JP2003015022A

JP2003015022A - 測距装置、測距方法、及び制御プログラム

Info

Publication number: JP2003015022A
Application number: JP2001199051A
Authority: JP
Inventors: Ritsuo Kashiyama; 律夫樫山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2003-01-15

Abstract

(57)【要約】【課題】測距センサと測距光学系に温度差が生じても
正確に測距できるようにする。【解決手段】測距センサの温度と測距光学系の温度と
を個別に検出し、前記測距センサの検出温度に基づいて
該測距センサ上に発生する暗電流の温度による変化に伴
う該測距センサの出力変化を補正し、前記測距光学系の
検出温度に基づいて該測距光学系の温度変化に応じた合
焦制御量の補正を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動焦点検出装置
等で利用される測距技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、自動焦点検出（オートフォーカ
ス）等に用いられる測距装置では、光学系の温度変化に
よる各種誤差を補正する補正処理が行われている。すな
わち、測距センサの周囲に温度センサを設けて温度を測
定し、この測定値に基づいて、測距センサ上で発生する
温度変化による暗電流変化に伴う像信号を補正する暗電
流補正や、光学系の温度変化に伴う測距光学系の変化に
対する補正を行うようになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例で
は、図８に示すように、測距センサに電源を入れる前
は、測距センサと光学系の温度は、ほぼ等しい温度にな
っているが、測距センサに電源を入れて動作を開始する
と測距センサの温度上昇が始まり、測距センサの温度と
光学系の温度に差が発生してしまう。

【０００４】このため、測距センサの周囲に設けられた
温度センサによる測定結果に基づいて、暗電流の補正や
光学系の温度補正を行うと、誤った温度補正が行われて
しまう場合がある。特に、最近は、光学系の小型化や測
距センサの画素ピッチの微細化が進んだため、誤った温
度補正による測距誤差が大きくなっていた。

【０００５】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、その課題は、測距センサと測距光学系に温
度差が生じても正確に測距できるようにすることにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る測距装置は、測距センサの温度を検出
する第１の温度検出手段と、測距光学系の温度を検出す
る第２の温度検出手段と、前記測距センサ上に発生する
暗電流の温度による変化に伴う該測距センサの出力変化
を補正する第１の補正手段と、前記測距光学系の温度変
化に応じて合焦制御量を補正する第２の補正手段とを有
し、前記第１の温度検出手段により検出された温度に基
づいて前記第１の補正手段による補正を行い、前期第２
の温度検出手段により検出された温度に基づいて前記第
２の補正手段による補正を行うように構成されている。

【０００７】また、本発明に係る測距方法は、測距セン
サの温度を検出する第１の温度検出工程と、測距光学系
の温度を検出する第２の温度検出工程と、前記測距セン
サ上に発生する暗電流の温度による変化に伴う該測距セ
ンサの出力変化を補正する第１の補正工程と、前記測距
光学系の温度変化に応じて合焦制御量を補正する第２の
補正工程とを有し、前記第１の温度検出工程により検出
された温度に基づいて前記第１の補正工程による補正を
行い、前期第２の温度検出工程により検出された温度に
基づいて前記第２の補正工程による補正を行うように構
成されている。

【０００８】また、本発明に係る制御プログラムは、測
距センサの温度と測距光学系の温度とを個別に検出し、
前記測距センサの検出温度に基づいて該測距センサ上に
発生する暗電流の温度による変化に伴う該測距センサの
出力変化を補正し、前記測距光学系の検出温度に基づい
て該測距光学系の温度変化に応じた合焦制御量の補正を
行う内容を有している。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１０】図１は本発明の実施の形態に係るカメラの
電気的な概略構成を示すブロック図であり、同図におい
て、１はカメラ全体の制御を行うマイクロコンピュー
タ、２はマイクロコンピュータ１に外付け（内蔵でもよ
い）された揮発性メモリとしてのＲＡＭ、３はマイクロ
コンピュータ１に外付け（内蔵でもよい）された不揮発
性メモリとしてのＥＥＰＲＯＭである。このＥＥＰＲＯ
Ｍ３には、各種の制御プログラムや、各種の補正データ
等が格納されており、マイクロコンピュータ１は、これ
ら制御プログラムを実行したり、補正データにより補正
動作をすることにより、後述する各種の処理を行う。

【００１１】４はマイクロコンピュータ１に接続され、
オートフォーカスを行うための焦点検出センサ・ユニッ
ト（測距センサ・ユニットとも呼ぶ）であり、後述する
焦点検出装置３５（図３参照）に搭載されている。５は
焦点検出センサ・ユニット４に内蔵されたセンサ駆動制
御回路である。６は前記焦点検出センサ・ユニット４に
内蔵され、センサ駆動制御回路５により駆動制御される
センサ部であり、このセンサ部６は、複数のセンサセル
からなるＳ１ＡとＳ１Ｂで１ラインの焦点検出領域（以
下、ＡＦ領域ともいう）となっている。これらの対が、
Ｓ１ＡとＳ１Ｂ、Ｓ２ＡとＳ２Ｂ、Ｓ３ＡとＳ３Ｂ、Ｓ
４ＡとＳ４Ｂの４ライン存在している。

【００１２】これらのうち、Ｓ１ＡとＳ１Ｂの対とＳ２
ＡとＳ２Ｂの対は、互いに交差する位置に配置され、同
じＡＦ領域で縦と横の焦点検出を可能としており、焦点
検出センサ・ユニット４は、４ラインの焦点検出用のセ
ンサと３個所のＡＦ領域を持っている。

【００１３】７はセンサ部６に蓄積された信号をセンサ
駆動制御回路５からの信号に従って信号処理を行い、マ
イクロコンピュータ１に出力するための信号処理回路、
８はセンサ部６と同一チップ上に配置された内部温度検
出素子としてのダイオード、９は焦点検出センサ・ユニ
ット（測距センサ・ユニット）４の外部に接続された外
部温度検出素子としてのダイオードである。また、１０
は内部温度検出素子８と外部温度検出素子９に接続さ
れ、これら検出素子からの検出信号に基づいて温度検出
処理を行う温度検出回路である。

【００１４】１１はマイクロコンピュータ１に接続さ
れ、被写体の輝度を測定するための測光回路、１２はマ
イクロコンピュータ１に接続され、カメラ本体に着脱可
能な交換レンズ１３の内部の電子回路を制御するための
レンズ制御回路である。１３はレンズ制御回路１２に接
続され、該レンズ制御回路１２からの制御信号に従って
レンズを制御する電子回路を含む、カメラ本体に着脱可
能な交換レンズである。

【００１５】１４はマイクロコンピュータ１に接続さ
れ、シャッタ速度や絞り値、カメラの各種設定値や状態
などを表示制御するための表示制御回路、１５は表示制
御回路１４に接続され、該表示制御回路１４の制御に基
づいて各種表示を行う表示部である。

【００１６】１６（ＳＷ１）はマイクロコンピュータ１
に接続され、測光や焦点検出を開始するためのスイッ
チ、１７（ＳＷ２）はマイクロコンピュータ１に接続さ
れ、露光を開始するためのスイッチである。スイッチＳ
Ｗ１とＳＷ２は２段スイッチ構成のレリーズスイッチを
構成しており、レリーズスイッチの第１ストロークでス
イッチＳＷ１がＯＮし、第２ストロークでスイッチＳＷ
１とＳＷ２が共にＯＮするようになっている。

【００１７】１８はマイクロコンピュータ１に接続さ
れ、焦点検出センサ・ユニット４に具備された複数のＡ
Ｆ領域のうち、どれか１つのＡＦ領域を任意に選択する
ためのＡＦ領域選択スイッチ、１９はマイクロコンピュ
ータ１に接続され、カメラに設けられた各種設定のため
のダイヤルの動作を検出するためのダイヤル検出回路で
ある。２０はダイヤル検出回路１９に接続され、カメラ
の各種の設定を行うための設定ダイヤルであり、ＡＦ領
域選択スイッチ１８とこのダイヤルにより、任意のＡＦ
領域を選んだり、カメラが自動的にＡＦ領域を選択する
自動ＡＦ領域選択を選んだりすることが出来る。

【００１８】２１は不図示のカメラ本体に装填されたフ
ィルム、２２はマイクロコンピュータ１により制御さ
れ、フィルム２１の位置を検出するためのフィルム検出
回路、２３はフィルム検出回路２２により駆動され、フ
ィルム２１の位置を検出するフォトセンサである。

【００１９】２４はマイクロコンピュータ１により制御
され、フィルム給送用モータ２５を駆動してフィルム２
１の巻き上げや巻き戻しをするためのフィルム給送回路
である。２６はマイクロコンピュータ１により制御さ
れ、露光のためにシャッタを制御するためのシャッタ制
御回路、２７はシャッタ制御回路２６により制御され、
露光を行うためのシャッタである。

【００２０】図２は、本発明を適用したカメラの光学系
を示す横断面図である。

【００２１】図２において、２８は撮影対象物からの光
を集光し撮影を行うための対物レンズ、２９は対物レン
ズ２８からの入射光線を反射する半透過性の主ミラー、
３０は対物レンズ２８の焦点位置に配置される焦点板、
３１は光線方向を変更するペンタプリズム、３２は撮影
者に対する接眼レンズ、３３は焦点検出時に動作するサ
ブミラー、３４は銀塩フィルム等のフィルム、３５は焦
点検出装置である。

【００２２】図２において、不図示の被写体からの光
は、対物レンズ２８を透過した後、主ミラー２９により
上方に反射され、焦点板３０上に像を形成する。焦点板
３０上に結像された像は、ペンタプリズム３１による複
数回の反射を経て、接眼レンズ３２を介して撮影者又は
観測者によって視認される。

【００２３】一方、対物レンズ２８から主ミラー２９に
到達した光束のうちの一部は、主ミラー２９を透過し、
サブミラー３３により下方に反射されて、焦点検出装置
３５に導かれる。

【００２４】図３は、焦点検出装置の概略構成を示す縦
断面図である。図３の焦点検出装置３５内において、３
６は対物レンズ２８の予定焦点面、すなわちフィルム面
と共役な面の近傍に配置された視野マスク、３７は同じ
く予定焦点面の近傍に配置されたフィールドレンズ、３
８は２つのレンズ３８ａ，３８ｂからなる２次結像系で
ある。

【００２５】４は図１に示した焦点検出センサ・ユニッ
トであり、焦点検出センサ・ユニット４を構成する上記
２つのセンサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂは、それぞれ２つのレン
ズ３８ａ，３８ｂに対応してその後方に配置されてい
る。３９は２つのレンズ３８ａ，３８ｂに対応して配置
された２つの開口部３９ａ，３９ｂを有する絞りであ
る。なお、４０は分割された２つの領域４０ａ，４０ｂ
を含む対物レンズ２８の射出瞳である。

【００２６】９は図１に示した外部温度検出素子であ
り、主として２次結像系レンズ３８（光学系）の温度を
測定すべく、２次結像系レンズ３８の近傍に配置されて
いる。８は図１に示した測距センサ・ユニット４の温度
を測定するための内部温度検出素子であり、測距センサ
・ユニット４のセンサ部６と同一のチップ上に形成され
ている。

【００２７】なお、フィールドレンズ３７は、対物レン
ズ２８の射出瞳４０の領域４０ａ，４０ｂに対して、絞
り３９の開口部３９ａ，３９ｂの近傍に結像させる作用
を有しており、射出瞳４０の各領域４０ａ，４０ｂを透
過した光束４１ａ，４１ｂは、２つのセンサ列Ｓ１Ａ，
Ｓ１Ｂにそれぞれ入射される。

【００２８】図３に示す焦点検出装置３５は、一般的に
位相差検出方式と呼ばれる検出方式を採用しており、こ
の検出方式の原理を図４を用いて説明する。なお、図４
は、センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂに形成された光量分布の例
であり、他のセンサ列Ｓ２ＡとＳ２Ｂ、Ｓ３ＡとＳ３
Ｂ、Ｓ４ＡとＳ４Ｂも同様の趣旨である。

【００２９】図４において、１０１は、グラフの縦軸で
あり、各センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂに入射する光量（光強
度）を表している。１０２は、グラフの横軸であり、各
センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの画素の広がりを表している。
１０７，１０８は、各センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの画素の
光強度出力（以下、像信号という）を表しており、第１
像、第２像と便宜的に呼ぶ。

【００３０】また、１０３，１０４は、各センサ列Ｓ１
Ａ，Ｓ１Ｂの広がりを示し、１０５，１０６は、各セン
サ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの中央部を示している。

【００３１】対物レンズ２８の結像点が予定焦点面と一
致しているときは、図４の（ａ）のように、第１像と第
２像の分布状態が略一致する。すなわち、第１像と第２
像のピークは、対応する各センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの中
央部１０５，１０６と一致する。

【００３２】一方、対物レンズ２８の結像点が予定焦点
面の前側（すなわち、対物レンズ２８側）にある場合
は、図４の（ｂ）のように、２つのセンサ列Ｓ１Ａ，Ｓ
１Ｂ上にそれぞれ形成される光量分布が互いに近づいた
状態となる。反対に、対物レンズ２８の結像点が予定焦
点面の後側にある場合は、図４の（ｃ）のように、２つ
のセンサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ上にそれぞれ形成される光量
分布が互いに離れた状態となる。

【００３３】しかも、２つのセンサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ上
に形成される光量分布のずれ量は、対物レンズ２８のデ
フォーカス量（すなわち、焦点ずれ量）と或る関数関係
にあるので、そのずれ量を適当な演算手段で算出するこ
とにより、対物レンズ２８の焦点ずれの方向と量を検出
することができる。そして、この検出した焦点ずれの方
向と量に応じて対物レンズ２８等のレンズ系の位置を移
動することにより、その焦点ずれ量がほぼ零となるよう
にして、自動焦点検出を行う。

【００３４】次に、温度による焦点位置の変化につい
て、図５及び図６を用いて説明する。

【００３５】図５において、１１１は、グラフの縦軸で
あり、各センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂに入射する光量（光強
度）を表している。１１２は、グラフの横軸であり、各
センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの画素の広がりを表している。
１１７，１１８は、各センサ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの画素の
光強度出力（以下、像信号という）を表しており、第１
像、第２像と便宜的に呼ぶ。

【００３６】また、１１３，１１４は、各センサ列Ｓ１
Ａ，Ｓ１Ｂの広がりを示し、１１５，１１６は、各セン
サ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの中央部を示している。なお、図５
の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、常温、低温、
高温の場合の光量分布を示している。

【００３７】図６は、常温（ここでは、２５℃とする）
の時に、第１像と第２像のピークが対応する各センサ列
Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂの中央部１０５，１０６と一致した場合
に、合焦位置に対物レンズ２８がある場合の図であり、
温度による補正を行わない場合の各温度におけるピント
のずれを実線で示し、補正後の合焦位置を破線で示して
いる。

【００３８】常温において対物レンズ２８の結像点が予
定焦点面と一致しているとき、図５の（ａ）のように、
第１像と第２像の分布状態が略一致する。このとき、図
６に示すように、温度による補正を行わなくても合焦状
態となっている。

【００３９】一方、低温においては、たとえ対物レンズ
２８の結像点が予定焦点面と一致していても、フィール
ドレンズ３７、２次結像系３８を含む焦点検出装置３５
の温度変化により、図５（ｂ）のように、２つのセンサ
列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ上にそれぞれ形成される光量分布が互
いに近づいた状態となる。

【００４０】この状態において、第１像と第２像の分布
状態が一致するように対物レンズ２８を移動させると、
図６に示すように、実際の焦点位置よりも後ピンになっ
てしまう。そこで、本実施形態では、外部温度検出素子
９により得られた温度に基づいて補正値を決定し、その
補正値に基づいて実際の合焦位置に対物レンズ２８を移
動させるように補正を行っている。なお、具体的な温度
補正の補正方法については、特公平８−３３５１１号公
報等で公知の技術であるため、説明は省略する。

【００４１】反対に、高温においては、たとえ対物レン
ズ２８の結像点が予定焦点面と一致していても、フィー
ルドレンズ３７、２次結像系３８を含む焦点検出装置３
５の温度変化により、図５（ｃ）のように、２つのセン
サ列Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ上にそれぞれ形成される光量分布が
互いに離れた状態となる。

【００４２】この状態において、第１像と第２像の分布
状態が一致するように対物レンズ２８を移動させると、
図６に示すように、実際の焦点位置よりも前ピンになっ
てしまう。そこで、外部温度検出素子９により得られた
温度に基づいて補正値を決定し、その補正値に基づいて
実際の合焦位置に対物レンズ２８を移動させるように補
正を行っている。

【００４３】このように、フィールドレンズ３７、２次
結像系３８を含む焦点検出装置３５の温度変化により発
生する実際の合焦位置とのずれを、外部温度検出素子９
により検出した光学系の温度に基づいて補正するように
している。

【００４４】図７は、測距センサ（センサ部６）を遮光
して一定時間の電荷蓄積動作を行った場合の像信号出力
を示す図であり、図７の（ａ）は、センサ部６が常温
（約２５℃）の場合の像信号出力を示し、図７の（ｂ）
は、センサ部６が高温（約４５℃）の場合の像信号出力
を示している。

【００４５】図７の（ａ）、（ｂ）に示したように、セ
ンサ部６の温度変化により、その像信号出力が変化する
のは、センサ部６の温度変化により、センサ部６に流れ
る暗電流が変化するためであると考えられる。

【００４６】そこで、マイクロコンピュータ１は、測距
センサ・ユニット４の内部に配置された内部温度検出素
子８及び温度検出回路１０によりセンサ部６の温度を検
出し、像信号を検出温度に応じて補正し、その補正した
像信号に基づいて測距演算を行っている。具体的な補正
方法については、特開平１０−１３７４９号公報等に開
示されているので、説明は省略する。

【００４７】このように、測距センサ（センサ部６）が
設けられたチップ上に設けられた内部温度検出素子８に
より検出した温度に基づいて、測距センサ（センサ部
６）に流れる暗電流の温度による変化に伴う像信号の変
化を補正し、その補正値に基づいて測距演算を行うとと
もに、測距光学系を含む測距装置３５の温度を検出する
外部温度検出素子９により検出された温度に基づいて、
測距光学系の温度変化に応じた合焦制御量の補正を行う
ようにすることで、測距センサと測距光学系に温度の違
いが発生しても、正確に測距を行うようにしている。

【００４８】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
ることなく、例えば、測距センサと温度センサは、同一
のチップ上に設けているが、温度センサの種類によって
は、温度センサを測距センサに貼り付けるなど、別の形
態で温度センサを測距センサの近傍に配置してもよい。

【００４９】また、上記実施形態では、内部温度検出素
子と外部温度検出素子とで１つの温度検出回路を共用し
て測距センサと光学系の温度検出処理を行っているが、
それぞれ独立した温度検出回路を用いて測距センサと光
学系の温度検出処理を行ってもよい。

【００５０】なお、本実施例では銀塩フィルムを使用す
るカメラを用いて説明したが、銀塩フィルムの代わり
に、CCD等の撮像素子を用いたディジタルカメラでも同
様である。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
測距センサの温度と測距光学系の温度とを個別に検出
し、前記測距センサの検出温度に基づいて該測距センサ
上に発生する暗電流の温度による変化に伴う該測距セン
サの出力変化を補正し、前記測距光学系の検出温度に基
づいて該測距光学系の温度変化に応じた合焦制御量の補
正を行っているので、測距センサと測距光学系に温度差
が生じても正確に測距することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したカメラの電気的な概略構成を
示すブロック図である。

【図２】上記カメラの光学系の概略構成を示す横断面図
である。

【図３】焦点検出装置の概略構成を示す縦断面図であ
る。

【図４】測距センサに入射する光の光量分布を説明する
ための図である。

【図５】温度が変化した場合の測距センサに入射する光
の光量分布を説明するための図である。

【図６】温度が変化した際の合焦位置及び温度補正を説
明するための図である。

【図７】温度が変化した際の暗電流の変化に伴う像信号
出力の変化を説明するための図である。

【図８】センサ部と測距光学系の温度変化を示す図であ
る。

【符号の説明】

１：マイクロコンピュータ３：ＥＥＰＲＯＭ４：焦点検出センサ・ユニット（測距センサ・ユニッ
ト）６：センサ部８：内部温度検出素子９：外部温度検出素子１０：温度検出回路３５：焦点検出装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】測距センサの温度を検出する第１の温度
検出手段と、測距光学系の温度を検出する第２の温度検出手段と、前記測距センサ上に発生する暗電流の温度による変化に
伴う該測距センサの出力変化を補正する第１の補正手段
と、前記測距光学系の温度変化に応じて合焦制御量を補正す
る第２の補正手段とを有し、前記第１の温度検出手段により検出された温度に基づい
て前記第１の補正手段による補正を行い、前期第２の温
度検出手段により検出された温度に基づいて前記第２の
補正手段による補正を行うことを特徴とする測距装置。
【請求項２】前記第１の温度検出手段は温度検出セン
サを含み、該温度検出センサは、前記測距センサと同一
のチップ上に形成されたことを特徴とする請求項１記載
の測距装置。
【請求項３】前記第２の温度検出手段は温度検出セン
サを含み、該温度検出センサは、前記測距光学系上、又
は該測距光学系の近傍に配置されたことを特徴とする請
求項１又は２記載の測距装置。
【請求項４】前記第１の温度検出手段と前記第２の温
度検出手段は、１つの温度検出処理手段を共用して温度
検出処理を行うことを特徴とする請求項１〜３の何れか
に記載の測距装置。
【請求項５】前記測距装置は、位相差検出方式の焦点
検出装置に搭載されたことを特徴とする請求項１〜４の
何れかに記載の測距装置。
【請求項６】測距センサの温度を検出する第１の温度
検出工程と、測距光学系の温度を検出する第２の温度検出工程と、前記測距センサ上に発生する暗電流の温度による変化に
伴う該測距センサの出力変化を補正する第１の補正工程
と、前記測距光学系の温度変化に応じて合焦制御量を補正す
る第２の補正工程とを有し、前記第１の温度検出工程により検出された温度に基づい
て前記第１の補正工程による補正を行い、前期第２の温
度検出工程により検出された温度に基づいて前記第２の
補正工程による補正を行うことを特徴とする測距方法。
【請求項７】前記第１の温度検出工程は温度検出セン
サを使用し、該温度検出センサは、前記測距センサと同
一のチップ上に形成されたことを特徴とする請求項６記
載の測距方法。
【請求項８】前記第２の温度検出工程は温度検出セン
サを使用し、該温度検出センサは、前記測距光学系上、
又は該測距光学系の近傍に配置されたことを特徴とする
請求項６又は７記載の測距方法。
【請求項９】前記第１の温度検出工程と前記第２の温
度検出工程は、１つの温度検出処理工程を共用して温度
検出処理を行うことを特徴とする請求項６〜８の何れか
に記載の測距方法。
【請求項１０】前記測距装置は、位相差検出方式の焦
点検出装置に搭載されたことを特徴とする請求項６〜９
の何れかに記載の測距装置。
【請求項１１】測距センサの温度と測距光学系の温度
とを個別に検出し、前記測距センサの検出温度に基づいて該測距センサ上に
発生する暗電流の温度による変化に伴う該測距センサの
出力変化を補正し、前記測距光学系の検出温度に基づい
て該測距光学系の温度変化に応じた合焦制御量の補正を
行う内容を有することを特徴とする制御プログラム。