遲時間約 0.4ms。虛線(40)對應於在光電流IPh_=〇.lpA時的輸出電壓, 此處爲1.6V。由此恒定的電流ΙΡ“=〇·1ρΑ開始,如此所對應 的亮度表示所產生的成比例的光電流(具有對應的跳躍 反應)。由於這是該電晶體阻抗放大器(22)的一種差動輸入, 因此較高的光電流的輸入造成輸出電壓。。^的較小的 絕對値,它相當於對該參考電壓R^i很大另外一個電路的變 更例,其中和第1及第2圖相同的部分再用相同的圖號表 示且不再說明。在此處所示的電路的變更例中,光電晶體 9 適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) - * --------^---------^__w] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564635 A7 五、發明說明(又) (16)的閘極端子經一個回耦路徑(44)與一放大輸出端(44)連 接。該切換手段(20)的另一切換接點(46)接入該回耦路徑 (44)中,因此同時利用此回耦路徑(44)經由該電晶體(30)(它被 接設作爲電阻)使該回耦路徑(44)閉路,且經由放大器(22)的 輸出端(42)在光電晶體(16)的閘極端子上施加一股與光電流 有關的電壓電位。在此該電壓電位取決於光電流IPh_,因此, 光電晶體(16)的操作保持在弱反向的操作狀態。如此使電 路裝置(10)的穩定性更爲提高,且減少所謂的後吸引效應。 第5圖中用虛線表示另一實施變更例的部分。依此,可 不用該在弱反向的操作狀態工作的電晶體(30),而將在強反 向的操作狀態工作的電晶體(50)接到該回耦路徑(44)中。此 電晶體(50)可經由該切換手段(20)的一個切換接點(48)控制 。利用這種電路裝置可實現所想要的線性轉換。 I—--------^--------- (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 564635 蔻 C8 D8 六、申請專利範圍 該光電晶體(16)的閘極端子與一個固定的參考電壓源 (Uw2)連接。 8. 如申請專利範圍第5項的電路裝置,其中: 該光電晶體(16)的閘極端子經一個回耦分路(44)與該放 大器(22)的一輸出端(42)連接,因此該光電晶體(16)的閘極電 壓與該光電流有關。 9. 如申請專利範圍第8項的電路裝置,其中: 該回耦分路(44)包含切換手段(20)的一個切換接點(46) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW090103511A 2000-02-19 2001-02-16 Circuit apparatus of video sensor chips TW564635B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10007689A DE10007689A1 (de) 2000-02-19 2000-02-19 Schaltungsanordnung eines Video-Sensor-Chips

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW564635B true TW564635B (en) 2003-12-01

Family

ID=7631601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090103511A TW564635B (en) 2000-02-19 2001-02-16 Circuit apparatus of video sensor chips

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20030160882A1 (zh)
EP (1) EP1262061B1 (zh)
JP (1) JP2003523153A (zh)
KR (1) KR20020077911A (zh)
DE (2) DE10007689A1 (zh)
TW (1) TW564635B (zh)
WO (1) WO2001061990A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10123853A1 (de) * 2001-05-16 2002-11-28 Bosch Gmbh Robert Schaltungsanordnung, Bildsensorvorrichtung und Verfahren
US7456885B2 (en) * 2003-08-22 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Per column one-bit ADC for image sensors
WO2006072848A1 (en) * 2005-01-06 2006-07-13 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Pixel implemented current amplifier
US7796830B2 (en) * 2006-08-15 2010-09-14 Nokia Corporation Adaptive contrast optimization of digital color images
JP2014132712A (ja) * 2013-01-07 2014-07-17 Ricoh Co Ltd 光電変換装置及び画像生成装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2564133B2 (ja) * 1987-04-17 1996-12-18 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
FR2638042A1 (fr) * 1988-10-14 1990-04-20 Thomson Csf Procede pour reduire la remanence d'un phototransistor, notamment de type nipin
FR2638286B1 (fr) * 1988-10-25 1990-12-07 Thomson Csf Dispositif photosensible du type a amplification du signal au niveau des points photosensibles
EP0739039A3 (en) * 1995-04-18 1998-03-04 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Pixel structure, image sensor using such pixel, structure and corresponding peripheric circuitry
EP0823970B1 (en) * 1995-04-28 2001-11-21 Gyula Domjan Method and apparatus for analysis of an object
US5546055A (en) * 1995-08-24 1996-08-13 Dallas Semiconductor Corp. Crystal oscillator bias stabilizer
DE69805555T2 (de) * 1997-02-10 2003-01-16 Fillfactory N.V., Mechelen Verfahren zur Erzeugung eines Auslegesignals einer auf CMOS basierender Pixelstruktur und eine solche auf CMOS basierender Pixelstruktur
US6188211B1 (en) * 1998-05-13 2001-02-13 Texas Instruments Incorporated Current-efficient low-drop-out voltage regulator with improved load regulation and frequency response

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001061990A1 (de) 2001-08-23
DE10007689A1 (de) 2001-08-23
EP1262061B1 (de) 2003-09-24
JP2003523153A (ja) 2003-07-29
US20030160882A1 (en) 2003-08-28
DE50100685D1 (de) 2003-10-30
EP1262061A1 (de) 2002-12-04
KR20020077911A (ko) 2002-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6046444A (en) High sensitivity active pixel with electronic shutter
TW459400B (en) Photoelectric conversion apparatus
US7280143B2 (en) CMOS image sensor with active reset and 4-transistor pixels
KR100660193B1 (ko) 자기-보상 상관 이중 샘플링 회로
TW420942B (en) Compact low-noise active pixel sensor with progressive row reset
JPH11214738A (ja) 利得調整可能なアクティブ・ピクセル・センサ
JPH08149376A (ja) 固体撮像装置
JP2004165685A (ja) 光受容回路
JP2000162041A (ja) 光検出装置
US8878595B2 (en) Switchable readout device
TW564635B (en) Circuit apparatus of video sensor chips
TW560180B (en) Amplified CMOS transducer for single photon read-out of photodetectors
TW393781B (en) Photoelectric conversion device and image sensor
US4556910A (en) Image sensing device having on-chip fixed-pattern noise reducing circuit
US10075608B2 (en) Image reading apparatus and semiconductor device
TWI238526B (en) Photoelectric transfer amount detection method and photoelectric transfer device, image input method and image input device, and two-dimensional image sensor and driving method of same
TW536821B (en) Logarithmic mode CMOS image sensor to eliminate in-pixel fixed pattern noise
KR100250697B1 (ko) 반도체 영상 감지기
US6455909B1 (en) Image sensor
US7368773B2 (en) Photodetector device, solid-state imaging device, and camera system
JP2012089738A (ja) 光センサおよび電子機器
JPS63254765A (ja) 固体撮像素子
JPH08139851A (ja) イメージセンサ
JPH04225611A (ja) 広ダイナミックレンジ受光回路
JPH0548844A (ja) イメージセンサ