JPH1013749A - 光電変換器の暗電流補正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大容量のメモリを必要とせず、短時間に正確
に暗電流を補正する。 【解決手段】 複数の画素から成る光電変換器の特定の
画素の暗電流とそれら特定の画素以外の画素の平均暗電
流との差分を記憶しておき、光電変換器の特定の画素の
出力電流から上記差分を減算して暗電流を補正する。こ
れにより、暗電流補正データを記憶するためのメモリの
記憶容量を低減でき、補正処理時間を短縮できる。ま
た、暗電流が大きな特定の画素の暗電流を周辺画素の平
均的な暗電流レベルまで低減するので、暗電流補正後の
全画素の暗電流レベルが平均化され、この暗電流補正装
置を焦点検出装置の光電変換器に用いれば焦点検出にお
ける精度と信頼性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換器の出力
に含まれる暗電流を補正する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】カメラなどの焦点検出装置にはイメージ
センサーが用いられている。このイメージセンサーは、
複数の電荷蓄積型光電変換画素が一次元状に配列された
ものである。このイメージセンサーの出力は被写体の光
輝度分布を反映しており、焦点検出装置はこのイメージ
センサーの出力に基づいて撮影レンズの焦点調節状態を
検出する。

【０００３】ところで、被写体が低輝度の場合には、所
定レベル以上のイメージセンサー出力を得るために蓄積
時間を長くするが、これにより暗電流も増えてしまい、
Ｓ／Ｎ比が低下する。暗電流の大きさは光電変換画素ご
とにばらつきがあり、ある画素の暗電流がその周辺の画
素の暗電流よりも際立って大きい場合には、あたかも被
写体に高いコントラストがあるかのように見えてしまう
（図４（ａ）参照）。特に、低輝度時にはすべての光電
変換画素の出力レベルが低く、相対的に暗電流成分が大
きくなって焦点検出性能に大きな悪影響を与える。ま
た、暗電流の大きさは蓄積時間だけでなく温度にも依存
するので、高温下では暗電流が増加してＳ／Ｎ比が低下
する。

【０００４】このような問題を解決するために、イメー
ジセンサーの出力に含まれる暗電流を補正する方法が提
案されている。例えば特開平３−１０４７３号公報に
は、開口画素部の他に暗電流モニター用の遮光画素部を
設けたイメージセンサーが開示されており、この装置で
は、予め開口画素と遮光画素の暗時出力を記憶してお
き、焦点検出動作時の遮光画素出力と記憶しておいた遮
光画素出力との比から暗電流の増減率を求め、記憶して
おいた開口画素出力に比を掛けることによって、各画素
ごとの暗電流を求めている。ここで、開口画素とは、焦
点検出光学系によって被写体からの光束が照射されるイ
メージセンサー上の画素である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光電変換器の暗電流補正装置では、全画素の暗電流を記
憶する必要があり、多点測距方式の焦点検出装置のよう
に多くの光電変換器を用いる場合には大容量のメモリが
必要となり、また補正時間も長くなるという問題があ
る。また、暗電流モニター用の遮光画素出力はイメージ
センサーの構成によっては必ずしも温度を反映していな
い場合もある。例えば周辺回路の熱の影響を受けてイメ
ージセンサーの環境温度が約５０℃以下では温度に対し
て遮光画素出力がほぼ一定になる。このため、温度に依
存する暗電流成分を含む開口画素の出力に対して最適な
補正ができないという問題もある。

【０００６】本発明の目的は、大容量のメモリを必要と
せず、短時間に正確に暗電流を補正する光電変換器の暗
電流補正装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

（１） 請求項１の発明は、複数の画素から成る光電変
換器の特定の画素の暗電流とそれら特定の画素以外の画
素の平均暗電流との差分を記憶しておき、光電変換器の
特定の画素の出力電流から上記差分を減算して暗電流を
補正するものである。 （２） 請求項２の光電変換器の暗電流補正装置は、複
数の画素から成る光電変換器の特定の画素の暗電流とそ
れら特定の画素以外の画素の平均暗電流との差分と、暗
電流測定時の温度情報とを記憶しておき、暗電流測定時
の温度情報と暗電流補正時の温度情報とに基づいて上記
差分の温度補正を行ない、光電変換器の上記特定の画素
の出力電流から温度補正後の差分を減算して暗電流を補
正するようにしたものである。 （３） 請求項３の光電変換器の暗電流補正装置は、光
電変換器の使用頻度の高い領域に含まれる画素に対して
優先的に暗電流の補正を行なうようにしたものである。 （４） 請求項４の光電変換器の暗電流補正装置は、光
電変換器の複数の画素の内の暗電流が大きいものから順
に所定個数だけ抽出し、暗電流補正を行なう特定の画素
としたものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】

−発明の第１の実施の形態− 図１は本発明の第１の実施形態の構成を示す。対物レン
ズ１を通過した被写体からの光束は、焦点検出光学系２
によりイメージセンサー３へ導かれ、結像される。イメ
ージセンサー３は、被写体像の光強度分布に応じて光電
変換し、被写体像信号を出力する。この被写体像信号
は、Ａ／Ｄ変換回路４へ送られてディジタル信号に変換
され、暗電流補正回路５へ出力される。補正データ記憶
部６には暗電流補正に関するデータが記憶されており、
その補正データは暗電流補正回路５へ送られる。温度モ
ニター部１０はイメージセンサー３の温度を測定し、温
度データを暗電流補正回路５へ出力する。なお、温度モ
ニター１０でイメージセンサー３の周囲温度を測定する
ようにしてもよい。暗電流補正回路５は、暗電流補正デ
ータおよび温度データに基づいてイメージセンサー３の
被写体像信号に含まれる暗電流を補正し、演算部７へ送
る。演算部７は、暗電流が補正された被写体像信号に基
づいて焦点検出演算を行い、対物レンズ１のデフォーカ
ス量を算出する。駆動制御部８は、算出されたデフォー
カス量にしたがってモーター９を駆動制御し、対物レン
ズ１を移動させる。

【０００９】図２は、装置の製造過程における暗電流補
正データの測定と記憶処理を示すフローチャートであ
る。また、図３は、この実施形態の暗電流補正装置をカ
メラに応用した場合の暗電流補正処理を示すフローチャ
ートである。この実施形態では、１００個の光電変換画
素（光電変換素子）が一次元状に配列されたイメージセ
ンサーを例に上げて説明する。そして、光電変換画素列
の内の暗電流の大きい方からα個の画素を抽出し、暗電
流の補正を行う。

【００１０】図４は画素ごとの暗電流を示す。ここで、
（ａ）に示すように、（ｉ＋１）番目の画素の暗電流
が、ｉ番目や（ｉ＋２）番目などの周辺画素の暗電流に
対して大きい場合を考える。暗電流が大きい（ｉ＋１）
番目の画素に対して、単純にその暗電流分を補正する
と、（ｂ）に示すように、（ｉ＋１）番目の画素の暗電
流だけがほぼ０になり、周辺画素の暗電流との差が大き
くなる。この状態は、あたかも（ｉ＋１）番目の画素の
部分で被写体のコントラストが大きいかのように誤認さ
れてしまい、焦点検出精度を低下させるおそれがある。
そこで、この実施形態では、（ｃ）に示すように、暗電
流が大きな（ｉ＋１）番目の画素に対して、その暗電流
を周辺画素の平均的な暗電流レベル（図中に破線で示
す）まで補正する。このようにすれば、暗電流補正後の
全画素の暗電流レベルが平均化され、高い焦点検出精度
を維持できる。

【００１１】まず、図２により装置の製造過程における
暗電流補正データの測定と記憶処理を説明する。暗電流
補正データの測定と記憶処理に先だって、暗黒、常温の
環境下にカメラを設置する。ステップ１００において、
イメージセンサー３の蓄積時間およびゲインなどのパラ
メータを、暗電流データ測定用の所定値に設定する。こ
の時、画素間の暗電流差がある程度はっきりと現れるよ
うにするために、蓄積時間を長く、ゲインを高くすると
よい。ステップ１０１で、暗電流データ測定用のパラメ
ータによりイメージセンサー３の電荷蓄積動作を行い、
イメージセンサー３の出力をＡ／Ｄ変換回路４でＡ／Ｄ
変換し、外部コンピュータへ出力する。

【００１２】外部コンピュータにおける補正値算出動作
は、まずステップ１０２で、補正画素番号ｘを初期化す
る。次にステップ１０３で、１００個の画素の内、暗電
流が最大である画素を検出し、その暗電流値をＤ（ｘ）
に、画素番号をＰ（ｘ）にそれぞれ記憶する。なお、ｉ
番目の画素出力をＹ（ｉ）、１００個の画素出力中の最
大値をＭａｘ（Ｙ（ｉ））と表記する。また、暗電流が
最大であるとして暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）が
記憶された画素がふたたび検出されないようにするた
め、出力Ｙ（ｉ）を０に書き換える。ステップ１０４お
よび１０５では、補正画素番号ｘがα個になるまでステ
ップ１０３の処理を繰り返し、１００個の画素の内の暗
電流が大きいものから順にα個の画素の暗電流Ｄ（ｘ）
と画素番号Ｐ（ｘ）を記憶する。

【００１３】暗電流が大きいα個の画素の暗電流データ
を測定したらステップ１０６へ進み、α個以外の画素の
暗電流の平均値Ａｖを演算する。ステップ１０７でふた
たびｘを初期化する。続くステップ１０８で、ｘ番目の
暗電流Ｄ（ｘ）と平均暗電流Ａｖとの差を取り、その差
を遮光画素出力ＯＰＢで除して暗電流補正値Ｈ（ｘ）を
演算する。ステップ１０９および１１０では、補正画素
番号ｘがα個になるまでステップ１０８の処理を繰り返
し、１００個の画素の内の暗電流が大きいものから順に
α個の画素の暗電流補正値Ｈ（ｘ）を演算する。ステッ
プ１１１で、α個の画素の暗電流補正値Ｈ（ｘ）、画素
番号Ｐ（ｘ）および補正データ測定時の温度Ｔを補正デ
ータ記憶部６に記憶する。

【００１４】ここで、ステップ１０１における電荷蓄積
動作はランダムノイズの影響を避けるために複数回行
い、その平均データを取得してステップ１０２以降の処
理を行うようにしてもよい。

【００１５】次に、温度補正データを求める。温度ｔを
変えながら例えば画素番号１の画素の暗電流Ｄ（１）を
測定すると、図６に示すような暗電流の温度特性が得ら
れる。この温度特性の関数を求めて温度補正データｆ
（ｔ）とする。記憶容量が大きくなったり、演算時間が
長くなるのを避けるために、温度補正データｆ（ｔ）を
二次関数や一次関数に近似してもよい。この温度補正デ
ータｆ（ｔ）を補正データ記憶部６に記憶する。なお、
温度補正データｆ（ｔ）は、１個のイメージセンサーに
含まれるα個の画素の暗電流Ｄ（１）〜Ｄ（α）の温度
特性を測定して平均をとったり、数個の画素の暗電流の
温度特性を測定して平均をとってもよい。いずれにして
も個々のイメージセンサーに対して求める必要はない。

【００１６】図３により、この実施形態の暗電流補正装
置をカメラに応用した場合の暗電流補正処理を説明をす
る。ステップ２００において、イメージセンサー３の電
荷蓄積動作を行い、その出力をＡ／Ｄ変換回路４でＡ／
Ｄ変換し、暗電流補正回路５へ出力する。暗電流補正回
路５では、まずステップ２０１で補正画素番号ｘを初期
化する。続くステップ２０２で、補正データ記憶部６か
ら暗電流補正値Ｈ（ｘ）、補正画素番号Ｐ（ｘ）、補正
データ測定時の温度Ｔおよび温度補正データｆ（ｔ）を
読み出すとともに、温度モニター部１０から使用時の温
度ｔを入力し、これらのデータと使用時の遮光画素出力
ＯＰＢとに基づいて使用環境下における暗電流補正値Ｄ
Ｋ（ｘ）を算出する。ここで、補正データ測定時の温度
Ｔ℃の時に温度補正係数が１になるためには、温度補正
係数はｆ（ｔ）／ｆ（Ｔ）になる。ステップ２０３で、
出力Ｙ（Ｐ（ｘ））から暗電流補正値ＤＫ（ｘ）を差し
引いて補正処理を行ない、暗電流補正画素出力ＹＨ（Ｐ
（ｘ））を求める。ステップ２０４と２０５で、画素番
号ｘがα個になるまでステップ２０２と２０３の処理を
繰り返し行ない、α個の画素の暗電流補正処理を行な
う。

【００１７】−発明の第２の実施の形態− 焦点検出に際しては、イメージセンサー上の全光電変換
画素の出力を用いず、一部の光電変換画素の出力に基づ
いて焦点検出を行なう場合がある。対物レンズ、焦点検
出光学系およびイメージセンサーの相対的な配置によっ
ては、イメージセンサーの端にある光電変換画素には光
束が届かない場合があり、そのような光束の届かない画
素に対しては暗電流が大きくても補正の必要はない。ま
た、１個のイメージセンサーの中で焦点検出を行なう領
域を切り換えて使用する場合に、狭い焦点検出領域に含
まれる光電変換画素は使用頻度が高い。例えば、図５
（ａ）に示すように撮影画面内に狭い焦点検出領域Ｎと
広い焦点検出領域Ｗを設定した場合に、狭い焦点検出領
域Ｎは図５（ｂ）に示すイメージセンサー上の狭い領域
Ｎ’に対応し、広い焦点検出領域Ｗは図５（ｂ）に示す
イメージセンサー上の広い領域Ｗ’に対応する。この場
合、イメージセンサー上の狭い領域Ｎ’に含まれる光電
変換画素は、焦点検出領域が狭い場合でも広い場合でも
焦点検出に用いられることになる。このような場合に、
使用頻度の高い光電変換画素から優先的に暗電流補正を
行うようにした第２の実施形態を説明する。なお、この
第２の実施形態の構成は図１に示す第１の実施形態の構
成と同様であり、説明を省略する。

【００１８】図７〜図９は、装置の製造過程における暗
電流補正データの測定と記憶処理を示すフローチャート
である。概要を説明すると、まずステップ３００〜３０
４で、イメージセンサー３上の狭い領域Ｎ’において、
第１の実施形態と同様に暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号Ｐ
（ｘ）を求める。続くステップ３０５〜３０７で、イメ
ージセンサー３上の狭い領域Ｎ’を除く広い領域Ｗ’に
おいて、暗電流Ｄ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）を求める。
次にステップ３０８〜３１１で、狭い領域Ｎ’において
暗電流Ｄ（ｘ）が所定値β以上である画素に対する暗電
流補正値Ｈ（ｘ）を求める。この時、暗電流補正値Ｄ
（ｘ）がβ以上である補正対象の画素が所定のα個に満
たない場合には、ステップ３１３〜３１４でα個に満た
ない不足分を狭い領域Ｎ’を除く広い領域Ｗ’の中から
求める。

【００１９】図７〜図９を参照しながら詳しく説明す
る。ステップ３００、３０１において、図２に示す第１
の実施形態と同様に電荷蓄積動作を行い、暗電流データ
を得る。ステップ３０２でイメージセンサー３上の狭い
領域Ｎ’を所定範囲に設定し、続くステップ３０３で図
８に示すサブルーチンＡを実行する。

【００２０】図８のサブルーチンＡでは、ステップ４０
０〜４０３において、所定範囲Ｎ’に含まれる画素に対
して第１の実施形態と同様に出力の大きい順にα個の暗
電流Ｄ（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）を求める。ステップ
４０４で所定範囲Ｎ’内の残りの画素についての平均暗
電流Ａｖを求め、ステップ４０５〜４０８でα個の暗電
流Ｄ（ｘ）と平均暗電流Ａｖとの差分ＤＬ（ｘ）を求め
る。

【００２１】図７のステップ３０４へ戻り、差分ＤＬ
（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）をそれぞれＤＮ（ｘ）とＰ
Ｎ（ｘ）に退避する。次に、ステップ３０５〜３０７
で、（Ｗ’−Ｎ’）を所定範囲に設定し、同様に差分Ｄ
Ｌ（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）を得てそれぞれＤＷ
（ｘ）とＰＷ（Ｘ）に退避させる。ステップ３０８でα
個の補正値Ｈ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）を０にリセット
し、続くステップ３０９で補正対象画素のカウント数ｊ
を０にした後、ステップ３１０で先に退避させたＤＮ
（ｘ）とＰＮ（ｘ）の値をふたたびＤＬ（ｘ）とＰＬ
（ｘ）に戻す。そして、ステップ３１１で図９に示すサ
ブルーチンＢを実行する。

【００２２】図９のサブルーチンＢにおいて、まずステ
ップ５００で補正画素番号ｘを初期化する。ステップ５
０１で、周辺画素に対して突出した差分ＤＬ（ｘ）が所
定値βより大きい場合は、この画素は補正の対象になる
としてステップ５０２でｊをインクリメントした後、ス
テップ５０３で暗電流補正値Ｈ（ｘ）と画素番号Ｐ
（ｘ）を求める。なお、差分ＤＬ（ｘ）が所定値β以下
の場合はステップ５０２と５０３の処理を行わない。α
個の差分ＤＬ（ｘ）に対してステップ５０１の判定を行
ってから、図７へ戻る。

【００２３】サブルーチンＢで補正の対象であると判定
された画素がα個に満たない場合は、ｊ＜αとなるので
図７のステップ３１３〜３１４へ進み、今度は（Ｗ’−
Ｎ’）の範囲で補正対象画素の判定を行う。退避させて
あるＤＷ（ｘ）とＰＷ（ｘ）の値をそれぞれ差分ＤＬ
（ｘ）と画素番号ＰＬ（ｘ）に戻してから、ふたたびサ
ブルーチンＢを実行し、上述した判定を行う。α個の差
分ＤＬ（ｘ）全てを判定する前に、補正対象の画素がα
個に達すればｊ＝αとなり、ステップ５０５から図７へ
戻る。また、α個の差分ＤＬ（ｘ）全てを判定すればｘ
＝αとなり、補正対象の画素がα個に達しなくてもステ
ップ５０４から図７へ戻る。こうしてα個またはそれ以
下の補正値Ｈ（ｘ）と画素番号Ｐ（ｘ）をＮ’の範囲か
ら優先的に得ることができ、ステップ３１５で補正デー
タ測定時の温度Ｔとともに補正データ記憶部６に記憶す
る。

【００２４】このように、イメージセンサー中の画素範
囲や焦点検出領域に優先度を設定し、優先度が高く周辺
画素よりも暗電流が突出した画素から順に補正すること
により、光電変換器の端にある光束が届かない画素に対
する不要な暗電流補正が避けられ、限られた記憶容量で
適切な補正処理がなされる。

【００２５】なお、上述した実施形態では、補正対象画
素がα個に満たない場合でも、差分ＤＬ（ｘ）が所定値
β以下であるような画素に対しては補正を行わないよう
にしたが、この方法に限定されるものではない。α個に
満たない分は、所定値βを前回よりも小さく設定して再
びステップ３０２へ戻り、補正対象画素がα個に達する
まで補正データの測定動作を繰り返してもよい。また、
複数の焦点検出エリアを有する場合、各々のエリアの使
用頻度などによって補正対象画素数αをエリアごとに変
えるようにしてもよい。

【００２６】以上の発明の実施の形態の構成において、
補正データ記憶部６が記憶手段を、暗電流補正回路５お
よび温度モニター部１０が補正手段をそれぞれ構成す
る。なお、イメージセンサーの光電変換画素には、ＣＣ
Ｄなどの電荷蓄積型光電変換素子や、フォトトランジス
タ、Ｃｄセルなど、光強度に応じた電気信号を出力する
すべての光電変換画素が含まれる。

【００２７】

【発明の効果】

（１） 請求項１の発明によれば、複数の画素から成る
光電変換器の特定の画素の暗電流とそれら特定の画素以
外の画素の平均暗電流との差分を記憶しておき、光電変
換器の特定の画素の出力電流から上記差分を減算して暗
電流を補正するようにしたので、暗電流補正データを記
憶するためのメモリの記憶容量を低減でき、補正処理時
間を短縮できる。また、暗電流が大きな特定の画素の暗
電流を周辺画素の平均的な暗電流レベルまで低減するの
で、暗電流補正後の全画素の暗電流レベルが平均化さ
れ、この暗電流補正装置を焦点検出装置の光電変換器に
用いれば焦点検出における精度と信頼性を向上させるこ
とができる。さらに、従来のように暗電流モニター用の
遮光画素出力により暗電流補正を行なわないので、いか
なる温度でも最適な補正を行なうことができる。 （２） 請求項２の発明によれば、複数の画素から成る
光電変換器の特定の画素の暗電流とそれら特定の画素以
外の画素の平均暗電流との差分と、暗電流測定時の温度
情報とを記憶しておき、暗電流測定時の温度情報と暗電
流補正時の温度情報とに基づいて上記差分の温度補正を
行ない、光電変換器の上記特定の画素の出力電流から温
度補正後の差分を減算して暗電流を補正するようにした
ので、請求項１の効果に加え、温度変化による暗電流の
変動を除去することができる。 （３） 請求項３の発明によれば、光電変換器の使用頻
度の高い領域に含まれる画素に対して優先的に暗電流の
補正を行なうようにしたので、光電変換器の端にある光
束が届かない画素に対する不要な暗電流補正が避けら
れ、適切な補正処理がなされる。 （４） 請求項４の発明によれば、光電変換器の複数の
画素の内の暗電流が大きいものから順に所定個数だけ抽
出し、暗電流補正を行なう特定の画素としたので、暗電
流の補正精度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１の実施形態の構成を示す図。

【図２】 第１の実施形態の補正データの測定と記憶処
理を示すフローチャート。

【図３】 カメラに応用した光電変換器の暗電流補正装
置の暗電流補正処理を示すフローチャート。

【図４】 補正前後の暗電流を示す図。

【図５】 狭い焦点検出領域と広い焦点検出領域を示す
図。

【図６】 温度による暗電流変化を示す図。

【図７】 第２の実施例の補正データの測定と記憶処理
を示すフローチャート。

【図８】 図７に続く、第２の実施例の補正データの測
定と記憶処理を示すフローチャート。

【図９】 図８に続く、第２の実施例の補正データの測
定と記憶処理を示すフローチャート。

【符号の説明】

１ 対物レンズ ２ 焦点検出光学系 ３ イメージセンサー ４ Ａ／Ｄ変換回路 ５ 暗電流補正回路 ６ 補正データ記憶部 ７ 演算部 ８ 駆動制御部 ９ モーター

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画素から成る光電変換器の特定の
   画素の暗電流と前記特定の画素以外の画素の平均暗電流
   との差分を記憶する記憶手段と、 前記光電変換器の前記特定の画素の出力電流から前記差
   分を減算して暗電流を補正する補正手段とを備えること
   を特徴とする光電変換器の暗電流補正装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光電変換器の暗電流補
   正装置において、 前記記憶手段は暗電流測定時の温度情報を記憶し、 前記補正手段は、前記記憶手段に記憶されている暗電流
   測定時の温度情報と、暗電流補正時の温度情報とに基づ
   いて前記差分の温度補正を行ない、前記光電変換器の前
   記特定の画素の出力電流から前記温度補正後の差分を減
   算して暗電流を補正することを特徴とする光電変換器の
   暗電流補正装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の光電変
   換器の暗電流補正装置において、 前記補正手段は、前記光電変換器の使用頻度の高い領域
   に含まれる画素に対して優先的に暗電流の補正を行なう
   ことを特徴とする光電変換器の暗電流補正装置。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの項に記載の光
   電変換器の暗電流補正装置において、 前記特定の画素は、前記光電変換器の複数の画素の内の
   暗電流が大きいものから順に所定個数だけ抽出した画素
   であることを特徴とする光電変換器の暗電流補正装置。