JP2003518624A - 画像検出器の感度の温度補償方法 - Google Patents
画像検出器の感度の温度補償方法Info
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 102100036044 Conserved oligomeric Golgi complex subunit 4 Human genes 0.000 claims abstract description 27
- 101000876012 Homo sapiens Conserved oligomeric Golgi complex subunit 4 Proteins 0.000 claims abstract description 27
- 101001104102 Homo sapiens X-linked retinitis pigmentosa GTPase regulator Proteins 0.000 claims abstract description 27
- 208000036448 RPGR-related retinopathy Diseases 0.000 claims abstract description 27
- 201000000467 X-linked cone-rod dystrophy 1 Diseases 0.000 claims abstract description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 102100040998 Conserved oligomeric Golgi complex subunit 6 Human genes 0.000 claims description 8
- 101000748957 Homo sapiens Conserved oligomeric Golgi complex subunit 6 Proteins 0.000 claims description 8
- 201000000465 X-linked cone-rod dystrophy 2 Diseases 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 101100441312 Arabidopsis thaliana CST gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 102100037260 Gap junction beta-1 protein Human genes 0.000 description 1
- 101100276172 Homo sapiens GJB1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/673—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction by using reference sources
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
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- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
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Abstract
Description
変化をなくすことを目的とする。
光点で画像を取得するものである。感光点は、水素化アモルファスシリコン(a
SiH)等の半導体材料の薄膜形成技術によって製造する。この感光点を、マト
リックス状又は線形アレイ状に配置すると、可視又は近可視放射線に含まれる像
を検出することが可能になる。こうして得られる信号は、容易に記憶、処理でき
るように、ディジタル化される。
分野や工業検査の分野への適用に向いている。即ち、シンチレータを被せ、放射
線像を含むX線に曝しておけば良いのである。シンチレータとは、入射X線を、
感光点が検知可能な周波数帯域の放射線に変換するものである。
。図1には、周知のマトリックス型画像検出器を示す。図を見やすくするために
、感光点を9個しか示していない。各感光点P1乃至P9は、光ダイオードDp
及びスイッチダイオードとして示してあるスイッチ機能を有する要素Dcからな
る。スイッチ機能を有する要素として、トランジスタを使用することも可能であ
る。光ダイオードDpとスイッチダイオードDcは、頭−尾状に接続される。
続される。行導体Y1乃至Y3は、ドライバと称するアドレッシング装置3に接
続される。大型のマトリックスにおいては、ドライバ3が複数ある場合もある。
アドレッシング装置3は、一般的に、シフトレジスタ、スイッチ回路及びクロッ
ク回路を有する。アドレッシング装置3は、同一の行導体Y1に接続された感光
点P1乃至P3をマトリックスのそれ以外の部分から隔離するための電圧又はオ
ン状態にする電圧を行導体Y1乃至Y3に供給する。アドレッシング装置3は、
行導体Y1乃至Y3を連続的にアドレッシングすることを可能にする。
記録モード、即ち、逆バイアスされた感光ダイオードDp及びスイッチダイオー
ドDcがそれぞれキャパシタを形成する状態にあるとき、2つのダイオードDp
、Dc間の接合点Aで電荷が蓄積されていく。非常に強力な照射下であっても、
感光ダイオードが線状検出範囲内又は暗い場所にある限り、電荷量は受信信号の
強度にほぼ比例する。続いて、読取モードに入り、このモードでは、行導体Y1
乃至Y3に読取パルスが順次与えられ、この読取パルスによって光ダイオードD
pがオン状態になり、列導体X1乃至X3に蓄積された電荷が読取装置CLに流
れ、積分される。
X3と同じ数の読取回路5からなる電荷積分回路型のものである。各感光点は、
読取回路5に接続される。各電荷積分回路は、読取キャパシタC1乃至C3によ
って積分器として実装された演算増幅器G1乃至G3からなる。各キャパシタC
1乃至C3は、演算増幅器G1乃至G3のマイナス入力と出力S1乃至S3との
間に実装される。各列導体X1乃至X3は、演算増幅器G1乃至G3のマイナス
入力に接続される。各演算増幅器G1乃至G3のプラス入力は、一定の入力基準
電圧VRに接続され、これにより各列導体X1乃至X3に基準電圧が供給される
。各演算増幅器G1乃至G3は、キャパシタC1乃至C3と並列に実装されるリ
セットスイッチI1乃至I3を有する。
する信号を連続的に供給するマルチプレクサ装置6に接続される。読取モードで
は、この信号は、積分時間の間に、同じ列に属する感光点に蓄積された電荷に対
応する。マルチプレクサ装置6より供給された信号は、続いて、少なくとも1つ
のアナログ/ディジタル変換機7によってディジタル化され、アナログ/ディジ
タル変換機7から出力されるこのディジタル化信号が検出された画像の内容を表
現する。このディジタル化信号は、それを記憶、処理及び表示できる管理系統8
に送られる。
的及び全体的変化が生じることが判明した。感度の変動には複数の原因がある。
第1に、空間的変動があり、第2に、温度による変動がある。これは、一方では
、検出器における2つの感光点がまったく同一の光束に曝されても同等のレスポ
ンスが得られないこと、他方では、1つの感光点が同一の光束に曝されても、2
5℃と35℃とで得られるレスポンスが異なることを意味する。この違いは、あ
る部分は、感光点を構成する半導体素子が必ずしもすべて同一の製造バッチから
来るものではないことによるものであり、ある部分は、放射線学に使用されるシ
ンチレータ材料によるものである。その結果、非均一領域に、あるはずのない像
が映し出され、温度が上昇するにつれ徐々に白っぽくなってしまう。
消する方法は周知であるが、ゲイン画像によって温度による感度の変動を解消す
ることはできない。
れた画像である。均一な照明下では画像が均一になる筈なので、このゲイン画像
を使用して感度の空間的変動を適切に修正することができる。このゲイン画像を
作成する頻度は非常に低くて済み、1年に1度ほどで良い。ゲイン画像を読取っ
た時に感光点から供給された信号を管理装置8に記憶しておき、その後、実用の
画像における感度の空間的非均一性を修正するために使用することができる。
うするためには、ゲイン画像を温度変化と同期して作成することが必要になり、
ゲイン画像を記録する頻度が大幅に増加してしまう。これは、操作員による画像
検出器の使用方法に合わない。
度に対応したゲイン画像又は擬似ゲイン画像の使用を提案するものであるが、こ
のゲイン画像は周囲温度に一致させるために単に修正の直前に記録されるもので
はなく、周囲温度を求める計算に基づいて作成されるものである。
される感光点による画像の感度の温度補償方法であって、該感光点が、像を伝達
する情報に曝され、この情報に対して感受性を有する場合に像を検出することが
できる検出用感光点と、情報から保護されたブラインド点とに分割され、 − 感光点の温度が基準温度に達すると、ブラインド感光点の光ダイオードにお
ける平均漏洩電流を算出し、読取処理の際にブラインド感光点より供給された信
号から第1の平均値を生成し、 − 感光点の温度が求めるべき周囲温度に達すると、さらなる読取処理の際にブ
ラインド感光点より供給された信号から他の平均値を生成し、 − 平均漏洩電流と、2つの平均値の差から周囲温度を算出し、 − 周囲温度に対応するゲイン画像又は擬似ゲイン画像を作成し、 − ゲイン画像又は擬似ゲイン画像を用いて周囲温度で記録された画像を修正す
ることを特徴とする補償方法を提供する。
囲温度において平均値を生成するために供給される信号は、画像検出器の標準積
分時間にほぼ等しい積分時間に亘って積分された電荷に相当するものである。
おいてブラインド感光点より供給された信号から2つの平均値を求め、この2つ
の平均値を使用して較正を行うことが可能である。
値が、画像検出器の標準積分時間より長い積分時間に亘って積分された電荷に相
当する。
の温度で記録され、予めメモリ装置に記憶された一連のゲイン画像から、求めら
れた温度に対応するゲイン画像を取得するようにしても良い。
の変化係数によって基礎温度で記録された基礎ゲイン画像を修正することで、求
められた周囲温度に対応する擬似ゲイン画像を取得することもできる。
よって作成される。
点を具備する補償方法を実行するための画像検出器に関するものである。感光点
は、像を伝達する情報に曝され、この情報に対して感受性を有する場合に像を検
出することができる検出用感光点と、情報から保護されたブラインド点とに分割
される。該検出器は、ブラインド感光点より供給された信号から平均値を求める
ための手段、ブラインド感光点のダイオードにおける平均漏洩電流を求めるため
の手段、平均漏洩電流及びその平均値の差から周囲温度を求めるための手段、求
められた周囲温度に基づいてゲイン画像又は擬似ゲイン画像を作成するための手
段及びゲイン画像又は擬似ゲイン画像を用いて周囲温度で記録された画像を修正
するための手段を具備する。
平均値をディジタル形式で受取る。 ゲイン画像を作成するための手段は、それぞれ1つの温度に対応する1つ以上
のゲイン画像を記憶したメモリ装置を有する。
像と、基礎画像の温度に対する変化係数を記憶したメモリ装置を有する。
とが好ましい。 ブラインド感光点は、検出用感光点が受信する情報に対して不透明な材料で被
覆され、この材料が特に黒色の塗料であることが好ましい。
され、ブラインド感光点は、鉛等のX線不透過性材料で被覆される。
配置される。
らかになる。その図面において、 既に説明した図1には、周知の画像検出器の例を示し、 図2には、本発明の方法によって作動する本発明による画像検出器の例を示す
。
オードDp及びスイッチダイオードとして示したスイッチ機能を有する要素Dc
からなるものである。このスイッチダイオードは、トランジスタで置換すること
もできる。光ダイオードDpとスイッチダイオードDcは、頭−尾状に接続され
る。各感光点は、行導体Y1乃至Y3と列導体W1、W2及びZ1乃至Z3との
間に接続される。感光点O1乃至O6及びR1乃至R9は行と列によるマトリッ
クス状に配置されているが、線形アレイ状に配置されていても良い。図1の例と
比較すると、この図に示した画像検出器は、感光点及び列導体が多いが、行導体
の数は同じである。行導体は、図1に示したものと同様のアドレッシング装置3
に接続される。
達する情報に曝され、この像に対して感受性を有する場合、この像を検出するこ
とができる検出用感光点R1乃至R9と、補償用に使用されるブラインド感光点
O1乃至O6とに分割される。このブラインド感光点O1乃至O6は、検出すべ
き像を伝達する情報から遮蔽される。画像の検出時、それが物の画像であっても
、患者の画像であっても、さらに黒色(非照射)又はゲイン画像であっても、ブ
ラインド感光点は何も受信しない。このブラインド感光点O1乃至O6は、検出
用感光点R1乃至R9と同様に読取られる。
れる。この例においては、行の始めに置かれるが、行の最後に置くことも可能で
ある。
00個存在する場合、1行につき10個程度が適当であろう。これらの感光点O
1乃至O6及びR1乃至R9は、符号21で示す絶縁基板に埋め込まれる。
めに、検出用感光点が受信する情報に対して不透明な材料PN(例えば、黒色の
塗料が適している)で被覆される。
乃至R9は、検出用感光点R1乃至R9が検知可能な波長帯域の放射線に、X線
を変換するシンチレータ材料SCで被覆される。ブラインド感光点O1乃至O6
に関しては、これらはシンチレータ材料SCではなく、例えば鉛層等のX線不透
過性の材料PBで被覆される。この形態では、検出用感光点によって受信される
情報に対して不透明な材料PNの有無は任意であるが、使用する場合、ブライン
ド感光点O1乃至O6とX線不透過性材料PBとの間に配置する。
料PPで被覆される。図2において、この材料は一部しか示されていない。
数の読取回路30a、30bを有し、各読取回路が電荷積分型のものであり、読
取キャパシタ31a、31b及び該読取キャパシタ31a、31bと並列接続さ
れるリセットスイッチIa、Ibによって積分器として実装される演算増幅器G
a、Gbを有する。図1のように、積分回路Ga、Gbの出力32a、32bは
、電荷積分回路によって積分された電荷に対応する信号を連続的に供給するマル
チプレクサ装置60に接続される。マルチプレクサ装置60から供給される信号
は、続いて、少なくとも1つのアナログ/ディジタル変換機(ADC)70によ
ってディジタル化される。検出用感光点R1乃至R9に接続された読取回路30
bから出力される信号は検出すべき画像を表現するものであり、ブラインド感光
点O1乃至O6に接続された読取回路30aから出力される残りの信号は補償用
に利用される。
系統80に送られる。
ンド感光点の光ダイオードにおける平均漏洩電流Iθrefが算出され、読取処
理中にブラインド感光点O1乃至O6から供給された信号から第1の平均値CO
D1が作成される。基準温度は、温度計によって測定することができる。
点O1乃至O6より供給された信号からもう1つの平均値COD1'が作成され
る。
ラインド感光点から供給される既にアナログ/ディジタル変換機70によって変
換された信号に基づいて求めることが望ましい。
しかし、平均値をアナログ形式で求め、その後に変換するようにしても良い。限
定的なものではない図2による実施形態において、平均値を求めるための手段7
00は、破線によって概略的に示してあり、アナログ/ディジタル変換機70を
含むものである。
の間にブラインド感光点に蓄積された電荷に対応する。この第1積分時間は、検
出器の標準積分時間、即ち検出器の標準的な使用方法に相当する積分時間にほぼ
等しいことが望ましい。例えば、t1は、0.5乃至5秒の範囲内であれば良い
。
るために使用される信号は、積分時間t1'でブラインド感光点に蓄積される電
荷に対応し、この積分時間t'1は、検出器の標準積分時間にほぼ等しく、よっ
てt1にほぼ等しいことが望ましい。
洩電流Iθrefから計算される。
るために、算出された周囲温度θに対応するゲイン画像IG又は擬似ゲイン画像
QIGが生成される。
ける漏洩電流は、温度に依存して指数的に変化する。この漏洩電流は、次の数式
で表すことができる。
処理の際にアナログ/ディジタル変換機70が供給するコードを、2進法(LS
B)で表したもの。積分時間tは、感光点の点Aで蓄積された電荷の連続する2
つの放電間に経過した時間に対応する。変換機が14ビットのものである場合、
CODは0から214までの値をとることが可能である。 ・FSR: アナログ/ディジタル変換機の符号化電圧範囲。この範囲は、例え
ば4ボルト等である。 ・nは、アナログ/ディジタル変換機の解像度である。この解像度は、例えば1
4ビット等である。 ・Clecは、読取回路CLの出力における等価読取キャパシタンスを示す。 ・G: 読取回路の出力とアナログ/ディジタル変換機の入力の差である電圧利
得。
理の際に、感光点に蓄積された電荷は、光ダイオードの漏洩電流に精確に対応す
る訳ではない。この電荷は、アドレッシング装置3が受信するパルスによって感
光点で発生した駆動電荷及び読取られている列導体に接続された感光点に由来す
る電荷も含んでいる。 この付加電荷を除去するために、漏洩電流を求めるための較正処理が行われる
。感光点の温度が基準温度θrefに達すると、2つの異なる積分時間を有する
ブラインド感光点から供給される信号から2つの平均値COD1、COD2が生
成される。
値のうち一方のCOD1は、基準温度θrefで求められた値に相当するものと
するが、これは求めるべき温度θを算出するためのものである。2つのうち他方
の平均値COD2は、基準温度θrefにおける第2の読取処理中にブラインド
感光点O1乃至O6から供給される信号によって生成されるものとする。
分時間にほぼ等しい。2つのうち第2の平均値COD2に対応する積分時間t2
は、第1の時間t1より長い。例えば、時間t1の2乃至10倍長い時間を選択
することができる。従って、この時間t2の値は、1乃至20秒であることが可
能である。
に曝されていない黒色画像に対して行われることが好ましい。放射線学に適用す
る場合、X線が不要になるからである。しかし、実用の画像を使用することも可
能である。
efにおける平均漏洩電流Iθrefを容易に求めることができる。
は擬似ゲイン画像QIGを作成するだけであり、このゲイン画像IG又は擬似ゲ
イン画像QIGは、温度θにおける実際の画像を、感度の面でディジタル形式で
修正するために使用される。
る一連のゲイン画像IG1、...、IGnから生成することができる。ゲイン画
像は、それぞれ1つの温度に対応させてある。画像検出器を、作動が必要となる
おそれのある一連の温度に予め曝し、各温度につき、メモリ装置100にゲイン
画像IG1、...、IGnを予め記憶しておく。それによってゲイン画像IG1
、...、IGnを記録したライブラリが構成される。
記録し、温度の関数として基礎ゲイン画像の変化係数Kを求めるだけでも良い。
基礎ゲイン画像IGbは、メモリ装置100に記憶される。この変更例では、メ
モリ容量がかなり少なくて済む。擬似ゲイン画像QIGは、基礎温度と算出され
た周囲温度との差を使用して基礎ゲイン画像IGbに係数Kを掛けることで得ら
れる。基礎温度は、基準温度θrefであっても良い。
はない。実際に行った測定によると、係数Kは約−0.5%/℃であった。
ィジタル変換機70と管理装置80の間に配置された任意の処理ユニット800
によって行うようにしても良い。後者の場合、修正画像の使用が可能になる。図
2には、平均漏洩電流を求めるための手段81、周囲温度θを求めるための手段
82、メモリ装置100と協働するゲイン画像IG又は擬似ゲイン画像QIGを
作成するための手段83及び修正手段84を含む処理ユニット800を有する形
態を詳細に示す。この修正手段84は、修正すべき実用画像の読取処理の際に感
光点に供給される信号を受取る。この信号は、アナログ/ディジタル変換機70
から供給される。
例である。
Claims (16)
- 【請求項1】 光ダイオード(Dp)をそれぞれ有し、読取回路(30a、
30b)に接続される感光点(O1乃至O6、R1乃至R9)による画像の感度
の温度補償方法であって、該感光点が、像を伝達する情報に曝され、この情報に
対して感受性を有する場合に像を検出することができる検出用感光点(R1乃至
R9)と、情報から保護されたブラインド点(O1乃至O6)とに分割され、 − 感光点(O1乃至O6、R1乃至R9)の温度が基準温度(θref)に達
すると、ブラインド感光点(O1乃至O6)の光ダイオードにおける平均漏洩電
流(Iθref)を算出し、読取処理の際にブラインド感光点(O1乃至O6)
より供給された信号から第1の平均値(COD1)を生成し、 − 感光点(O1乃至O6、R1乃至R9)の温度が求めるべき周囲温度(θ)
に達すると、さらなる読取処理の際にブラインド感光点(O1乃至O6)より供
給された信号から他の平均値(COD1')を生成し、 − 平均漏洩電流(Iθref)と、2つの平均値(COD1'、COD1)の
差から周囲温度(θ)を算出し、 − 周囲温度(θ)に対応するゲイン画像(IG)又は擬似ゲイン画像(QIG
)を作成し、 − ゲイン画像又は擬似ゲイン画像を用いて周囲温度(θ)で記録された画像を
修正することを特徴とする補償方法。 - 【請求項2】 第1の平均値(COD1)を生成するために供給される信号
及び求めるべき周囲温度において平均値(COD1')を生成するために供給さ
れる信号が、画像検出器の標準積分時間にほぼ等しい積分時間(t1)に亘って
積分された電荷に相当することを特徴とする請求項1に記載の補償方法。 - 【請求項3】 基準温度(θref)において、平均漏洩電流(Iθref
)を算出するために、2つの異なる積分時間(t1、t2)においてブラインド
感光点より供給された信号から2つの平均値(COD1、COD2)を求め、こ
の2つの平均値(COD1、COD2)を使用して較正を行うことを特徴とする
請求項1又は2に記載の補償方法。 - 【請求項4】 2つの平均値のうち一方(COD1)が、第1の平均値であ
ることを特徴とする請求項3に記載の補償方法。 - 【請求項5】 2つの平均値のうち他方(COD2)が、画像検出器の標準
積分時間より長い積分時間(t2)に亘って積分された電荷に相当することを特
徴とする請求項4に記載の補償方法。 - 【請求項6】 画像検出器が作動する可能性の高い温度範囲内にある、それ
ぞれ相違する特定の温度で記録され、予めメモリ装置(100)に記憶された一
連のゲイン画像(IG1、...、IGn)から、求められた温度(θ)に対応す
るゲイン画像(IG)を取得することを特徴とする請求項1乃至5のうち何れか
1項に記載の補償方法。 - 【請求項7】 算出された周囲温度と基礎温度の差を考慮して、温度に対す
る基礎ゲイン画像の変化係数(K)によって基礎温度で記録された基礎ゲイン画
像(IGb)を修正することで、求められた周囲温度に対応する擬似ゲイン画像
(QIG)を取得することを特徴とする請求項1乃至5のうち何れか1項に記載
の補償方法。 - 【請求項8】 平均値(COD1、COD2、COD1')を生成するため
の読取処理を、黒色画像に対して行うことを特徴とする請求項1乃至7のうち何
れか1項に記載の補償方法。 - 【請求項9】 それぞれ光ダイオード(Dp)を有し、読取回路(30a、
30b)に接続される感光点(O1乃至O6、R1乃至R9)を具備する画像検
出器であって、該感光点(R1乃至R9、O1乃至O6)が、像を伝達する情報
に曝され、この情報に対して感受性を有する場合に像を検出することができる検
出用感光点(R1乃至R9)と、情報から保護されたブラインド点(O1乃至O
6)とに分割され、さらに、ブラインド感光点より供給された信号から平均値(
COD1、COD1')を求めるための手段(700)、ブラインド感光点のダ
イオードにおける平均漏洩電流(Iθref)を求めるための手段(81)、平
均漏洩電流(Iθref)及びその平均値の差から周囲温度(θ)を求めるため
の手段(82)、求められた周囲温度に基づいてゲイン画像(IG)又は擬似ゲ
イン画像(QIG)を作成するための手段(83)、及びゲイン画像又は擬似ゲ
イン画像を用いて周囲温度で記録された画像を修正するための手段(84)を具
備することを特徴とする、請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法を実行する
ための画像検出器。 - 【請求項10】 平均漏洩電流を求めるための手段(81)が、平均値(C
OD1、COD2)をディジタル形式で受取ることを特徴とする請求項9に記載
の画像検出器。 - 【請求項11】 ゲイン画像(IG)を作成するための手段(83)が、そ
れぞれ1つの温度に対応する1つ以上のゲイン画像(IG1、...、IGn)を
記憶したメモリ装置(100)を有することを特徴とする請求項9又は10に記
載の画像検出器。 - 【請求項12】 擬似ゲイン画像を作成するための手段(83)が、基礎温
度で記録された基礎ゲイン画像(IGb)と、基礎画像の温度に対する変化係数
(K)を記憶したメモリ装置(100)を有することを特徴とする請求項9乃至
11のうち何れか1項に記載の画像検出器。 - 【請求項13】 ブラインド感光点が、検出用感光点(R1乃至F9)が接
続された導体(Y1乃至Y3)の最外部(20)に接続されることを特徴とする
請求項9乃至12のうち何れか1項に記載の画像検出器。 - 【請求項14】 ブラインド感光点が、検出用感光点が受信する情報に対し
て不透明な材料(PN)で被覆され、この材料が特に黒色の塗料であることを特
徴とする請求項9乃至13のうち何れか1項に記載の画像検出器。 - 【請求項15】 検出用感光点(R1乃至R9)が、X線を検知可能な放射
線に変換するシンチレータ材料(SC)で被覆され、ブラインド感光点(O1乃
至O6)が、鉛等のX線不透過性材料(PB)で被覆されることを特徴とする請
求項14に記載の画像検出器。 - 【請求項16】 情報に対して不透明な材料(PN)が、X線不透過性材料
(PB)とブラインド感光点(O1乃至O6)との間に配置されることを特徴と
する請求項15に記載の検出器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9916592A FR2803082B1 (fr) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Procede de compensation en temperature de la sensibilite d'un detecteur d'image |
FR99/16592 | 1999-12-28 | ||
PCT/FR2000/003717 WO2001049044A2 (fr) | 1999-12-28 | 2000-12-28 | Procede de compensation en temperature de la sensibilite d'un detecteur d'image |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003518624A true JP2003518624A (ja) | 2003-06-10 |
JP5311700B2 JP5311700B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=9553925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001549028A Expired - Fee Related JP5311700B2 (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-28 | 画像の感度の温度補償方法および画像検出器 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6828563B2 (ja) |
EP (1) | EP1243132B1 (ja) |
JP (1) | JP5311700B2 (ja) |
AT (1) | ATE266294T1 (ja) |
AU (1) | AU3029701A (ja) |
CA (1) | CA2395571C (ja) |
DE (1) | DE60010519T2 (ja) |
FR (1) | FR2803082B1 (ja) |
WO (1) | WO2001049044A2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006267101A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-05 | General Electric Co <Ge> | 半導体x線検出器を較正するシステム、方法及び装置 |
JP2009222478A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出器 |
JP2012013498A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Japan Atomic Energy Agency | 放射能量測定方法及び装置 |
JP2017090463A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | センサーズ・アンリミテッド・インコーポレーテッド | ゲイン正規化 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2796239B1 (fr) * | 1999-07-06 | 2001-10-05 | Trixell Sas | Procede de commande d'un dispositif photosensible apte a produire des images de bonne qualite |
FR2817106B1 (fr) * | 2000-11-17 | 2003-03-07 | Trixell Sas | Dispositif photosensible et procede de commande du dispositif photosensible |
AUPR621501A0 (en) | 2001-07-06 | 2001-08-02 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Delivery of ds rna |
US7381964B1 (en) * | 2004-11-24 | 2008-06-03 | General Electric Company | Method and system of x-ray data calibration |
DE102006003612B3 (de) * | 2006-01-25 | 2007-06-28 | Siemens Ag | Verfahren, Korrekturverfahren und Röntgensystem |
US20110210262A1 (en) | 2006-06-12 | 2011-09-01 | Radiation Watch Limited | Apparatus and method for detecting high-energy radiation |
GB0611620D0 (en) * | 2006-06-12 | 2006-07-19 | Radiation Watch Ltd | Semi-conductor-based personal radiation location system |
US7455454B2 (en) * | 2006-10-03 | 2008-11-25 | General Electric Company | X-ray detector methods and apparatus |
US8072811B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-12-06 | Aplus Flash Technology, Inc, | NAND based NMOS NOR flash memory cell, a NAND based NMOS NOR flash memory array, and a method of forming a NAND based NMOS NOR flash memory array |
DE102008046289B3 (de) * | 2008-09-08 | 2009-10-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Bestimmung der Temperatur eines digitalen Röntgendetektors, Verfahren zur Erstellung eines temperaturkorrigierten Röntgenbildes und digitaler Röntgendetektor |
US8120966B2 (en) * | 2009-02-05 | 2012-02-21 | Aplus Flash Technology, Inc. | Method and apparatus for management of over-erasure in NAND-based NOR-type flash memory |
US8757878B2 (en) | 2011-01-11 | 2014-06-24 | General Electric Company | Temperature drift correction for multi-slice detector in computed tomography |
US9202453B2 (en) | 2012-12-05 | 2015-12-01 | Bose Corporation | Asymmetric temperature compensation of microphone sensitivity at an active noise reduction system |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62207437A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | 株式会社 日立メデイコ | X線ct装置の温度特性補正装置 |
JPH01302190A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Shimadzu Corp | マルチスライスリングect装置 |
JPH0269691A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Toshiba Corp | X線ct用放射線検出器 |
JPH02147923A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-06 | Hitachi Ltd | 光検出回路 |
JPH09135388A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Olympus Optical Co Ltd | 電子的撮像装置 |
JPH1013749A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 光電変換器の暗電流補正装置 |
JPH11231055A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Konica Corp | 放射線画像読取装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5153421A (en) * | 1991-11-04 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Architecture for analog and digital image sensor arrays |
FR2731569B1 (fr) * | 1995-03-07 | 1997-04-25 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif de recopie de tension a grande linearite |
US6410896B2 (en) * | 1995-10-27 | 2002-06-25 | Medical Indicators, Inc. | Shielding method for microwave heating of infant formula to a safe and uniform temperature |
JP3024532B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線撮像装置 |
US6271880B1 (en) * | 1996-02-26 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus having a photoelectric conversion element and a transistor, in which the duration of the on time of the transistor is based on a detected temperature of the conversion element or transistor |
FR2758039B1 (fr) * | 1996-12-27 | 1999-03-26 | Thomson Tubes Electroniques | Detecteur d'image a contraste ameliore |
FR2759509B1 (fr) * | 1997-02-07 | 1999-04-30 | Thomson Tubes Electroniques | Circuit integrateur a linearite amelioree |
FR2771513B1 (fr) * | 1997-11-25 | 2000-05-26 | Trixell Sas | Dispositif photosensible equipe d'un dispositif de mesure d'eclairement |
US6061092A (en) * | 1997-12-05 | 2000-05-09 | Intel Corporation | Method and apparatus for dark frame cancellation for CMOS sensor-based tethered video peripherals |
FR2802698B1 (fr) * | 1999-12-17 | 2002-03-22 | Trixell Sas | Circuit de lecture de charges protege contre des surcharges provenant de charges de polarite non desiree |
US20020079450A1 (en) * | 2000-12-26 | 2002-06-27 | Wood Roland Andrew | Lens for infrared camera |
US7365326B2 (en) * | 2000-12-26 | 2008-04-29 | Honeywell International Inc. | Camera having distortion correction |
JP3819760B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2006-09-13 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JP2003209665A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像読取方法および画像記録読取装置 |
KR100448244B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-09-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서의 화소배열부 및 그를 포함하는 이미지센서 및이미지센서의 자동 블랙 레벨 보상 방법 |
-
1999
- 1999-12-28 FR FR9916592A patent/FR2803082B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-12-28 US US10/168,522 patent/US6828563B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-28 AU AU30297/01A patent/AU3029701A/en not_active Abandoned
- 2000-12-28 CA CA002395571A patent/CA2395571C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-28 EP EP00990832A patent/EP1243132B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-28 WO PCT/FR2000/003717 patent/WO2001049044A2/fr active IP Right Grant
- 2000-12-28 JP JP2001549028A patent/JP5311700B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-28 AT AT00990832T patent/ATE266294T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-12-28 DE DE60010519T patent/DE60010519T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62207437A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | 株式会社 日立メデイコ | X線ct装置の温度特性補正装置 |
JPH01302190A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Shimadzu Corp | マルチスライスリングect装置 |
JPH0269691A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Toshiba Corp | X線ct用放射線検出器 |
JPH02147923A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-06 | Hitachi Ltd | 光検出回路 |
JPH09135388A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Olympus Optical Co Ltd | 電子的撮像装置 |
JPH1013749A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 光電変換器の暗電流補正装置 |
JPH11231055A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Konica Corp | 放射線画像読取装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006267101A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-05 | General Electric Co <Ge> | 半導体x線検出器を較正するシステム、方法及び装置 |
JP2009222478A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出器 |
JP2012013498A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Japan Atomic Energy Agency | 放射能量測定方法及び装置 |
JP2017090463A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | センサーズ・アンリミテッド・インコーポレーテッド | ゲイン正規化 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1243132A2 (fr) | 2002-09-25 |
US20020195567A1 (en) | 2002-12-26 |
AU3029701A (en) | 2001-07-09 |
WO2001049044A3 (fr) | 2002-05-23 |
WO2001049044A2 (fr) | 2001-07-05 |
EP1243132B1 (fr) | 2004-05-06 |
CA2395571A1 (fr) | 2001-07-05 |
US6828563B2 (en) | 2004-12-07 |
DE60010519T2 (de) | 2005-05-12 |
FR2803082B1 (fr) | 2002-03-22 |
CA2395571C (fr) | 2009-05-19 |
FR2803082A1 (fr) | 2001-06-29 |
DE60010519D1 (de) | 2004-06-09 |
JP5311700B2 (ja) | 2013-10-09 |
ATE266294T1 (de) | 2004-05-15 |
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5311700 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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