JPH11142237A - 赤外線検出素子並びにこれを用いた赤外分光装置及び撮像素子 - Google Patents
赤外線検出素子並びにこれを用いた赤外分光装置及び撮像素子Info
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- JPH11142237A JPH11142237A JP9302479A JP30247997A JPH11142237A JP H11142237 A JPH11142237 A JP H11142237A JP 9302479 A JP9302479 A JP 9302479A JP 30247997 A JP30247997 A JP 30247997A JP H11142237 A JPH11142237 A JP H11142237A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 用途限定がなく、応答速度が早い赤外線検出
素子を実現する。 【解決手段】 赤外光を赤外線吸収体で熱にしてその温
度変化を測温抵抗体により検出する赤外線検出素子にお
いて、基板と、この基板上に成膜される赤外線吸収体で
あるＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜と、このＦｅ2+を含
むリン酸塩ガラス膜の上に形成される測温抵抗体とを備
え、基板とＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜との間に空間
を設ける。
素子を実現する。 【解決手段】 赤外光を赤外線吸収体で熱にしてその温
度変化を測温抵抗体により検出する赤外線検出素子にお
いて、基板と、この基板上に成膜される赤外線吸収体で
あるＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜と、このＦｅ2+を含
むリン酸塩ガラス膜の上に形成される測温抵抗体とを備
え、基板とＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜との間に空間
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外光を熱にして
その温度変化を測温抵抗体により検出する赤外線検出素
子に関し、特に検出性能を向上させることが可能である
赤外線検出素子に関する。
その温度変化を測温抵抗体により検出する赤外線検出素
子に関し、特に検出性能を向上させることが可能である
赤外線検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤外線検出素子としてはボロメー
タ等がある。ボロメータは赤外線を吸収することにより
赤外線を熱に変換し、この温度変化を測温抵抗体を用い
て検出して赤外線を検出するものである。
タ等がある。ボロメータは赤外線を吸収することにより
赤外線を熱に変換し、この温度変化を測温抵抗体を用い
て検出して赤外線を検出するものである。
【０００３】図３はこのような従来のボロメータの一例
を示す斜視図である。図３において１はＳｉ等の基板、
２は赤外線吸収体であるＳｉＯ2 層、３はダイアフラ
ム、４はＴｉ等の測温抵抗体、５はアルミニウム等によ
る配線、６はＳｉＯ2 層２とダイアフラム３との間に形
成される空間、７は梁である。
を示す斜視図である。図３において１はＳｉ等の基板、
２は赤外線吸収体であるＳｉＯ2 層、３はダイアフラ
ム、４はＴｉ等の測温抵抗体、５はアルミニウム等によ
る配線、６はＳｉＯ2 層２とダイアフラム３との間に形
成される空間、７は梁である。
【０００４】基板１上にはＳｉＯ2 層２が形成され、Ｓ
ｉＯ2 層２はエッチング等により空間６を有するような
ダイアフラム３を形成する。ダイアフラム３は梁７によ
り空中に支持されるような構造になっている。
ｉＯ2 層２はエッチング等により空間６を有するような
ダイアフラム３を形成する。ダイアフラム３は梁７によ
り空中に支持されるような構造になっている。
【０００５】ダイアフラム３上には測温抵抗体４が形成
され、ＳｉＯ2 層２及び梁７の部分には配線５が形成さ
れる。そして、測温抵抗体４の両端には信号を取り出す
ための配線５がそれぞれ接続される。
され、ＳｉＯ2 層２及び梁７の部分には配線５が形成さ
れる。そして、測温抵抗体４の両端には信号を取り出す
ための配線５がそれぞれ接続される。
【０００６】ここで、図３に示す従来例の動作を説明す
る。ダイアフラム３を形成するＳｉＯ2 層２は赤外線吸
収体であり、入射された赤外線はＳｉＯ2 層２で吸収さ
れて熱になりダイアフラム３に温度変化が生じる。
る。ダイアフラム３を形成するＳｉＯ2 層２は赤外線吸
収体であり、入射された赤外線はＳｉＯ2 層２で吸収さ
れて熱になりダイアフラム３に温度変化が生じる。
【０００７】ダイアフラム３上に形成された測温抵抗体
４の抵抗値はこの温度変化により変化するので配線５を
用いて測温抵抗体４の抵抗値を測定することにより、入
射された赤外線の強度を得ることができる。
４の抵抗値はこの温度変化により変化するので配線５を
用いて測温抵抗体４の抵抗値を測定することにより、入
射された赤外線の強度を得ることができる。
【０００８】また、ボロメータでは一般に熱コンダクタ
ンスや熱容量を小さくして赤外線検出能力や応答速度を
向上させている。
ンスや熱容量を小さくして赤外線検出能力や応答速度を
向上させている。
【０００９】従って、図３に示す従来例ではダイアフラ
ム３を梁７で空中に支持すような構造にして熱コンダク
タンスや熱容量を小さくしている。
ム３を梁７で空中に支持すような構造にして熱コンダク
タンスや熱容量を小さくしている。
【００１０】この結果、入射された赤外線の検出能力が
高く、応答速度の早い赤外線検出素子を構成することが
可能になる。
高く、応答速度の早い赤外線検出素子を構成することが
可能になる。
【００１１】また、図４は従来の他のボロメータの一例
を示す斜視図である。図４において１ａはＳｉ等の基
板、２ａは赤外線吸収体であるＳｉＯ2 層、３ａはダイ
アフラム、６ａは基板１ａとダイアフラム３ａとの間に
形成される空間、７ａは梁、８はＰｔ等の測温抵抗体で
ある。
を示す斜視図である。図４において１ａはＳｉ等の基
板、２ａは赤外線吸収体であるＳｉＯ2 層、３ａはダイ
アフラム、６ａは基板１ａとダイアフラム３ａとの間に
形成される空間、７ａは梁、８はＰｔ等の測温抵抗体で
ある。
【００１２】基板１ａ上にはＳｉＯ2 層２ａが形成さ
れ、基板１ａをエッチング等により空間６ａ部分を形成
しＳｉＯ2 層２ａをダイアフラム３ａとして形成する。
この、ダイアフラム３ａは梁７ａにより空中に支持され
るような構造になっている。
れ、基板１ａをエッチング等により空間６ａ部分を形成
しＳｉＯ2 層２ａをダイアフラム３ａとして形成する。
この、ダイアフラム３ａは梁７ａにより空中に支持され
るような構造になっている。
【００１３】ダイアフラム３ａ上には赤外線吸収効率を
高めるためブラックコーティングが施されると共に測温
抵抗体８が形成される。
高めるためブラックコーティングが施されると共に測温
抵抗体８が形成される。
【００１４】また、ＳｉＯ2 層２ａの部分には図４中”
イ”及び”ロ”に示すような信号取り出し用のパターン
が形成され、このパターンには測温抵抗体８の両端がそ
れぞれ接続される。
イ”及び”ロ”に示すような信号取り出し用のパターン
が形成され、このパターンには測温抵抗体８の両端がそ
れぞれ接続される。
【００１５】ここで、図４に示す従来例の動作を説明す
る。ダイアフラム３ａを形成するＳｉＯ2 層２ａは赤外
線吸収体であり、入射された赤外線はＳｉＯ2 層２ａで
吸収されて熱になりダイアフラム３ａに温度変化が生じ
る。
る。ダイアフラム３ａを形成するＳｉＯ2 層２ａは赤外
線吸収体であり、入射された赤外線はＳｉＯ2 層２ａで
吸収されて熱になりダイアフラム３ａに温度変化が生じ
る。
【００１６】ダイアフラム３ａ上に形成された測温抵抗
体８の抵抗値はこの温度変化により変化するので図４
中”イ”及び”ロ”に示すパターンを用いて測温抵抗体
８の抵抗値を測定することにより、入射された赤外線の
強度を得ることができる。
体８の抵抗値はこの温度変化により変化するので図４
中”イ”及び”ロ”に示すパターンを用いて測温抵抗体
８の抵抗値を測定することにより、入射された赤外線の
強度を得ることができる。
【００１７】また、図４に示す従来例も図３の従来例と
同様にダイアフラム３ａを梁７ａで空中に吊るすような
構造にして熱コンダクタンスや熱容量を小さくしてい
る。
同様にダイアフラム３ａを梁７ａで空中に吊るすような
構造にして熱コンダクタンスや熱容量を小さくしてい
る。
【００１８】この結果、入射された赤外線の検出能力が
高く、応答速度の早い赤外線検出素子を構成することが
可能になる。
高く、応答速度の早い赤外線検出素子を構成することが
可能になる。
【００１９】また、図５はＳｉＯ2 の赤外吸収特性を示
す特性曲線図であり、図５中”イ”の部分から分かるよ
うに”８〜１２μｍ”の波長範囲で良好な吸収特性を有
している。
す特性曲線図であり、図５中”イ”の部分から分かるよ
うに”８〜１２μｍ”の波長範囲で良好な吸収特性を有
している。
【００２０】”８〜１２μｍ”の波長範囲はＷｉｎｅの
変位則により被測定対象の温度に換算すると”−３０℃
〜９０℃”に相当し、赤外の熱画像を測定する素子とし
て適していることになる。
変位則により被測定対象の温度に換算すると”−３０℃
〜９０℃”に相当し、赤外の熱画像を測定する素子とし
て適していることになる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５中”イ”
の部分では透過率が一定ではなく入射される波長に応じ
て透過率が変化している。言い換えれば赤外吸収体であ
るＳｉＯ2 自体が分光特性を有していることになる。
の部分では透過率が一定ではなく入射される波長に応じ
て透過率が変化している。言い換えれば赤外吸収体であ
るＳｉＯ2 自体が分光特性を有していることになる。
【００２２】このため、図３に示す従来例では赤外線吸
収体自体の分光特性により分光分析の精度に影響を与え
ると考えられるので、使用される用途が限定されてしま
うと言った問題点があった。
収体自体の分光特性により分光分析の精度に影響を与え
ると考えられるので、使用される用途が限定されてしま
うと言った問題点があった。
【００２３】一方、図４に示す従来例ではダイアフラム
３ａにブラックコーティングが施されているので、図５
中”イ”に示すような分光特性が生じることはないもの
のブラックコーティング部分の膜厚が厚くなりダイアフ
ラム３ａの熱容量が大きくなって応答速度が遅くなると
言った問題点があった。従って本発明が解決しようとす
る課題は、用途限定がなく、応答速度が早い赤外線検出
素子を実現することにある。
３ａにブラックコーティングが施されているので、図５
中”イ”に示すような分光特性が生じることはないもの
のブラックコーティング部分の膜厚が厚くなりダイアフ
ラム３ａの熱容量が大きくなって応答速度が遅くなると
言った問題点があった。従って本発明が解決しようとす
る課題は、用途限定がなく、応答速度が早い赤外線検出
素子を実現することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】このような課題を達成す
るために、本発明のうち請求項１記載の発明は、赤外光
を赤外線吸収体で熱にしてその温度変化を測温抵抗体に
より検出する赤外線検出素子において、基板と、この基
板上に成膜される前記赤外線吸収体であるＦｅ2+を含む
リン酸塩ガラス膜と、このＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス
膜の上に形成される前記測温抵抗体とを備えることによ
り、前記赤外線吸収体自体の分光特性がなくなり使用さ
れる用途限定なくなる。また、前記基板と前記Ｆｅ2+を
含むリン酸塩ガラス膜との間に空間を設けることによ
り、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜自体が赤外線吸収体
であり、尚且つ、支持体であるので熱容量が小さくなり
応答速度が早くなる。
るために、本発明のうち請求項１記載の発明は、赤外光
を赤外線吸収体で熱にしてその温度変化を測温抵抗体に
より検出する赤外線検出素子において、基板と、この基
板上に成膜される前記赤外線吸収体であるＦｅ2+を含む
リン酸塩ガラス膜と、このＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス
膜の上に形成される前記測温抵抗体とを備えることによ
り、前記赤外線吸収体自体の分光特性がなくなり使用さ
れる用途限定なくなる。また、前記基板と前記Ｆｅ2+を
含むリン酸塩ガラス膜との間に空間を設けることによ
り、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜自体が赤外線吸収体
であり、尚且つ、支持体であるので熱容量が小さくなり
応答速度が早くなる。
【００２５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明である赤外線検出素子を赤外分光装置の受光素子とし
て用いることにより、応答速度が早くなる等の効果が生
じる。また、量子型素子とは異なり、波長依存性の少な
い受光素子のため測定感度が安定する。
明である赤外線検出素子を赤外分光装置の受光素子とし
て用いることにより、応答速度が早くなる等の効果が生
じる。また、量子型素子とは異なり、波長依存性の少な
い受光素子のため測定感度が安定する。
【００２６】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明である赤外線検出素子を撮像素子のアレイ化された複
数の受光素子として用いることにより、より広範囲の波
長領域の画像を撮像することが可能になる。
明である赤外線検出素子を撮像素子のアレイ化された複
数の受光素子として用いることにより、より広範囲の波
長領域の画像を撮像することが可能になる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面を用いて詳細に
説明する。図１は本発明に係る赤外線検出素子の一実施
例を示す構成断面図である。
説明する。図１は本発明に係る赤外線検出素子の一実施
例を示す構成断面図である。
【００２８】図１において１ｂは基板、９は赤外線吸収
体であるＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜、１０はＴｉ等
の測温抵抗体、１１ａ及び１１ｂはリード線、１２は基
板１ｂとＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９との間に形成
される空間である。
体であるＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜、１０はＴｉ等
の測温抵抗体、１１ａ及び１１ｂはリード線、１２は基
板１ｂとＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９との間に形成
される空間である。
【００２９】基板１ｂ上にはＦｅ2+を含むリン酸塩ガラ
ス膜９が成膜され、基板１ｂの一部分にはエッチングな
どにより空間１２が形成される。
ス膜９が成膜され、基板１ｂの一部分にはエッチングな
どにより空間１２が形成される。
【００３０】また、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９の
上には測温抵抗体１０が形成されて測温抵抗体１０の両
端には信号取出用のリード線１１ａ及び１１ｂがそれぞ
れ接続される。
上には測温抵抗体１０が形成されて測温抵抗体１０の両
端には信号取出用のリード線１１ａ及び１１ｂがそれぞ
れ接続される。
【００３１】Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９の成膜に
際してはガラス成分変化の少ないスパッタリング装置を
用いる。また、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９の膜厚
としてはＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９が自立でき、
空間１２を維持できる強度を有する程度の膜厚にする。
際してはガラス成分変化の少ないスパッタリング装置を
用いる。また、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９の膜厚
としてはＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９が自立でき、
空間１２を維持できる強度を有する程度の膜厚にする。
【００３２】例えば、”１００μｍ□”程度の支持構
造、すなわち、基板１ｂとＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス
膜９との間に形成される空間１２が”１００μｍ□”程
度の場合は”１μｍ”程度の膜厚となる。
造、すなわち、基板１ｂとＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス
膜９との間に形成される空間１２が”１００μｍ□”程
度の場合は”１μｍ”程度の膜厚となる。
【００３３】ここで、図１に示す実施例の動作を説明す
る。図１中”イ”に示すように赤外線が入射されると、
Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９において吸収されて光
から熱に変換される。
る。図１中”イ”に示すように赤外線が入射されると、
Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９において吸収されて光
から熱に変換される。
【００３４】この発熱によりＦｅ2+を含むリン酸塩ガラ
ス膜９及びその上に形成された測温抵抗体１０の温度が
上昇して、この温度上昇に伴い測温抵抗体１０の抵抗値
が変化する。
ス膜９及びその上に形成された測温抵抗体１０の温度が
上昇して、この温度上昇に伴い測温抵抗体１０の抵抗値
が変化する。
【００３５】そして、リード線１１ａ及び１１ｂを用い
て測温抵抗体１０の抵抗値を測定することにより、入射
された赤外線の強度を得ることができる。
て測温抵抗体１０の抵抗値を測定することにより、入射
された赤外線の強度を得ることができる。
【００３６】また、赤外線吸収体であるＦｅ2+を含むリ
ン酸塩ガラス膜９と基板１ｂとの間に空間１２を有する
図１中”ロ”の部分を空中に吊るすような構造にして熱
コンダクタンスや熱容量を小さくしている。
ン酸塩ガラス膜９と基板１ｂとの間に空間１２を有する
図１中”ロ”の部分を空中に吊るすような構造にして熱
コンダクタンスや熱容量を小さくしている。
【００３７】ここで、図２はＦｅ2+を含むリン酸塩ガラ
ス膜９の赤外吸収特性を示す特性曲線図であり、図２
中”イ”の部分から分かるように”８〜１２μｍ”の波
長範囲で良好な吸収特性であり、尚且つ、透過率が前記
波長範囲で一定である。
ス膜９の赤外吸収特性を示す特性曲線図であり、図２
中”イ”の部分から分かるように”８〜１２μｍ”の波
長範囲で良好な吸収特性であり、尚且つ、透過率が前記
波長範囲で一定である。
【００３８】すなわち、言い換えれば、”８〜１２μ
ｍ”の波長範囲においては赤外吸収体であるＦｅ2+を含
むリン酸塩ガラス膜９自体には分光特性がないことにな
る。
ｍ”の波長範囲においては赤外吸収体であるＦｅ2+を含
むリン酸塩ガラス膜９自体には分光特性がないことにな
る。
【００３９】従って、赤外線吸収体としてＦｅ2+を含む
リン酸塩ガラス膜９を用いることにより、従来例で問題
であった赤外線吸収体自体の分光特性がなくなるので、
使用される用途限定なくなる。
リン酸塩ガラス膜９を用いることにより、従来例で問題
であった赤外線吸収体自体の分光特性がなくなるので、
使用される用途限定なくなる。
【００４０】また、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜９自
体が赤外線吸収体であり、尚且つ、支持体であるので熱
容量が小さくなり応答速度が早くなる。
体が赤外線吸収体であり、尚且つ、支持体であるので熱
容量が小さくなり応答速度が早くなる。
【００４１】この結果、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜
９を赤外線吸収体として用いることにより、用途限定が
なく、応答速度が早い赤外線検出素子を構成できる。
９を赤外線吸収体として用いることにより、用途限定が
なく、応答速度が早い赤外線検出素子を構成できる。
【００４２】なお、図１に示す実施例では赤外線受光素
子自体に分光特性がないので赤外分光装置の受光素子と
して用いることが可能になる。
子自体に分光特性がないので赤外分光装置の受光素子と
して用いることが可能になる。
【００４３】すなわち、図１に示す実施例を赤外分光装
置の受光素子として用いることにより、応答速度が早く
なる等の効果が生じる。また、量子型素子とは異なり、
波長依存性の少ない受光素子のため測定感度が安定して
いる。
置の受光素子として用いることにより、応答速度が早く
なる等の効果が生じる。また、量子型素子とは異なり、
波長依存性の少ない受光素子のため測定感度が安定して
いる。
【００４４】また、図１に示す赤外線検出素子をアレイ
化して撮像素子を構成することにより、より広範囲の波
長領域の画像を撮像することが可能になる。
化して撮像素子を構成することにより、より広範囲の波
長領域の画像を撮像することが可能になる。
【００４５】すなわち、図５に示す赤外吸収特性と比較
して図２に示す赤外吸収特性では”８〜１２μｍ”の波
長範囲で分光特性がなく良好な吸収特性であるので、広
範囲の波長領域の画像を得ることが可能になる。
して図２に示す赤外吸収特性では”８〜１２μｍ”の波
長範囲で分光特性がなく良好な吸収特性であるので、広
範囲の波長領域の画像を得ることが可能になる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のような効果がある。請求項１の発明
によれば、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜を赤外線吸収
体として用いることにより、用途限定がなく、応答速度
が早い赤外線検出素子が実現できる。
本発明によれば次のような効果がある。請求項１の発明
によれば、Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜を赤外線吸収
体として用いることにより、用途限定がなく、応答速度
が早い赤外線検出素子が実現できる。
【００４７】また、請求項２の発明によれば、本発明を
赤外分光装置の受光素子として用いることにより、応答
速度を早くすることができる。
赤外分光装置の受光素子として用いることにより、応答
速度を早くすることができる。
【００４８】また、請求項３の発明によれば、本発明の
赤外線検出素子をアレイ化して撮像素子を構成すること
により、より広範囲の波長領域の画像を撮像することが
可能になる。
赤外線検出素子をアレイ化して撮像素子を構成すること
により、より広範囲の波長領域の画像を撮像することが
可能になる。
【図１】本発明に係る赤外線検出素子の一実施例を示す
構成断面図である。
構成断面図である。
【図２】Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜の赤外吸収特性
を示す特性曲線図である。
を示す特性曲線図である。
【図３】従来のボロメータの一例を示す斜視図である。
【図４】従来の他のボロメータの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】ＳｉＯ2 の赤外吸収特性を示す特性曲線図であ
る。
る。
１，１ａ，１ｂ 基板 ２，２ａ ＳｉＯ2 層 ３，３ａ ダイアフラム ４，８，１０ 測温抵抗体 ５ 配線 ６，６ａ，１２ 空間 ７，７ａ 梁 ９ Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜 １１ａ，１１ｂ リード線
Claims (3)
- 【請求項１】赤外光を赤外線吸収体で熱にしてその温度
変化を測温抵抗体により検出する赤外線検出素子におい
て、 基板と、 この基板上に成膜される前記赤外線吸収体であるＦｅ2+
を含むリン酸塩ガラス膜と、 このＦｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜の上に形成される前
記測温抵抗体とを備え、 前記基板と前記Ｆｅ2+を含むリン酸塩ガラス膜との間に
空間を設けたことを特徴とする赤外線検出素子。 - 【請求項２】請求項１記載の赤外線検出素子を受光素子
として用いることを特徴とする赤外分光装置。 - 【請求項３】請求項１記載の赤外線検出素子をアレイ化
された複数の受光素子として用いることを特徴とする撮
像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9302479A JPH11142237A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 赤外線検出素子並びにこれを用いた赤外分光装置及び撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9302479A JPH11142237A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 赤外線検出素子並びにこれを用いた赤外分光装置及び撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142237A true JPH11142237A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17909455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9302479A Pending JPH11142237A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 赤外線検出素子並びにこれを用いた赤外分光装置及び撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11142237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016180311A1 (zh) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Mems双层悬浮微结构的制作方法和mems红外探测器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS3925563B1 (ja) * | 1962-11-06 | 1964-11-12 | ||
| JPH07318420A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサおよびその作製方法 |
| JPH09168116A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Nec Corp | 熱型赤外線撮像装置 |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP9302479A patent/JPH11142237A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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