WO2010125609A1 - 光または放射線撮像装置 - Google Patents

光または放射線撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2010125609A1
WO2010125609A1 PCT/JP2009/001959 JP2009001959W WO2010125609A1 WO 2010125609 A1 WO2010125609 A1 WO 2010125609A1 JP 2009001959 W JP2009001959 W JP 2009001959W WO 2010125609 A1 WO2010125609 A1 WO 2010125609A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
individual
standard
temperature
light
dark current
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/001959
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
田邊晃一
徳田敏
貝野正知
岸原弘之
吉牟田利典
Original Assignee
株式会社島津製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社島津製作所 filed Critical 株式会社島津製作所
Priority to PCT/JP2009/001959 priority Critical patent/WO2010125609A1/ja
Publication of WO2010125609A1 publication Critical patent/WO2010125609A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/58—Testing, adjusting or calibrating thereof
    • A61B6/582—Calibration
    • A61B6/585—Calibration of detector units
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/30—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming X-rays into image signals

Definitions

  • the present invention relates to a light or radiation imaging apparatus used in the medical field, industrial fields such as non-destructive inspection, RI (Radio Isotope) inspection, and optical inspection, and in particular, a conversion layer that converts light or radiation into a charge signal.
  • the present invention relates to a light or radiation imaging apparatus that corrects noise due to temperature changes.
  • a light or radiation imaging apparatus is provided with a light or radiation detector for detecting light or radiation.
  • light refers to infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, radiation, ⁇ rays, and the like, and in particular, X-rays will be described as an example.
  • X-ray detectors that detect X-rays using an active matrix substrate are widely used as X-ray detectors. This is because when an active matrix substrate is used, an X-ray detection value can be read for each pixel, which is very useful.
  • an X-ray conversion layer made of a semiconductor is stacked on an active matrix substrate, an X-ray detection element for each active element can be formed.
  • X-rays incident on the X-ray conversion layer can be converted into a charge signal (carrier).
  • the converted charge signal is accumulated in a capacitor for each X-ray detection element.
  • the accumulated charge signal is read out for each X-ray detection element by the active matrix substrate, further converted from the charge signal to a voltage signal and amplified. Based on this voltage signal, an X-ray fluoroscopic image can be formed by the image processing unit.
  • the voltage signal sent to the image processing unit in this way includes a noise signal in addition to the voltage signal based on the charge signal converted from the X-ray.
  • the noise signal include a voltage signal caused by dark current in the X-ray conversion layer, and a voltage signal caused by amplifier noise generated when the charge signal is amplified while being converted to the voltage signal.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and provides a light or radiation imaging apparatus capable of removing a dark current noise signal in response to a temperature change of a conversion layer sensitive to light or radiation.
  • the purpose is to do.
  • the present invention has the following configuration. That is, the light or radiation imaging apparatus according to the present invention includes a conversion layer that converts light or radiation into a charge signal in the light or radiation imaging apparatus, and the charge signal for each detection element obtained by dividing the conversion layer into a two-dimensional matrix.
  • a read circuit a charge-voltage converter that converts a charge signal read from the read circuit into a voltage signal, a temperature measuring device that measures the temperature of the conversion layer, and a dark current that is generated by dark current that flows through the conversion layer
  • Individual approximation that is an approximation of the individual ideal relational expression at the temperature measured by the temperature measuring device at the time of obtaining the offset signal from the individual ideal relational expression obtained ideally in advance for each of the detection elements for the relationship between current noise and temperature
  • the individual approximate expression calculation unit that calculates the expression and the standard ideal relational expression that standardizes the individual ideal relational expression for each detection element, Calculated from a standard approximate expression calculation unit that calculates a standard approximate expression that is an approximation of the standard ideal relational expression at the temperature measured by the temperature measuring device at the time of acquisition, and a standard approximate expression at the temperature of the conversion layer at the time of imaging
  • light or radiation is converted into a charge signal in the conversion layer, and the charge signal converted for each detection element obtained by dividing the conversion layer into a two-dimensional matrix is read out to the readout circuit.
  • the charge signal read by the charge voltage converter is converted into a voltage signal.
  • the temperature of the conversion layer is measured with a temperature measuring instrument, and the relationship between the dark current noise generated by the dark current flowing through the conversion layer and the temperature is offset from the individual ideal relational expression obtained ideally in advance for each detection element.
  • An individual approximate expression that is an approximation of the individual ideal relational expression at the temperature measured by the temperature measuring device at the time of signal acquisition is calculated by the individual approximate expression calculating unit.
  • the standard approximate expression calculation unit calculates a standard approximate expression approximated at the temperature at the time of acquiring the offset signal of the standard ideal relational expression obtained by standardizing the individual ideal relational expression. Calculated from the difference between the dark current noise value calculated from the standard approximation formula at the temperature of the conversion layer at the time of imaging and the dark current noise value at the time of offset signal acquisition, and the standard ideal relational expression at the temperature of the conversion layer at the time of imaging.
  • the standard fluctuation amount ratio calculation unit calculates a standard fluctuation amount ratio that is a ratio between the dark current noise value and the difference between the dark current noise value at the time of obtaining the offset signal.
  • the individual fluctuation amount calculation unit multiplies the difference between the dark current noise value calculated from the individual approximation formula at the temperature of the conversion layer at the time of imaging and the dark current noise value at the time of obtaining the offset signal by the standard fluctuation amount ratio. To calculate the individual variation.
  • the noise variation removal unit removes the individual variation calculated by the individual variation calculation unit from the voltage signal.
  • the dark current noise value calculated from the individual approximate expression and the dark current noise value obtained when the offset signal is obtained without directly calculating the dark current noise that differs for each detection element from the individual ideal relational expressions.
  • a value that approximates the fluctuation amount of the dark current noise calculated from the individual ideal relational expression can be calculated with high accuracy.
  • an appropriate dark current noise value can be calculated at high speed, dark current noise can be removed even during moving image capturing.
  • an offset signal can be removed by providing an offset signal removal unit. Further, by periodically acquiring the offset signal, it is possible to accurately remove the offset signal whose temperature changes with time. Furthermore, the approximation accuracy can be improved by calculating the standard approximation formula and the individual approximation formula every time the offset signal is periodically acquired, and the dark current noise can be accurately removed.
  • the individual approximation formula or the standard approximation formula can be calculated as a linear function with temperature as a variable. If it is a linear function, parameter processing is simple and high-speed calculation is possible. Furthermore, the individual approximate expression or the standard approximate expression can also be calculated as a quadratic function with temperature as a variable. Compared to the linear function, the calculation processing is burdened, but the approximation accuracy is improved, so that dark current noise can be removed with higher accuracy.
  • the standard ideal relational expression can be calculated from the average of the coefficients of the individual ideal formulas using the individual ideal formulas of all the detection elements. Furthermore, it can be calculated from the average of the coefficients of the individual ideal relational expressions of the detection elements for each region. Thus, even when the temperature distribution of the conversion layer varies from region to region, dark current noise can be accurately removed.
  • the conversion layer may be a polycrystalline compound semiconductor. If it is a polycrystalline compound semiconductor, crystal growth is easy and a large-area conversion layer can be formed. Further, as a specific example, when the polycrystalline compound semiconductor is CdTe or CdZnTe, a conversion layer having good response of light or radiation and high conversion efficiency can be formed.
  • the light or radiation imaging apparatus it is possible to provide a light or radiation imaging apparatus that can remove a dark current noise signal in response to a temperature change of a conversion layer sensitive to light or radiation.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of an X-ray imaging apparatus according to an embodiment
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of an X-ray flat panel detector included in the X-ray imaging apparatus
  • FIG. 3 is an X-ray plane. It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the X-ray conversion layer periphery part of a detector.
  • X-rays will be described as an example of incident light or radiation
  • an X-ray imaging apparatus will be described as an example of a radiation imaging apparatus.
  • the X-ray imaging apparatus transmits an X-ray tube 1 that irradiates a subject M to be imaged with X-rays, a top plate 2 on which the subject M is placed, and the subject M.
  • An X-ray flat panel detector (hereinafter referred to as FPD) 3 that converts the charge signal into a charge signal according to the X-ray dose (detects the X-ray as a charge signal), converts the charge signal into a voltage signal, and outputs the voltage signal;
  • An A / D converter 4 for converting the voltage signal output from analog to digital, an image processing unit 5 for processing the digital voltage signal converted by the A / D converter 4 to construct an image, and X
  • a main control unit 6 that performs various controls related to X-ray imaging, an X-ray tube control unit 7 that controls the X-ray tube 1 by generating a tube voltage and a tube current based on the control of the main control unit 6, and X-ray imaging Obtained by processing the input unit 8 capable of performing input settings relating to the image processing unit 5 and the image processing unit 5
  • a display unit 9 for displaying a line image and the like, a storage unit 10 for storing an X-ray image obtained by processing by the image processing
  • the FPD 3 includes a plurality of X-ray detection elements DU, a gate drive circuit 13, a charge / voltage conversion unit 14, a sample / hold unit 15, and a multiplexer 16.
  • the plurality of X-ray detecting elements DU are connected to the gate drive circuit 13 by the gate lines GL1 to GL10, and are connected to the charge / voltage converter 14 by the data lines DL1 to DL10.
  • the X-ray detection element DU corresponds to the detection element in the present invention.
  • a temperature sensor 11 is installed inside the FPD 3, measures the temperature of the X-ray conversion layer 19 and the temperature inside the FPD 3, and sends the measured temperatures to the image processing unit 5 and the main control unit 6.
  • a resistance temperature detector, a thermocouple, a thermistor, or the like can be employed as the temperature sensor 11, a resistance temperature detector, a thermocouple, a thermistor, or the like can be employed.
  • the temperature sensor 11 corresponds to a temperature measuring device in the present invention.
  • the X-ray detection elements DU output charge signals in response to incident X-rays, and are arranged in a vertical and horizontal two-dimensional matrix form on the X-ray detection unit XD1 where X-rays are incident.
  • the X-ray detection elements DU arranged in a two-dimensional matrix of 10 ⁇ 10 are shown as an example.
  • the actual X-ray detection unit XD1 includes the X-ray detection elements DU.
  • the X-ray detection element DU includes a voltage application electrode 18 that applies a high bias voltage Va, an X-ray conversion layer 19 that converts an incident X-ray into a charge signal, and an X-ray conversion layer. And an active matrix substrate 20 that reads out (outputs) the charge signal converted in 19.
  • the active matrix substrate 20 corresponds to the readout circuit in the present invention.
  • the X-ray conversion layer 19 is made of an X-ray sensitive semiconductor, and is formed of, for example, a polycrystalline compound semiconductor layer CdTe or CdZnTe. If it is a polycrystalline compound semiconductor layer, crystal growth is easy and the X-ray conversion layer 19 having a large area can be formed. In addition, by using CdTe or CdZnTe as a main material among the polycrystalline compound semiconductor layers, the X-ray conversion layer 19 having good X-ray response and high conversion efficiency can be formed.
  • the X-ray conversion layer 19 corresponds to the conversion layer in the present invention.
  • the generated charge signal is collected for each pixel electrode 22 by an electric field generated in the X-ray conversion layer 19 when the bias voltage Va is applied to the voltage application electrode 18.
  • the active matrix substrate 20 is provided with an insulating glass substrate 21.
  • a capacitor Ca that accumulates charge signals collected for each pixel electrode 22 and a switching element are provided.
  • the gate drive circuit 13 operates the TFT 23 of each X-ray detection element DU in order to selectively extract the charge signals detected by the X-ray detection elements DU.
  • the gate drive circuit 13 sequentially selects the gate lines GL1 to GL10 connected in common for each row of the X-ray detection elements DU and sends a gate signal.
  • the TFTs 23 of the X-ray detection elements DU in the selected row are simultaneously switched on by the gate signal, and the charge signal stored in the capacitor Ca is output to the charge / voltage conversion unit 14 through the data lines DL1 to DL10. .
  • the charge-voltage conversion unit 14 is provided with a number (10 in FIG. 2) of charge-voltage conversion amplifiers corresponding to the data lines DL1 to DL10 for each column of the X-ray detection elements DU.
  • the charge-voltage conversion amplifier is a charge detection amplification circuit (CSA: Charge Sensitive Amplifier) that converts a charge signal output from each X-ray detection element DU into a voltage signal.
  • CSA Charge Sensitive Amplifier
  • the charge / voltage conversion amplifier converts the charge signals read from the data lines DL 1 to DL 10 into voltage signals and outputs them to the sample / hold unit 15.
  • the sample and hold unit 15 is provided with a number of sample and hold circuits corresponding to the number of charge voltage conversion amplifiers of the charge voltage conversion unit 14.
  • the voltage signal output from the charge-voltage conversion amplifier is sampled at a predetermined time, the voltage signal at the time when the predetermined time has passed is held, and a stable voltage signal is output to the multiplexer 16. is there.
  • the number of switches corresponding to the number of sample and hold circuits is provided in the multiplexer 16.
  • the multiplexer 16 sequentially switches any one of the switches to the ON state, and outputs the voltage signals output from the sample and hold circuits one by one to the A / D converter 4 as a time division signal.
  • the A / D converter 4 samples the voltage signal from the multiplexer 16 at a predetermined timing, converts it to a digital voltage signal, and outputs it to the image processing unit 5.
  • the image processing unit 5 includes an image memory unit 26, an offset signal removing unit 27, an individual approximate expression calculating unit 28, a standard approximate expression calculating unit 29, and a standard variation amount ratio calculation.
  • Unit 30 individual variation calculation unit 31, noise variation removal unit 32, and image configuration unit 33.
  • the image processing unit 5 removes the offset signal and the temperature fluctuation noise from the voltage signal transferred from the FPD 3 via the A / D converter 4 to form an X-ray fluoroscopic image.
  • a voltage signal transferred to the image processing unit 5 (hereinafter referred to as a detection voltage signal) can be divided into three components depending on the cause of the voltage signal. That is, the detection voltage signal is generated by the fluoroscopic image signal necessary for reconstructing the X-ray fluoroscopic image, the dark current noise Nt caused by the dark current flowing through the X-ray conversion layer 19, the charge voltage conversion unit 14, and the like. And amplifier noise Mt generated when the voltage signal is amplified.
  • the fluoroscopic image signal is a voltage signal based on a charge signal converted from X-rays transmitted through the subject M in the X-ray conversion layer 19 and is a voltage signal necessary for reconstructing the X-ray fluoroscopic image.
  • the dark current noise Nt is a noise signal obtained by converting the dark current flowing in the X-ray conversion layer 19 as a voltage signal, and its value varies sensitively depending on the temperature T of the X-ray conversion layer 19. That is, the dark current noise Nt can be said to be temperature fluctuation noise.
  • the dark current noise Nt can be generally expressed by the following ideal relational expression.
  • Nt ⁇ (exp ( ⁇ / T) -1), ( ⁇ , ⁇ : constant, T: absolute temperature [K]) ... (2)
  • the amplifier noise Mt is a noise signal mainly generated by the amplification function of the amplifier in the charge-voltage converter 14, and when the temperature T changes, the amplifier noise Mt also varies, but compared with the amount of fluctuation of the dark current noise Nt with respect to the temperature. And the amount of change is much smaller. As a result, the amplifier noise Mt can be removed simply by periodically acquiring an offset signal.
  • Both dark current noise Nt and amplifier noise Mt reduce the dynamic range of the fluoroscopic image signal. Also, the temperature of the environment where the X-ray imaging apparatus is installed is constantly changing even if air conditioning is performed, and the dark current noise Nt appears on the fluoroscopic image due to this temperature change. A fluoroscopic image cannot be obtained.
  • FIG. 5 illustrates the dark current noise Nt and the amplifier noise Mt. The dark current noise Nt varies exponentially with respect to the temperature T due to the nature of the dark current. The amplifier noise Mt is a substantially constant value with respect to the temperature T.
  • the total noise signal Dt (see FIG. 5) obtained by adding the dark current noise Nt and the amplifier noise Mt is an offset signal Ft that is a detection voltage signal of a dark image obtained when the X-ray tube 1 is not irradiated with X-rays. It can be obtained accurately by obtaining.
  • the total noise signal D 1 of the when X-ray imaging using a temperature fluctuation noise .DELTA.N 1 can also be expressed as follows.
  • the temperature fluctuation noise ⁇ N 1 is a difference between the dark current noise N 1 included in the detection voltage signal at the time of X-ray imaging and the dark current noise No included in the offset signal Fo at the time of obtaining the offset signal Fo. is there.
  • the image processing unit 5 obtains a fluoroscopic image signal from the detected voltage signal.
  • the digital voltage signal output from the A / D converter 4 is temporarily stored in the image memory unit 26.
  • One image data may be stored, or a plurality of image data may be stored.
  • the offset signal removal unit 27 stores an offset signal Fo acquired when a dark image is periodically captured.
  • the stored offset signal Fo is updated every time a dark image is captured.
  • the offset signal removing unit 27 removes the offset signal Fo from the detection voltage signal sent from the image memory unit 26 and sends the removed value to the noise fluctuation amount removing unit 32.
  • the individual approximate expression calculation unit 28 stores an individual ideal relational expression Ni that is an ideal relational expression Nt for every X-ray detection element DU.
  • the values of ⁇ and ⁇ in the equation (2) are values that vary depending on the constituent material and the constituent state of the X-ray conversion layer 19. Therefore, the individual approximate expression Ni for each X-ray detection element DU is obtained and stored by measuring the dark current noise accompanying the temperature change in advance. That is, the individual ideal relational expression Ni is the following function.
  • Ni ⁇ i (exp ( ⁇ i / T) ⁇ 1) (6)
  • ⁇ i and ⁇ i are constants
  • T is a variable of absolute temperature.
  • Nie sT + u (7)
  • s and u are constants.
  • the individual approximate expression Nie is a tangent at the temperature To of the individual ideal relational expression Ni, and is a linear function with the temperature T as a variable.
  • the standard approximate expression calculation unit 29 stores a standard ideal relational expression Nw obtained by standardizing the individual ideal relational expression Ni of all pixel regions.
  • a standard ideal relational expression Nw that is standardized by averaging the coefficients ⁇ i and ⁇ i of the individual ideal relational expression Ni of each X-ray detection element DU in the entire pixel region is obtained and stored in advance. That is, the standard ideal relational expression Nw is the following function.
  • Nw ⁇ ave (exp ( ⁇ ave / T) -1) (8)
  • ⁇ ave and ⁇ ave are average values of the coefficients ⁇ i and ⁇ i of the individual ideal relational expression Ni in all pixel regions, respectively.
  • T is a variable of absolute temperature.
  • the standard ideal relational expression Nw may be obtained from the average value of the dark current noise value at each temperature in the entire pixel region.
  • the standard approximate expression calculation unit 29 is a function of a linear expression at the temperature To of the standard ideal relational expression Nw based on the temperature To sent from the temperature sensor 11.
  • the standard approximate expression Nwe approximated to is calculated.
  • the standard approximate expression Nwe can be expressed by the following function, for example.
  • Nwe vT + w (9)
  • v and w are constants.
  • the standard approximate expression Nwe is a tangent at the temperature To of the individual ideal relational expression Nwe, and is a linear function with the temperature T as a variable.
  • the standard fluctuation amount ratio calculation unit 30 uses the standard ideal relational expression Nw and the standard approximate expression Nwe calculated by the standard approximate expression calculation unit 29 to calculate the ratio of the temperature fluctuation amounts calculated from the respective expressions.
  • the dark current noise Nwe 1 is calculated from the standard approximate expression Nwe at the temperature T 1 sent from the temperature sensor 11 at the time of X-ray imaging.
  • a difference (b) between the dark current noise Nwe 1 and the dark current noise No at the time of obtaining the offset signal Fo is calculated.
  • the difference (c) between the dark current noise Nw 1 calculated from the standard ideal relational expression Nw at the temperature T 1 at the time of X-ray imaging and the dark current noise No at the time of obtaining the offset signal Fo is calculated.
  • (c) / (b) which is the ratio of these differences, is calculated. That is, the ratios of the respective increments (b) and (c) of the standard approximate expression Nwe and the standard ideal relational expression Nw at the temperature T 1 are calculated based on the value of the dark current noise No at the time of obtaining the offset signal Fo. .
  • the individual fluctuation amount calculation unit 31 uses the individual approximation formula Nie calculated by the individual approximation formula calculation unit 28 to use the dark current noise Nie 1 calculated from the individual approximation formula Nie at the temperature T 1 . And the difference (e) between the dark current noise No and the offset signal acquisition time is calculated. Next, the individual fluctuation amount (f) is calculated by multiplying the difference (e) by the standard fluctuation amount ratio (c) / (b) calculated by the standard fluctuation amount ratio calculation unit 30. That is, the individual fluctuation amount (f) corresponds to the temperature fluctuation noise ⁇ N 1 for each X-ray detection element DU.
  • the noise fluctuation amount removing unit 32 subtracts the individual fluctuation amount (f) calculated by the individual fluctuation amount calculating unit 30 from the voltage signal from which the offset signal Fo has been removed by the offset signal removing unit 27 to obtain an X-ray detection element.
  • a fluoroscopic image signal for each DU can be obtained. In this way, dark current noise that varies with temperature changes can be removed with high accuracy and at high speed.
  • the image construction unit 33 constructs an X-ray fluoroscopic image from the fluoroscopic image signal. Further, not only a fluoroscopic image but also a tomographic image can be reconstructed at the time of CT imaging.
  • the constructed X-ray image is transferred to the main control unit 6 and displayed on the display unit 9 or stored in the storage unit 10.
  • the operator can set the period for acquiring the offset signal Fo from the input unit 8. For example, it is set that the offset signal Fo is acquired at intervals of 10 minutes.
  • the main control unit 6 instructs the X-ray tube control unit 7 and the FPD 3 to acquire the offset signal Fo every 10 minutes.
  • the individual approximate expression at the temperature To at the time of acquiring the offset signal Fo is respectively sent to the individual approximate expression calculating unit 28 and the standard approximate expression calculating unit 29. And instruct to calculate the standard approximation.
  • the main control unit 6 controls the X-ray tube control unit 7 and the FPD 3.
  • the X-ray tube control unit 7 controls the X-ray tube 1 by generating tube voltage and tube current based on the control from the main control unit 6, and the subject M is irradiated with X-rays from the X-ray tube 1. Further, the X-ray transmitted through the subject M is converted into a charge signal corresponding to the X-ray dose transmitted through the subject M by the X-ray detection element DU of the FPD 3 and accumulated in the capacitor Ca.
  • the gate drive circuit 13 sequentially selects the gate lines.
  • description will be made assuming that gate lines G1, G2, G3,..., G9, G10 are selected one by one in order.
  • the gate drive circuit 13 selects the gate line G1, and each X-ray detection element DU connected to the gate line G1 is designated.
  • a voltage is applied to the gate of the TFT 23 of each designated X-ray detection element DU when a gate signal is sent to the ON state.
  • the charge signal accumulated in the capacitor Ca connected to each designated TFT 23 is read out to the data lines DL1 to DL10 via the TFT 23.
  • the gate drive circuit 13 selects the gate line G2, and in the same procedure, each X-ray detection element DU connected to the gate line G2 is designated, and the capacitor of each designated X-ray detection element DU is designated.
  • the charge signal stored in Ca is read out to the data lines DL1 to DL10.
  • the remaining gate lines G3 to G10 are sequentially selected to read out charge signals in a two-dimensional manner.
  • the gate drive circuit 13 sequentially selects the gate lines GL1 to GL10, thereby specifying the X-ray detection element DU connected to each gate line, and the capacitor Ca of each specified X-ray detection element DU.
  • the charge signal stored in is read to the data lines DL1 to DL10.
  • the charge signal read out to each data line is converted into a voltage signal and amplified in the charge-voltage converter 14.
  • the sample and hold unit 15 samples and holds the voltage signal converted by the charge / voltage conversion unit 14 once. Thereafter, the voltage signal held in the sample and hold unit 15 from the multiplexer 16 is sequentially output as a time division signal.
  • the output voltage signal is converted from an analog value to a digital value by the A / D converter 4.
  • the voltage signal converted into a digital value is sent to the image processing unit 5.
  • the voltage signal (detection voltage signal) sent to the image processing unit 5 is stored in the image memory unit 26.
  • a detection voltage signal is sent from the image memory unit 26 to the offset signal removal unit 27.
  • the offset signal removal unit 27 periodically stores, for example, an offset signal Fo acquired at intervals of 10 minutes, and removes the offset signal Fo from the detection voltage signal.
  • the temperature of the X-ray detection layer 19 in the FPD 3 differs between when the offset signal Fo is acquired and when X-ray imaging is performed, noise due to this temperature change is completely removed in the detection voltage signal from which the offset signal Fo has been removed. Remains.
  • the individual approximate expression calculation unit 28 uses the temperature To at the time of obtaining the offset signal Fo measured by the temperature sensor 11 to store the individual ideal relational expression Ni stored in advance.
  • An individual approximate expression Nie which is a first order approximate expression at the temperature To is calculated.
  • the standard approximate expression calculation unit 29 also uses the temperature To at the time of obtaining the offset signal measured by the temperature sensor 11 and is a standard approximation that is a primary approximate expression at the temperature To of the standard ideal relational expression Nw stored in advance. Formula Nwe is calculated.
  • the standard variation amount ratio calculation unit 30 uses the standard variation amount ratio (c) using the temperature T 1 at the time of X-ray imaging measured by the temperature sensor 11. ) / (B) is calculated. Then, the individual fluctuation amount calculation unit 31 calculates the difference (e) between the dark current noise Nie1 calculated from the individual approximate expression Nie at the temperature T1 and the dark current noise No when the offset signal is acquired. Then, the individual fluctuation amount (f) is calculated by multiplying the difference (e) by the standard fluctuation amount ratio (c) / (b).
  • the noise fluctuation amount removing unit 32 subtracts the individual fluctuation amount (f) for each X-ray detection element DU from the detection voltage signal from which the offset signal Fo has been removed to obtain a fluoroscopic image signal. Based on this fluoroscopic image signal, an X-ray fluoroscopic image is constructed by the image construction unit 33. The constructed fluoroscopic image is displayed on the display unit 9 via the main control unit 6 or stored in the storage unit 10.
  • the dark current noise Nt can be removed with high accuracy and high speed in response to the temperature change. That is, instead of calculating the dark current fluctuation noise from the individual ideal relational expression Ni of all the X-ray detection elements DU for each X-ray imaging, the standard that is the ratio of the fluctuation amount calculated from the standard ideal relational expression and the standard approximation expression By calculating the fluctuation amount ratio and adding it to the fluctuation amount obtained by the individual approximation formula, the complicated logarithmic calculation process can be simplified.
  • the logarithmic calculation is performed only once when the standard variation amount ratio is calculated, so that the efficiency of the arithmetic processing can be greatly improved, and noise removal can be performed at high speed.
  • noise caused by temperature fluctuations can be removed with high accuracy even when capturing moving images that require high-speed processing.
  • the difference (e) between the dark current noise Nie1 calculated from the individual approximate expression Nie at the temperature T1 and the dark current noise No when the offset signal is acquired is used as the individual fluctuation amount. Rather, since this difference (e) is multiplied by the standard variation ratio (c) / (b), the individual variation with improved approximation accuracy can be calculated. Further, since the standard approximation formula and the individual approximation formula are calculated every time the offset signal Fo is acquired, the approximation accuracy to the ideal relational formula is high, and dark current noise can be removed with high accuracy.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
  • the standard approximate expression Nwe is a function that approximates the standard ideal relational expression Nw to a linear expression
  • the individual approximate expression Nie is a function that approximates the individual ideal relational expression Ni to a linear expression. It was.
  • the standard approximate expression Nwe may be approximated to a quadratic function that intersects at the temperature To of the standard ideal relational expression Nw.
  • the individual approximate expression Nie may also be approximated to a quadratic function that intersects at the temperature To of the individual ideal relational expression Ni.
  • the calculation process takes more time than approximating to the function of the linear expression, but the approximation accuracy can be further improved in the ideal relational expression, so that dark current noise can be removed with higher accuracy.
  • the standard approximate expression Nwe and the individual approximate expression Nie are approximated to a quadratic function, for example, the following function can be used.
  • the standard ideal relational expression Nw is calculated by taking the average of the coefficients ⁇ i and ⁇ i of the individual ideal relational expression Ni in the X-ray detection elements DU in all the pixel regions.
  • a standard ideal relational expression may be calculated for each.
  • the image detection unit XD2 of the FPD 40 is divided into nine regions A1 to A9, a standard ideal relationship equation is calculated for each region, and a standard ideal relationship equation and a standard approximation equation for each region are calculated. Is used to calculate the standard variation ratio.
  • the number of regions to be divided is not limited to nine and may be divided into any number.
  • the individual fluctuation amount (f) is removed after the offset signal Fo is removed from the detection voltage signal.
  • the present invention is not limited to this, and the individual fluctuation amount (f) first from the detection voltage signal.
  • the offset signal Fo may be removed after removing. Further, the offset signal Fo and the individual fluctuation amount (f) may be simultaneously removed from the detection voltage signal.
  • the X-ray detection element DU is an X-ray sensitive semiconductor that is sensitive to X-rays.
  • the temperature fluctuation noise of the conversion layer can be reduced with the same configuration.
  • An optical imaging device that can be removed with high accuracy can be manufactured.

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

　本発明の放射線撮像装置では、各Ｘ線検出素子における暗電流ノイズと温度との関係を予め理想的に求めた個別理想関係式と、それぞれの個別理想関係式を標準する標準理想関係式とを用いて暗電流ノイズの補正を実施する。オフセット信号取得時の温度におけるそれぞれの関係式の近似式を算出し、オフセット信号取得時の暗電流ノイズ値を基準として、Ｘ線撮像時の温度における標準近似式から算出される値と、標準理想関係式から算出される値との比を、個別近似式から算出される値に乗算することで、オフセット信号取得時とＸ線撮像時との温度差による暗電流ノイズの変動量の補正を精度良く実施することができる。

Description

光または放射線撮像装置
　本発明は、医療分野や非破壊検査、ＲＩ（Radio Isotope）検査、および光学検査などの産業分野などで用いられる光または放射線撮像装置に係り、特に、光または放射線を電荷信号へ変換する変換層の温度変化によるノイズを補正する光または放射線撮像装置に関するものである。
　従来、光または放射線撮像装置には、光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えている。ここで光とは、赤外線、可視光線、紫外線、放射線、γ線等をいうが、特にＸ線を例に採って説明する。Ｘ線検出器には、アクティブマトリックス基板を用いてＸ線を検出するＸ線平面検出器が広く使われている。アクティブマトリックス基板を使うと、画素ごとにＸ線検出値を読み込むことができ、非常に有用だからである。さらに、アクティブマトリックス基板上に半導体からなるＸ線変換層を積層すると、アクティブ素子ごとのＸ線検出素子を形成することができる。
　Ｘ線変換層に半導体層を用いると、Ｘ線変換層に入射したＸ線を電荷信号（キャリア）へ変換することができる。この変換された電荷信号はＸ線検出素子ごとにコンデンサに蓄積される。蓄積された電荷信号はアクティブマトリックス基板によりＸ線検出素子ごとに読み出され、さらに、電荷信号から電圧信号へ変換されるとともに増幅される。この電圧信号を基に、画像処理部にてＸ線透視画像を構成することができる。
　しかしながら、このようにして画像処理部に送られる電圧信号には、Ｘ線から変換された電荷信号を基にした電圧信号以外にもノイズ信号が含まれる。ノイズ信号として、Ｘ線変換層における暗電流を原因とする電圧信号や、電荷信号から電圧信号へ変換しつつ増幅する際に発生するアンプノイズを原因とする電圧信号が挙げられる。
　Ｘ線変換層として従来採用されていたアモルファスセレン（α－Ｓｅ）膜であれば温度変化に対して暗電流を原因とするノイズ信号は大きく変化しない。また、アンプノイズも温度変化に対して大きく変化しないので、例えば、特許文献１のように、Ｘ線を照射していない時の暗画像信号（以後、オフセット信号と称す）を周期的に測定し、このオフセット信号をノイズ信号として除去している。
特開２００６－３０５２２８号公報
　しかしながら、例えばＣｄＴｅ多結晶化合物半導体層のように、暗電流を原因とするノイズ信号が温度変化に対して著しく変化するＸ線変換層の場合、従来のように周期的にオフセット信号を測定するのでは、周期の間のノイズ信号の補正ができないという問題が生じた。そこで、Ｘ線検出素子ごとに温度と暗電流との関係を予め測定して理想関係式を求めておくことで、温度変化に伴う暗電流ノイズの変動量を補正することが考案された。
　しかし、動画撮像を実施する場合、１０２４×１０２４ピクセルの画像を１秒間に３０フレーム程度撮像する必要がある。これより、温度変化による暗電流ノイズの補正をするためにはハードウェアを用いる必要があり、演算内容とパラメータはできるだけ簡略なものが好ましい。そこで理想関係式の近似式を用いることにしたが、温度変化による補正誤差が生じてしまう。
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、光または放射線に感応する変換層の温度変化に対応して暗電流ノイズ信号を除去することができる光または放射線撮像装置を提供することを目的とする。
　この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
　すなわち、この発明の光または放射線撮像装置は、光または放射線撮像装置において、光または放射線を電荷信号へ変換する変換層と、前記変換層を２次元マトリックス状に分割した検出素子ごとに前記電荷信号を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路から読み出される電荷信号を電圧信号に変換する電荷電圧変換部と、前記変換層の温度を測定する温度測定器と、前記変換層を流れる暗電流により発生する暗電流ノイズと温度との関係を前記検出素子ごとに予め理想的に求めた個別理想関係式から、オフセット信号取得時に前記温度測定器により測定された温度における前記個別理想関係式の近似である個別近似式を算出する個別近似式算出部と、前記検出素子ごとの個別理想関係式を標準化した標準理想関係式より、オフセット信号取得時に前記温度測定器により測定された温度における前記標準理想関係式の近似である標準近似式を算出する標準近似式算出部と、撮像時の前記変換層の温度における標準近似式から算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差と、撮像時の前記変換層の温度における標準理想関係式より算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差との比である標準変動量比を算出する標準変動量比算出部と、撮像時の前記変換層の温度における個別近似式から算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差に、前記標準変動量比を乗算して個別変動量を算出する個別変動量算出部と、前記個別変動量算出部により算出された前記個別変動量を前記電圧信号より除去するノイズ変動量除去部とを備えることを特徴とする。
　この発明の光または放射線撮像装置によれば、変換層にて光または放射線を電荷信号へ変換し、この変換層を２次元マトリックス状に分割した検出素子ごとに変換された電荷信号を読み出し回路にて読み出し、電荷電圧変換部にて読み出される電荷信号を電圧信号に変換する。さらには、温度測定器により変換層の温度を測定し、変換層を流れる暗電流により発生する暗電流ノイズと温度との関係を検出素子ごとに予め理想的に求めた個別理想関係式から、オフセット信号取得時に温度測定器により測定された温度における個別理想関係式の近似である個別近似式を個別近似式算出部にて算出する。また、標準近似式算出部では、個別理想関係式を標準化した標準理想関係式のオフセット信号取得時の温度において近似した標準近似式を算出する。撮像時の変換層の温度における標準近似式から算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差と、撮像時の変換層の温度における標準理想関係式より算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差との比である標準変動量比を標準変動量比算出部にて算出する。
　個別変動量算出部では、撮像時の前記変換層の温度における個別近似式から算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差に、前記標準変動量比を乗算して個別変動量を算出する。ノイズ変動量除去部では、個別変動量算出部により算出された個別変動量を電圧信号より除去する。これより、検出素子ごとに異なる暗電流ノイズをそれぞれの個別理想関係式より直接算出しなくても、個別近似式から算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号を取得した時の暗電流ノイズ値との差に標準変動量比を乗算することで、個別理想関係式より算出した暗電流ノイズの変動量に精度よく近似した値を算出することができる。このように、適切な暗電流ノイズ値を高速に算出することができるので、動画撮像時においても暗電流ノイズを除去することができる。
　さらに、オフセット信号除去部を備えることでオフセット信号を除去することができる。また、オフセット信号を周期的に取得することで、経時的に温度変化するオフセット信号を精度良く除去することができる。さらには、オフセット信号を周期的に取得するごとに、標準近似式および個別近似式を算出することで近似精度を向上することができ、精度よく暗電流ノイズを除去することができる。
　また、個別近似式または標準近似式は温度を変数とする１次関数として算出することができる。１次関数であればパラメータ処理が簡易であり、高速に演算することができる。さらには、個別近似式または前記標準近似式は温度を変数とする２次関数として算出することもできる。１次関数に比べ演算処理に負担がかかるが近似精度が向上するので、より高精度に暗電流ノイズを除去することができる。
　また、標準理想関係式は、全ての検出素子の個別理想式を用いてそれぞれの個別理想式の係数の平均から算出することができる。さらには、ある領域ごとの検出素子の個別理想関係式の係数の平均からも算出することができる。これより、変換層の温度分布が領域ごとに異なる場合においても、暗電流ノイズを精度良く除去することができる。
　また、変換層は多結晶化合物半導体でもよい。多結晶化合物半導体であれば、結晶成長が容易で大面積の変換層を形成することができる。また、具体例として多結晶化合物半導体がＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅであれば、光または放射線の応答性がよく変換効率のよい変換層を形成することができる。
　この発明に係る光または放射線撮像装置によれば、光または放射線に感応する変換層の温度変化に対応して暗電流ノイズ信号を除去することができる光または放射線撮像装置を提供することができる。
実施例に係るＸ線撮像装置の全体構成を示すブロック図である。 実施例に係るＸ線平面検出器の構成を示すブロック図である。 実施例に係るＸ線平面検出器のＸ線変換層周辺部の概略縦断面図である。 実施例に係る画像処理部の構成を示すブロック図である。 実施例に係る検出電圧信号に含まれるノイズ信号と温度との関係を示すグラフ図である。 実施例に係る暗電流ノイズと温度との関係を示すグラフ図である。 実施例に係る暗電流ノイズと温度との関係を示すグラフ図である。 実施例に係る暗電流ノイズと温度との関係を示すグラフ図である。 変形例に係るＸ線平面検出器の構成を示すブロック図である。
　３　…　Ｘ線平面検出器（ＦＰＤ）
　５　…　画像処理部
　１１　…　温度センサ
　１４　…　電荷電圧変換部
　１９　…　Ｘ線変換層
　２０　…　アクティブマトリックス基板
　２７　…　オフセット信号除去部
　２８　…　個別近似式算出部
　２９　…　標準近似式算出部
　３０　…　標準変動量比算出部
　３１　…　個別変動量算出部
　３２　…　ノイズ変動量除去部
　ＤＵ　…　Ｘ線検出素子
　以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
　図１は実施例に係るＸ線撮像装置の全体構成を示すブロック図であり、図２はＸ線撮像装置に備わるＸ線平面検出器の構成を示すブロック図であり、図３はＸ線平面検出器のＸ線変換層周辺部の概略縦断面図である。本実施例では、入射する光または放射線としてＸ線を例に採って説明するとともに、放射線撮像装置としてＸ線撮像装置を例に採って説明する。
　＜Ｘ線撮像装置＞
　図１に示すように、Ｘ線撮像装置は、撮像対象である被検体ＭにＸ線を照射するＸ線管１と、被検体Ｍを載置させる天板２と、被検体Ｍを透過したＸ線量に応じて電荷信号に変換（Ｘ線を電荷信号として検出）し、さらに、この電荷信号を電圧信号に変換して出力するＸ線平面検出器（以下、ＦＰＤと称す）３と、ＦＰＤ３から出力された電圧信号をアナログからデジタルへ変換するＡ／Ｄ変換器４と、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号を処理して画像を構成する画像処理部５と、Ｘ線撮像に関する種々の制御を行う主制御部６と、主制御部６での制御に基づいて管電圧や管電流を発生させＸ線管１を制御するＸ線管制御部７と、Ｘ線撮像に関する入力設定を行うことが可能な入力部８と、画像処理部５で処理されて得られたＸ線画像などを表示する表示部９と、画像処理部５で処理されて得られたＸ線画像などを記憶する記憶部１０と、ＦＰＤ３の内部の温度を測定する温度センサ１１などを備えている。さらに、Ｘ線撮像装置の各部構成を詳細に説明する。
　図２に示すように、ＦＰＤ３には、複数のＸ線検出素子ＤＵ、ゲート駆動回路１３、電荷電圧変換部１４、サンプル・ホールド部１５、マルチプレクサ１６とが備えられている。これら複数のＸ線検出素子ＤＵはゲート線ＧＬ１～ＧＬ１０によりゲート駆動回路１３と接続しつつ、データ線ＤＬ１～ＤＬ１０により電荷電圧変換部１４と接続されている。Ｘ線検出素子ＤＵは本発明における検出素子に相当する。
　また、ＦＰＤ３の内部には温度センサ１１が設置されており、Ｘ線変換層１９の温度およびＦＰＤ３の内部の温度を測定し、測定した温度を画像処理部５および主制御部６へ送る。温度センサ１１としては、測温抵抗体、熱電対、サーミスタ等を採用することができる。温度センサ１１は本発明における温度測定器に相当する。
　Ｘ線検出素子ＤＵは、入射されたＸ線に感応して電荷信号を出力するものであり、Ｘ線が入射されるＸ線検出部ＸＤ１に縦横の２次元マトリックス状に配列されている。なお、図２においては、Ｘ線検出素子ＤＵが縦１０×横１０の２次元マトリックス状に配列したものを一例として図示しているが、実際のＸ線検出部ＸＤ１にはＸ線検出素子ＤＵが、例えば、縦４０９６×横４０９６程度に２次元マトリックス状に配列されて用いられる。
　また、Ｘ線検出素子ＤＵは図３に示すように、高電圧のバイアス電圧Ｖａを印加する電圧印加電極１８と、入射したＸ線から電荷信号へ変換するＸ線変換層１９とＸ線変換層１９で変換された電荷信号の読み出し（出力）を行うアクティブマトリックス基板２０とを備えている。アクティブマトリックス基板２０は本発明における読み出し回路に相当する。
　Ｘ線変換層１９は、Ｘ線感応型半導体からなり、例えば、多結晶化合物半導体層のＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅで形成されている。多結晶化合物半導体層であれば、結晶成長が容易で大面積のＸ線変換層１９を形成することができる。また、多結晶化合物半導体層のなかでもＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅを主原料とすることで、Ｘ線の応答性がよく、変換効率のよいＸ線変換層１９を形成することができる。Ｘ線変換層１９は本発明における変換層に相当する。
　Ｘ線変換層１９にＸ線が入射すると、このＸ線のエネルギーに比例した所定個数の電荷信号（キャリア）が直接生成される構成（直接変換型）となっている。また、生成された電荷信号は、電圧印加電極１８にバイアス電圧Ｖａが印加されることでＸ線変換層１９内に発生する電界により、画素電極２２ごとに収集される。
　アクティブマトリックス基板２０は図３に示すように、絶縁性のガラス基板２１が設けられ、このガラス基板２１上には、画素電極２２ごとに収集された電荷信号を蓄積するコンデンサＣａ、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称す）２３、ゲート駆動回路１３からＴＦＴ２３を制御するためのゲート線ＧＬ１～ＧＬ１０、ＴＦＴ２３から電荷信号が読み出されるデータ線ＤＬ１～ＤＬ１０とを設けている。
　ゲート駆動回路１３は、Ｘ線検出素子ＤＵで検出された電荷信号を順次選択的に取り出すために、各Ｘ線検出素子ＤＵのＴＦＴ２３を動作させるものである。ゲート駆動回路１３は、Ｘ線検出素子ＤＵの横行ごとに共通して接続されるゲート線ＧＬ１～ＧＬ１０を順次選択してゲート信号を送る。この選択した行内のＸ線検出素子ＤＵのＴＦＴ２３は、ゲート信号により一斉にスイッチオン状態になり、コンデンサＣａに蓄積された電荷信号がデータ線ＤＬ１～ＤＬ１０を通り電荷電圧変換部１４に出力される。
　次に、電荷電圧変換部１４には、Ｘ線検出素子ＤＵの縦列ごとのデータ線ＤＬ１～ＤＬ１０に対応した数（図２では１０個）の電荷電圧変換アンプが備えられている。電荷電圧変換アンプは、各Ｘ線検出素子ＤＵから出力された電荷信号を電圧信号に変換する電荷検出増幅回路（ＣＳＡ：Charge Sensitive Amplifier）である。電荷電圧変換アンプにて、データ線ＤＬ１～ＤＬ１０から読み込まれた電荷信号を電圧信号に変換し、サンプル・ホールド部１５に出力する。
　次に、サンプル・ホールド部１５は、電荷電圧変換部１４の電荷電圧変換アンプの数に対応した数のサンプル・ホールド回路が設けられている。電荷電圧変換アンプから出力された電圧信号を所定の時間においてサンプリングし、所定の時間が経過した時点での電圧信号を保持（ホールド）し、安定した状態の電圧信号をマルチプレクサ１６に出力するものである。
　次に、マルチプレクサ１６の内部には、サンプル・ホールド回路の数に対応した数のスイッチが設けられている。マルチプレクサ１６はスイッチのいずれかひとつを順次ＯＮ状態に切り替えて、各サンプル・ホールド回路から出力される電圧信号の一つずつを束ねた時分割信号として、Ａ／Ｄ変換器４へ出力する。Ａ／Ｄ変換器４は、マルチプレクサ１６からの電圧信号について、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの電圧信号に変換し、画像処理部５に出力する。
　＜画像処理部＞
　画像処理部５の内部には、図４に示すように、画像メモリ部２６と、オフセット信号除去部２７と、個別近似式算出部２８と、標準近似式算出部２９と、標準変動量比算出部３０と、個別変動量算出部３１と、ノイズ変動量除去部３２と、画像構成部３３とを備える。画像処理部５では、ＦＰＤ３からＡ／Ｄ変換器４を介して転送された電圧信号からオフセット信号および温度変動ノイズを除去してＸ線透視画像を構成する。
　まず、画像処理部５に転送される電圧信号がどのような信号であるかを説明する。画像処理部５に転送される電圧信号（以下、検出電圧信号と称す）は、その発生する原因によって３つの成分に分けることができる。つまり、検出電圧信号は、Ｘ線透視画像を再構成するのに必要な透視画像信号と、Ｘ線変換層１９を流れる暗電流を原因とする暗電流ノイズＮｔと、電荷電圧変換部１４などで電圧信号が増幅される際に発生するアンプノイズＭｔとにより構成される。
　（検出電圧信号）＝（透視画像信号）＋　Ｎｔ　＋　Ｍｔ　…　（１）
　透視画像信号とは、Ｘ線変換層１９において被検体Ｍを透過したＸ線から変換された電荷信号による電圧信号であり、Ｘ線透視画像を再構成するのに必要な電圧信号である。
　暗電流ノイズＮｔとは、Ｘ線変換層１９内を流れる暗電流が電圧信号として変換されたノイズ信号であり、Ｘ線変換層１９の温度Ｔにより敏感にその値が変動する。すなわち、暗電流ノイズＮｔとは温度変動ノイズともいえる。暗電流ノイズＮｔは一般に以下の理想関係式で表すことができる。
　Ｎｔ＝α（ｅｘｐ（β／Ｔ）－１）、（α、β：定数、Ｔ：絶対温度［Ｋ］）　…　（２）
　アンプノイズＭｔとは、主に、電荷電圧変換部１４におけるアンプの増幅作用により生じるノイズ信号であり、温度Ｔが変化するとアンプノイズＭｔも変動するが、暗電流ノイズＮｔの温度に対する変動量と比べると、その変動量は格段に小さいものである。これより、アンプノイズＭｔは周期的にオフセット信号を取得するだけで除去することができる。
　暗電流ノイズＮｔとアンプノイズＭｔは共に透視画像信号のダイナミックレンジを縮小させるものである。また、Ｘ線撮像装置の設置されている環境の温度は空調をしているといえども時々刻々と常に変化しており、この温度変化により暗電流ノイズＮｔが透視画像上に現れるので、正確な透視画像を得ることができない。図５は、暗電流ノイズＮｔとアンプノイズＭｔを図示したものである。暗電流ノイズＮｔは暗電流の性質上温度Ｔに対して指数関数的に変動する。また、アンプノイズＭｔは温度Ｔに対してほぼ一定値である。
　これら、暗電流ノイズＮｔとアンプノイズＭｔとを加算した全ノイズ信号Ｄｔ（図５参照）は、Ｘ線管１からＸ線を照射しない時に得た暗画像の検出電圧信号であるオフセット信号Ｆｔを取得することで正確に求めることができる。
　Ｄｔ＝Ｎｔ＋Ｍｔ　…　（３）
　　　＝Ｆｔ　　　　…　（４）
　ここで、図５に示すように、ある温度Ｔｏでオフセット信号Ｆｏを取得した時と温度Ｔ１においてＸ線撮像した時との時間間隔が短い場合、両時点のＦＰＤ３の温度差が小さいので、Ｘ線撮像した時のアンプノイズＭ１とオフセット信号Ｆｏを取得した時のアンプノイズＭｏとはほとんど同じ値であるので、Ｍｏ＝Ｍ１とみなすことができる。この結果、Ｘ線撮像した時の全ノイズ信号Ｄ１は温度変動ノイズΔＮ１を用いて、次のように表すこともできる。
　Ｄ１＝Ｎ１＋Ｍ１　
　　　＝Ｎ１＋Ｍｏ　　　　　　　　　（∵Ｍｏ＝Ｍ１）
　　　＝（ΔＮ１＋Ｎo）＋Ｍｏ　　　（∵ΔＮ１＝Ｎ１－Ｎｏ）
　　　＝ΔＮ１＋Ｆｏ　　…　（５）　（∵Ｆｏ＝Ｎｏ＋Ｍｏ）
　ここで、温度変動ノイズΔＮ１とは、Ｘ線撮像時における検出電圧信号に含まれる暗電流ノイズＮ１と、オフセット信号Ｆｏ取得時におけるオフセット信号Ｆｏ内に含まれる暗電流ノイズＮｏとの差である。
　これより、暗電流ノイズＮｔの温度特性を示す理想関係式を予め求めておけば、オフセット信号Ｆｏを取得した時とＸ線撮像時とでＸ線変換層１９の温度が変化していても、検出電圧信号より暗電流ノイズＮｔおよびアンプノイズＭｔを除去することができる。しかしながら、各Ｘ線検出素子ＤＵで異なる理想関係式Ｎｔからそれぞれの温度変動ノイズΔＮ１を算出することは演算処理に多大な負担を負荷する。そこで、この負担を軽減することができる画像処理部５の各構成部の説明をする。
　画像処理部５では、検出電圧信号から透視画像信号を求める。Ａ／Ｄ変換器４から出力されたデジタルの電圧信号は画像メモリ部２６に一時的に記憶される。画像データの一枚分を保管してもよいし、複数枚分を保管してもよい。
　オフセット信号除去部２７には、周期的に暗画像を撮像した際に取得したオフセット信号Ｆｏが保管されている。保管されているオフセット信号Ｆｏは暗画像を撮像する度に更新される。オフセット信号除去部２７は、画像メモリ部２６から送られた検出電圧信号からオフセット信号Ｆｏを除去して、この除去した値をノイズ変動量除去部３２へ送る。
　個別近似式算出部２８には、全てのＸ線検出素子ＤＵごとの理想関係式Ｎｔである個別理想関係式Ｎｉが保管されている。（２）式のαとβの値は、Ｘ線変換層１９の構成物質および構成状態により変動する値である。そこで、予め温度変化に伴う暗電流ノイズを測定することで、各Ｘ線検出素子ＤＵごとの個別近似式Ｎｉを求めて保管しておく。すなわち、個別理想関係式Ｎｉは以下の関数である。
　Ｎｉ＝αｉ（ｅｘｐ（βｉ／Ｔ）－１）　…　（６）
　ただし、αｉおよびβｉは定数であり、Ｔは絶対温度の変数である。主制御部６からオフセット信号Ｆｏを取得する指示が出されると、オフセット信号Ｆｏ取得時に温度センサ１１から送られる温度Ｔｏに基づいて、個別理想関係式Ｎｉを温度Ｔｏにおいて一次式の関数に近似した個別近似式Ｎｉｅを算出する。個別近似式は、例えば下記の関数で示すことができる。
　Nｉｅ＝ｓＴ＋ｕ　　…　（７）
　ただし、ｓおよびｕは定数である。個別近似式Ｎｉｅは、図６に示すように、個別理想関係式Ｎｉの温度Ｔｏにおける接線であり、温度Ｔを変数とする一次関数である。
　標準近似式算出部２９には、全画素領域の個別理想関係式Ｎｉを標準化した標準理想関係式Ｎｗが保管されている。全画素領域における各Ｘ線検出素子ＤＵの個別理想関係式Ｎｉの係数αｉおよびβｉを平均化することで標準化した標準理想関係式Ｎｗを予め求めて保管しておく。すなわち、標準理想関係式Ｎｗは以下の関数である。
　Ｎｗ＝αａｖｅ（ｅｘｐ（βａｖｅ／Ｔ）－１）　…　（８）
　ただし、αａｖｅおよびβａｖｅは、それぞれ全画素領域における個別理想関係式Ｎｉの係数αｉおよびβｉの平均値である。また、Ｔは絶対温度の変数である。またこれ以外にも、各温度の暗電流ノイズ値の全画素領域における平均値から標準理想関係式Ｎｗを求めてもよい。標準近似式算出部２９は、主制御部６からオフセット信号Ｆｏを取得する指示が出されると、温度センサ１１から送られる温度Ｔｏに基づいて、標準理想関係式Ｎｗの温度Ｔｏにおいて一次式の関数に近似した標準近似式Ｎｗｅを算出する。標準近似式Ｎｗｅは、例えば下記の関数で示すことができる。
　Nｗｅ＝ｖＴ＋ｗ　　…　（９）
　ただし、ｖおよびｗは定数である。標準近似式Ｎｗｅは、図７に示すように、個別理想関係式Ｎｗｅの温度Ｔｏにおける接線であり、温度Ｔを変数とする一次関数である。
　標準変動量比算出部３０では、標準理想関係式Ｎｗと標準近似式算出部２９で算出された標準近似式Ｎｗｅとを用いてそれぞれの式から算出される温度変動量の比を算出する。まず、主制御部６からＸ線撮像指示が出されると、温度センサ１１から送られるＸ線撮像時の温度Ｔ１における標準近似式Ｎｗｅから暗電流ノイズＮｗｅ１を算出する。次に、この暗電流ノイズＮｗｅ１とオフセット信号Ｆｏ取得時の暗電流ノイズＮｏとの差（ｂ）を算出する。次に、Ｘ線撮像時の温度Ｔ１における標準理想関係式Ｎｗから算出される暗電流ノイズＮｗ１とオフセット信号Ｆｏ取得時の暗電流ノイズＮｏとの差（ｃ）を算出する。そして、これらの差の比である（ｃ）／（ｂ）を算出する。つまり、オフセット信号Ｆｏ取得時の暗電流ノイズＮｏの値を基準として、温度Ｔ１における標準近似式Ｎｗｅと標準理想関係式Ｎｗとのそれぞれの増加分（ｂ）および（ｃ）の比を算出する。
　個別変動量算出部３１では、図６に示すように、個別近似式算出部２８で算出された個別近似式Ｎｉｅを用いて、温度Ｔ１における個別近似式Ｎｉｅから算出される暗電流ノイズＮｉｅ１とオフセット信号取得時の暗電流ノイズＮｏとの差（ｅ）を算出する。次に、差（ｅ）に標準変動量比算出部３０にて算出された標準変動量比（ｃ）／（ｂ）を乗算することで、個別変動量（ｆ）を算出する。つまり、個別変動量（ｆ）はＸ線検出素子ＤＵごとの温度変動ノイズΔＮ１に相当する。
　ノイズ変動量除去部３２では、オフセット信号除去部２７でオフセット信号Ｆｏが除去された電圧信号から、個別変動量算出部３０で算出された個別変動量（ｆ）を減算して、Ｘ線検出素子ＤＵごとの透視画像信号を得ることができる。このように、温度変化に伴って変動する暗電流ノイズを高精度にかつ高速に除去することができる。
　画像構成部３３では、透視画像信号よりＸ線透視画像を構成する。また、透視画像に限らず、ＣＴ撮像時には断層像を再構成することもできる。構成されたＸ線画像は、主制御部６に転送され、表示部９で表示されるか、記憶部１０にて保管される。
　＜Ｘ線撮像＞
　次に、この実施例におけるＸ線撮像装置でＸ線撮像が実行される場合の動作を、図１～図７を用いて説明する。
　まず、オフセット信号Ｆｏを取得する周期は入力部８から操作者が設定可能である。例えば、１０分間隔でオフセット信号Ｆｏを取得すると設定する。この設定により、主制御部６はＸ線管制御部７とＦＰＤ３へ１０分間ごとにオフセット信号Ｆｏを取得するように指示する。さらに、主制御部６はオフセット信号Ｆｏを取得するよう指示した際には、個別近似式算出部２８および標準近似式算出部２９に対してそれぞれ、オフセット信号Ｆｏ取得時の温度Ｔｏにおける個別近似式および標準近似式を算出するように指示する。
　次に、入力部８でのＸ線撮像開始の指示がされると、主制御部６は、Ｘ線管制御部７とＦＰＤ３とを制御する。Ｘ線管制御部７は、主制御部６からの制御に基づいて管電圧や管電流を発生させＸ線管１を制御し、Ｘ線管１からＸ線が被検体Ｍに照射される。さらに、被検体Ｍを透過したＸ線は、ＦＰＤ３のＸ線検出素子ＤＵにより被検体Ｍを透過したＸ線量に応じた電荷信号に変換され、コンデンサＣａに蓄積される。
　次に、ゲート駆動回路１３がゲート線を順次選択する。本実施例では、ゲート線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇ９，Ｇ１０の順に１つずつ選択するものとして説明する。ゲート駆動回路１３がゲート線Ｇ１を選択して、ゲート線Ｇ１に接続された各Ｘ線検出素子ＤＵが指定される。指定された各Ｘ線検出素子ＤＵのＴＦＴ２３のゲートは、ゲート信号が送られることで電圧が印加され、ＯＮ状態となる。これより、指定された各ＴＦＴ２３に接続されるコンデンサＣａに蓄積された電荷信号が、ＴＦＴ２３を経由して、データ線ＤＬ１～ＤＬ１０に読み出される。次に、ゲート駆動回路１３がゲート線Ｇ２を選択して、同様の手順で、ゲート線Ｇ２に接続された各Ｘ線検出素子ＤＵが指定され、その指定された各Ｘ線検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷信号が、データ線ＤＬ１～ＤＬ１０に読み出される。残りのゲート線Ｇ３～Ｇ１０についても同様に順に選択することで、２次元状に電荷信号を読み出す。
　このように、ゲート駆動回路１３がゲート線ＧＬ１～ＧＬ１０を順次選択することで、各ゲート線に接続されたＸ線検出素子ＤＵが指定され、その指定された各Ｘ線検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷信号が、データ線ＤＬ１～ＤＬ１０に読み出される。
　各データ線に読み出された電荷信号は電荷電圧変換部１４において電圧信号へ変換されるとともに増幅される。そして、サンプル・ホールド部１５では、電荷電圧変換部１４にて変換された電圧信号をサンプリングするとともに一旦ホールドする。その後、マルチプレクサ１６からサンプル・ホールド部１５にホールドされた電圧信号を時分割信号として順次出力する。出力された電圧信号は、Ａ／Ｄ変換器４にてアナログ値からデジタル値へ変換される。デジタル値へ変換された電圧信号は画像処理部５へ送られる。
　画像処理部５へ送られた電圧信号（検出電圧信号）は画像メモリ部２６へ保管される。次に、画像メモリ部２６よりオフセット信号除去部２７へ検出電圧信号が送られる。オフセット信号除去部２７では、周期的に、例えば１０分間隔に取得されたオフセット信号Ｆｏが保管されており、このオフセット信号Ｆｏを検出電圧信号から除去する。しかしながら、オフセット信号Ｆｏ取得時とＸ線撮像時とではＦＰＤ３内のＸ線検出層１９の温度が異なるので、オフセット信号Ｆｏが除去された検出電圧信号内には、この温度変化によるノイズが除去しきれずに残っている。
　そこで、オフセット信号Ｆｏの除去と並行して、個別近似式算出部２８は、温度センサ１１より測定されたオフセット信号Ｆｏ取得時の温度Ｔｏを用いて、予め保管されている個別理想関係式Ｎｉの温度Ｔｏにおける一次の近似式である個別近似式Ｎｉｅを算出する。また、標準近似式算出部２９も、温度センサ１１より測定されたオフセット信号取得時の温度Ｔｏを用いて、予め保管されている標準理想関係式Ｎｗの温度Ｔｏにおける一次の近似式である標準近似式Ｎｗｅを算出する。
　次に、主制御部６からのＸ線撮像開始の指示により、温度センサ１１より測定されたＸ線撮像時の温度Ｔ１を用いて標準変動量比算出部３０にて標準変動量比（ｃ）／（ｂ）を算出する。そして、個別変動量算出部３１にて、温度Ｔ１における個別近似式Ｎｉｅから算出される暗電流ノイズＮｉｅ１とオフセット信号取得時の暗電流ノイズＮｏとの差（ｅ）を算出する。そして、この差（ｅ）に標準変動量比（ｃ）／（ｂ）を乗算して、個別変動量（ｆ）を算出する。ノイズ変動量除去部３２では、オフセット信号Ｆｏが除去された検出電圧信号から個別変動量（ｆ）をＸ線検出素子ＤＵごとに減算して、透視画像信号を取得する。この透視画像信号を基に画像構成部３３にてＸ線透視画像を構成する。構成されたＸ線透視画像は、主制御部６を介して表示部９上に表示されるか、記憶部１０に保管される。
　以上のように、本実施例によれば、周期的に例えば１０分間隔でオフセット信号Ｆｏを取得した時とＸ線撮像を実施した時とでＸ線変換層１９の温度が変化しても、その温度変化に対応して精度良くかつ高速に暗電流ノイズＮｔを除去することができる。すなわち、Ｘ線撮像ごとに全てのＸ線検出素子ＤＵの個別理想関係式Ｎｉより暗電流変動ノイズを算出する代わりに、標準理想関係式と標準近似式より算出される変動量の比である標準変動量比を算出し、これを個別近似式で求めた変動量に積算することで、煩雑な対数計算の処理を簡易にすることができる。つまり、対数計算を演算するのは標準変動量比を演算するときの１回だけでよいので演算処理の大幅な効率化を図ることができ、ノイズ除去を高速に実施することができる。これより、特に高速処理が必要とされる動画撮像時においても温度変動に起因するノイズを精度良く除去することができる。
　また、個別変動量算出部３１にて、温度Ｔ１における個別近似式Ｎｉｅから算出される暗電流ノイズＮｉｅ１とオフセット信号取得時の暗電流ノイズＮｏとの差（ｅ）を個別変動量とするのではなく、この差（ｅ）に標準変動量比（ｃ）／（ｂ）を乗算するので、より近似精度を向上させた個別変動量を算出することができる。また、オフセット信号Ｆｏ取得するたびに、標準近似式および個別近似式を算出するので、理想関係式への近似精度が高く、高精度に暗電流ノイズを除去することができる。
　この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
　（１）上述した実施例では、標準近似式Ｎｗｅは標準理想関係式Ｎｗを１次式に近似した関数であり、個別近似式Ｎｉｅは個別理想関係式Ｎｉを１次式に近似した関数であった。しかしながら、図８に示すように、標準近似式Ｎｗｅを標準理想関係式Ｎｗの温度Ｔｏにおいて交わる２次式の関数に近似してもよい。また、個別近似式Ｎｉｅも個別理想関係式Ｎｉの温度Ｔｏにおいて交わる２次式の関数に近似してもよい。これより、１次式の関数に近似するよりも演算処理に時間がかかるが、理想関係式に近似精度をより向上することができるので、より高精度に暗電流ノイズを除去することができる。
標準近似式Ｎｗｅおよび個別近似式Ｎｉｅを２次式の関数に近似した場合、例えば次の関数のようにすることができる。
　Nｉｅ＝ｓＴ２＋ｕＴ＋ｐ　　…　（１０）
　Nｗｅ＝ｖＴ２＋ｗＴ＋ｑ　　…　（１１）
　ただし、ｓ、ｕ、ｐ、ｖ、ｗ、およびｑは定数であり、Ｔは絶対温度の変数である。
　（２）上述した実施例では、標準理想関係式Ｎｗを全画素領域のＸ線検出素子ＤＵにおける個別理想関係式Ｎｉの係数αｉおよびβｉの平均をとって算出していたが、ある特定の領域ごとに標準理想関係式を算出してもよい。例えば、図９に示すように、ＦＰＤ４０の画像検出部ＸＤ２をＡ１からＡ９まで９つの領域に分け、各領域ごとに標準理想関係式を算出し、それぞれの領域の標準理想関係式および標準近似式を用いて標準変動量比を算出する。これより、Ｘ線変換層１９が領域ごとに温度特性に傾向がある場合でも適切にノイズ除去をすることができる。なお、分ける領域の数は９つに限らず、いくつに分けてもよい。
　（３）上述した実施例では、検出電圧信号からオフセット信号Ｆｏを除去した後に個別変動量（ｆ）を除去していたが、これに限らず、検出電圧信号から先に個別変動量（ｆ）を除去した後にオフセット信号Ｆｏを除去してもよい。また、検出電圧信号から、オフセット信号Ｆｏと個別変動量（ｆ）とを同時に除去してもよい。
　（４）上述した実施例では、Ｘ線検出素子ＤＵはＸ線に感応するＸ線感応型半導体であったが、光感応型半導体を採用すれば、同じ構成にて変換層の温度変動ノイズを精度良く除去することができる光撮像装置を製作することができる。

Claims (10)

  1. 　光または放射線撮像装置において、
    　光または放射線を電荷信号へ変換する変換層と、
    　前記変換層を２次元マトリックス状に分割した検出素子ごとに前記電荷信号を読み出す読み出し回路と、
    　前記読み出し回路から読み出される電荷信号を電圧信号に変換する電荷電圧変換部と、
    　前記変換層の温度を測定する温度測定器と、
    　前記変換層を流れる暗電流により発生する暗電流ノイズと温度との関係を前記検出素子ごとに予め理想的に求めた個別理想関係式から、オフセット信号取得時に前記温度測定器により測定された温度における前記個別理想関係式の近似である個別近似式を算出する個別近似式算出部と、
    　前記検出素子ごとの個別理想関係式を標準化した標準理想関係式より、オフセット信号取得時に前記温度測定器により測定された温度における前記標準理想関係式の近似である標準近似式を算出する標準近似式算出部と、
    　撮像時の前記変換層の温度における標準近似式から算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差と、撮像時の前記変換層の温度における標準理想関係式より算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差との比である標準変動量比を算出する標準変動量比算出部と、
    　撮像時の前記変換層の温度における個別近似式から算出される暗電流ノイズ値とオフセット信号取得時の暗電流ノイズ値との差に、前記標準変動量比を乗算して個別変動量を算出する個別変動量算出部と、
    　前記個別変動量算出部により算出された前記個別変動量を前記電圧信号より除去するノイズ変動量除去部と
    　を備えることを特徴とする光または放射線撮像装置。
  2. 　請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、
    　前記変換層から読み出された電圧信号からオフセット信号を除去するオフセット信号除去部と
    　を備えることを特徴とする光または放射線撮像装置。
  3. 　請求項２に記載の光または放射線撮像装置において、
    　前記オフセット信号を周期的に取得する
    　ことを特徴とする光または放射線撮像装置。
  4. 　請求項３に記載の光または放射線撮像装置において、
    　前記オフセット信号を周期的に取得するごとに、前記標準近似式算出部は前記標準近似式を算出し、前記個別近似式算出部は前記個別近似式を算出する
    　ことを特徴とする光または放射線撮像装置。
  5. 　請求項１から４いずれか１つに記載の光または放射線撮像装置において、
    前記個別近似式または前記標準近似式は温度を変数とする１次関数である
    　ことを特徴とする光または放射線撮像装置。
  6. 　請求項１から４いずれか１つに記載の光または放射線撮像装置において、
    前記個別近似式または前記標準近似式は温度を変数とする２次関数である
    　ことを特徴とする光または放射線撮像装置。
  7. 　請求項１から６いずれか１つに記載の光または放射線撮像装置において、
    　前記標準理想関係式は全ての前記検出素子の個別理想関係式の係数の平均から算出されていることを特徴とする光または放射線撮像装置。
  8. 　請求項１から６いずれか１つに記載の光または放射線撮像装置において、
    　前記標準理想関係式はある領域ごとに前記検出素子の個別理想関係式の係数の平均から算出されていることを特徴とする光または放射線撮像装置。
  9. 　請求項１から８いずれか１つに記載の光または放射線撮像装置において、
    　前記光または放射線変換層は、多結晶化合物半導体である
    　ことを特徴とする光または放射線撮像装置。
  10. 　請求項９に記載の光または放射線撮像装置において、
    　前記光または放射線変換層は、ＣｄＴｅまたはＣｄＺｎＴｅである
    　ことを特徴とする光または放射線撮像装置。
PCT/JP2009/001959 2009-04-30 2009-04-30 光または放射線撮像装置 WO2010125609A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/001959 WO2010125609A1 (ja) 2009-04-30 2009-04-30 光または放射線撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/001959 WO2010125609A1 (ja) 2009-04-30 2009-04-30 光または放射線撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010125609A1 true WO2010125609A1 (ja) 2010-11-04

Family

ID=43031777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/001959 WO2010125609A1 (ja) 2009-04-30 2009-04-30 光または放射線撮像装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2010125609A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110121036A (zh) * 2018-02-05 2019-08-13 联咏科技股份有限公司 影像感测装置与其黑电平修正方法及计算机可读媒体
WO2020012752A1 (ja) * 2018-07-10 2020-01-16 キヤノン株式会社 放射線撮影装置、放射線撮影システム、放射線撮影方法及びプログラム

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07236093A (ja) * 1994-02-21 1995-09-05 Toshiba Medical Eng Co Ltd 撮像装置
JP2001141832A (ja) * 1999-08-31 2001-05-25 General Electric Co <Ge> Ｘ線撮像パネル用の増幅器オフセット及びゲイン補正システム
JP2002085391A (ja) * 2000-09-21 2002-03-26 Konica Corp 放射線撮影装置
JP3272675B2 (ja) * 1997-08-12 2002-04-08 アジレント・テクノロジーズ・インク Ｃｍｏｓイメージセンサの暗電流補正方法
JP2002224094A (ja) * 2001-02-02 2002-08-13 Toshiba Medical System Co Ltd Ｘ線診断装置および補正データ収集方法
JP3806973B2 (ja) * 1996-06-25 2006-08-09 株式会社ニコン 光電変換器の暗電流補正装置
JP2006305228A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Shimadzu Corp 放射線撮像装置およびこれに用いるオフセット補正方法
JP2007053464A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Nikon Corp ダークシェーディング除去装置および撮像装置
JP2007185375A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Hitachi Medical Corp Ｘ線画像診断装置
JP2008524874A (ja) * 2004-12-20 2008-07-10 オイ アジャト， リミテッド Ｃｄ−ＴｅおよびＣｄ−Ｚｎ−Ｔｅベースカメラ用の高エネルギーの実時間可能な直接放射線変換Ｘ線撮像システム

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07236093A (ja) * 1994-02-21 1995-09-05 Toshiba Medical Eng Co Ltd 撮像装置
JP3806973B2 (ja) * 1996-06-25 2006-08-09 株式会社ニコン 光電変換器の暗電流補正装置
JP3272675B2 (ja) * 1997-08-12 2002-04-08 アジレント・テクノロジーズ・インク Ｃｍｏｓイメージセンサの暗電流補正方法
JP2001141832A (ja) * 1999-08-31 2001-05-25 General Electric Co <Ge> Ｘ線撮像パネル用の増幅器オフセット及びゲイン補正システム
JP2002085391A (ja) * 2000-09-21 2002-03-26 Konica Corp 放射線撮影装置
JP2002224094A (ja) * 2001-02-02 2002-08-13 Toshiba Medical System Co Ltd Ｘ線診断装置および補正データ収集方法
JP2008524874A (ja) * 2004-12-20 2008-07-10 オイ アジャト， リミテッド Ｃｄ−ＴｅおよびＣｄ−Ｚｎ−Ｔｅベースカメラ用の高エネルギーの実時間可能な直接放射線変換Ｘ線撮像システム
JP2006305228A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Shimadzu Corp 放射線撮像装置およびこれに用いるオフセット補正方法
JP2007053464A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Nikon Corp ダークシェーディング除去装置および撮像装置
JP2007185375A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Hitachi Medical Corp Ｘ線画像診断装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110121036A (zh) * 2018-02-05 2019-08-13 联咏科技股份有限公司 影像感测装置与其黑电平修正方法及计算机可读媒体
WO2020012752A1 (ja) * 2018-07-10 2020-01-16 キヤノン株式会社 放射線撮影装置、放射線撮影システム、放射線撮影方法及びプログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5418599B2 (ja) 放射線撮像装置
US8642970B2 (en) Radiographic image detecting apparatus and radiographic image capturing system
US8760544B2 (en) Light or radiation image pickup apparatus
US7659518B2 (en) Light or radiation image pickup apparatus
JP6663210B2 (ja) 放射線撮像装置及びその制御方法
Granfors Performance characteristics of an amorphous silicon flat-panel x-ray imaging detector
US8178846B2 (en) Light or radiation image pickup apparatus
US20120242871A1 (en) Image pickup apparatus, image pickup system, and method of controlling them
US8710446B2 (en) Imaging apparatus, control method thereof, and program
El‐Mohri et al. Active pixel imagers incorporating pixel‐level amplifiers based on polycrystalline‐silicon thin‐film transistors
JP5509032B2 (ja) 放射線画像検出器
WO2010125609A1 (ja) 光または放射線撮像装置
Adachi et al. Noise properties of a Se-based flat-panel x-ray detector with CMOS readout integrated circuits
WO2011018816A1 (ja) 光または放射線撮像装置
US7893403B2 (en) Radiation image capturing apparatus
JP4812503B2 (ja) Ｘ線撮影装置
JP2011167329A (ja) 二次元アレイｘ線検出器における欠損画素の検出方法および欠損画素の検出装置
JP2007281709A (ja) 光または放射線検出装置及びこれを備えた光または放射線撮像装置
JP2005168961A (ja) 放射線画像撮影装置
WO2012056622A1 (ja) 撮像装置
JP2011223088A (ja) 撮像装置
JP2017130761A (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP2010261828A (ja) 二次元アレイｘ線検出器における欠損画素の検出方法および欠損画素の検出装置
JP2020089656A (ja) 放射線撮像装置及びその制御方法
JP2007306481A (ja) 光または放射線撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09843955

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09843955

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP