JP3024532B2 - 熱型赤外線撮像装置 - Google Patents
熱型赤外線撮像装置Info
- Publication number
- JP3024532B2 JP3024532B2 JP7327732A JP32773295A JP3024532B2 JP 3024532 B2 JP3024532 B2 JP 3024532B2 JP 7327732 A JP7327732 A JP 7327732A JP 32773295 A JP32773295 A JP 32773295A JP 3024532 B2 JP3024532 B2 JP 3024532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- average value
- displacement
- drift
- pixels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線撮像素子の駆動
装置に関し、特に、入射赤外線を熱の形でとらえる熱型
赤外線撮像素子の駆動装置に関し、更に詳しくは、複数
の画素のＤＣレベルが時間と共に変化する、いわゆるド
リフトの補正に関するものである。
装置に関し、特に、入射赤外線を熱の形でとらえる熱型
赤外線撮像素子の駆動装置に関し、更に詳しくは、複数
の画素のＤＣレベルが時間と共に変化する、いわゆるド
リフトの補正に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、本発明者の先願発明である本
出願と同一出願人の出願に係る特願平７−７５２６４号
明細書に記載の発明に改良を加えるものである。
出願と同一出願人の出願に係る特願平７−７５２６４号
明細書に記載の発明に改良を加えるものである。
【０００３】上記先願の熱型赤外線撮像素子は、図７に
一例を示すように、半導体基板７００とその基板表面に
走査回路７０１を持ち、その上に入射赤外線を電気信号
に変換する受光部を持つ。この回路及び受光部は、二次
元の赤外線像が得られるように、複数の画素、即ち熱電
変換素子を集積化している。受光部は赤外線を吸収する
赤外線吸収層と、熱の逃げを防ぐダイヤフラム、熱を電
気信号に変換する熱電変換素子からなる。ダイヤフラム
はその下層をエッチングで取り除くことによって、宙に
浮いた膜状の構造を形成する。熱電変換素子は、この例
では温度によってその電気抵抗値が変化するボロメータ
７０７を用いており、ボロメータとしてチタンを用いて
いる。各画素に入射した赤外線は、各画素の赤外線吸収
層に吸収され、各画素のダイヤフラムの温度を上昇させ
る。この温度上昇はチタンボロメータ７０７によって電
気信号に変換され、基板上の回路を通じて順次外部に読
み出される。
一例を示すように、半導体基板７００とその基板表面に
走査回路７０１を持ち、その上に入射赤外線を電気信号
に変換する受光部を持つ。この回路及び受光部は、二次
元の赤外線像が得られるように、複数の画素、即ち熱電
変換素子を集積化している。受光部は赤外線を吸収する
赤外線吸収層と、熱の逃げを防ぐダイヤフラム、熱を電
気信号に変換する熱電変換素子からなる。ダイヤフラム
はその下層をエッチングで取り除くことによって、宙に
浮いた膜状の構造を形成する。熱電変換素子は、この例
では温度によってその電気抵抗値が変化するボロメータ
７０７を用いており、ボロメータとしてチタンを用いて
いる。各画素に入射した赤外線は、各画素の赤外線吸収
層に吸収され、各画素のダイヤフラムの温度を上昇させ
る。この温度上昇はチタンボロメータ７０７によって電
気信号に変換され、基板上の回路を通じて順次外部に読
み出される。
【０００４】一般に、赤外線撮像素子では熱型、量子型
（半導体を利用した光電効果型）を問わず、各画素の検
出器のばらつきなどに起因する、バイアスレベルのばら
つきが存在する。これを固定パターンノイズ（ＦＰＮ）
と称し、通常補正回路で補正を行っている。この一例と
して上記先願発明に記載されているように、バイアスレ
ベルのばらつき量を保持するメモリを設けて、固定パタ
ーンノイズを補正している。
（半導体を利用した光電効果型）を問わず、各画素の検
出器のばらつきなどに起因する、バイアスレベルのばら
つきが存在する。これを固定パターンノイズ（ＦＰＮ）
と称し、通常補正回路で補正を行っている。この一例と
して上記先願発明に記載されているように、バイアスレ
ベルのばらつき量を保持するメモリを設けて、固定パタ
ーンノイズを補正している。
【０００５】さらに量子型熱型赤外線撮像装置では、図
９に示すように、赤外線入力エネルギーと検出器出力の
関係が、画素によって異なるいわゆる感度ばらつきがあ
る。このような状態で被写体の背景温度が変化するなど
して、画面全体の赤外線入力エネルギーが変化すると、
たとえ図９のｘ0 で固定パターンノイズを除去しても、
感度ばらつきによって再びΔｙ1 に相当する固定パター
ンノイズが現れてしまう。この対策として図８に示すよ
うなゲイン補正回路の構成を設けて、あらかじめ感度ば
らつきΔｙ2 ／ｙ2 を感度差分メモリに保持しておき、
検出器出力ｙ1に対してΔｙ1 ＝ｙ1 ・Δｙ2 ／ｙ2 の
計算を行い、それをｙ1 に加算することでこのような感
度ばらつきによる固定パターンノイズを補正している
（例えば特開平２−１０７０７４号公報参照）。
９に示すように、赤外線入力エネルギーと検出器出力の
関係が、画素によって異なるいわゆる感度ばらつきがあ
る。このような状態で被写体の背景温度が変化するなど
して、画面全体の赤外線入力エネルギーが変化すると、
たとえ図９のｘ0 で固定パターンノイズを除去しても、
感度ばらつきによって再びΔｙ1 に相当する固定パター
ンノイズが現れてしまう。この対策として図８に示すよ
うなゲイン補正回路の構成を設けて、あらかじめ感度ば
らつきΔｙ2 ／ｙ2 を感度差分メモリに保持しておき、
検出器出力ｙ1に対してΔｙ1 ＝ｙ1 ・Δｙ2 ／ｙ2 の
計算を行い、それをｙ1 に加算することでこのような感
度ばらつきによる固定パターンノイズを補正している
（例えば特開平２−１０７０７４号公報参照）。
【０００６】さらに熱型赤外線検出器では、例えば特開
平７−１９３７５２号公報に示すように、入射赤外線に
感じない画素いわゆるオプティカルブラック（ＯＢ）を
設けて、信号の基準レベルにする例が提案されている。
平７−１９３７５２号公報に示すように、入射赤外線に
感じない画素いわゆるオプティカルブラック（ＯＢ）を
設けて、信号の基準レベルにする例が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、叙上の
従来技術には下記に示す如き欠点があった。
従来技術には下記に示す如き欠点があった。
【０００８】図７のようなボロメータを用いた熱型赤外
線検出器では、デバイスの温度が変化した場合に、その
温度変化はそのまま信号となってしまうという、ボロメ
ータ型特有の問題がある。しかも各画素の感度ばらつき
に応じてその変化量が異なるために、ある時点で固定パ
ターンノイズ（以下ＦＰＮと略記する）を除去しても温
度変化によってＦＰＮが再び現れてしまう。感度ばらつ
きは、ボロメータの温度係数のばらつき、抵抗値自体の
ばらつき等に起因しており小さくない。
線検出器では、デバイスの温度が変化した場合に、その
温度変化はそのまま信号となってしまうという、ボロメ
ータ型特有の問題がある。しかも各画素の感度ばらつき
に応じてその変化量が異なるために、ある時点で固定パ
ターンノイズ（以下ＦＰＮと略記する）を除去しても温
度変化によってＦＰＮが再び現れてしまう。感度ばらつ
きは、ボロメータの温度係数のばらつき、抵抗値自体の
ばらつき等に起因しており小さくない。
【０００９】例えば、対象物の温度変化に対するダイヤ
フラムの温度変化は微小なために、デバイス１℃の変化
で対象物が５００℃程度変化したのに相当する信号変化
がある。各画素の感度ばらつきを５％として、対象物換
算２５℃程度のＦＰＮとなってしまう。デバイスの温度
変化は、何も温度コントロールをしない場合には、電源
投入直後で数℃、安定後でも１℃程度の変化がある。
フラムの温度変化は微小なために、デバイス１℃の変化
で対象物が５００℃程度変化したのに相当する信号変化
がある。各画素の感度ばらつきを５％として、対象物換
算２５℃程度のＦＰＮとなってしまう。デバイスの温度
変化は、何も温度コントロールをしない場合には、電源
投入直後で数℃、安定後でも１℃程度の変化がある。
【００１０】これに対して従来量子型赤外線検出器で行
われているような、感度ばらつきを考慮したＦＰＮ補正
を適用する場合には次のような問題がある。
われているような、感度ばらつきを考慮したＦＰＮ補正
を適用する場合には次のような問題がある。
【００１１】熱型赤外線検出器は、一般に感度が小さい
ために大きな信号増幅を行う必要があるが、これを行う
増幅器のドリフトが信号レベルに対して無視できないた
めに、信号の絶対レベルを測定することができない。つ
まり画素間の相対レベルしかわからないことになる。
ために大きな信号増幅を行う必要があるが、これを行う
増幅器のドリフトが信号レベルに対して無視できないた
めに、信号の絶対レベルを測定することができない。つ
まり画素間の相対レベルしかわからないことになる。
【００１２】さらに、信号の基準レベルとなるべき入射
赤外線に対して感度を有しない参照画素、即ち、オプテ
ィカルブラック（以下ＯＢと略記する）も、有効画素と
同様にデバイスの温度変化の影響を受けてしまう。
赤外線に対して感度を有しない参照画素、即ち、オプテ
ィカルブラック（以下ＯＢと略記する）も、有効画素と
同様にデバイスの温度変化の影響を受けてしまう。
【００１３】つまり、熱型赤外線検出器は、データ処理
をする上で基準となるレベルが存在せず、従来技術の延
長では感度ばらつきにより発生するＦＰＮの補正はでき
ない。
をする上で基準となるレベルが存在せず、従来技術の延
長では感度ばらつきにより発生するＦＰＮの補正はでき
ない。
【００１４】赤外線撮像装置の赤外線検出器は温度の変
化によりＯＢ画素及び有効画素にばらつきが生じ、この
ばらつきの量は装置の温度変化を反映している。
化によりＯＢ画素及び有効画素にばらつきが生じ、この
ばらつきの量は装置の温度変化を反映している。
【００１５】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、赤外線検出器のＯ
Ｂ画素の温度によるばらつきを使用して有効画素の温度
によるばらつきを補正することにより、従来の技術に内
在する上記諸欠点を解消することを可能とした新規な熱
型赤外線撮像装置を提供することにある。
ものであり、従って本発明の目的は、赤外線検出器のＯ
Ｂ画素の温度によるばらつきを使用して有効画素の温度
によるばらつきを補正することにより、従来の技術に内
在する上記諸欠点を解消することを可能とした新規な熱
型赤外線撮像装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る熱型赤外線撮像装置は、入射赤外線に
対して感度を持たない複数の参照画素いわゆるオプティ
カルブラックと複数の有効画素と、各画素のドリフトの
係数を蓄えるメモリと、ドリフト補正手段とを持ち、前
記複数の参照画素のばらつき量をもとに、前記有効画素
のドリフト量を補正することを特徴としている。
に、本発明に係る熱型赤外線撮像装置は、入射赤外線に
対して感度を持たない複数の参照画素いわゆるオプティ
カルブラックと複数の有効画素と、各画素のドリフトの
係数を蓄えるメモリと、ドリフト補正手段とを持ち、前
記複数の参照画素のばらつき量をもとに、前記有効画素
のドリフト量を補正することを特徴としている。
【００１７】本発明はまた、前記複数の参照画素の出力
レベルの平均を求める手段と、その平均からの各画素の
変位を求める手段を持っている。
レベルの平均を求める手段と、その平均からの各画素の
変位を求める手段を持っている。
【００１８】本発明はまた、前記各参照画素の変位の絶
対値の平均を求める手段を持っている。
対値の平均を求める手段を持っている。
【００１９】さらに本発明は、初期設定時に求めた前記
各参照画素の変位の絶対値の平均を記憶するメモリを持
っている。
各参照画素の変位の絶対値の平均を記憶するメモリを持
っている。
【００２０】さらに本発明はまた、初期設定時に求めた
前記各有効画素の変位を記憶するメモリを持っている。
前記各有効画素の変位を記憶するメモリを持っている。
【００２１】さらに本発明はまた、リアルタイムでやっ
てくる前記各参照画素の変位の絶対値の平均を初期設定
時に求めた前記各参照画素の変位の絶対値の平均で除算
する手段を持っている。
てくる前記各参照画素の変位の絶対値の平均を初期設定
時に求めた前記各参照画素の変位の絶対値の平均で除算
する手段を持っている。
【００２２】さらに本発明は、前記除算結果と前記初期
設定時に求めた各有効画素の変位を乗算する手段と、得
られた各乗算結果を各有効画素から減算する手段をもっ
ている。
設定時に求めた各有効画素の変位を乗算する手段と、得
られた各乗算結果を各有効画素から減算する手段をもっ
ている。
【００２３】本発明に係る熱型赤外線撮像装置は、換言
すれば、初期設定時には、入射赤外線を遮断し、ＦＰＮ
補正後にデバイスの温度を変化させて入射赤外線に対し
て感度を有しない複数の参照画素の出力レベルの平均値
をＯＢ画素平均値算出回路により算出し、前記参照画素
及び複数の有効画素を含む全画素信号から参照画素の前
記出力レベル平均値を第１の演算器により減じて前記全
画素についてドリフト係数を求め、そのうち前記参照画
素については参照画素のドリフト係数の平均値を算出
し、通常動作時には、前記参照画素の出力レベルの平均
値を算出し、リアルタイムで到来する参照画素信号の前
記参照画素出力レベルの平均値からの変位を前記第１の
演算器により求め、前記参照画素の変位の平均値をＯＢ
変位の平均値算出回路により算出し、第２の演算器によ
り前記参照画素の変位の平均値を初期設定時に求めた前
記参照画素のドリフト係数の平均値で除算し、次に該除
算結果に全有効画素について求めた前記有効画素ドリフ
ト係数を第３の演算器により乗算し、リアルタイムで到
来する前記有効画素信号から第４の演算器により前記乗
算結果を減算することを特徴としている。
すれば、初期設定時には、入射赤外線を遮断し、ＦＰＮ
補正後にデバイスの温度を変化させて入射赤外線に対し
て感度を有しない複数の参照画素の出力レベルの平均値
をＯＢ画素平均値算出回路により算出し、前記参照画素
及び複数の有効画素を含む全画素信号から参照画素の前
記出力レベル平均値を第１の演算器により減じて前記全
画素についてドリフト係数を求め、そのうち前記参照画
素については参照画素のドリフト係数の平均値を算出
し、通常動作時には、前記参照画素の出力レベルの平均
値を算出し、リアルタイムで到来する参照画素信号の前
記参照画素出力レベルの平均値からの変位を前記第１の
演算器により求め、前記参照画素の変位の平均値をＯＢ
変位の平均値算出回路により算出し、第２の演算器によ
り前記参照画素の変位の平均値を初期設定時に求めた前
記参照画素のドリフト係数の平均値で除算し、次に該除
算結果に全有効画素について求めた前記有効画素ドリフ
ト係数を第３の演算器により乗算し、リアルタイムで到
来する前記有効画素信号から第４の演算器により前記乗
算結果を減算することを特徴としている。
【００２４】
【作用】ドリフトとは、前述したように各画素のＤＣレ
ベルが時間と共に変動する現象であり、全画素で変動量
が同じであれば、ＯＢなどの参照画素のレベルを基準に
することでドリフトを除去することができる。しかしな
がら、ボロメータを使用した熱型赤外線センサでは、前
述したように画素間の感度ばらつきによって各画素のド
リフト量が異なるために、単純にＯＢを基準にすること
はできない。
ベルが時間と共に変動する現象であり、全画素で変動量
が同じであれば、ＯＢなどの参照画素のレベルを基準に
することでドリフトを除去することができる。しかしな
がら、ボロメータを使用した熱型赤外線センサでは、前
述したように画素間の感度ばらつきによって各画素のド
リフト量が異なるために、単純にＯＢを基準にすること
はできない。
【００２５】ドリフトは周囲温度の変動に起因してお
り、変動は温度に対してほぼリニアである。つまり画素
によって変動量は異なるが、仮にある温度変化ΔＴで画
素ｉに変動量Δｖi があった場合には、２倍の温度変化
２ΔＴで、２倍の変動量２Δｖi があることになる。つ
まり、ある温度変化における各画素の変動量いわゆるド
リフト係数と温度変化量がわかれば、それを引くことに
よってもとのばらつきの無い画面に戻すことができる。
参照画素いわゆるＯＢは、入射赤外線を遮断している。
複数のＯＢ間のばらつきは、温度変化を反映しており、
このＯＢのばらつきを測ることで温度変化が推定でき
る。
り、変動は温度に対してほぼリニアである。つまり画素
によって変動量は異なるが、仮にある温度変化ΔＴで画
素ｉに変動量Δｖi があった場合には、２倍の温度変化
２ΔＴで、２倍の変動量２Δｖi があることになる。つ
まり、ある温度変化における各画素の変動量いわゆるド
リフト係数と温度変化量がわかれば、それを引くことに
よってもとのばらつきの無い画面に戻すことができる。
参照画素いわゆるＯＢは、入射赤外線を遮断している。
複数のＯＢ間のばらつきは、温度変化を反映しており、
このＯＢのばらつきを測ることで温度変化が推定でき
る。
【００２６】
【実施例】次に本発明をその好ましい各実施例について
図面を参照しながら具体的に説明する。
図面を参照しながら具体的に説明する。
【００２７】図１は本発明に係る熱型赤外線撮像装置の
第１の実施例を示すブロック構成図である。
第１の実施例を示すブロック構成図である。
【００２８】図１を参照するに、赤外線検出器１０１
は、従来のチタンボロメータ型赤外線検出器の一部に、
入射赤外光に対して感度を有しない参照画素、即ちＯＢ
画素を設けたものである。ＯＢ画素は、ここではパッケ
ージ上に入射赤外線を遮る遮蔽板を設けて実現してい
る。ＯＢ画素は、図６に示すように読み出しの先頭画素
が望ましい。各行に１個あれば良いが、万一欠陥となっ
た時の予備として数列形成しておくこともできる。パッ
ケージに遮蔽板を設ける方法は、デバイス自体になにも
変更しない点で有利であり、入射赤外線を遮蔽している
以外ＯＢ画素と有効画素の構造上の違いがないために、
入射赤外線以外の擾乱の影響を最小限にすることができ
る。
は、従来のチタンボロメータ型赤外線検出器の一部に、
入射赤外光に対して感度を有しない参照画素、即ちＯＢ
画素を設けたものである。ＯＢ画素は、ここではパッケ
ージ上に入射赤外線を遮る遮蔽板を設けて実現してい
る。ＯＢ画素は、図６に示すように読み出しの先頭画素
が望ましい。各行に１個あれば良いが、万一欠陥となっ
た時の予備として数列形成しておくこともできる。パッ
ケージに遮蔽板を設ける方法は、デバイス自体になにも
変更しない点で有利であり、入射赤外線を遮蔽している
以外ＯＢ画素と有効画素の構造上の違いがないために、
入射赤外線以外の擾乱の影響を最小限にすることができ
る。
【００２９】１０２はアナログのＦＰＮ補正回路であ
り、このＦＰＮ補正回路１０２によりある程度ＦＰＮを
除去して、Ａ／Ｄ変換器１０４のダイナミックレンジの
範囲内に各画素のレベルが入るようにしている。１０５
はディジタルＦＰＮ補正回路であり、アナログＦＰＮ補
正回路１０２で取りきれなかったＦＰＮを除去してばら
つきの無視できる画面にする。
り、このＦＰＮ補正回路１０２によりある程度ＦＰＮを
除去して、Ａ／Ｄ変換器１０４のダイナミックレンジの
範囲内に各画素のレベルが入るようにしている。１０５
はディジタルＦＰＮ補正回路であり、アナログＦＰＮ補
正回路１０２で取りきれなかったＦＰＮを除去してばら
つきの無視できる画面にする。
【００３０】本発明ではさらに、ドリフト補正回路１１
７を有している。このドリフト補正回路１１７はさらに
幾つかのブロックからなっており、図２（ａ）、（ｂ）
の動作を表す図及び図４のフローチャートを併用して説
明する。図２（ａ）、（ｂ）はＯＢ画素群と有効画素群
それぞれの検出器出力の変化を、デバイス温度Ｔｄを関
数として表したものである。ＦＰＮ補正直後は、ＯＢ画
素群も有効画素群も検出器の出力は揃っている。デバイ
スが温度変化すると検出器出力は変化し、各画素の感度
ばらつきに応じて出力のばらつきが発生する。各画素の
感度はリニアであるために、信号のばらつき量もリニア
で増加していく。
７を有している。このドリフト補正回路１１７はさらに
幾つかのブロックからなっており、図２（ａ）、（ｂ）
の動作を表す図及び図４のフローチャートを併用して説
明する。図２（ａ）、（ｂ）はＯＢ画素群と有効画素群
それぞれの検出器出力の変化を、デバイス温度Ｔｄを関
数として表したものである。ＦＰＮ補正直後は、ＯＢ画
素群も有効画素群も検出器の出力は揃っている。デバイ
スが温度変化すると検出器出力は変化し、各画素の感度
ばらつきに応じて出力のばらつきが発生する。各画素の
感度はリニアであるために、信号のばらつき量もリニア
で増加していく。
【００３１】ここで初期設定として、入射赤外線を遮断
した状態でデバイス温度を変化させる。この変化は、ペ
ルチェ素子などによって変えても良いし、電源投入後の
デバイス温度の自然な変化を利用しても良い。変化させ
る温度は問題ではなく、ドリフト係数を取得するための
有効なビット数のばらつきが起きれば良い。ある程度ば
らつきが発生したところで、ＯＢ画素、有効画素を含め
た全ての画素のドリフト係数を取得する。これはＯＢ平
均値算出回路１１０で全ＯＢ画素の出力レベルの平均値
［ｖOB］を求め、減算器１１１でＯＢ画素及び有効画素
を含む各画素から［ｖOB］を引いた結果Δｖi0をドリフ
ト係数メモリ１１６のＯＢ部に蓄える。このΔｖi0が画
素ｉのドリフト係数となる。ＯＢ画素のドリフト係数
は、特にΔｖi0，OBと呼ぶことにする。有効画素のドリ
フト係数はΔｖi0である。有効画素のドリフト係数Δｖ
i0もＯＢ画素と同様にして求められ、ドリフト係数メモ
リ１１６の有効画素部に蓄積される。ドリフト係数の取
得は、ランダムノイズの影響を減らすために、何フレー
ムかにわたって行った結果を平均化した方がよい。ＯＢ
部ドリフト係数の平均値レジスタ１１３には、各ＯＢ画
素のドリフト係数Δｖi0，OBの絶対値を平均化した値
［Δｖi0,OB ］を格納する。
した状態でデバイス温度を変化させる。この変化は、ペ
ルチェ素子などによって変えても良いし、電源投入後の
デバイス温度の自然な変化を利用しても良い。変化させ
る温度は問題ではなく、ドリフト係数を取得するための
有効なビット数のばらつきが起きれば良い。ある程度ば
らつきが発生したところで、ＯＢ画素、有効画素を含め
た全ての画素のドリフト係数を取得する。これはＯＢ平
均値算出回路１１０で全ＯＢ画素の出力レベルの平均値
［ｖOB］を求め、減算器１１１でＯＢ画素及び有効画素
を含む各画素から［ｖOB］を引いた結果Δｖi0をドリフ
ト係数メモリ１１６のＯＢ部に蓄える。このΔｖi0が画
素ｉのドリフト係数となる。ＯＢ画素のドリフト係数
は、特にΔｖi0，OBと呼ぶことにする。有効画素のドリ
フト係数はΔｖi0である。有効画素のドリフト係数Δｖ
i0もＯＢ画素と同様にして求められ、ドリフト係数メモ
リ１１６の有効画素部に蓄積される。ドリフト係数の取
得は、ランダムノイズの影響を減らすために、何フレー
ムかにわたって行った結果を平均化した方がよい。ＯＢ
部ドリフト係数の平均値レジスタ１１３には、各ＯＢ画
素のドリフト係数Δｖi0，OBの絶対値を平均化した値
［Δｖi0,OB ］を格納する。
【００３２】つまりＯＢ画素数をＮOBとして下記［数
１］により
１］により
【数１】
【００３３】
【００３４】を計算してＯＢ部ドリフト係数の平均値レ
ジスタ１１３に蓄える。この計算には、図１の破線にて
示すようにＯＢ変位の平均値算出回路１１２を使用して
も良いし、外部の演算装置等を使用しても良い。
ジスタ１１３に蓄える。この計算には、図１の破線にて
示すようにＯＢ変位の平均値算出回路１１２を使用して
も良いし、外部の演算装置等を使用しても良い。
【００３５】以上が入射光をカットした状態での初期設
定であり、通常の動作は次のように行う。先ほどと同様
にＯＢ平均値算出回路１１０によりその時のＯＢ画素の
出力レベルの平均値［ｖOB］を求め、ＯＢ変位の平均値
算出回路１１２によりＯＢ画素の出力レベル平均値［ｖ
OB］からの変位の絶対値の平均値［Δｖi,OB］を求め
る。この値はＯＢ画素のばらつき量を表しており、デバ
イス温度を反映している。つまり、前記ＯＢ画素の変位
の絶対値はドリフトに応じて刻々と変化している。ＯＢ
部ドリフト係数の平均値レジスタ１１３には初期設定で
取得したＯＢ画素のドリフト係数Δｖi0,OB の絶対値の
平均値［Δｖi0,OB ］が格納されており、除算器１１４
によってｘd ＝［Δｖi,OB］／［Δｖi0,OB ］を求め
る。この値ｘd は、初期設定時に対して現在デバイス温
度がどのレベルにあるかを示しており、この値ｘd に初
期設定で取得した有効画素のドリフト係数を乗算器１１
５によって掛けることで、有効画素のドリフト量が推定
できる。有効画素は、通常入射赤外線を受けているため
に、この様な推定によらざるを得ない。この各有効画素
の推定ドリフト量を、各有効画素から減算器１０７によ
り減算することで、ドリフトの補正は完了する。
定であり、通常の動作は次のように行う。先ほどと同様
にＯＢ平均値算出回路１１０によりその時のＯＢ画素の
出力レベルの平均値［ｖOB］を求め、ＯＢ変位の平均値
算出回路１１２によりＯＢ画素の出力レベル平均値［ｖ
OB］からの変位の絶対値の平均値［Δｖi,OB］を求め
る。この値はＯＢ画素のばらつき量を表しており、デバ
イス温度を反映している。つまり、前記ＯＢ画素の変位
の絶対値はドリフトに応じて刻々と変化している。ＯＢ
部ドリフト係数の平均値レジスタ１１３には初期設定で
取得したＯＢ画素のドリフト係数Δｖi0,OB の絶対値の
平均値［Δｖi0,OB ］が格納されており、除算器１１４
によってｘd ＝［Δｖi,OB］／［Δｖi0,OB ］を求め
る。この値ｘd は、初期設定時に対して現在デバイス温
度がどのレベルにあるかを示しており、この値ｘd に初
期設定で取得した有効画素のドリフト係数を乗算器１１
５によって掛けることで、有効画素のドリフト量が推定
できる。有効画素は、通常入射赤外線を受けているため
に、この様な推定によらざるを得ない。この各有効画素
の推定ドリフト量を、各有効画素から減算器１０７によ
り減算することで、ドリフトの補正は完了する。
【００３６】この補正の頻度は、ドリフトのレベル及び
時定数にもよるが、数フレームに１回行えばよい。スキ
ャンコンバータ１０８は、赤外線検出器１０１の動作タ
イミングとＮＴＳＣ出力のタイミングを合わせる目的で
使用される。Ｄ／Ａ変換器１０９及びその他の回路によ
ってＮＴＳＣコンポジット信号を出力する。
時定数にもよるが、数フレームに１回行えばよい。スキ
ャンコンバータ１０８は、赤外線検出器１０１の動作タ
イミングとＮＴＳＣ出力のタイミングを合わせる目的で
使用される。Ｄ／Ａ変換器１０９及びその他の回路によ
ってＮＴＳＣコンポジット信号を出力する。
【００３７】駆動回路１１８は、赤外線検出器１０１を
動かすためのクロック等のパルスを印加する。１１９は
赤外線検出器１０１のデバイス温度を一定に保つペルチ
ェ素子であり、１２０はそのコントローラである。温度
コントロールは、通常１００ｍＫ程度の揺らぎがあり、
かつデバイス以外の増幅器等の揺らぎもあるために、ド
リフトが無くなることはないが、ドリフトはかなり軽減
される。これによってドリフト補正回路１１７のダイナ
ミックレンジの設計に、余裕ができる。同じ目的で、図
１の回路全体、または一部を恒温槽等の温度コントロー
ルされた中に入れることも可能である。
動かすためのクロック等のパルスを印加する。１１９は
赤外線検出器１０１のデバイス温度を一定に保つペルチ
ェ素子であり、１２０はそのコントローラである。温度
コントロールは、通常１００ｍＫ程度の揺らぎがあり、
かつデバイス以外の増幅器等の揺らぎもあるために、ド
リフトが無くなることはないが、ドリフトはかなり軽減
される。これによってドリフト補正回路１１７のダイナ
ミックレンジの設計に、余裕ができる。同じ目的で、図
１の回路全体、または一部を恒温槽等の温度コントロー
ルされた中に入れることも可能である。
【００３８】図３は、図１に示されたドリフト補正回路
１１７をより具体的に示したブロック構成図である。
１１７をより具体的に示したブロック構成図である。
【００３９】図３を参照するに、赤外線検出器１０１は
１２８×１２８程度の２次元センサを仮定しており、各
行に１個づつ、合わせて１２８個のＯＢ画素を仮定して
いる。信号の分解能は、１４ｂｉｔを仮定している。Ｏ
Ｂ平均値算出回路１１０は、ＡＤＤＥＲ３０１、ラッチ
３０２、ＲＡＭ３０３、ＯＢ部分のタイミング発生器３
０４から構成される。ＯＢ部分のタイミング発生器３０
４によって各回路をコントロールして、１２８個のＯＢ
の合計を求め、その上位１４ｂｉｔを使うことで１２８
で割られることになり、ＯＢの平均値が求められる。そ
の値は、ＲＡＭ３０３に記憶される。
１２８×１２８程度の２次元センサを仮定しており、各
行に１個づつ、合わせて１２８個のＯＢ画素を仮定して
いる。信号の分解能は、１４ｂｉｔを仮定している。Ｏ
Ｂ平均値算出回路１１０は、ＡＤＤＥＲ３０１、ラッチ
３０２、ＲＡＭ３０３、ＯＢ部分のタイミング発生器３
０４から構成される。ＯＢ部分のタイミング発生器３０
４によって各回路をコントロールして、１２８個のＯＢ
の合計を求め、その上位１４ｂｉｔを使うことで１２８
で割られることになり、ＯＢの平均値が求められる。そ
の値は、ＲＡＭ３０３に記憶される。
【００４０】減算回路１１１の出力には、各ＯＢのＯＢ
平均値からの変位が現れる。この変位、つまりはＯＢの
ばらつきは、１４ｂｉｔのダイナミックレンジに対して
１／１６程度を仮定しており、ここのビット数は１０ｂ
ｉｔでよい。
平均値からの変位が現れる。この変位、つまりはＯＢの
ばらつきは、１４ｂｉｔのダイナミックレンジに対して
１／１６程度を仮定しており、ここのビット数は１０ｂ
ｉｔでよい。
【００４１】ＯＢ変位の平均値算出回路１１２は、この
１２８個のＯＢのばらつき量の絶対値をさらに平均して
いる。絶対値は、単に符号ビットを取ればよい。ここで
は、続く除算回路１１４での有効桁を大きく取るため
に、加算結果をＯＢ数で割っていない。つまりＯＢばら
つき量の平均値［Δｖi,OB］が１２８倍されており、さ
らに３ｂｉｔシフトさせて、合計で１０２４倍されてい
る。
１２８個のＯＢのばらつき量の絶対値をさらに平均して
いる。絶対値は、単に符号ビットを取ればよい。ここで
は、続く除算回路１１４での有効桁を大きく取るため
に、加算結果をＯＢ数で割っていない。つまりＯＢばら
つき量の平均値［Δｖi,OB］が１２８倍されており、さ
らに３ｂｉｔシフトさせて、合計で１０２４倍されてい
る。
【００４２】ＯＢ部のドリフト係数の平均値レジスタ１
１３には、前述したように初期設定時に取得したＯＢば
らつき量の絶対値の平均値［Δｖi0, OB］が記憶されて
いる。リアルタイムでやってくるＯＢ変位の平均値算出
回路１１２の出力［Δｖi,OB］は、この初期設定時に取
得した平均値［Δｖi0，OB］で割られ（１１４）、初期
設定時に対してどの程度ドリフトしているかを求める。
この時リアルタイムのデータ［Δｖi,OB］は１０２４倍
されているために、初期設定時と同じドリフト量であれ
ば、ここの値は１０２４となる。また、［Δｖi,OB］は
［Δｖi0，OB］の２倍まで大きくても大丈夫なように、
除算回路１１４の出力は１１ｂｉｔとしている。
１３には、前述したように初期設定時に取得したＯＢば
らつき量の絶対値の平均値［Δｖi0, OB］が記憶されて
いる。リアルタイムでやってくるＯＢ変位の平均値算出
回路１１２の出力［Δｖi,OB］は、この初期設定時に取
得した平均値［Δｖi0，OB］で割られ（１１４）、初期
設定時に対してどの程度ドリフトしているかを求める。
この時リアルタイムのデータ［Δｖi,OB］は１０２４倍
されているために、初期設定時と同じドリフト量であれ
ば、ここの値は１０２４となる。また、［Δｖi,OB］は
［Δｖi0，OB］の２倍まで大きくても大丈夫なように、
除算回路１１４の出力は１１ｂｉｔとしている。
【００４３】除算回路１１４の出力は、初期設定時に取
得した各有効画素のドリフト係数Δｖi0と掛け合わされ
（１１５）、各有効画素のドリフト量Δｖi が推定でき
る。並列乗算器１１５の出力の上位１１ｂｉｔを取って
いるのは、下位１０ｂｉｔを捨てて先ほど１０２４倍し
たのを元に戻すためである。アドレス発生器３０９は、
有効画素のアドレスを順次発生させる。
得した各有効画素のドリフト係数Δｖi0と掛け合わされ
（１１５）、各有効画素のドリフト量Δｖi が推定でき
る。並列乗算器１１５の出力の上位１１ｂｉｔを取って
いるのは、下位１０ｂｉｔを捨てて先ほど１０２４倍し
たのを元に戻すためである。アドレス発生器３０９は、
有効画素のアドレスを順次発生させる。
【００４４】熱型赤外線撮像装置を構成する時に、最小
の温度分解能に対して何ビットを割り当てればよいかを
考える必要がある。過度に割り当てれば、装置の規模が
増大していまう。また、デバイスの性能をフルに引き出
すには、ＦＰＮはランダムノイズに対して十分小さい必
要がある。ＦＰＮがランダムノイズに対して実効値で１
／４程度であれば、
の温度分解能に対して何ビットを割り当てればよいかを
考える必要がある。過度に割り当てれば、装置の規模が
増大していまう。また、デバイスの性能をフルに引き出
すには、ＦＰＮはランダムノイズに対して十分小さい必
要がある。ＦＰＮがランダムノイズに対して実効値で１
／４程度であれば、
【数２】
【００４５】
【００４６】程度の総合ノイズの増加で済む。ＦＰＮの
コントロールを、ランダムノイズ（最小の温度分解能に
相当）の１／４の精度で行う場合には、最小の温度分解
能に少なくとも２ｂｉｔ割り当てる必要がある。例えば
デバイスの温度分解能が、０．１℃の時に、１ｂｉｔ当
たり０．０２５℃としてＦＰＮのコントロール精度を
０．０２５℃とすれば良い。
コントロールを、ランダムノイズ（最小の温度分解能に
相当）の１／４の精度で行う場合には、最小の温度分解
能に少なくとも２ｂｉｔ割り当てる必要がある。例えば
デバイスの温度分解能が、０．１℃の時に、１ｂｉｔ当
たり０．０２５℃としてＦＰＮのコントロール精度を
０．０２５℃とすれば良い。
【００４７】尚、図１、図３に示したブロック構成は本
発明の一例を示すブロック図であって、本発明の主旨に
従って他の回路を構成することは当然可能である。
発明の一例を示すブロック図であって、本発明の主旨に
従って他の回路を構成することは当然可能である。
【００４８】図５は、本発明による第２の実施例を示す
ブロック構成図である。この第２の実施例では、上述し
た計算を全てＣＰＵ５０１で行わせており、その結果を
随時画像メモリ５０２に蓄えている。図４のフローチャ
ートに従ってプログラムを構成すればよい。５０３、５
０４は、ＣＰＵを動かすためのＲＯＭ、及びＲＡＭであ
る。
ブロック構成図である。この第２の実施例では、上述し
た計算を全てＣＰＵ５０１で行わせており、その結果を
随時画像メモリ５０２に蓄えている。図４のフローチャ
ートに従ってプログラムを構成すればよい。５０３、５
０４は、ＣＰＵを動かすためのＲＯＭ、及びＲＡＭであ
る。
【００４９】以上の説明では、ドリフトがどのレベルに
あるか（ｘd ）の推定として、初期設定時の各ＯＢの変
位Δｖi0,OB とリアルタイムでの各ＯＢ変位Δｖi,OBか
ら、下記［数３］によってｘd
あるか（ｘd ）の推定として、初期設定時の各ＯＢの変
位Δｖi0,OB とリアルタイムでの各ＯＢ変位Δｖi,OBか
ら、下記［数３］によってｘd
【数３】
【００５０】
【００５１】を求めている。このｘd の推定には他にも
[ 数４］、［数５］
[ 数４］、［数５］
【数４】
【００５２】
【００５３】
【数５】
【００５４】
【００５５】等、幾つか考えられる。［数４］は、誤算
が大きくなる問題がある。［数５］は、計算が複雑にな
る問題がある。
が大きくなる問題がある。［数５］は、計算が複雑にな
る問題がある。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱型赤外
線撮像装置によれば、従来技術の延長では困難であった
熱型赤外線検出器の感度ばらつきにより発生する固定パ
ターンノイズＦＰＮの補正を行うことが可能となり、温
度分解能を一段と向上させることができる。
線撮像装置によれば、従来技術の延長では困難であった
熱型赤外線検出器の感度ばらつきにより発生する固定パ
ターンノイズＦＰＮの補正を行うことが可能となり、温
度分解能を一段と向上させることができる。
【００５７】各画素の温度ドリフトは、デバイス自体の
温度ドリフトの他に、増幅回路の温度ドリフトもある
が、本発明によれば、この影響も除去することができ
る。
温度ドリフトの他に、増幅回路の温度ドリフトもある
が、本発明によれば、この影響も除去することができ
る。
【図１】本発明に係る熱型赤外線撮像装置の第１の実施
例を示すブロック構成図である。
例を示すブロック構成図である。
【図２】本発明に係る熱型赤外線撮像装置の動作を表す
図である。
図である。
【図３】図１に示した本発明に係る熱型赤外線撮像装置
の第１の実施例を更に具体的に示すブロック構成図であ
る。
の第１の実施例を更に具体的に示すブロック構成図であ
る。
【図４】本発明に係る熱型赤外線撮像装置の一実施例を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図５】本発明に係る熱型赤外線撮像装置の第２の実施
例を示すブロック構成図である。
例を示すブロック構成図である。
【図６】本発明に係る熱型赤外線撮像装置の一実施例に
使用される赤外線検出器の具体例を示す回路構成図であ
る。
使用される赤外線検出器の具体例を示す回路構成図であ
る。
【図７】従来の熱型赤外線検知素子の断面図である。
【図８】従来の赤外線撮像装置のブロック図である。
【図９】従来の赤外線撮像装置の動作を表す図である。
１０１…赤外線検出器 １０２…アナログＦＰＮ補正回路 １０３、１０６、１０７、１１１…減算器 １０４…Ａ／Ｄ変換器 １０５…ディジタルＦＰＮ補正回路 １０８…スキャンコンバータ １０９…Ｄ／Ａ変換器 １１０…ＯＢ平均値算出回路 １１２…ＯＢ変位の平均値算出回路 １１３…ＯＢ部ドリフト係数の平均値 １１４…除算器 １１５…乗算器 １１６…ドリフト係数メモリ １１７…ドリフト補正回路 １１８…駆動回路 １１９…ペルチェ素子 １２０…ペルチェコントローラ ３０１、３０５…加算器 ３０２、３０６…ラッチ ３０３、３０７…ＲＡＭ ３０４、３０８…ＯＢ部分のタイミング発生器 ３０９…アドレス発生器 ５０１…ＣＰＵ ５０２…画像メモリ ５０３…ＲＯＭ ５０４…ＲＡＭ ６０１…チタンボロメータ ６０２…画素スイッチ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ） ６０３…垂直ＡＮＤ ６０４…トランスファーゲート ６０５…水平ＡＮＤ ６０６…共通ソースライン ６０７…垂直信号線 ６０８…水平信号線 ６０９…垂直シフトレジスタ ６１０…水平シフトレジスタ ６１１…出力 ６１２…積分回路 ６１３…積分トランジスタ ６１４…積分容量Ｃ１ ６１５…リセットトランジスタ ７００…半導体基板 ７０１…走査回路 ７０２…シリコン酸化膜 ７０３…空洞 ７０４、７０５…アルミニウム ７０６…ポリシリコン ７０７…チタンボロメータ ７０８…シリコン酸化膜 ７０９…窒化チタン
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 5/33 G01J 1/02 Q G01J 1/44 D H01L 27/14 H01L 27/14 K
Claims (6)
- 【請求項１】 入射赤外線に対して感度を持たない複数
の参照画素と複数の有効画素とを備えた赤外線検出手段
と、前記複数の参照画素の出力レベルの平均を求める手
段と、該平均値からの各画素の変位を求める手段と、前
記各画素の変位を蓄えるメモリと、前記複数の参照画素
の変位のばらつき量をもとに前記有効画素のドリフト量
を補正するドリフト補正手段とを有し、該ドリフト補正
手段は、前記各参照画素の変位の絶対値の平均を求める
手段と、初期設定時に求めた前記各参照画素の変位の絶
対値の平均を記憶するメモリと、リアルタイムで到来す
る前記各参照画素の変位の絶対値の平均を初期設定時に
求めた前記各参照画素の変位の絶対値の平均で除算する
手段と、前記除算結果と初期設定時に求めた前記各有効
画素の変位を乗算する手段を有し、該乗算手段により得
られた各乗算結果を前記各有効画素から減算する手段を
持つことを特徴とする熱型赤外線撮像装置。 - 【請求項２】 初期設定時には、入射赤外線を遮断し、
ＦＰＮ補正後にデバイスの温度を変化させて入射赤外線
に対して感度を有しない複数の参照画素の出力レベルの
平均値をＯＢ画素平均値算出回路により算出し、前記参
照画素及び複数の有効画素を含む全画素信号から参照画
素の前記出力レベル平均値を第１の演算器により減じて
前記全画素についてドリフト係数を求め、そのうち前記
参照画素については参照画素のドリフト係数の平均値を
算出し、通常動作時には、前記参照画素の出力レベルの
平均値を算出し、リアルタイムで到来する参照画素信号
の前記参照画素出力レベルの平均値からの変位を前記第
１の演算器により求め、前記参照画素の変位の平均値を
ＯＢ変位平均値算出回路により算出し、第２の演算器に
より前記参照画素の変位の平均値を初期設定時に求めた
前記参照画素のドリフト係数の平均値で除算し、次に該
除算結果に全有効画素について求めた前記有効画素ドリ
フト係数を第３の演算器により乗算し、リアルタイムで
到来する前記有効画素信号から第４の演算器により前記
乗算結果を減算することを特徴とした熱型赤外線撮像装
置。 - 【請求項３】 デバイスの前記温度変化をペルチェ素子
を使用して実現することを更に特徴とする請求項２に記
載の熱型赤外線撮像装置。 - 【請求項４】 前記全画素のドリフト係数のうち参照画
素のドリフト係数をＯＢ画素ドリフト係数メモリに格納
し、前記有効画素のドリフト係数を有効画素ドリフト係
数メモリに格納することを更に特徴とする請求項２に記
載の熱型赤外線撮像装置。 - 【請求項５】 前記参照画素のドリフト係数の平均値を
ＯＢ部ドリフト係数平均値メモリに蓄積することを更に
特徴とする請求項２に記載の熱型赤外線撮像装置。 - 【請求項６】 前記ＯＢ画素平均値算出回路及び前記Ｏ
Ｂ変位平均値算出回路による算出機能及び前記第１〜第
４の演算器による演算機能をＣＰＵが実効することを更
に特徴とする請求項２に記載の熱型赤外線撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7327732A JP3024532B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 熱型赤外線撮像装置 |
| US08/764,883 US5861913A (en) | 1995-12-15 | 1996-12-16 | Heat-sensitive infrared-light image sensor with circuitry for canceling temperature-dependent drift components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7327732A JP3024532B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 熱型赤外線撮像装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27153899A Division JP3362707B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 熱型赤外線撮像装置用温度変化及びドリフト係数推定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09168116A JPH09168116A (ja) | 1997-06-24 |
| JP3024532B2 true JP3024532B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=18202374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7327732A Expired - Lifetime JP3024532B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 熱型赤外線撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5861913A (ja) |
| JP (1) | JP3024532B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6274869B1 (en) * | 1996-06-28 | 2001-08-14 | Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. | Digital offset corrector |
| JPH11142237A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Yokogawa Electric Corp | 赤外線検出素子並びにこれを用いた赤外分光装置及び撮像素子 |
| JP3149919B2 (ja) | 1997-12-03 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子及びこれを用いた読み出し回路 |
| JP3435629B2 (ja) * | 1998-04-09 | 2003-08-11 | 日産自動車株式会社 | 熱型赤外線検出装置 |
| SG112794A1 (en) * | 1998-05-15 | 2005-07-28 | Univ Singapore | On-chip compensation of self-heating effects in microbolometer infrared detectors |
| JP3635937B2 (ja) * | 1998-09-10 | 2005-04-06 | 三菱電機株式会社 | 赤外線カメラ |
| JP3285083B2 (ja) | 1998-10-05 | 2002-05-27 | 日本電気株式会社 | 二次元アレイ型赤外線検出素子とその製造方法 |
| JP3216616B2 (ja) * | 1998-10-06 | 2001-10-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2000131148A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Nec Corp | 赤外線撮像装置および画像ドリフト補正方法 |
| JP2000152098A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 映像信号処理装置 |
| JP3415527B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2003-06-09 | エヌイーシーネットワーク・センサ株式会社 | 抵抗変化型赤外線センサ素子の温度補正方法と温度補正手段を具備した抵抗変化型赤外線センサ並びに撮像装置 |
| FR2803082B1 (fr) * | 1999-12-28 | 2002-03-22 | Trixell Sas | Procede de compensation en temperature de la sensibilite d'un detecteur d'image |
| US6433333B1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-08-13 | Drs Sensors & Targeting Systems, Inc. | Infrared sensor temperature compensated response and offset correction |
| US6770861B2 (en) * | 2000-03-08 | 2004-08-03 | Minolta Co., Ltd. | Image-sensing device |
| JP3963008B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2007-08-22 | 本田技研工業株式会社 | イメージセンサの出力補正装置 |
| GB2386018A (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-03 | Qinetiq Ltd | Noise reduction in infra-red imaging arrays using shielded detectors |
| JP2004320553A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 補償回路 |
| JP3998599B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2007-10-31 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線固体撮像装置 |
| JP4331553B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2009-09-16 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
| JP5084473B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-11-28 | 三菱電機株式会社 | 赤外線撮像装置 |
| DE102008005167A1 (de) * | 2008-01-19 | 2009-07-23 | Testo Ag | Wärmebildkamera |
| FR3020735B1 (fr) * | 2014-04-30 | 2017-09-15 | Ulis | Procede de traitement d'une image infrarouge pour une correction des non uniformites |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4045816A (en) * | 1976-02-12 | 1977-08-30 | Recognition Equipment Incorporated | Automatic corrector for fixed pattern odd/even video noise |
| US4555732A (en) * | 1984-03-22 | 1985-11-26 | Xerox Corporation | Image sensor correction system |
| US4694334A (en) * | 1985-12-24 | 1987-09-15 | Xedar Corporation | Pyroelectric camera signal processing having pedestal signal level compensation |
| JPH02174381A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Ｃｃｄラインセンサの出力補償方法 |
| JP2787710B2 (ja) * | 1989-06-07 | 1998-08-20 | 株式会社ニコン | 光電変換装置の信号補正装置 |
| US5291293A (en) * | 1992-06-01 | 1994-03-01 | Eastman Kodak Company | Electronic imaging device with defect correction |
| US5473660A (en) * | 1994-06-01 | 1995-12-05 | U.S. Philips Corporation | Image sensing device |
| DE19543488A1 (de) * | 1995-11-22 | 1997-05-28 | Hell Ag Linotype | Verfahren und Vorrichtung zur Bildwert-Korrektur bei optoelektronischen Wandlern |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP7327732A patent/JP3024532B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-16 US US08/764,883 patent/US5861913A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09168116A (ja) | 1997-06-24 |
| US5861913A (en) | 1999-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3024532B2 (ja) | 熱型赤外線撮像装置 | |
| US7880777B2 (en) | Method for fixed pattern noise reduction in infrared imaging cameras | |
| US5514865A (en) | Dither image scanner with compensation for individual detector response and gain correction | |
| EP1961208B1 (en) | Method and apparatus for setting black level in an imager using both optically black and tied pixels | |
| US10498991B2 (en) | High dynamic range pixel and a method for operating it | |
| JP4902908B2 (ja) | 赤外線センサのビデオ信号を補正するための方法および撮像システム | |
| US8158942B2 (en) | Device and method for detecting infrared radiation through a resistive bolometer matrix | |
| US20070273775A1 (en) | Image sensor with built-in thermometer for global black level calibration and temperature-dependent color correction | |
| GB2328338A (en) | Temperature dependent dark current correction in imaging apparatus | |
| US7015960B2 (en) | Image sensor that uses a temperature sensor to compensate for dark current | |
| US5661521A (en) | Smear correction of CCD imager using active pixels | |
| US6762398B1 (en) | Imaging device with fixed-pattern-noise correction regulated constant-current source | |
| US6522355B1 (en) | Digital nonuniformity correction for image sensors | |
| US6854885B2 (en) | Method for the correction of unequal conversion characteristics of image sensors | |
| JP4462925B2 (ja) | 複合マイクロボロメータアレイの読出し方法及び装置 | |
| US8624178B2 (en) | Method of correcting sensitivity and matrix image sensor for implementing this method | |
| JP3362707B2 (ja) | 熱型赤外線撮像装置用温度変化及びドリフト係数推定装置 | |
| JPH10122956A (ja) | 赤外線カメラ | |
| US8704180B2 (en) | Device and method for detecting infrared radiation through a resistive bolometer matrix | |
| US9967484B2 (en) | Infrared detection apparatus | |
| EP4068759A1 (en) | Methods for dark signal non-uniformity correction | |
| US6521880B1 (en) | Image processing with modified ramp signal | |
| JP2023540051A (ja) | イベントセンサ、およびイベントデータを含む信号ストリームを生成するための方法 | |
| US20230204428A1 (en) | Infrared imaging device | |
| JP2008236787A (ja) | 固体撮像装置及びその固定パターン雑音除去方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080121 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |