JP2008524874A - Cd−TeおよびCd−Zn−Teベースカメラ用の高エネルギーの実時間可能な直接放射線変換X線撮像システム - Google Patents
Cd−TeおよびCd−Zn−Teベースカメラ用の高エネルギーの実時間可能な直接放射線変換X線撮像システム Download PDFInfo
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 14
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010606 normalization Methods 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 4
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000269627 Amphiuma means Species 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 66
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 5
- 238000012885 constant function Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000007476 Maximum Likelihood Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 2
- QQFGAXUIQVKBKU-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-(2,6-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(C=2C(=CC=CC=2Cl)Cl)=C1Cl QQFGAXUIQVKBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【選択図】 図1a
Description
図1aは本発明の高エネルギー直接放射線変換実時間X線撮像システムの構成部品の相互接続関係を概略的に示すブロック図である。
図1bは本発明のX線撮像システムの略図である。
図2aは本発明のカメラモジュールで有用な撮像装置の略図である。
図2bは本発明のカメラの断面側面図である。
図2cは画像画素の配列から構成される本発明のカメラおよび/またはフレームの略図である。
図3aは本発明の静的フレーム蓄積方法の略図である。
図3bは本発明のシフトアンドアド(shift−and−add)法の略図である。
図3cは理想的な画素応答と比較した測定画素応答のグラフである。
図4aは検出器バイアス電圧スイッチングを使用したCd−Teベースの直接変換カメラの単一画素回路の経時的出力のグラフである。この図は、回路がバイアス電圧スイッチング事象(パルス)から回復すると、典型的な画素回路からの出力信号が経時的にドリフトすることを示す。
図4bは本発明で使用される検出器基板バイアススイッチング回路の略図である。
図5はバイアス電圧スイッチング事象後に時間の経過と共に発生する一連の画像フレーム取得点と重ね合わせて、図4aの同じ単一画像画素の生強度値の時間的変動を示すグラフである。
図6は特定の時間依存補正係数を各画像フレームに出力される特定の画像画素の生強度値に適用することによる、画像画素の強度値の正規化を示すグラフである。
図7は過剰なデータ収集および処理負荷の問題を改善するための本発明の撮像システムの較正手順の非対称データサンプリングの特徴を示すグラフである。
図8は本発明の較正手順の簡易ブロック図である。
図9は本発明の較正手順の概要を示すブロックフローチャートである。
図10は特定の基準X線照射野強度における単一画素回路からのデータ収集戦略を示すブロックフロー図である。
図11は画素フレーム内の各画像画素の補正係数を算出するための戦略を示すブロックフロー図である。
図12は不良または未補正画素を検出しかつ補うための戦略を示すブロックフロー図である。
図13は正規化された画像フレームを提供するための本発明の較正プロセスの適用を示すブロックフロー図である。
図14aは区分的定数関数を使用して特定の時間の画素強度値または強度を正規化するための補正係数を決定して曲線に当てはめる、典型的な先行する均一サンプリング方法を示すグラフである。
図14bは区分的定数関数を使用して特定の時間の画素強度値を正規化するための補正係数を決定する、不均一サンプリング方法を示すグラフである。
図14cは区分的線形関数を使用して特定の時間の画素強度値を正規化するための補正係数を決定する、代替的(不均一)サンプリング方法を示すグラフである。
ここで、図8を参照すると、補正関数110に画素値36を入力し、ここにおいて補正係数120を適用し、補正画素値47を生み出すことを含む、較正手順49の非常に高レベルのフローチャートが示されている。図9は、本発明の撮像システム10の較正プロセス49のステップのより詳細な概要である。暗電流強度IDを含めて多数の異なる均質な基準放射線照射野強度における完全なデータ収集サイクルの較正データが収集される。第1ステップ49aで、暗電流IDのデータが収集される。第2ステップ49bで、X線強度I1のデータが収集される。第3ステップ49cで、X線強度INのデータが収集される。第4ステップ49dで、補正係数が算出され、検索テーブル22に書き込まれる。
ビン1:時間0....T1
ビン2:時間T1....T2
ビンN:時間TN−1....TN
第2ステップ124で、放射線照射野強度が設定される。第3ステップ126で、高電圧がパルス化される。第4ステップ130で、タイマがリセットされる。第5ステップ132で、収集時間が画像フレームの時間TIFに等しいように設定され、サイクルがアクティブである限り続くループで、データビンBが見つけられ、フレーム44がビンに付加される。次いで、第7ステップ134で、実行される繰返しがさらに存在する場合、例えばノイズを低減するために、ループが再び実行される。
が、画素出力値xinから帯域的出力値youtへのマッピングであることを意味する。タスクは、各画素に対し、他の全ての画素と同一出力をもたらす適切な関数fpix()を見つけることである。
ここでai,pixは画素pixの係数であり、Mは多項式の次数である。一般的に使用される線形較正(利得およびオフセット補正)は、M=1のときの特殊な事例である。最高三次までの多項式の使用が現在の実施形態の基底であったが、充分に大きい個数の時間依存係数データセットを使用する場合には、線形補正が充分であるかもしれない。
であり、全てのサンプルの総合尤度は、それらが統計的に独立していると仮定して、
である。
によって最大化される。ここでΛは独立性を前提とするサンプルの推定共分散マトリクスであり、Λ=diag[σ1...σNdata],x=[x1...xNdata]はこの画素の較正値のベクトルである。p(x)は興味を引かれない尺度因子であり、自明である。次のようなノイズおよび関数パラメータの正規分布を前提とすると、
最終事後確率は次の形を持つ。
が得られ、それは、σ2 priorのペナルティパラメータを持つ加重制約付き線形最小二乗費用関数と解釈することができる。最終的パラメータ値は、全ての関数パラメータaiに対して上記方程式を微分し、次いで導関数を零に等しく設定することによって解くことができる。加重最小二乗を使用する動機は、異なるX線強度を使用したときに、最高強度の場合の量子ノイズが、例えば暗電流の場合よりずっと高くなることである。これは、おそらくより正確であるより小さい値に、より大きい加重を与えることを可能にする。
Claims (47)
- 画像を実時間で表示するのに適した複数の画像フレーム(44)を生成することができるX線撮像装置(28)であって、
各フレームは未補正画像画素値の配列(45)を含み、装置が
a.異なる画像フレームからの前記画像画素値を補正するための手段(20、49、22、24)と、
b.複数のフレームからの補正画素値を利用し、画像の補正画素値を算出するための処理手段(24)と、
を備えることを特徴とする装置(28)。 - 高画素密度直接変換放射線検出器基板(30)を有し、ASIC読出し基板(32)上の対応する画素回路(31)へと電気的に接続する検出器基板の画素(36)を有する高エネルギーX線撮像カメラ(37)を備え、
前記検出基板は、衝突高エネルギーX線ガンマ線放射(80)を電荷に直接変換すること、および前記電荷を前記画素(36)間の電気接続(35)を介して前記ASIC読出し基板(32)上の対応する画素回路に電荷信号として伝達することを提供し、
前記画素回路は、各画素から電荷信号を処理することを提供する、
請求項1に記載の装置(28)。 - 前記撮像カメラ(37)のASIC読出し基板(32)と電子通信し、前記読出し基板の各画素回路(31)からの出力から導出されたデジタル化画素信号を受け取り、かつ前記画素信号を使用して毎秒10画像フレームを越えるフレーム読出しレートで画像フレーム(44)を生成することができる、高速画像フレームプロセッサモジュール(18)をさらに備える、請求項2に記載の装置(28)。
- 前記高速フレームプロセッサモジュール(18)と選択的にデジタル通信する較正モジュールであって、較正モジュールが選択されたとき、画像フレーム(44)内の各画素(36)に特異的な画素補正データを検索テーブル(22)に書き込む較正ルーチン(20)を含むソフトウェアプロセスによって駆動される較正モジュールをさらに備える、請求項3に記載の装置(28)。
- 前記較正モジュール(20)によって画素特異的補正データを書込み可能であり、かつ正規化モジュール(24)によって読出し可能である検索テーブル(22)をさらに備える、請求項4に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が前記高速フレームプロセッサモジュール(18)および前記検索テーブル(22)と選択的に通信しており、
前記正規化モジュールが前記高速フレームプロセッサモジュールから実時間画像フレームデータ/レコードを受け取り、前記検索テーブルから画素特異的補正データを受け取り、ディスプレイモジュール(14)用のディスプレイ画像出力を介して正規化画像データを提供して、高エネルギーの直接検出X線撮像システム(10)のX線画像を提示する、請求項5に記載の装置(28)。 - 前記正規化モジュール(24)が、ディスプレイモジュール(16)用のディスプレイ画像出力を介して正規化画像データを提供して、高エネルギー実時間直接検出X線撮像システム(10)から動的X線画像を提示する、請求項6に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が、ディスプレイモジュール(16)用のディスプレイ画像出力を介して正規化画像データを提供して、高エネルギー実時間直接検出X線撮像システム(10)から静的X線画像を提示する、請求項6に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が一定の時間にわたって正規化画像データを蓄積して、ディスプレイモジュール(16)用の高精度ディスプレイ画像出力を提供し、静的X線画像を提示する、請求項8に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が、蓄積期間毎にディスプレイモジュール(16)用の高精度ディスプレイ画像出力を提供するために、少なくとも100分の1秒ないし10秒の時間にわたって正規化画像データを蓄積して、動的X線画像を提示する、請求項7に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が、少なくとも100分の1秒ないし300秒の時間にわたって正規化画像データを蓄積する、請求項9に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が少なくとも5分の時間にわたって正規化画像データを蓄積する、請求項9に記載の装置(28)。
- 前記カメラモジュール(12)がASIC読出し基板(32)と通信するテルル化カドミウム組成物ベースの放射線検出器基板(30)を含む、請求項2に記載の装置(28)。
- 前記カメラモジュール(12)が、テルル化カドミウムおよびテルル化カドミウム亜鉛から成る群から選択された組成物から構成された放射線検出器基板(30)を含む、請求項13に記載の装置(28)。
- 前記カメラモジュール(12)が検出器基板バイアススイッチ回路(121)を含む、請求項1に記載の装置(28)。
- 前記高速画像フレームプロセッサモジュール(18)が、前記読出し基板(32)の各画素回路(31)の出力から導出されるデジタル化画素信号を受け取り、かつ前記デジタル化画素信号を使用して毎秒25画像フレームを越えるフレーム読出しレートで画像フレーム(44)を生成することができる、請求項3に記載の装置(28)。
- 前記高速画像フレームプロセッサモジュール(18)が、前記読出し基板(32)の各画素回路(31)の出力から導出されるデジタル化画素信号を受け取り、かつ前記デジタル化画素信号を使用して毎秒50画像フレームを越えるフレーム読出しレートで画像フレーム(44)を生成することができる、請求項3に記載の装置(28)。
- 前記ソフトウェアプロセスが、画素値補正アルゴリズム(49)に従って解析される収集された較正フレーム(44)の少なくとも一部にわたってデジタル化画素値(47)の各々を解析し、画像フレーム(44)内の各画素(36)に特異的な画素値補正データを前記検索テーブル(22)に提供し、書き込む、較正ルーチン(20)を含む、請求項4に記載の装置(28)。
- 前記較正モジュール(20)を駆動する前記ソフトウェアが、時間の関数として各画素(36)の誤差補正を提供する画素非線形性能補償ルーチン(123)を含む、請求項4に記載の装置(28)。
- 前記画素非線形性能補償ルーチン(123)が、各画素(36)の誤差補正を時間の関数として提供する補正係数を決定するための非対称線形多項式計算を含む、請求項19に記載の装置(28)。
- 特定のビット深度を持つ画素値の配列(45)を各々含む画像フレーム(44)を複数生成することのできるX線撮像装置(28)であって、異なるフレームの画素値から画像画素値(47)を算出するための処理手段(24)を備え、前記画像画素値(47)のビット深度が個別フレームからの画素値のビット深度より大きい、装置(28)。
- 高画素密度直接変換放射線検出器基板(30)を有し、ASIC読出し基板(32)上の対応する画素回路(31)へと電気的に接続する検出器基板の画素(36)を有する高エネルギーX線撮像カメラ(37)を備え、
前記検出基板は、衝突高エネルギーX線ガンマ線放射(80)を電荷に直接変換すること、かつ前記電荷を前記画素(36)間の電気接続(35)を介して前記ASIC読出し基板(32)上の対応する画素回路に電荷信号として伝達することを提供し、
前記画素回路は、各画素からの電荷信号を処理することを提供する、
請求項21に記載の装置(28)。 - 前記撮像カメラ(37)のASIC読出し基板(32)と電子通信し、前記読出し基板の各画素回路(31)からの出力から導出されたデジタル化画素信号を受け取り、かつ前記画素信号を使用して毎秒10画像フレームを越えるフレーム読出しレートで画像フレーム(44)を生成することができる、高速画像フレームプロセッサモジュール(18)をさらに備える、請求項22に記載の装置(28)。
- 前記高速フレームプロセッサモジュール(18)と選択的にデジタル通信する較正モジュールであって、較正モジュールが選択されたとき、画像フレーム(44)内の各画素(36)に特異的な画素補正データを検索テーブル(22)に書き込む較正ルーチン(20)を含むソフトウェアプロセスによって駆動される較正モジュールをさらに備える、請求項23に記載の装置(28)。
- 前記較正モジュール(20)によって画素特異的補正データを書込み可能であり、かつ正規化モジュール(24)によって読出し可能である検索テーブル(22)をさらに備える、請求項24に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が前記高速フレームプロセッサモジュール(18)および前記検索テーブル(22)と選択的に通信しており、前記正規化モジュールが前記高速フレームプロセッサモジュールから実時間画像フレームデータ/レコードを受け取り、前記検索テーブルから画素特異的補正データを受け取り、ディスプレイモジュール(14)用のディスプレイ画像出力を介して正規化画像データを提供して、高エネルギー直接検出X線撮像システム(10)のX線画像を提示する、請求項25に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が、ディスプレイモジュール(16)用のディスプレイ画像出力を介して正規化画像データを提供して、高エネルギー実時間直接検出X線撮像システム(10)から動的X線画像を提示する、請求項26に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が、ディスプレイモジュール(16)用のディスプレイ画像出力を介して正規化画像データを提供して、高エネルギー実時間直接検出X線撮像システム(10)から静的X線画像を提示する、請求項26に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が一定の時間にわたって正規化画像データを蓄積して、ディスプレイモジュール(16)用の高精度ディスプレイ画像出力を提供し、静的X線画像を提示する、請求項28に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が、各蓄積期間毎にディスプレイモジュール(16)用の高精度ディスプレイ画像出力を提供するために、少なくとも100分の1秒ないし10秒の時間にわたって正規化画像データを蓄積して、動的X線画像を提示する、請求項27に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が、少なくとも100分の1秒ないし300秒の時間にわたって正規化画像データを蓄積する、請求項29に記載の装置(28)。
- 前記正規化モジュール(24)が少なくとも5分の時間にわたって正規化画像データを蓄積する、請求項29に記載の装置(28)。
- 前記カメラモジュール(12)がASIC読出し基板(32)と通信するテルル化カドミウム組成物ベースの放射線検出器基板(30)を含む、請求項32に記載の装置(28)。
- 前記カメラモジュール(12)が、テルル化カドミウムおよびテルル化カドミウム亜鉛から成る群から選択された組成物から構成された放射線検出器基板(30)を含む、請求項33に記載の装置(28)。
- 前記カメラモジュール(12)が検出器基板バイアススイッチ回路(121)を含む、請求項21に記載の装置(28)。
- 前記高速画像フレームプロセッサモジュール(18)が、前記読出し基板(32)の各画素回路(31)の出力から導出されるデジタル化画素信号を受け取り、かつ前記デジタル化画素信号を使用して毎秒25画像フレームを越えるフレーム読出しレートで画像フレーム(44)を生成することができる、請求項23に記載の装置(28)。
- 前記高速画像フレームプロセッサモジュール(18)が、前記読出し基板(32)の各画素回路(31)の出力から導出されるデジタル化画素信号を受け取り、かつ前記デジタル化画素信号を使用して毎秒50画像フレームを越えるフレーム読出しレートで画像フレーム(44)を生成することができる、請求項23に記載の装置(28)。
- 前記ソフトウェアプロセスが、画素値補正アルゴリズム(49)に従って解析される収集された較正フレーム(44)の少なくとも一部にわたってデジタル化画素値(47)の各々を解析し、画像フレーム(44)内の各画素(36)に特異的な画素値補正データを前記検索テーブル(22)に提供し、書き込む、較正ルーチン(20)を含む、請求項24に記載の装置(28)。
- 前記較正モジュール(20)を駆動する前記ソフトウェアが、時間の関数として各画素(36)の誤差補正を提供する画素非線形性能補償ルーチン(123)を含む、請求項24に記載の装置(28)。
- 前記画素非線形性能補償ルーチン(123)が、各画素(36)の誤差補正を時間の関数として提供する補正係数を決定するための非対称線形多項式計算を含む、請求項39に記載の装置(28)。
- 異なる画像フレームからの画像画素値を補正するための前記手段が各フレームのオフセット補正を含む、請求項1に記載の装置(28)。
- 異なる画像フレームからの画像画素値を補正するための前記手段が各フレームの暗電流補正を含む、請求項1に記載の装置(28)。
- 前記レートが毎秒少なくとも10フレームのレートである、請求項1に記載の装置(28)。
- 検出器基板バイアススイッチ回路をさらに含む、請求項1に記載の装置(28)。
- 異なる画像フレームからの画像画素値を補正するための前記手段がフレームの少なくとも一部の時間依存補正を含む、請求項1に記載の装置(28)。
- 請求項1に記載の装置(28)および3秒を越えて動作可能なX線源を備えた撮像システム。
- 前記画素非線形性能補償ルーチン(123)が、各画素(36)の誤差補正を提供するために補正係数を決定する2次以上の多項式計算を含む、請求項19に記載の装置(28)。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60/585,742 | 2004-07-06 | ||
US11/017,629 US20060011853A1 (en) | 2004-07-06 | 2004-12-20 | High energy, real time capable, direct radiation conversion X-ray imaging system for Cd-Te and Cd-Zn-Te based cameras |
US11/017,629 | 2004-12-20 | ||
PCT/IB2005/001896 WO2006003487A1 (en) | 2004-07-06 | 2005-07-01 | High energy, real time capable, direct radiation conversion x-ray imaging system for cd-te and cd-zn-te based cameras |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008524874A true JP2008524874A (ja) | 2008-07-10 |
JP2008524874A6 JP2008524874A6 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=39661477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007519900A Pending JP2008524874A (ja) | 2004-12-20 | 2005-07-01 | Cd−TeおよびCd−Zn−Teベースカメラ用の高エネルギーの実時間可能な直接放射線変換X線撮像システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008524874A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009543603A (ja) * | 2006-07-10 | 2009-12-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エネルギースペクトル再構成 |
WO2010125609A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社島津製作所 | 光または放射線撮像装置 |
CN111226140A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-06-02 | 克罗梅克集团公开有限责任公司 | 模块化伽马成像设备 |
CN115273748A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-11-01 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组、显示系统、显示驱动器、显示方法和电子设备 |
CN115755155A (zh) * | 2022-11-04 | 2023-03-07 | 成都善思微科技有限公司 | 一种探测器图像质量监控方法及系统 |
US12033324B2 (en) | 2019-06-06 | 2024-07-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | System and method for identifying fractures in digitized x-rays |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0772252A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像信号読出方法 |
JPH1098651A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH11307756A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線読取装置 |
WO2003008999A2 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same |
JP2003066149A (ja) * | 2000-08-14 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | 放射線検出器、放射線検出システム、x線ct装置 |
JP2003156565A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Canon Inc | 光電変換装置を用いた撮影装置 |
-
2005
- 2005-07-01 JP JP2007519900A patent/JP2008524874A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0772252A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像信号読出方法 |
JPH1098651A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH11307756A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線読取装置 |
JP2003066149A (ja) * | 2000-08-14 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | 放射線検出器、放射線検出システム、x線ct装置 |
WO2003008999A2 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same |
JP2003156565A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Canon Inc | 光電変換装置を用いた撮影装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009543603A (ja) * | 2006-07-10 | 2009-12-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エネルギースペクトル再構成 |
WO2010125609A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社島津製作所 | 光または放射線撮像装置 |
CN111226140A (zh) * | 2017-10-19 | 2020-06-02 | 克罗梅克集团公开有限责任公司 | 模块化伽马成像设备 |
CN111226140B (zh) * | 2017-10-19 | 2024-04-12 | 克罗梅克集团公开有限责任公司 | 模块化伽马成像设备 |
US12033324B2 (en) | 2019-06-06 | 2024-07-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | System and method for identifying fractures in digitized x-rays |
CN115273748A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-11-01 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组、显示系统、显示驱动器、显示方法和电子设备 |
CN115755155A (zh) * | 2022-11-04 | 2023-03-07 | 成都善思微科技有限公司 | 一种探测器图像质量监控方法及系统 |
CN115755155B (zh) * | 2022-11-04 | 2024-06-11 | 成都善思微科技有限公司 | 一种探测器图像质量监控方法及系统 |
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