JPH0269691A - Ｘ線ｃｔ用放射線検出器 - Google Patents
Ｘ線ｃｔ用放射線検出器Info
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- JPH0269691A JPH0269691A JP63220506A JP22050688A JPH0269691A JP H0269691 A JPH0269691 A JP H0269691A JP 63220506 A JP63220506 A JP 63220506A JP 22050688 A JP22050688 A JP 22050688A JP H0269691 A JPH0269691 A JP H0269691A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、シンチレータとフォトダイオードとを組合せ
フォトダイオードを逆バイアス状態で動作させるＸ線Ｃ
Ｔ用放射線検出器に関する。
フォトダイオードを逆バイアス状態で動作させるＸ線Ｃ
Ｔ用放射線検出器に関する。
（従来の技術）
従来のＸ線ＣＴ用放射線検出器として第７図に示すよう
に、照射された放射線例えばＸ線を光信号に変換するシ
ンチレータ１と、光信号を電気信号に変換するフォトダ
イオード２とを組合せた構造が知られている。このフォ
トダイオード２は１つのシリコン基板に１つ又は複数の
有感領域（例えばＰＮ接合等）が形成され、この上にシ
ンチレータ１がマウントされる。Ｘ線量に応じてフォト
ダイオード２によって検出された光電流は第８図のよう
に抵抗４．オペアンプ５を含むＩ／Ｖ変換器３．コンデ
ンサ７、オペアンプ８を含む積分器６を介して出力され
、Ａ／Ｄ変換器によってディジタル信号に変換されてデ
ータ処理される。
に、照射された放射線例えばＸ線を光信号に変換するシ
ンチレータ１と、光信号を電気信号に変換するフォトダ
イオード２とを組合せた構造が知られている。このフォ
トダイオード２は１つのシリコン基板に１つ又は複数の
有感領域（例えばＰＮ接合等）が形成され、この上にシ
ンチレータ１がマウントされる。Ｘ線量に応じてフォト
ダイオード２によって検出された光電流は第８図のよう
に抵抗４．オペアンプ５を含むＩ／Ｖ変換器３．コンデ
ンサ７、オペアンプ８を含む積分器６を介して出力され
、Ａ／Ｄ変換器によってディジタル信号に変換されてデ
ータ処理される。
ところでこのようなＸ線データ収集回路では、フォトダ
イオード２をゼロバイアス状態で動作させているので、
フォトダイオード２からの出力電流の直線性を保ったデ
ータ収集が可能である。また最近ではコスト低下、信頼
性向上のために第５図に示すようなダイレクトチャージ
方式のデータ収集回路が提案されている。このデータ収
集回路はフォトダイオード２に直列に逆バイアス電圧９
及び抵抗１０を接続すると共に、並列にコンデンサ］１
を接続しざらにスイッチ１２を接続したものである。ス
イッチ１２のオフ状態でフォトダイオード２によって検
出された光電流は順次コンデンサ１１にチャージされる
ので、一定時間ごとにスイッチ１２をオンすることによ
り、コンデンサ１１にチャージされた電荷が取出される
のでデータ収集を行うことができる。コンデンサ１１に
おけるシステム上考えられる最大のチャージ電圧より大
きな逆バイアス電圧９を設定することにより、フォトダ
イオード２を常に逆バイアス状態に維持することができ
る。これによりＸ線量に比例した光電流を出力できるよ
うになり効率的なデータ収集を行うことができる。
イオード２をゼロバイアス状態で動作させているので、
フォトダイオード２からの出力電流の直線性を保ったデ
ータ収集が可能である。また最近ではコスト低下、信頼
性向上のために第５図に示すようなダイレクトチャージ
方式のデータ収集回路が提案されている。このデータ収
集回路はフォトダイオード２に直列に逆バイアス電圧９
及び抵抗１０を接続すると共に、並列にコンデンサ］１
を接続しざらにスイッチ１２を接続したものである。ス
イッチ１２のオフ状態でフォトダイオード２によって検
出された光電流は順次コンデンサ１１にチャージされる
ので、一定時間ごとにスイッチ１２をオンすることによ
り、コンデンサ１１にチャージされた電荷が取出される
のでデータ収集を行うことができる。コンデンサ１１に
おけるシステム上考えられる最大のチャージ電圧より大
きな逆バイアス電圧９を設定することにより、フォトダ
イオード２を常に逆バイアス状態に維持することができ
る。これによりＸ線量に比例した光電流を出力できるよ
うになり効率的なデータ収集を行うことができる。
また現在のＣＴシステムではＸ線照射を行うスキャン時
のデータ収集と共に、Ｘ線照射を行わないときのデータ
収集すなわちオフセット収集（フォトダイオード２に流
れる暗電流を含む）を打つて、スキャン時にオフセット
の補正を行うことにより正確なデータを収集することが
図られている。
のデータ収集と共に、Ｘ線照射を行わないときのデータ
収集すなわちオフセット収集（フォトダイオード２に流
れる暗電流を含む）を打つて、スキャン時にオフセット
の補正を行うことにより正確なデータを収集することが
図られている。
（発明が解決しようとする課題）
ところでそのようにしてデータ収集を行う場合、スキャ
ン時とオフセット収集時で温度差が生ずると暗電流の変
化によってアーチファクトが生ずるいう問題がある。す
なわちＸ線照射を行わないオフセット時にはフォトダイ
オードに暗電流が流れるが、スキャン時と温度条件が異
なるとその暗電流の影響を受は易くなる。第６図はフォ
トダイオード２の等何回路を示すもので、シャント抵抗
２Ｒは温度によって変化しこれが逆バイアス時に暗電流
の変化となって現れてくる。これは温度差が大きくなる
程著しくなる。
ン時とオフセット収集時で温度差が生ずると暗電流の変
化によってアーチファクトが生ずるいう問題がある。す
なわちＸ線照射を行わないオフセット時にはフォトダイ
オードに暗電流が流れるが、スキャン時と温度条件が異
なるとその暗電流の影響を受は易くなる。第６図はフォ
トダイオード２の等何回路を示すもので、シャント抵抗
２Ｒは温度によって変化しこれが逆バイアス時に暗電流
の変化となって現れてくる。これは温度差が大きくなる
程著しくなる。
本発明は以上のような事情に対処してなされたもので、
暗電流による影響を防止するようにしたＸ線ＣＴ用放射
線検出器を提案することを目的とするものである。
暗電流による影響を防止するようにしたＸ線ＣＴ用放射
線検出器を提案することを目的とするものである。
［発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明は、同一フオドダイオ
ード基板上に放射線量に応じた光電流測定用の有感領域
と暗電流測定用の有感領域とを設けるようにしたもので
ある。
ード基板上に放射線量に応じた光電流測定用の有感領域
と暗電流測定用の有感領域とを設けるようにしたもので
ある。
（作 用）
光電流測定用の有感領域及び暗電流測定用の有感領域を
同一フオドダイオード基板上に設けることにより、各有
感領域の温度条件を等しくすることができる。従って両
領域間での温度差をほぼゼロにすることができるので、
各領域での暗電流の変化を一致させることができる。こ
れによってスキャン時とオフセット収集時での温度差を
検出し、暗電流の変化を補正するためアーチファクトの
発生をなくすことができる。
同一フオドダイオード基板上に設けることにより、各有
感領域の温度条件を等しくすることができる。従って両
領域間での温度差をほぼゼロにすることができるので、
各領域での暗電流の変化を一致させることができる。こ
れによってスキャン時とオフセット収集時での温度差を
検出し、暗電流の変化を補正するためアーチファクトの
発生をなくすことができる。
（実施例）
以下図面を参照して本発明実施例を説明する。
第１図は本発明のＸ線ＣＴ用放射線検出器の実施例を示
す構成図で、例えばＮ型シリコン基板１３を共通基板と
して用いてこれに選択的にＰ型シリコン領Ｍ１４ａ、１
４ｂを形成することによって２種類のＰＮ接合ダイオー
ドＤ１．Ｄ２を設ける。これらＤｌ 、Ｄ２の各ＰＮ接
合Ｊｔ 、 Ｊ２のうち一方のＰＮ接合Ｊ１をシンチレ
ータ１からの発光を収集するための光電流測定用の有感
領域として用いると共に、使方のＰＮ接合Ｊ２を暗電流
測定用の有感領域として用いる。各Ｐ型頭域１４ａ、１
４−ｂにはアノード電４１１５ａ、１５ｂが設けられる
。これにより２種類のＰＮ接合ダイオードＤ１ 、Ｄ２
のうちＤｌのみがフォトダイオードとして利用される。
す構成図で、例えばＮ型シリコン基板１３を共通基板と
して用いてこれに選択的にＰ型シリコン領Ｍ１４ａ、１
４ｂを形成することによって２種類のＰＮ接合ダイオー
ドＤ１．Ｄ２を設ける。これらＤｌ 、Ｄ２の各ＰＮ接
合Ｊｔ 、 Ｊ２のうち一方のＰＮ接合Ｊ１をシンチレ
ータ１からの発光を収集するための光電流測定用の有感
領域として用いると共に、使方のＰＮ接合Ｊ２を暗電流
測定用の有感領域として用いる。各Ｐ型頭域１４ａ、１
４−ｂにはアノード電４１１５ａ、１５ｂが設けられる
。これにより２種類のＰＮ接合ダイオードＤ１ 、Ｄ２
のうちＤｌのみがフォトダイオードとして利用される。
暗電流測定に用いられる他のダイオードＤ２の表面は遮
光用樹脂等の遮光部材１６によって覆われ、この遮光部
材１６はさらに鉛等のＸ線遮蔽部材１７によって覆われ
る。
光用樹脂等の遮光部材１６によって覆われ、この遮光部
材１６はさらに鉛等のＸ線遮蔽部材１７によって覆われ
る。
これによってダイオードＤ２の暗電流測定用の有感領域
として働＜Ｊ２には光もＸ線も到達しないように図られ
ている。
として働＜Ｊ２には光もＸ線も到達しないように図られ
ている。
各アノード電極１５ａ、１５ｂにはデータ収集回路が接
続される。すなわち、光電流測定用のダイオードＤ１に
は直列に逆バイアス電圧９及び抵抗１０が接続されると
共に、暗電流測定用のダイオードＤ２には直列に抵抗１
８が接続され、また各ダイオードＤＩ 、Ｄ２には並列
にコンデンサ１１．１９が接続され、ざらにスイッチ］
２゜２０が接続される。各スイッチ１２．２０のオン時
スイッチ１２側からは被検体スキャンデータが出力され
、スイッチ２０側からは暗電流補正データが出力される
。また各スイッチ１２．２０にはコンデンサ２１，２２
．オペアンプ２３．２４を含む積分器２５．２６が接続
される。第４図はこれらデータ収集回路の結線図を示し
ている。また第２図は第１図のダイオードＤ１．Ｄ２と
シンチレータ］との組立構造を示し、第３図（ａ）。
続される。すなわち、光電流測定用のダイオードＤ１に
は直列に逆バイアス電圧９及び抵抗１０が接続されると
共に、暗電流測定用のダイオードＤ２には直列に抵抗１
８が接続され、また各ダイオードＤＩ 、Ｄ２には並列
にコンデンサ１１．１９が接続され、ざらにスイッチ］
２゜２０が接続される。各スイッチ１２．２０のオン時
スイッチ１２側からは被検体スキャンデータが出力され
、スイッチ２０側からは暗電流補正データが出力される
。また各スイッチ１２．２０にはコンデンサ２１，２２
．オペアンプ２３．２４を含む積分器２５．２６が接続
される。第４図はこれらデータ収集回路の結線図を示し
ている。また第２図は第１図のダイオードＤ１．Ｄ２と
シンチレータ］との組立構造を示し、第３図（ａ）。
（ｂ）はダイオードＤｔ 、Ｄ２の側面構造及び平面構
造を示している。
造を示している。
次に本実施例の作用を説明する。
シンチレータ１はＸ線が入射するとＸ線量に応じて発光
しフォトダイオードとして動作するダイオードＤ１に光
が照射される。このフォトダイオードＤ１によって光エ
ネルギーが電流に変換され、アノード電極１５ａから取
出された光電流の信号はコンデンサ１１に順次蓄えられ
る。一定時間後スイッチ１２をオンすると、コンデンサ
１１に蓄えられていた電荷は積分器２５のコンデンサ２
］に移動して電圧Ｖ１に変換される。積分器２５から出
力された信号はＡ／Ｄ変換器（図示せず）によってディ
ジタル変換され、コンピュータに転送された後データ処
理される。これによって被検体スキャンデータが収集さ
れる。
しフォトダイオードとして動作するダイオードＤ１に光
が照射される。このフォトダイオードＤ１によって光エ
ネルギーが電流に変換され、アノード電極１５ａから取
出された光電流の信号はコンデンサ１１に順次蓄えられ
る。一定時間後スイッチ１２をオンすると、コンデンサ
１１に蓄えられていた電荷は積分器２５のコンデンサ２
］に移動して電圧Ｖ１に変換される。積分器２５から出
力された信号はＡ／Ｄ変換器（図示せず）によってディ
ジタル変換され、コンピュータに転送された後データ処
理される。これによって被検体スキャンデータが収集さ
れる。
このスキャンデータの収集と同時に暗電流補正データの
収集が行われる。前記のように光照射が行われると光は
フォトダイオードＤ１に対してだけでなく暗電流測定用
のダイオードＤ２にも入射される。しかしこのダイオー
ドＤ２の表面は遮光部材１６及びＸ線遮蔽部材１７によ
って覆われているので、ダイオードＤ２のアノード電４
１１５ｂからは逆バイアス電圧９による暗電流のみが取
出される。この暗電流の信号はコンデンサ１９に蓄えら
れ、一定時間後スイッチ２０をオンすることにより、コ
ンデンサ１つに蓄えられていた電荷は積分器２６のコン
デンサ２２に移動して電圧ｖ０に変換される。続いてデ
ィジタル変換された後データ処理されることによって、
暗電流補正データが収集される。
収集が行われる。前記のように光照射が行われると光は
フォトダイオードＤ１に対してだけでなく暗電流測定用
のダイオードＤ２にも入射される。しかしこのダイオー
ドＤ２の表面は遮光部材１６及びＸ線遮蔽部材１７によ
って覆われているので、ダイオードＤ２のアノード電４
１１５ｂからは逆バイアス電圧９による暗電流のみが取
出される。この暗電流の信号はコンデンサ１９に蓄えら
れ、一定時間後スイッチ２０をオンすることにより、コ
ンデンサ１つに蓄えられていた電荷は積分器２６のコン
デンサ２２に移動して電圧ｖ０に変換される。続いてデ
ィジタル変換された後データ処理されることによって、
暗電流補正データが収集される。
続いてシステム動作を説明する。
患者登録時（オフセット収集時）にダイオードＤ１．Ｄ
２の各ＰＮ接合Ｊ１．Ｊ２における暗電流を測定し、各
々Ｓτｏ、Ｓｏｏの値が得られたとする。次に患者に対
してＸ線を照射してスキャンを行い、各接合Ｊ１．’Ｊ
２における光電流を測定し各々Ｓ＋＋ 、Ｓａｔの値が
得られたとする。
２の各ＰＮ接合Ｊ１．Ｊ２における暗電流を測定し、各
々Ｓτｏ、Ｓｏｏの値が得られたとする。次に患者に対
してＸ線を照射してスキャンを行い、各接合Ｊ１．’Ｊ
２における光電流を測定し各々Ｓ＋＋ 、Ｓａｔの値が
得られたとする。
患者登録時とスキャン時で温度が変化していなければ、
接合Ｊ２における信号はＳ ｏｏ ＝ ８０１と等しく
なる。
接合Ｊ２における信号はＳ ｏｏ ＝ ８０１と等しく
なる。
また接合Ｊ１における暗電流の値もＳｈｏの一定となり
、スキャン時の光電流の値Ｓｎに占める真のＸ線データ
（暗電流弁を補正により除いた値）Ｓ′１１は、Ｓ’
ＴＩ ＝Ｓ１１−５ＩＯで求めることができる。
、スキャン時の光電流の値Ｓｎに占める真のＸ線データ
（暗電流弁を補正により除いた値）Ｓ′１１は、Ｓ’
ＴＩ ＝Ｓ１１−５ＩＯで求めることができる。
しかし患者登録時とスキャン時で温度が変化している場
合には、各々で暗電流が異なり前記具のＸ線Ｔ’ −夕
Ｓ’ ＋＋ ハ、Ｓ′１Ｘ≠ＳＯＯとなり、Ｓ′１１≠
Ｓ＋＋ −３＋ｏで求めることができない。
合には、各々で暗電流が異なり前記具のＸ線Ｔ’ −夕
Ｓ’ ＋＋ ハ、Ｓ′１Ｘ≠ＳＯＯとなり、Ｓ′１１≠
Ｓ＋＋ −３＋ｏで求めることができない。
この点本実施例によれば各タイオードＤ１゜Ｄ２を同一
基板上に形成することにより、Ｊｔ。
基板上に形成することにより、Ｊｔ。
Ｊ２の温度条件は等しいので暗電流は同じように変化す
る。これによってスキャン時のデータＳＩ＋に含まれる
暗電流をＳ’＋ｏとすると、Ｓ’＋ｏ−３ｈｏ Ｘ （
ＳＯＩ／ＳＯＯ）で表せるとみなすことかできる。従っ
てこのＳ’＋ｏを用いることにより次式のようにして真
のＸ線データＳ′１１を求めることができる。
る。これによってスキャン時のデータＳＩ＋に含まれる
暗電流をＳ’＋ｏとすると、Ｓ’＋ｏ−３ｈｏ Ｘ （
ＳＯＩ／ＳＯＯ）で表せるとみなすことかできる。従っ
てこのＳ’＋ｏを用いることにより次式のようにして真
のＸ線データＳ′１１を求めることができる。
Ｓ’ ｎ ＝Ｓｎ −８’ ｔｏ ＝Ｓｎ −５ｈｏ
Ｘ （ＳＯ１／このようにして得られＳ′１１は温度変
化による暗電流の変化を取り除いたデータであり、この
データを基に断層像を再構成することにより暗電流変化
に伴うアーチファクトの発生を防止することができる。
Ｘ （ＳＯ１／このようにして得られＳ′１１は温度変
化による暗電流の変化を取り除いたデータであり、この
データを基に断層像を再構成することにより暗電流変化
に伴うアーチファクトの発生を防止することができる。
本文実施例では１つの光電流測定用のダイオードに対応
して１つの０８電流測定用のダイオードを設けた例で示
したが、検出器が複数チャンネルから成る場合でも暗電
流測定用のダイオードは１枚の基板上には少なくとも１
例説ければよく、複数チャンネルに対応した分設ける必
要はない。
して１つの０８電流測定用のダイオードを設けた例で示
したが、検出器が複数チャンネルから成る場合でも暗電
流測定用のダイオードは１枚の基板上には少なくとも１
例説ければよく、複数チャンネルに対応した分設ける必
要はない。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、同一基板上に光電流
及び暗電流測定用の有感領域を設けるようにしたので、
スキャン時にも暗電流を測定することができ、スキャン
時とオフセット収集時での温度条件を等しくすることが
でき暗電流の変化を補正するためアーチフエクトの発生
を防止することができる。
及び暗電流測定用の有感領域を設けるようにしたので、
スキャン時にも暗電流を測定することができ、スキャン
時とオフセット収集時での温度条件を等しくすることが
でき暗電流の変化を補正するためアーチフエクトの発生
を防止することができる。
第１図は本発明のＸ線ＣＴ用放射線検出器の実施例を示
す構成図、第２図は本実施例検出器の組立図、第３図（
ａ＞、（ｂ）は本実施例検出器の側面図及び平面図、第
４図は本実施例検出器のデータ収集回路、第５図及び第
８図は他のデータ収集回路、第６図はフォトダイオード
の等価回路、第７図は従来検出器の組立図である。 １・・・シンチレータ、２・・・フォトダイオード、９
・・・逆バイアス電圧、１０．１８・・・抵抗、１１．
１９，２１．２２・・・コンデンサ、１６・・・遮光部
材、１７・・・Ｘ線遮蔽部材、ＤＩ 、Ｄ２・・・ダイ
オード、 Ｊｌ 、Ｊ２・・・ＰＮ接合（有感領域〉。 代理人 弁理士 則 近 憲 缶周
近 藤 猛Ｄ２ 第 図 （Ｇ） （ｂ） 第 図 第 図 第 図 第 図
す構成図、第２図は本実施例検出器の組立図、第３図（
ａ＞、（ｂ）は本実施例検出器の側面図及び平面図、第
４図は本実施例検出器のデータ収集回路、第５図及び第
８図は他のデータ収集回路、第６図はフォトダイオード
の等価回路、第７図は従来検出器の組立図である。 １・・・シンチレータ、２・・・フォトダイオード、９
・・・逆バイアス電圧、１０．１８・・・抵抗、１１．
１９，２１．２２・・・コンデンサ、１６・・・遮光部
材、１７・・・Ｘ線遮蔽部材、ＤＩ 、Ｄ２・・・ダイ
オード、 Ｊｌ 、Ｊ２・・・ＰＮ接合（有感領域〉。 代理人 弁理士 則 近 憲 缶周
近 藤 猛Ｄ２ 第 図 （Ｇ） （ｂ） 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (3)
- （１）シンチレータとフォトダイオードとを組合せフォ
トダイオードを逆バイアス状態で動作させるＸ線ＣＴ用
放射線検出器において、同一フォトダイオード基板上に
放射線量に応じた光電流測定用の有感領域と、暗電流測
定用の有感領域とを設けたことを特徴とするＸ線ＣＴ用
放射線検出器。 - （２）暗電流測定用の有感領域が遮光部材で覆われた請
求項１記載のＸ線ＣＴ用放射線検出器。 - （３）遮光性部材が放射線遮蔽部材で覆われた請求項２
記載のＸ線ＣＴ用放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220506A JPH0269691A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | Ｘ線ｃｔ用放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220506A JPH0269691A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | Ｘ線ｃｔ用放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269691A true JPH0269691A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16752099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63220506A Pending JPH0269691A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | Ｘ線ｃｔ用放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269691A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001198115A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線撮影装置 |
| JP2002257936A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器モジュール |
| JP2002333481A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-11-22 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 固体ｘ線検出器の電界効果トランジスタ光伝導効果により誘発されるオフセットを補正するための方法と装置 |
| JP2003518624A (ja) * | 1999-12-28 | 2003-06-10 | トリクセル エス．アー．エス． | 画像検出器の感度の温度補償方法 |
| JP2005509891A (ja) * | 2001-11-20 | 2005-04-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 処理回路の為の放射シールドを有するｃｔ検出器モジュール |
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-
1988
- 1988-09-05 JP JP63220506A patent/JPH0269691A/ja active Pending
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